基板処理装置，基板脱離方法，プログラム
【課題】基板の割損やずれを発生させずに，静電吸着力が残留しているか否かの判定を容易にする。
【解決手段】載置台２００の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で載置台の表面に載置された基板を保持する静電チャック２１２と，載置台の表面から突没自在に設けられ，載置台の表面から基板を持ち上げて脱離させるリフトピン２３２と，リフトピンを昇降させるリフタ２３０と，リフトピンを上昇させる前に，リフトピンで基板を持ち上げるときのリフト推力を基板重量と同等の力に設定し，静電吸着用の直流電圧を止めて基板の電荷を除去する除電処理を実行し，リフタを駆動させて設定したリフト推力でリフトピンを上昇させる制御部３００とを備える。
【解決手段】載置台２００の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で載置台の表面に載置された基板を保持する静電チャック２１２と，載置台の表面から突没自在に設けられ，載置台の表面から基板を持ち上げて脱離させるリフトピン２３２と，リフトピンを昇降させるリフタ２３０と，リフトピンを上昇させる前に，リフトピンで基板を持ち上げるときのリフト推力を基板重量と同等の力に設定し，静電吸着用の直流電圧を止めて基板の電荷を除去する除電処理を実行し，リフタを駆動させて設定したリフト推力でリフトピンを上昇させる制御部３００とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板を載置台に吸着保持して処理し，処理後は載置台から脱離する基板処理装置，基板脱離方法，プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハやガラス基板等の基板に対してエッチング，成膜等の所定の処理を行う基板処理装置では，例えば基板を処理室内に搬送アームなどにより搬入し，載置台上に載置して吸着保持させた状態でエッチング等の処理を実行し，処理が終了すると，例えば昇降自在に設けられたリフトピンを押上げて基板を載置台から脱離し，搬送アームなどにより搬出するようになっている。
【０００３】
このとき，載置台に基板を吸着保持するための治具としては，例えば誘電部材内に埋設された電極板に直流電圧を印加して基板をクーロン力等の静電力によって吸着保持する静電チャックが多用されている。ところが，このような静電チャックで基板を吸着した場合には，処理後に静電チャックに印加した電圧をオフにしても基板に電荷が残留し，吸着保持力が残存して過吸着状態が発生している場合がある。従って，このような状態で例えばリフトピンによって基板を載置台から脱離させようとすると，基板の割損やずれが発生する可能性がある。
【０００４】
また，リフトピンが静電チャックの上面から突出しても，基板が載置台から脱離しないと基板に撓みが発生する。基板に撓みが発生すると，基板上に形成された薄膜の特性（例えば物理的強度など）によってはその薄膜自体が破損してしまう虞もある。例えば基板に形成される低誘電率膜（ｌｏｗ−ｋ膜）は膜中に空隙があるなどのため物理的強度が弱いので，基板の撓みによって膜自体が破損し易い。
【０００５】
このため，基板を脱離させる前に静電チャックに逆電圧を印加したり，プラズマを生起したりして基板から静電気を除去する除電処理を実行することで静電吸着力を弱めるものがある（例えば特許文献１，２参照）。また，基板をリフトピンで押し上げてみて，そのときリフトピンにかかる負荷を検出することで，基板にかかる静電吸着力を測定するものもある（例えば特許文献３，４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−６４０２１号公報
【特許文献２】特開平１１−２７４１４１号公報
【特許文献３】特開平５−１２９４２１号公報
【特許文献４】特開２００４−２２８４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら，特許文献１，２のように除電処理を行うものでは，基板にかかる静電吸着力を測定しているわけではないので，除電処理が不十分で静電吸着力が残留する場合もある。この場合に無理に基板をリフトピンで持ち上げると基板の割損やずれが発生する虞がある。
【０００８】
また，特許文献３，４のようにリフトピンにかかる負荷を検出するものでは，基板の重量よりも大きな力（基板の重量にさらに静電吸着力も加えた力に抗して基板を持ち上げられるだけの力）で，実際に基板をリフトピンで押し上げてみないと，静電吸着力を測定できない。このため，静電吸着力を測定する際に，基板の割損やずれが発生する虞がある。
【０００９】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，基板の割損やずれを発生させることなく，基板が過吸着状態であるか否かを容易に判定できる基板処理装置，基板脱離方法，プログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置において前記基板載置台から前記基板を脱離させる方法であって，前記基板処理装置は，前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，前記リフトピンを昇降させるリフタと，を備え，前記リフトピンを上昇させる前に，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記基板重量と同等の力に設定する工程と，前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させる工程と，を有することを特徴とする基板脱離方法が提供される。
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置であって，前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，前記リフトピンを昇降させるリフタと，基板処理条件とこれに関連づけられた基板重量とを記憶する記憶部と，前記リフトピンを上昇させる前に，その基板に実行された基板処理条件に関連づけられた基板重量を前記記憶部から取得し，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記記憶部から取得した基板重量と同等の力に設定し，前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させる制御部と，を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置において前記基板載置台から前記基板を脱離させる方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって，前記基板処理装置は，前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，前記リフトピンを昇降させるリフタと，を備え，前記基板脱離方法は，前記リフトピンを上昇させる前に，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記基板重量と同等の力に設定するステップと，前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させるステップと，を有することを特徴とするプログラムが提供される。
【００１３】
このような本発明にかかる装置，方法，プログラムによれば，リフトピンで基板を持ち上げるときのリフト推力を，基板を持ち上げるのに必要最小限の基板重量と同等の力に設定してリフトピンを上昇させる。これによれば，基板が過吸着状態であっても，基板に無理な力がかからないようにすることができるので，基板の割損やずれを防止できる。
【００１４】
しかも，基板が過吸着状態の場合にはリフトピンで基板を持ち上げられずにリフタが動かなくなるので，リフタの状態を監視して途中で動かなくなったか否かを検出するだけで基板が過吸着状態か否かを容易に判定できる。
【００１５】
例えば上記リフタの状態を検出するリフタセンサを設け，前記リフタセンサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してからも前記リフタが動いているか否かによって前記基板が過吸着状態か否かを判定する。これによれば，基板に無理な力をかけることなく過吸着状態か否かを容易に判定できる。
【００１６】
この場合，上記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，前記リフタセンサは，前記ベースの上昇位置を検出する位置センサで構成することができる。これによれば，前記判定工程では前記位置センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記上昇位置が変化している場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記上昇位置が変化していない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することができる。
【００１７】
上記リフタセンサは，例えば前記アクチュエータの駆動振動を検出する振動センサで構成する。これによれば，前記判定工程は，前記振動センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ駆動振動が検出された場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ駆動振動が検出されない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することができる。
【００１８】
また，上記リフタセンサは，前記アクチュエータの駆動音を検出する音センサで構成してもよい。これによれば，前記判定工程は，前記音センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ駆動音が検出された場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ駆動音が検出されない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することができる。
【００１９】
また，上記リフタセンサは，前記アクチュエータの温度を検出する温度センサで構成してもよい。前記判定工程は，前記温度センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ温度に所定以上の温度上昇がない場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ温度に所定以上の温度上昇がある場合には前記基板が過吸着状態であると判定することができる。
【００２０】
また，上記基板が過吸着状態であると判定した場合には，リフタを停止してエラー処理（エラー表示，エラー報知など）を行うようにしてもよい。また上記基板が過吸着状態であると判定した場合には，前記リフタを停止せずに再度の除電処理を開始することができる。このようにしても，ウエハ重量と同等の力程度の極めて小さい力にリフト推力を設定しているので，基板がずれたり跳ね上がったりすることはない。
【００２１】
また，上記基板処理装置は，複数の基板処理条件と，これら各基板処理条件のそれぞれに関連づけられた基板重量とを記憶する記憶部を備え，前記リフト推力を設定する工程は，前記載置台から脱離しようとする基板に実行された基板処理条件に関連づけられた基板重量を前記記憶部から取得し，その基板重量を用いて前記リフト推力を設定するようにしてもよい。これによれば，基板処理条件が異なる場合（同種の基板処理で処理条件が異なる場合と異種の基板処理で処理条件が異なる場合を含む）に基板を持ち上げるときの基板重量が異なっていても，基板処理条件に応じて基板に無理な力をかけずに持ち上げられる適切な基板重量をリフト推力に設定できる。
【００２２】
また，上記リフト推力の設定に用いる基板重量は，処理後の基板重量と処理前の基板重量のいずれかを基板処理条件に応じて選択的に用いるようにしてもよい。例えばエッチング処理のように処理後の基板重量の方が処理前の基板重量よりも軽くなる場合は処理後の基板重量と処理前の基板重量のどちらを用いることもできる。これに対して，成膜処理のように処理後の基板重量の方が処理前の基板重量よりも重くなる場合は重い方の処理後（成膜後）の基板重量を用いることが好ましい。これによれば，基板処理の種類によっては基板重量が処理前と処理後で異なる場合でも，基板に無理な力をかけずに持ち上げられる適切な基板重量をリフト推力に設定できる。
【００２３】
また，上記リフト推力の設定に用いる基板重量は，前記基板処理が正常に終了した場合には処理後の基板重量を用い，前記基板処理が正常に終了しなかった場合には処理前の基板重量と処理後の基板重量のいずれかを基板処理条件に応じて選択的に用いるようにしてもよい。例えばエッチング処理のように処理後の基板重量の方が処理前の基板重量よりも軽くなる場合は基板処理が正常に終了した場合には処理後の基板重量を用い，基板処理が正常に終了しなかった場合（エッチングで削る量が予定より少なかった場合）には重い方の処理前の基板重量を用いることが好ましい。これに対して，成膜処理のように処理後の基板重量の方が処理前の基板重量よりも重くなる場合は基板処理が正常に終了した場合と正常に終了しなかった場合ともに重い方の処理後（成膜後）の基板重量を用いることが好ましい。これによれば，基板処理が正常に終了したか否かに応じて，基板に無理な力をかけずに持ち上げられる適切な基板重量をリフト推力に設定できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば，リフトピンで基板を持ち上げる際のリフト推力を基板重量に設定することで，基板の割損やずれを発生させることなく，基板が過吸着状態であるか否かを容易に判定できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す断面図である。
【図２Ａ】ウエハが過吸着状態でない場合のリフタの動作を説明するための図面である。
【図２Ｂ】ウエハが過吸着状態である場合のリフタの動作を説明するための図面である。
【図３】リフタを駆動するモータの速度制御の具体例を示す図である。
【図４】図１に示すリフタセンサを位置センサで構成した場合の具体例を示す図である。
【図５】図１に示すリフタセンサをエンコーダで構成した場合の具体例を示す図である。
【図６】図１に示すリフタセンサをモータセンサで構成した場合の具体例を示す図である。
【図７】ウエハ重量情報のデータテーブルを示す図である。
【図８】他のウエハ重量情報のデータテーブルを示す図である。
【図９】同実施形態におけるウエハ脱離処理のメインルーチンのフローチャートである。
【図１０】図９に示すリフト推力の設定についてのサブルーチンのフローチャートであって，図７のウエハ重量情報を用いる場合である。
【図１１】図９に示すリフト推力の設定についてのサブルーチンのフローチャートであって，図８のウエハ重量情報を用いる場合である。
【図１２】同実施形態における他のウエハ脱離処理のメインルーチンのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２７】
（基板処理装置）
先ず，本発明にかかる基板処理装置の構成例を図面を参照しながら説明する。図１は，本実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す断面図である。基板処理装置１００は，半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する）Ｗに対してエッチング，成膜などのプラズマ処理を施すプラズマ処理装置を例に挙げて説明する。図１は，本実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【００２８】
図１に示すように，基板処理装置１００は，アルミニウム等の導電性材料からなる処理室（チャンバ）１０２を備える。処理室１０２は例えば上部に開口部を有する円筒状の容器本体１０３と，この容器本体１０３の開口部を開閉可能に閉塞する円板状の天井部（蓋部）１０５とを備える処理容器から構成される。天井部１０５は容器本体１０３にボルトなどの締結部材により脱着自在に気密に取付けられる。処理室１０２はグランドに接地されている。
【００２９】
また，天井部１０５と容器本体１０３の間にはＯリングなどのシール部材１１４が介在されている。これにより，天井部１０５と容器本体１０３との間はより高い気密性が確保される。なお，処理室１０２の形状は円筒状に限られるものではない。例えば角筒状（例えば箱状）であってもよい。
【００３０】
処理室１０２内には，ウエハＷを載置する載置台２００を構成する円柱状の下部電極（サセプタ）２１０と，この下部電極２１０に対向して配設され，処理ガスやパージガスなどを導入するシャワーヘッドを構成する上部電極１１０とを備える。
【００３１】
下部電極２１０は，例えばアルミニウムからなり，絶縁性の筒状保持部２２０を介して処理室１０２の底部に設けられる。下部電極２１０は，ウエハＷの外径に合わせて円柱状に形成される。なお，下部電極２１０の形状についても円柱状に限られるものではない。例えば角柱状（例えば多角柱状）であってもよい。
【００３２】
下部電極２１０には第１高周波電源１５０が整合器１５２を介して接続され，上部電極１１０には上記第１高周波電源１５０より周波数の高い第２高周波電源１６０が整合器１６２を介して接続されている。なお，図１に示すように整合器１５２と下部電極２１０との間には第２高周波電源１６０から下部電極２１０に流入する高周波電流を濾過するハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１５４が介在することが好ましい。また，整合器１６２と上部電極１１０との間には第１高周波電源１５０から上部電極１１０に流入する高周波電流を濾過するローパスフィルタ（ＬＰＦ）１６４が介在することが好ましい。
【００３３】
上部電極１１０は，その周縁部を被覆するシールドリング１１２を介して処理室１０２の天井部１０５に取り付けられている。上部電極１１０は，内部に拡散室１１６を有するとともに，載置台２００と対向する下面には処理ガスを吐出する多数の吐出孔１１８が形成されている。
【００３４】
上部電極１１０には処理室１０２内での処理に必要なガスを供給する処理ガス供給部１２２がガス導入口１２１に接続されている。処理ガス供給部１２２は，例えば処理室１０２内でのウエハのプロセス処理や処理室１０２内のクリーニング処理などに必要な処理ガスやパージガスなどを供給するガス供給源，ガス供給源からのガスの導入を制御するバルブ及びマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を有するガスラインから構成される。
【００３５】
このような処理ガス供給部１２２によれば，ガス供給源からの処理ガスがマスフローコントローラにより所定の流量に制御されて，ガス導入口１２１から上部電極１１０に供給される。そして，処理ガスは上部電極１１０の拡散室１１６内で拡散して各吐出孔１１８から処理室１０２内に供給される。
【００３６】
なお，処理ガス供給部１２２のガスラインは単一であってもよく，また複数であってもよい。この場合，複数のガスラインはそれぞれ異なる種類の処理ガスを供給するように構成してもよく，また同じ種類の処理ガスを供給するように構成してもよい。
【００３７】
このような処理ガス供給部１２２により処理室１０２内に供給する処理ガスとしては，例えばエッチングでは，Ｆ，Ｃｌなどを含むハロゲン系ガスが用いられる。具体的にはＳｉＯ２膜などのシリコン酸化膜をエッチングする場合には，ＣＨＦ３ガスなどが処理ガスとして用いられる。また，ＨｆＯ２，ＨｆＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＺｒＳｉＯ４などの高誘電体薄膜をエッチングする場合には，ＢＣｌ３ガスを処理ガスとしたり，ＢＣｌ３ガスとＯ２ガスとの混合ガスを処理ガスとして用いられる。
【００３８】
載置台２００の表面には，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で載置台２００の表面に載置されたウエハを保持する静電チャック２１２が設けられている。具体的には静電チャック２１２は，下部電極２１０の上面に設けられ，例えば２枚の高分子ポリイミドフィルム間やセラミック間に銅箔などの導電膜からなる静電チャック電極２１４を絶縁状態で挟み込むことにより構成される。
【００３９】
静電チャック電極２１４には電圧の出力を正電圧，負電圧，グランド（接地）に切換え可能な直流電源回路２１６が接続されている。直流電源回路２１６はさらに，正電圧，負電圧の電圧レベルを調整可能に構成されている。このような直流電源回路２１６から静電チャック電極２１４に高電圧を印加することによって，静電チャック２１２の上面にウエハＷをクーロン力により吸着保持することができる。
【００４０】
下部電極２１０には，ウエハＷをリフトピン（リフタピン，支持ピン）２３２で持ち上げて静電チャック２１２の上面から脱離させるリフタ２３０を備える。リフタ２３０は，複数（例えば３本）のリフトピン２３２を起立した状態で支持するベース２３４と，ベース２３４をロッド２３６に取り付けて昇降させるアクチュエータ２３８とで構成される。例えばアクチュエータ２３８はボールネジなどのロッド２３６を昇降させるモータで構成する。なお，リフタ２３０の構成はこれに限られるものではなく，リフタ２３０を例えばエアシリンダやリニアモータを用いた昇降機構で構成してもよい。
【００４１】
リフトピン２３２は，下部電極２１０の下方から鉛直上方に延びて静電チャック２１２の上面から突没自在に設けられる。具体的には各リフトピン２３２は，下部電極２１０と静電チャック２１２とを貫通して形成される孔部にそれぞれ挿入され，ベース２３４の昇降動作に応じて静電チャック２１２の上面から突没するようになっている。ベース２３４は例えば円板状又は環状に形成され，その上部にリフトピン２３２が等間隔に並ぶように取り付けられる。なお，これらリフトピン２３２の数は３本に限られるものではない。
【００４２】
このように構成されたリフタ２３０によれば，リフトピン２３２をベース２３４で一斉に上昇させることでウエハＷを静電チャック２１２から平行に持ち上げて静電チャック２１２から脱離させることができる。このようなリフタ２３０の動作についての詳細は後述する。
【００４３】
なお，図示はしないが，載置台２００には，ヒータや冷媒流路などの温度調整機構，静電チャック２１２の上面とウエハＷの裏面との間に熱伝達促進用の伝達ガス（Ｈｅガスなど）を供給する伝熱ガス供給機構等，必要に応じて様々な機能を設けることができる。また，筒状保持部２２０の上面には，ウエハＷを環状に囲む例えば石英やシリコンからなる図示しないフォーカスリングを配置してもよい。
【００４４】
処理室１０２の側壁には基板搬入出口１０４を開閉するためのゲートバルブ１０６が設けられている。また，処理室１０２の側壁の下方には排気口が設けられ，排気口には排気管１０８を介して真空ポンプ（図示せず）を含む排気部１０９が接続される。この排気部１０９により処理室１０２の室内を排気することによって，プラズマ処理中に処理室１０２内を所定の真空雰囲気に維持することができる。
【００４５】
基板処理装置１００には，制御部（全体制御装置）３００が接続されており，この制御部３００によって基板処理装置１００の各部が制御されるようになっている。また，制御部３００には，オペレータが基板処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや，基板処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなる操作部３１０が接続されている。
【００４６】
さらに，制御部３００には，基板処理装置１００で実行される各種処理を制御部３００の制御にて実現するためのプログラムやプログラムを実行するために必要な処理条件（レシピ）などが記憶された記憶部３２０が接続されている。
【００４７】
記憶部３２０には，例えばウエハＷのプロセス処理を実行させるための複数の処理条件Ｘ，Ｙ・・・（プロセス処理レシピ）が記憶されている。これらの処理条件は，基板処理装置１００の各部を制御する制御パラメータ，設定パラメータなどの複数のパラメータ値をまとめたものである。各処理条件は例えば処理ガスの流量比，処理室内圧力，高周波電力などのパラメータ値を有する。また，本実施形態では，処理条件ごとにウエハ重量が関連づけられて記憶されている。このウエハ重量はリフトピン２３２でウエハを持ち上げるときのリフト推力を設定する際に用いられる。これらウエハ重量やリフト推力の設定の詳細は後述する。
【００４８】
なお，これらのプログラムや処理条件はハードディスクや半導体メモリに記憶されていてもよく，またＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で記憶部３２０の所定位置にセットするようになっていてもよい。
【００４９】
制御部３００は，操作部３１０からの指示等に基づいて所望のプログラム，処理条件を記憶部３２０から読み出して各部を制御することで，基板処理装置１００での所望の処理を実行する。また，操作部３１０からの操作により処理条件を編集できるようになっている。
【００５０】
このような構成の基板処理装置１００では，ウエハ処理として例えばエッチング処理を実行する場合，図示しない搬送アームなどによりウエハＷを処理室１０２内へ搬入し，載置台を兼ねる下部電極２１０上に載置させて，静電チャック２１２によりウエハＷを静電吸着する。そして，処理ガス供給部１２２により処理室１０２内に所定の処理ガスを導入し，排気部１０９により処理室１０２内を排気することにより，処理室１０２内を所定の真空圧力に減圧する。
【００５１】
このように所定の真空圧力を維持した状態で，第１高周波電源１５０から下部電極２１０に例えば２ＭＨｚの第１高周波電力を印加するとともに，第２高周波電源１６０から上部電極１１０に例えば６０ＭＨｚの第２高周波電力を印加することにより，第２高周波電力の働きで下部電極２１０と上部電極１１０との間に処理ガスのプラズマが発生するとともに，第１高周波電力の働きで下部電極２１０にセルフバイアス電位が発生する。
【００５２】
これにより，下部電極２１０上のウエハＷに対して例えば反応性イオンエッチング等のプロセス処理を実行することができる。プロセス処理が終了すると，静電チャック２１２の印加電圧をオフにして，リフタ２３０を駆動してリフトピン２３２でウエハＷを押し上げて静電チャック２１２から脱離する。
【００５３】
（リフタの動作）
ここで，このようなリフタ２３０の動作について図面を参照しながら説明する。図２Ａ，図２Ｂはリフタの動作を説明するための図である。図２ＡはウエハＷが過吸着状態でない場合，図２ＢはウエハＷが過吸着状態である場合である。ここでは，アクチュエータ２３８をボールネジからなるロッド２３６を昇降させるモータで構成した場合を例に挙げる。
【００５４】
このようなリフタ２３０によれば，静電チャック２１２からウエハＷを脱離する場合，静電チャック２１２の印加電圧をオフにしてウエハＷの電荷を除去する除電処理を行ってから，モータ２３８を駆動してベース２３４とともに各リフトピン２３２を上昇させる。すると，リフトピン２３２の先端がウエハＷの裏面に接触する。
【００５５】
このとき，ウエハＷに電荷が残留してなければ静電吸着力も残留しないので，ウエハＷは過吸着状態にならない。この場合は，図２Ａに示すようにウエハＷに下向きに作用するのはウエハ重量Ｊだけなので，そのウエハ重量Ｊと同等のリフト推力Ｆでもリフトピン２３２でウエハＷを持ち上げられる。
【００５６】
これに対して，除電処理が不十分でウエハＷに電荷が残留していれば静電吸着力が残留するので，ウエハＷは過吸着状態になる。この場合は，図２Ｂに示すようにウエハＷに下向きに作用する力はウエハ重量Ｊと残留静電吸着力ｆｃである。従って，この場合にウエハＷを持ち上げるためには，ウエハ重量Ｊと残留静電吸着力ｆｃを加えた力以上のリフト推力Ｆでリフトピン２３２を押し上げる必要がある。ところが，ウエハ重量Ｊよりも大きなリフト推力ＦでウエハＷを持ち上げると，ウエハＷに無理な力がかかるので，ウエハＷの割損やずれが発生する可能性がある。しかも，この場合にはリフトピン２３２が静電チャック２１２の上面から突き出てウエハＷが撓む可能性もある。
【００５７】
そこで，本実施形態では，ウエハＷを持ち上げるのに必要最小限の小さな力，すなわちウエハ重量Ｊと同等の力をリフト推力Ｆに設定してリフトピン２３２を上昇させる。これによれば，ウエハＷが過吸着状態であっても，ウエハＷに無理な力がかからないようにすることができるので，ウエハＷの割損やずれを防止できる。
【００５８】
また，ウエハ重量Ｊと同等の力でリフトピン２３２を上昇させるので，ウエハＷが過吸着状態の場合はリフトピン２３２の先端がウエハＷの裏面に接触したところで動かなくなる。すなわち，リフトピン２３２の先端は静電チャック２１２の上面から突き出ることなく動かなくなるので，ウエハＷに撓みが発生しないで済む。
【００５９】
このように，ウエハＷが過吸着状態の場合にはリフトピン２３２でウエハＷを持ち上げられずにリフタ２３０が動かなくなるので，リフタ２３０の状態を監視して途中で動かなくなったか否かを検出するだけでウエハＷが過吸着状態か否かを判定できる。これによれば，ウエハＷに無理な力をかけることなく過吸着状態か否かを容易に判定できる。
【００６０】
具体的には例えば予め処理室で処理されるウエハＷのウエハ重量を測定して記憶部３２０に記憶しておき，リフトピン２３２を上昇させる前に記憶部３２０からウエハ重量を読み出してリフト推力を設定し，その設定したリフト推力に基づいてモータ２３８のトルクを制御してリフトピン２３２を上昇させる。
【００６１】
なお，このようなリフタ２３０に用いるモータ２３８としては，トルクの調整を回転速度の調整とは独立して行うことができるものを用いることが好ましい。リフト推力を所定値に設定して適切なトルクに調整しても，リフトピン２３２の上昇速度が高速すぎると，ウエハＷにリフトピン２３２が接触するときの衝撃も強くなるので，ウエハＷの跳ね上がり，位置ずれが生じる虞がある。このような位置ずれが発生すると，それ以降のウエハＷの搬送が正常に行われなかったり，リフトピン２３２からウエハＷが脱落したりという不具合が生じてしまう。逆に，リフトピン２３２の上昇速度が低速すぎると，ウエハＷの脱離にかかる時間が長くなり，スループットが低下してしまう。
【００６２】
そこで，モータ２３８のトルクは，リフト推力がウエハ重量と同等の力になるように設定した上で，モータ２３８の回転速度は図３に示すようにリフトピン２３２がウエハＷに接触する時点（ｔｃ）の前後の区間Ｔ（＝ｔ１〜ｔ２）では一定かつ低速になるように調整する。このとき，ウエハＷに接触する区間Ｔまでの時間（ｔstart〜ｔ１）と区間Ｔの後の時間（ｔ２〜ｔend）はそれぞれ，上昇速度を上げるため，Ｓ字制御になるようにモータ２３８の回転速度を調整する。これにより，ウエハＷが持ち上げられるときの区間Ｔでのリフト推力は設定されたウエハ重量と同等の力となり，区間ＴでウエハＷにリフトピン２３２が接触するときの衝撃を抑えつつ，スループットを向上させることができる。
【００６３】
（過吸着状態の検出）
次に，本実施形態におけるウエハＷの過吸着状態の検出について詳細に説明する。上述したようにリフト推力Ｆをウエハ重量Ｊと同等の力に設定すると，ウエハＷが過吸着状態でない場合（図２Ａ）は，リフタ２３０はリフトピン２３２がウエハＷに接触した後はそれを持ち上げることができる。このため，リフタ２３０はウエハＷにリフトピン２３２が接触した後もそれを持ち上げて上昇が終了するまで動いている。これに対して，ウエハＷが過吸着状態である場合（図２Ｂ）は，リフトピン２３２はウエハＷに接触した後はそれを持ち上げられない。このため，リフタ２３０はウエハＷにリフトピン２３２が接触した後はそのまま動かなくなる。
【００６４】
そこで，本実施形態ではリフタ２３０の状態（ベース位置，モータ駆動振動，モータ駆動音，モータ温度など）を検出するリフタセンサ２４０を設け，このリフタセンサ２４０の出力に基づいて，リフトピン２３２がウエハＷに接触した後もリフタ２３０が動いているか否かを検知することで，ウエハＷが過吸着状態であるか否かを判定する。すなわち，リフタ２３０が動いていればウエハＷが過吸着状態でないと判定し，リフタ２３０が動いていなければウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００６５】
ここで，リフタセンサ２４０の具体例について図面を参照しながら説明する。先ず，リフタセンサ２４０を位置センサ２４２で構成した場合を図４に示す。ここでは位置センサ２４２によってベース２３４の上昇位置を直接検出する。このような位置センサ２４２として例えば光センサや磁気センサを用いることができる。位置センサ２４２は，ウエハＷが持ち上げられたときのベース２３４の上昇位置でオンするように配置する。
【００６６】
制御部３００は，位置センサ２４２の出力を監視し，リフトピン２３２がウエハＷに接触してから一定時間内に，位置センサ２４２がオンになればリフタ２３０が動いているのでウエハＷが過吸着状態でないと判定し，位置センサ２４２がオフのままであればリフタ２３０が動いていていないのでウエハＷが過吸着状態であると判定する。なお，図４はベース２３４の上昇位置を検出する場合を説明したが，これに限られるものではない。例えばリフトピン２３２の位置，ロッド２３６の位置などを検出してもよい。
【００６７】
また，位置センサ２４２としては図４に示すようにベース２３４の上昇位置を直接的に検出する場合に限られるものではない。例えば図５に示すようにモータ２３８に位置センサとしてエンコーダ２４４を設け，このエンコーダ２４４によってベース２３４（リフトピン２３２，ロッド２３６）の上昇位置を間接的に検出してもよい。エンコーダ２４４の出力はベース２３４の上昇位置と比例するので，例えばウエハＷが持ち上げられたときのベース２３４の上昇位置に相当するエンコーダ２４４の出力を閾値として予め検出して記憶部３２０に記憶しておく。
【００６８】
制御部３００はエンコーダ２４４の出力を監視し，リフトピン２３２がウエハＷに接触してから一定時間内に，エンコーダ２４４の出力が上記閾値以上であればリフタ２３０が動いているのでウエハＷが過吸着状態でないと判定し，エンコーダ２４４の出力が上記閾値に達していなければリフタ２３０が動いていていないのでウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００６９】
また，上述したリフタ２３０の状態は，図４，図５に示すベース２３４の上昇位置に限られるものではない。例えば図６に示すようにモータ２３８の状態（駆動振動，駆動音，温度など）をモータセンサ２４６で検出することでも，リフタ２３０が動いているか否かを検知できる。すなわち，リフタ２３０が動いていないときはモータ２３８も動いていないので，モータ２３８には駆動振動や駆動音は発生せず，所定以上の温度上昇が発生する。これに対して，リフタ２３０が動いているときはモータ２３８も動いているので，モータ２３８には駆動振動や駆動音が発生し，所定以上の温度上昇は発生しない。
【００７０】
そこで，モータセンサ２４６として例えば振動センサ，音センサ，温度センサなどを用いて，モータ２３８が動いているか否かを検知する。例えばモータセンサ２４６を振動センサで構成した場合，制御部３００は振動センサの出力を監視し，リフトピン２３２がウエハＷに接触してから一定時間内に，モータ２３８の駆動振動を検出すればモータ２３８が動いているのでウエハＷが過吸着状態でないと判定し，モータ２３８の駆動振動を検出しなければモータ２３８が動いていないのでウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００７１】
また，モータセンサ２４６を音センサで構成した場合，制御部３００は音センサの出力を監視し，リフトピン２３２がウエハＷに接触してから一定時間内に，モータ２３８の駆動音を検出すればモータ２３８が動いているのでウエハＷが過吸着状態でないと判定し，モータ２３８の駆動音を検出しなければモータ２３８が動いていないのでウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００７２】
また，モータセンサ２４６を温度センサで構成した場合，制御部３００は温度センサの出力を監視し，リフトピン２３２がウエハＷに接触してから一定時間内に，モータ２３８の温度に所定以上の温度上昇がなければモータ２３８が動いているのでウエハＷが過吸着状態でないと判定し，モータ２３８の温度に所定以上の温度上昇があればモータ２３８が動いていないのでウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００７３】
なお，上述したようにウエハＷの過吸着状態を判定する時間（リフトピン２３２がウエハＷに接触してからカウントする一定時間）は，リフトピン２３２がウエハＷに接触した時点からウエハＷを持ち上げ終わった時点までの間で設定することが好ましい。例えば図３に示すようにモータ２３８を制御する場合は，リフトピン２３２がウエハＷに接触した時点（ｔｃ）からウエハＷが静電チャック２１２から完全に離間した時点（ｔ２）までを過吸着状態判定時間とすることができる。
【００７４】
このように，本実施形態ではリフト推力をウエハ重量と同等の力に設定することでウエハＷに無理な力をかけることなくウエハＷが過吸着状態であるか否かを容易に判断できる。
【００７５】
（ウエハ重量）
ここで，リフト推力を設定する際に用いるウエハ重量についてより詳細に説明する。ウエハＷを持ち上げるのはウエハ処理終了後なので，リフト推力の設定には基本的には処理後のウエハ重量を用いることが好ましい。この場合は，処理後のウエハ重量を予め測定して記憶部３２０に記憶しておく。
【００７６】
また，ウエハ処理の条件（例えば処理室内圧力，処理ガスの種類や流量など）が異なれば，処理後のウエハ重量も異なるので，複数処理条件でウエハ処理を行う場合には，各処理条件に対応する処理後のウエハ重量を用いるようにしてもよい。この場合には，例えば図７に示すように各処理条件（Ｘ，Ｙ，・・・）ごとに測定した処理後のウエハ重量（ＪＸ，ＪＹ，・・・）を関連づけた基板重量情報を記憶部３２０に記憶しておく。そして，リフトピン２３２を上昇させる前にそのウエハＷの処理条件に対応するウエハ重量を記憶部３２０から読み出してリフト推力を設定する。
【００７７】
さらに，ウエハ処理の種類（例えばエッチング，成膜など）が異なればそのウエハ処理前後のウエハ重量も変わるので，その場合にはウエハ処理が途中で止まってしまう場合も考えて，リフト推力の設定にはウエハ処理の種類に応じて処理後のウエハ重量と処理前のウエハ重量のいずれかを選択的に用いることが好ましい。この場合も，ウエハ処理の種類ごとに処理条件も異なるので，上述したのと同様に処理条件ごとにリフト推力の設定に用いるウエハ重量を関連づけて記憶部３２０に記憶しておけばよい。
【００７８】
例えば成膜処理ではウエハＷの表面に薄膜を形成するので，ウエハ重量は処理前よりも処理後の方が重くなる。従って，この場合には最も重くなる処理後のウエハ重量でリフト推力を設定しておくことで，ウエハＷが過吸着状態でなければ，ウエハ処理が正常に終了した場合のみならず，ウエハ処理が途中で止まってしまった場合でもウエハＷを持ち上げることができる。
【００７９】
また，エッチング処理ではウエハＷの表面を削り取るので，ウエハ重量は処理前よりも処理後の方が軽くなる。従って，もし処理後のウエハ重量を用いてリフト推力を設定したとすれば，ウエハ処理が正常終了した場合には問題なくても，ウエハ処理が途中で止まってしまった場合にはウエハＷを持ち上げることができなくなる可能性もある。
【００８０】
そこで，この場合には最も重くなる処理前のウエハ重量でリフト推力を設定しておく。これにより，ウエハＷが過吸着状態でなければ，ウエハ処理が正常に終了した場合のみならず，ウエハ処理が途中で止まってしまった場合でもウエハＷを持ち上げることができる。
【００８１】
なお，このようにウエハ処理によってその処理前後のウエハ重量が変わる場合は，ウエハ処理が正常終了した場合と正常終了しなかった場合とで，リフト推力の設定に用いるウエハ重量を変えるようにしてもよい。例えばエッチング処理の場合はウエハＷの重量はウエハ処理が正常終了の場合よりも異常終了した方が重くなるので，ウエハ処理が正常終了の場合には処理後のウエハ重量を用い，ウエハ処理が異常終了の場合には処理前のウエハ重量を用いるようにしてもよい。
【００８２】
なお，この場合，ウエハ処理が正常終了した場合には，処理後のウエハ重量を用い，ウエハ処理が正常終了しなかった場合には，処理後のウエハ重量と処理前のウエハ重量のいずれかをウエハ処理条件（例えばウエハ処理の種類）に応じて選択的に用いるようにしてもよい。例えば上述したエッチング処理のように処理後のウエハ重量の方が処理前のウエハ重量よりも軽くなる場合はウエハ処理が正常に終了した場合には処理後のウエハ重量を用い，ウエハ処理が正常に終了しなかった場合（エッチングで削る量が予定より少なかった場合）には重い方の処理前のウエハ重量を用いることが好ましい。これに対して，成膜処理のように処理後のウエハ重量の方が処理前のウエハ重量よりも重くなる場合はウエハ処理が正常に終了した場合と正常に終了しなかった場合ともに重い方の処理後（成膜後）のウエハ重量を用いることが好ましい。これにより，どのようなウエハ処理の種類の場合でも適用でき，過吸着状態でない場合にはウエハＷを持ち上げることができる。
【００８３】
この場合には，例えば図８に示すように各処理条件（Ｘ，Ｙ，・・・）ごとに測定した処理前のウエハ重量（ＪＸ（ｂｅｆ），ＪＹ（ｂｅｆ），・・・）と処理後のウエハ重量（ＪＸ（ａｆｔ），ＪＹ（ａｆｔ），・・・）を関連づけた基板重量情報を記憶部３２０に記憶しておく。そして，リフトピン２３２を上昇させる前にそのウエハＷの処理条件に対応する処理前のウエハ重量又は処理後のウエハ重量を記憶部３２０から読み出してリフト推力を設定する。
【００８４】
（ウエハ脱離処理の具体例）
次に，静電チャック２１２からウエハＷを脱離する際に制御部３００によって実行されるウエハ脱離処理の具体例について図面を参照しながら説明する。図９は本実施形態におけるウエハ脱離処理の概略を示すメインルーチンのフローチャートである。図１０は，図７に示すウエハ重量情報に基づいてリフト推力を設定する場合のサブルーチンのフローチャートである。図１１は，図８に示すウエハ重量情報に基づいてリフト推力を設定する場合のサブルーチンのフローチャートである。なお，ウエハ脱離処理は記憶部３２０に記憶されたプログラムに基づいて実行される。
【００８５】
ウエハ脱離処理は，図９に示すように，先ずステップＳ１１０にてウエハＷを持ち上げる際のリフト推力の設定を行う。ここで，図７に示すウエハ重量情報に基づいてリフト推力を設定する場合には，図１０に示すサブルーチンのフローチャートに基づいてリフト推力が設定される。
【００８６】
図１０に示すリフト推力の設定では，先ずステップＳ２１０にてウエハＷに実行された処理条件に関連づけられたウエハ重量を図７に示すウエハ重量情報に基づいて取得する。続いてステップＳ２２０にてそのウエハ重量と同等の力をリフト推力として設定して図９に示すメインルーチンに戻る。
【００８７】
また，図８に示すウエハ重量情報に基づいてリフト推力を設定する場合には，図１１に示すサブルーチンのフローチャートに基づいてリフト推力が設定される。図１１に示すリフト推力の設定では，先ずステップＳ３１０にてウエハ処理が正常に終了したか否かを判断する。例えばウエハ処理の実行中に異常や断電があって途中で処理が止まってしまった場合などは正常に終了しなかったと判断する。
【００８８】
ステップＳ３１０にてウエハ処理が正常に終了したと判断した場合は，ステップＳ３２０にてウエハＷに実行された処理条件に関連づけられた処理後のウエハ重量を図８に示すウエハ重量情報に基づいて取得する。これに対して，ステップＳ３１０にてウエハ処理が正常に終了しなかったと判断した場合は，ステップＳ３３０にてウエハＷに実行された処理条件に関連づけられた処理前のウエハ重量を図８に示すウエハ重量情報に基づいて取得する。続いてステップＳ３４０にてそのウエハ重量と同等の力をリフト推力として設定して図９に示すメインルーチンに戻る。
【００８９】
次に，図９に示すステップＳ１２０にて静電チャック２１２に印加する電圧をオフにして，ウエハＷの電荷を除去する除電処理を行う。除電処理は例えば次のように実行される。先ず処理ガス供給部１２２から処理ガス例えばＮ２ガスを所定のガス流量で処理室１０２内へ導入しながら，排気部１０９により真空引きを行って，処理室１０２内を所定の圧力まで減圧する。そして，直流電源回路２１６から例えば静電吸着時とは逆極性の電圧（逆印加電圧）を静電チャック２１２に印加させる。この状態で所定時間が経過すると，静電チャック２１２への逆印加電圧をオフするとともに，処理ガスの導入をオフして，処理室１０２内の圧力制御を停止する。なお，除電処理のときに直流電源回路２１６から静電チャック２１２へ印加する電圧は逆極性に限られるものではなく，極性反転を複数回繰返すようにしてもよい。
【００９０】
このような除電処理が終了すると，ステップＳ１３０にて図３に示す速度制御でモータ２３８の駆動をしてリフトピン２３２の上昇を開始する。そしてステップＳ１４０にてリフトピン２３２がウエハＷに接触したか否かを判断する。具体的には例えば図３に示すモータ２３８の駆動開始時（ｔｓｔａｒｔ）からリフトピン２３２がウエハＷに接触する時点（ｔｃ）までの時間のカウントが終了したか否かで判断する。
【００９１】
続いてステップＳ１５０にて一定時間だけリフタセンサ２４０の出力を監視して，ウエハＷが過吸着状態の有無を判定する。具体的には上述したようにリフタセンサ２４０の出力からリフタ２３０が動いているか否かを判定する。リフタ２３０が動いている場合はウエハＷが過吸着状態でないと判定し，リフタ２３０が動いていない場合はウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００９２】
ステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態であると判定した場合はステップＳ１７０にてエラー処理を実行する。エラー処理としては，モータ２３８を停止してリフタ２３０を停止し，ディスプレイにエラー表示を行ったり，エラーの報知をしたりする。
【００９３】
また，ステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態でないと判定した場合はステップＳ１８０にてリフトピン２３２の上昇が終了したか否かを，例えばモータ２３８の速度制御が終了したか否かで判断する。そして，ステップＳ１８０にてリフトピン２３２の上昇が終了したと判断した場合は一連のウエハ脱離処理を終了する。
【００９４】
このように本実施形態によれば，ウエハＷを持ち上げる際のリフト推力をウエハ重量と同等の力に設定することで，ウエハＷに無理な力をかけることなく過吸着状態か否かを容易に判断できる。これにより，ウエハＷが割損したり，ずれたりすることなく，ウエハＷを搬送アームなどにより搬出させたり，取除いたりすることができる。
【００９５】
なお，図９に示すウエハ脱離処理においては，ステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態であると判断した場合は，ステップＳ１７０にてエラー処理を行う場合を例に挙げたが，これに限定されるものではない。例えばステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態であると判断した場合にウエハＷの電荷を除去する除電処理を再度実行するようにしてもよい。この場合，リフタ２３０を停止せずに再度の除電処理を開始するようにしてもよい。本実施形態では，ウエハＷを持ち上げる際のリフト推力をウエハ重量と同等の力程度の極めて小さい力に設定するので，リフタ２３０を停止せずに除電処理を開始してもウエハＷがずれたり跳ね上がったりすることはないからである。なお，再度の除電処理は複数回実行するようにしてもよい。
【００９６】
ここで，再度の除電処理を実行するウエハ脱離処理のフローチャートの具体例を図１２を参照しながら説明する。なお，図１２において図９と同じステップは同様の処理を行うのでその詳細な説明を省略する。図１２に示すウエハ脱離処理ではステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態であると判定した場合は，ステップＳ１７２にて再度の除電処理が所定回数実行されたか否かを判断する。
【００９７】
ステップＳ１７２にて再度の除電処理が所定回数実行されていないと判断した場合はステップＳ１７４にて再度の除電処理を実行する。再度の除電処理としては，ステップＳ１２０の除電処理と同様の処理を行うようにしてもよく，また異なる処理を行うようにしてもよい。
【００９８】
除電処理が終了すると，ステップＳ１５０の処理に戻って過吸着状態を判定する。もしウエハＷの除電が十分であれば残留静電吸着力がなくなるので，リフトピン２３２が再び動き出してウエハＷを持ち上げることができる。従って，この場合はステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態でないと判定される。
【００９９】
これに対して，ウエハＷの除電が不十分であれば残留静電吸着力がなくならないので，リフトピン２３２もウエハＷに接触したままである。この場合はステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態であると判定され，ステップＳ１７２にて再度の除電処理は所定回数に達するまで繰り返し行われる。そして，ステップＳ１７２にて再度の除電処理が所定回数に達しても未だウエハＷが過吸着状態である場合にはステップＳ１７０にてエラー処理を実行する。
【０１００】
また，上述した実施形態の機能（例えばウエハ処理機能，ウエハ脱離処理機能，除電処理機能）を実現するソフトウェアのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体をシステム或いは装置に供給し，そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても，本発明が達成されることは言うまでもない。
【０１０１】
この場合，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施形態の機能を実現することになり，そのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムを供給するための記憶媒体等の媒体としては，例えば，フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭ，或いはネットワークを介したダウンロードなどを用いることができる。
【０１０２】
なお，コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより，上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく，そのプログラムの指示に基づき，コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【０１０３】
さらに，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムが，コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後，そのプログラムの指示に基づき，その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【０１０４】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明は，基板を載置台に吸着保持して処理し，処理後は載置台から脱離する基板処理装置，基板脱離方法，プログラムに適用可能である。
【符号の説明】
【０１０６】
１００ 基板処理装置
１０２ 処理室
１０３ 容器本体
１０４ 基板搬入出口
１０５ 天井部
１０６ ゲートバルブ
１０８ 排気管
１０９ 排気部
１１０ 上部電極
１１２ シールドリング
１１４ シール部材
１１６ 拡散室
１１８ 吐出孔
１２１ ガス導入口
１２２ 処理ガス供給部
１５０ 第１高周波電源
１５４ ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）
１６０ 第２高周波電源
１６４ ローパスフィルタ（ＬＰＦ）
１５２ 整合器
１６２ 整合器
２００ 載置台（基板載置台）
２１０ 下部電極
２１２ 静電チャック
２１４ 静電チャック電極
２１６ 直流電源回路
２２０ 筒状保持部
２３０ リフタ
２３２ リフトピン
２３４ ベース
２３６ ロッド
２３８ アクチュエータ（モータ）
２４０ リフタセンサ
２４２ 位置センサ
２４４ エンコーダ
２４６ モータセンサ
３００ 制御部
３１０ 操作部
３２０ 記憶部
Ｗ ウエハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板を載置台に吸着保持して処理し，処理後は載置台から脱離する基板処理装置，基板脱離方法，プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハやガラス基板等の基板に対してエッチング，成膜等の所定の処理を行う基板処理装置では，例えば基板を処理室内に搬送アームなどにより搬入し，載置台上に載置して吸着保持させた状態でエッチング等の処理を実行し，処理が終了すると，例えば昇降自在に設けられたリフトピンを押上げて基板を載置台から脱離し，搬送アームなどにより搬出するようになっている。
【０００３】
このとき，載置台に基板を吸着保持するための治具としては，例えば誘電部材内に埋設された電極板に直流電圧を印加して基板をクーロン力等の静電力によって吸着保持する静電チャックが多用されている。ところが，このような静電チャックで基板を吸着した場合には，処理後に静電チャックに印加した電圧をオフにしても基板に電荷が残留し，吸着保持力が残存して過吸着状態が発生している場合がある。従って，このような状態で例えばリフトピンによって基板を載置台から脱離させようとすると，基板の割損やずれが発生する可能性がある。
【０００４】
また，リフトピンが静電チャックの上面から突出しても，基板が載置台から脱離しないと基板に撓みが発生する。基板に撓みが発生すると，基板上に形成された薄膜の特性（例えば物理的強度など）によってはその薄膜自体が破損してしまう虞もある。例えば基板に形成される低誘電率膜（ｌｏｗ−ｋ膜）は膜中に空隙があるなどのため物理的強度が弱いので，基板の撓みによって膜自体が破損し易い。
【０００５】
このため，基板を脱離させる前に静電チャックに逆電圧を印加したり，プラズマを生起したりして基板から静電気を除去する除電処理を実行することで静電吸着力を弱めるものがある（例えば特許文献１，２参照）。また，基板をリフトピンで押し上げてみて，そのときリフトピンにかかる負荷を検出することで，基板にかかる静電吸着力を測定するものもある（例えば特許文献３，４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−６４０２１号公報
【特許文献２】特開平１１−２７４１４１号公報
【特許文献３】特開平５−１２９４２１号公報
【特許文献４】特開２００４−２２８４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら，特許文献１，２のように除電処理を行うものでは，基板にかかる静電吸着力を測定しているわけではないので，除電処理が不十分で静電吸着力が残留する場合もある。この場合に無理に基板をリフトピンで持ち上げると基板の割損やずれが発生する虞がある。
【０００８】
また，特許文献３，４のようにリフトピンにかかる負荷を検出するものでは，基板の重量よりも大きな力（基板の重量にさらに静電吸着力も加えた力に抗して基板を持ち上げられるだけの力）で，実際に基板をリフトピンで押し上げてみないと，静電吸着力を測定できない。このため，静電吸着力を測定する際に，基板の割損やずれが発生する虞がある。
【０００９】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，基板の割損やずれを発生させることなく，基板が過吸着状態であるか否かを容易に判定できる基板処理装置，基板脱離方法，プログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置において前記基板載置台から前記基板を脱離させる方法であって，前記基板処理装置は，前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，前記リフトピンを昇降させるリフタと，を備え，前記リフトピンを上昇させる前に，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記基板重量と同等の力に設定する工程と，前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させる工程と，を有することを特徴とする基板脱離方法が提供される。
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置であって，前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，前記リフトピンを昇降させるリフタと，基板処理条件とこれに関連づけられた基板重量とを記憶する記憶部と，前記リフトピンを上昇させる前に，その基板に実行された基板処理条件に関連づけられた基板重量を前記記憶部から取得し，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記記憶部から取得した基板重量と同等の力に設定し，前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させる制御部と，を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置において前記基板載置台から前記基板を脱離させる方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって，前記基板処理装置は，前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，前記リフトピンを昇降させるリフタと，を備え，前記基板脱離方法は，前記リフトピンを上昇させる前に，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記基板重量と同等の力に設定するステップと，前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させるステップと，を有することを特徴とするプログラムが提供される。
【００１３】
このような本発明にかかる装置，方法，プログラムによれば，リフトピンで基板を持ち上げるときのリフト推力を，基板を持ち上げるのに必要最小限の基板重量と同等の力に設定してリフトピンを上昇させる。これによれば，基板が過吸着状態であっても，基板に無理な力がかからないようにすることができるので，基板の割損やずれを防止できる。
【００１４】
しかも，基板が過吸着状態の場合にはリフトピンで基板を持ち上げられずにリフタが動かなくなるので，リフタの状態を監視して途中で動かなくなったか否かを検出するだけで基板が過吸着状態か否かを容易に判定できる。
【００１５】
例えば上記リフタの状態を検出するリフタセンサを設け，前記リフタセンサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してからも前記リフタが動いているか否かによって前記基板が過吸着状態か否かを判定する。これによれば，基板に無理な力をかけることなく過吸着状態か否かを容易に判定できる。
【００１６】
この場合，上記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，前記リフタセンサは，前記ベースの上昇位置を検出する位置センサで構成することができる。これによれば，前記判定工程では前記位置センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記上昇位置が変化している場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記上昇位置が変化していない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することができる。
【００１７】
上記リフタセンサは，例えば前記アクチュエータの駆動振動を検出する振動センサで構成する。これによれば，前記判定工程は，前記振動センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ駆動振動が検出された場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ駆動振動が検出されない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することができる。
【００１８】
また，上記リフタセンサは，前記アクチュエータの駆動音を検出する音センサで構成してもよい。これによれば，前記判定工程は，前記音センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ駆動音が検出された場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ駆動音が検出されない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することができる。
【００１９】
また，上記リフタセンサは，前記アクチュエータの温度を検出する温度センサで構成してもよい。前記判定工程は，前記温度センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ温度に所定以上の温度上昇がない場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ温度に所定以上の温度上昇がある場合には前記基板が過吸着状態であると判定することができる。
【００２０】
また，上記基板が過吸着状態であると判定した場合には，リフタを停止してエラー処理（エラー表示，エラー報知など）を行うようにしてもよい。また上記基板が過吸着状態であると判定した場合には，前記リフタを停止せずに再度の除電処理を開始することができる。このようにしても，ウエハ重量と同等の力程度の極めて小さい力にリフト推力を設定しているので，基板がずれたり跳ね上がったりすることはない。
【００２１】
また，上記基板処理装置は，複数の基板処理条件と，これら各基板処理条件のそれぞれに関連づけられた基板重量とを記憶する記憶部を備え，前記リフト推力を設定する工程は，前記載置台から脱離しようとする基板に実行された基板処理条件に関連づけられた基板重量を前記記憶部から取得し，その基板重量を用いて前記リフト推力を設定するようにしてもよい。これによれば，基板処理条件が異なる場合（同種の基板処理で処理条件が異なる場合と異種の基板処理で処理条件が異なる場合を含む）に基板を持ち上げるときの基板重量が異なっていても，基板処理条件に応じて基板に無理な力をかけずに持ち上げられる適切な基板重量をリフト推力に設定できる。
【００２２】
また，上記リフト推力の設定に用いる基板重量は，処理後の基板重量と処理前の基板重量のいずれかを基板処理条件に応じて選択的に用いるようにしてもよい。例えばエッチング処理のように処理後の基板重量の方が処理前の基板重量よりも軽くなる場合は処理後の基板重量と処理前の基板重量のどちらを用いることもできる。これに対して，成膜処理のように処理後の基板重量の方が処理前の基板重量よりも重くなる場合は重い方の処理後（成膜後）の基板重量を用いることが好ましい。これによれば，基板処理の種類によっては基板重量が処理前と処理後で異なる場合でも，基板に無理な力をかけずに持ち上げられる適切な基板重量をリフト推力に設定できる。
【００２３】
また，上記リフト推力の設定に用いる基板重量は，前記基板処理が正常に終了した場合には処理後の基板重量を用い，前記基板処理が正常に終了しなかった場合には処理前の基板重量と処理後の基板重量のいずれかを基板処理条件に応じて選択的に用いるようにしてもよい。例えばエッチング処理のように処理後の基板重量の方が処理前の基板重量よりも軽くなる場合は基板処理が正常に終了した場合には処理後の基板重量を用い，基板処理が正常に終了しなかった場合（エッチングで削る量が予定より少なかった場合）には重い方の処理前の基板重量を用いることが好ましい。これに対して，成膜処理のように処理後の基板重量の方が処理前の基板重量よりも重くなる場合は基板処理が正常に終了した場合と正常に終了しなかった場合ともに重い方の処理後（成膜後）の基板重量を用いることが好ましい。これによれば，基板処理が正常に終了したか否かに応じて，基板に無理な力をかけずに持ち上げられる適切な基板重量をリフト推力に設定できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば，リフトピンで基板を持ち上げる際のリフト推力を基板重量に設定することで，基板の割損やずれを発生させることなく，基板が過吸着状態であるか否かを容易に判定できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す断面図である。
【図２Ａ】ウエハが過吸着状態でない場合のリフタの動作を説明するための図面である。
【図２Ｂ】ウエハが過吸着状態である場合のリフタの動作を説明するための図面である。
【図３】リフタを駆動するモータの速度制御の具体例を示す図である。
【図４】図１に示すリフタセンサを位置センサで構成した場合の具体例を示す図である。
【図５】図１に示すリフタセンサをエンコーダで構成した場合の具体例を示す図である。
【図６】図１に示すリフタセンサをモータセンサで構成した場合の具体例を示す図である。
【図７】ウエハ重量情報のデータテーブルを示す図である。
【図８】他のウエハ重量情報のデータテーブルを示す図である。
【図９】同実施形態におけるウエハ脱離処理のメインルーチンのフローチャートである。
【図１０】図９に示すリフト推力の設定についてのサブルーチンのフローチャートであって，図７のウエハ重量情報を用いる場合である。
【図１１】図９に示すリフト推力の設定についてのサブルーチンのフローチャートであって，図８のウエハ重量情報を用いる場合である。
【図１２】同実施形態における他のウエハ脱離処理のメインルーチンのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２７】
（基板処理装置）
先ず，本発明にかかる基板処理装置の構成例を図面を参照しながら説明する。図１は，本実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す断面図である。基板処理装置１００は，半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する）Ｗに対してエッチング，成膜などのプラズマ処理を施すプラズマ処理装置を例に挙げて説明する。図１は，本実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【００２８】
図１に示すように，基板処理装置１００は，アルミニウム等の導電性材料からなる処理室（チャンバ）１０２を備える。処理室１０２は例えば上部に開口部を有する円筒状の容器本体１０３と，この容器本体１０３の開口部を開閉可能に閉塞する円板状の天井部（蓋部）１０５とを備える処理容器から構成される。天井部１０５は容器本体１０３にボルトなどの締結部材により脱着自在に気密に取付けられる。処理室１０２はグランドに接地されている。
【００２９】
また，天井部１０５と容器本体１０３の間にはＯリングなどのシール部材１１４が介在されている。これにより，天井部１０５と容器本体１０３との間はより高い気密性が確保される。なお，処理室１０２の形状は円筒状に限られるものではない。例えば角筒状（例えば箱状）であってもよい。
【００３０】
処理室１０２内には，ウエハＷを載置する載置台２００を構成する円柱状の下部電極（サセプタ）２１０と，この下部電極２１０に対向して配設され，処理ガスやパージガスなどを導入するシャワーヘッドを構成する上部電極１１０とを備える。
【００３１】
下部電極２１０は，例えばアルミニウムからなり，絶縁性の筒状保持部２２０を介して処理室１０２の底部に設けられる。下部電極２１０は，ウエハＷの外径に合わせて円柱状に形成される。なお，下部電極２１０の形状についても円柱状に限られるものではない。例えば角柱状（例えば多角柱状）であってもよい。
【００３２】
下部電極２１０には第１高周波電源１５０が整合器１５２を介して接続され，上部電極１１０には上記第１高周波電源１５０より周波数の高い第２高周波電源１６０が整合器１６２を介して接続されている。なお，図１に示すように整合器１５２と下部電極２１０との間には第２高周波電源１６０から下部電極２１０に流入する高周波電流を濾過するハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１５４が介在することが好ましい。また，整合器１６２と上部電極１１０との間には第１高周波電源１５０から上部電極１１０に流入する高周波電流を濾過するローパスフィルタ（ＬＰＦ）１６４が介在することが好ましい。
【００３３】
上部電極１１０は，その周縁部を被覆するシールドリング１１２を介して処理室１０２の天井部１０５に取り付けられている。上部電極１１０は，内部に拡散室１１６を有するとともに，載置台２００と対向する下面には処理ガスを吐出する多数の吐出孔１１８が形成されている。
【００３４】
上部電極１１０には処理室１０２内での処理に必要なガスを供給する処理ガス供給部１２２がガス導入口１２１に接続されている。処理ガス供給部１２２は，例えば処理室１０２内でのウエハのプロセス処理や処理室１０２内のクリーニング処理などに必要な処理ガスやパージガスなどを供給するガス供給源，ガス供給源からのガスの導入を制御するバルブ及びマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を有するガスラインから構成される。
【００３５】
このような処理ガス供給部１２２によれば，ガス供給源からの処理ガスがマスフローコントローラにより所定の流量に制御されて，ガス導入口１２１から上部電極１１０に供給される。そして，処理ガスは上部電極１１０の拡散室１１６内で拡散して各吐出孔１１８から処理室１０２内に供給される。
【００３６】
なお，処理ガス供給部１２２のガスラインは単一であってもよく，また複数であってもよい。この場合，複数のガスラインはそれぞれ異なる種類の処理ガスを供給するように構成してもよく，また同じ種類の処理ガスを供給するように構成してもよい。
【００３７】
このような処理ガス供給部１２２により処理室１０２内に供給する処理ガスとしては，例えばエッチングでは，Ｆ，Ｃｌなどを含むハロゲン系ガスが用いられる。具体的にはＳｉＯ２膜などのシリコン酸化膜をエッチングする場合には，ＣＨＦ３ガスなどが処理ガスとして用いられる。また，ＨｆＯ２，ＨｆＳｉＯ２，ＺｒＯ２，ＺｒＳｉＯ４などの高誘電体薄膜をエッチングする場合には，ＢＣｌ３ガスを処理ガスとしたり，ＢＣｌ３ガスとＯ２ガスとの混合ガスを処理ガスとして用いられる。
【００３８】
載置台２００の表面には，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で載置台２００の表面に載置されたウエハを保持する静電チャック２１２が設けられている。具体的には静電チャック２１２は，下部電極２１０の上面に設けられ，例えば２枚の高分子ポリイミドフィルム間やセラミック間に銅箔などの導電膜からなる静電チャック電極２１４を絶縁状態で挟み込むことにより構成される。
【００３９】
静電チャック電極２１４には電圧の出力を正電圧，負電圧，グランド（接地）に切換え可能な直流電源回路２１６が接続されている。直流電源回路２１６はさらに，正電圧，負電圧の電圧レベルを調整可能に構成されている。このような直流電源回路２１６から静電チャック電極２１４に高電圧を印加することによって，静電チャック２１２の上面にウエハＷをクーロン力により吸着保持することができる。
【００４０】
下部電極２１０には，ウエハＷをリフトピン（リフタピン，支持ピン）２３２で持ち上げて静電チャック２１２の上面から脱離させるリフタ２３０を備える。リフタ２３０は，複数（例えば３本）のリフトピン２３２を起立した状態で支持するベース２３４と，ベース２３４をロッド２３６に取り付けて昇降させるアクチュエータ２３８とで構成される。例えばアクチュエータ２３８はボールネジなどのロッド２３６を昇降させるモータで構成する。なお，リフタ２３０の構成はこれに限られるものではなく，リフタ２３０を例えばエアシリンダやリニアモータを用いた昇降機構で構成してもよい。
【００４１】
リフトピン２３２は，下部電極２１０の下方から鉛直上方に延びて静電チャック２１２の上面から突没自在に設けられる。具体的には各リフトピン２３２は，下部電極２１０と静電チャック２１２とを貫通して形成される孔部にそれぞれ挿入され，ベース２３４の昇降動作に応じて静電チャック２１２の上面から突没するようになっている。ベース２３４は例えば円板状又は環状に形成され，その上部にリフトピン２３２が等間隔に並ぶように取り付けられる。なお，これらリフトピン２３２の数は３本に限られるものではない。
【００４２】
このように構成されたリフタ２３０によれば，リフトピン２３２をベース２３４で一斉に上昇させることでウエハＷを静電チャック２１２から平行に持ち上げて静電チャック２１２から脱離させることができる。このようなリフタ２３０の動作についての詳細は後述する。
【００４３】
なお，図示はしないが，載置台２００には，ヒータや冷媒流路などの温度調整機構，静電チャック２１２の上面とウエハＷの裏面との間に熱伝達促進用の伝達ガス（Ｈｅガスなど）を供給する伝熱ガス供給機構等，必要に応じて様々な機能を設けることができる。また，筒状保持部２２０の上面には，ウエハＷを環状に囲む例えば石英やシリコンからなる図示しないフォーカスリングを配置してもよい。
【００４４】
処理室１０２の側壁には基板搬入出口１０４を開閉するためのゲートバルブ１０６が設けられている。また，処理室１０２の側壁の下方には排気口が設けられ，排気口には排気管１０８を介して真空ポンプ（図示せず）を含む排気部１０９が接続される。この排気部１０９により処理室１０２の室内を排気することによって，プラズマ処理中に処理室１０２内を所定の真空雰囲気に維持することができる。
【００４５】
基板処理装置１００には，制御部（全体制御装置）３００が接続されており，この制御部３００によって基板処理装置１００の各部が制御されるようになっている。また，制御部３００には，オペレータが基板処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや，基板処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなる操作部３１０が接続されている。
【００４６】
さらに，制御部３００には，基板処理装置１００で実行される各種処理を制御部３００の制御にて実現するためのプログラムやプログラムを実行するために必要な処理条件（レシピ）などが記憶された記憶部３２０が接続されている。
【００４７】
記憶部３２０には，例えばウエハＷのプロセス処理を実行させるための複数の処理条件Ｘ，Ｙ・・・（プロセス処理レシピ）が記憶されている。これらの処理条件は，基板処理装置１００の各部を制御する制御パラメータ，設定パラメータなどの複数のパラメータ値をまとめたものである。各処理条件は例えば処理ガスの流量比，処理室内圧力，高周波電力などのパラメータ値を有する。また，本実施形態では，処理条件ごとにウエハ重量が関連づけられて記憶されている。このウエハ重量はリフトピン２３２でウエハを持ち上げるときのリフト推力を設定する際に用いられる。これらウエハ重量やリフト推力の設定の詳細は後述する。
【００４８】
なお，これらのプログラムや処理条件はハードディスクや半導体メモリに記憶されていてもよく，またＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で記憶部３２０の所定位置にセットするようになっていてもよい。
【００４９】
制御部３００は，操作部３１０からの指示等に基づいて所望のプログラム，処理条件を記憶部３２０から読み出して各部を制御することで，基板処理装置１００での所望の処理を実行する。また，操作部３１０からの操作により処理条件を編集できるようになっている。
【００５０】
このような構成の基板処理装置１００では，ウエハ処理として例えばエッチング処理を実行する場合，図示しない搬送アームなどによりウエハＷを処理室１０２内へ搬入し，載置台を兼ねる下部電極２１０上に載置させて，静電チャック２１２によりウエハＷを静電吸着する。そして，処理ガス供給部１２２により処理室１０２内に所定の処理ガスを導入し，排気部１０９により処理室１０２内を排気することにより，処理室１０２内を所定の真空圧力に減圧する。
【００５１】
このように所定の真空圧力を維持した状態で，第１高周波電源１５０から下部電極２１０に例えば２ＭＨｚの第１高周波電力を印加するとともに，第２高周波電源１６０から上部電極１１０に例えば６０ＭＨｚの第２高周波電力を印加することにより，第２高周波電力の働きで下部電極２１０と上部電極１１０との間に処理ガスのプラズマが発生するとともに，第１高周波電力の働きで下部電極２１０にセルフバイアス電位が発生する。
【００５２】
これにより，下部電極２１０上のウエハＷに対して例えば反応性イオンエッチング等のプロセス処理を実行することができる。プロセス処理が終了すると，静電チャック２１２の印加電圧をオフにして，リフタ２３０を駆動してリフトピン２３２でウエハＷを押し上げて静電チャック２１２から脱離する。
【００５３】
（リフタの動作）
ここで，このようなリフタ２３０の動作について図面を参照しながら説明する。図２Ａ，図２Ｂはリフタの動作を説明するための図である。図２ＡはウエハＷが過吸着状態でない場合，図２ＢはウエハＷが過吸着状態である場合である。ここでは，アクチュエータ２３８をボールネジからなるロッド２３６を昇降させるモータで構成した場合を例に挙げる。
【００５４】
このようなリフタ２３０によれば，静電チャック２１２からウエハＷを脱離する場合，静電チャック２１２の印加電圧をオフにしてウエハＷの電荷を除去する除電処理を行ってから，モータ２３８を駆動してベース２３４とともに各リフトピン２３２を上昇させる。すると，リフトピン２３２の先端がウエハＷの裏面に接触する。
【００５５】
このとき，ウエハＷに電荷が残留してなければ静電吸着力も残留しないので，ウエハＷは過吸着状態にならない。この場合は，図２Ａに示すようにウエハＷに下向きに作用するのはウエハ重量Ｊだけなので，そのウエハ重量Ｊと同等のリフト推力Ｆでもリフトピン２３２でウエハＷを持ち上げられる。
【００５６】
これに対して，除電処理が不十分でウエハＷに電荷が残留していれば静電吸着力が残留するので，ウエハＷは過吸着状態になる。この場合は，図２Ｂに示すようにウエハＷに下向きに作用する力はウエハ重量Ｊと残留静電吸着力ｆｃである。従って，この場合にウエハＷを持ち上げるためには，ウエハ重量Ｊと残留静電吸着力ｆｃを加えた力以上のリフト推力Ｆでリフトピン２３２を押し上げる必要がある。ところが，ウエハ重量Ｊよりも大きなリフト推力ＦでウエハＷを持ち上げると，ウエハＷに無理な力がかかるので，ウエハＷの割損やずれが発生する可能性がある。しかも，この場合にはリフトピン２３２が静電チャック２１２の上面から突き出てウエハＷが撓む可能性もある。
【００５７】
そこで，本実施形態では，ウエハＷを持ち上げるのに必要最小限の小さな力，すなわちウエハ重量Ｊと同等の力をリフト推力Ｆに設定してリフトピン２３２を上昇させる。これによれば，ウエハＷが過吸着状態であっても，ウエハＷに無理な力がかからないようにすることができるので，ウエハＷの割損やずれを防止できる。
【００５８】
また，ウエハ重量Ｊと同等の力でリフトピン２３２を上昇させるので，ウエハＷが過吸着状態の場合はリフトピン２３２の先端がウエハＷの裏面に接触したところで動かなくなる。すなわち，リフトピン２３２の先端は静電チャック２１２の上面から突き出ることなく動かなくなるので，ウエハＷに撓みが発生しないで済む。
【００５９】
このように，ウエハＷが過吸着状態の場合にはリフトピン２３２でウエハＷを持ち上げられずにリフタ２３０が動かなくなるので，リフタ２３０の状態を監視して途中で動かなくなったか否かを検出するだけでウエハＷが過吸着状態か否かを判定できる。これによれば，ウエハＷに無理な力をかけることなく過吸着状態か否かを容易に判定できる。
【００６０】
具体的には例えば予め処理室で処理されるウエハＷのウエハ重量を測定して記憶部３２０に記憶しておき，リフトピン２３２を上昇させる前に記憶部３２０からウエハ重量を読み出してリフト推力を設定し，その設定したリフト推力に基づいてモータ２３８のトルクを制御してリフトピン２３２を上昇させる。
【００６１】
なお，このようなリフタ２３０に用いるモータ２３８としては，トルクの調整を回転速度の調整とは独立して行うことができるものを用いることが好ましい。リフト推力を所定値に設定して適切なトルクに調整しても，リフトピン２３２の上昇速度が高速すぎると，ウエハＷにリフトピン２３２が接触するときの衝撃も強くなるので，ウエハＷの跳ね上がり，位置ずれが生じる虞がある。このような位置ずれが発生すると，それ以降のウエハＷの搬送が正常に行われなかったり，リフトピン２３２からウエハＷが脱落したりという不具合が生じてしまう。逆に，リフトピン２３２の上昇速度が低速すぎると，ウエハＷの脱離にかかる時間が長くなり，スループットが低下してしまう。
【００６２】
そこで，モータ２３８のトルクは，リフト推力がウエハ重量と同等の力になるように設定した上で，モータ２３８の回転速度は図３に示すようにリフトピン２３２がウエハＷに接触する時点（ｔｃ）の前後の区間Ｔ（＝ｔ１〜ｔ２）では一定かつ低速になるように調整する。このとき，ウエハＷに接触する区間Ｔまでの時間（ｔstart〜ｔ１）と区間Ｔの後の時間（ｔ２〜ｔend）はそれぞれ，上昇速度を上げるため，Ｓ字制御になるようにモータ２３８の回転速度を調整する。これにより，ウエハＷが持ち上げられるときの区間Ｔでのリフト推力は設定されたウエハ重量と同等の力となり，区間ＴでウエハＷにリフトピン２３２が接触するときの衝撃を抑えつつ，スループットを向上させることができる。
【００６３】
（過吸着状態の検出）
次に，本実施形態におけるウエハＷの過吸着状態の検出について詳細に説明する。上述したようにリフト推力Ｆをウエハ重量Ｊと同等の力に設定すると，ウエハＷが過吸着状態でない場合（図２Ａ）は，リフタ２３０はリフトピン２３２がウエハＷに接触した後はそれを持ち上げることができる。このため，リフタ２３０はウエハＷにリフトピン２３２が接触した後もそれを持ち上げて上昇が終了するまで動いている。これに対して，ウエハＷが過吸着状態である場合（図２Ｂ）は，リフトピン２３２はウエハＷに接触した後はそれを持ち上げられない。このため，リフタ２３０はウエハＷにリフトピン２３２が接触した後はそのまま動かなくなる。
【００６４】
そこで，本実施形態ではリフタ２３０の状態（ベース位置，モータ駆動振動，モータ駆動音，モータ温度など）を検出するリフタセンサ２４０を設け，このリフタセンサ２４０の出力に基づいて，リフトピン２３２がウエハＷに接触した後もリフタ２３０が動いているか否かを検知することで，ウエハＷが過吸着状態であるか否かを判定する。すなわち，リフタ２３０が動いていればウエハＷが過吸着状態でないと判定し，リフタ２３０が動いていなければウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００６５】
ここで，リフタセンサ２４０の具体例について図面を参照しながら説明する。先ず，リフタセンサ２４０を位置センサ２４２で構成した場合を図４に示す。ここでは位置センサ２４２によってベース２３４の上昇位置を直接検出する。このような位置センサ２４２として例えば光センサや磁気センサを用いることができる。位置センサ２４２は，ウエハＷが持ち上げられたときのベース２３４の上昇位置でオンするように配置する。
【００６６】
制御部３００は，位置センサ２４２の出力を監視し，リフトピン２３２がウエハＷに接触してから一定時間内に，位置センサ２４２がオンになればリフタ２３０が動いているのでウエハＷが過吸着状態でないと判定し，位置センサ２４２がオフのままであればリフタ２３０が動いていていないのでウエハＷが過吸着状態であると判定する。なお，図４はベース２３４の上昇位置を検出する場合を説明したが，これに限られるものではない。例えばリフトピン２３２の位置，ロッド２３６の位置などを検出してもよい。
【００６７】
また，位置センサ２４２としては図４に示すようにベース２３４の上昇位置を直接的に検出する場合に限られるものではない。例えば図５に示すようにモータ２３８に位置センサとしてエンコーダ２４４を設け，このエンコーダ２４４によってベース２３４（リフトピン２３２，ロッド２３６）の上昇位置を間接的に検出してもよい。エンコーダ２４４の出力はベース２３４の上昇位置と比例するので，例えばウエハＷが持ち上げられたときのベース２３４の上昇位置に相当するエンコーダ２４４の出力を閾値として予め検出して記憶部３２０に記憶しておく。
【００６８】
制御部３００はエンコーダ２４４の出力を監視し，リフトピン２３２がウエハＷに接触してから一定時間内に，エンコーダ２４４の出力が上記閾値以上であればリフタ２３０が動いているのでウエハＷが過吸着状態でないと判定し，エンコーダ２４４の出力が上記閾値に達していなければリフタ２３０が動いていていないのでウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００６９】
また，上述したリフタ２３０の状態は，図４，図５に示すベース２３４の上昇位置に限られるものではない。例えば図６に示すようにモータ２３８の状態（駆動振動，駆動音，温度など）をモータセンサ２４６で検出することでも，リフタ２３０が動いているか否かを検知できる。すなわち，リフタ２３０が動いていないときはモータ２３８も動いていないので，モータ２３８には駆動振動や駆動音は発生せず，所定以上の温度上昇が発生する。これに対して，リフタ２３０が動いているときはモータ２３８も動いているので，モータ２３８には駆動振動や駆動音が発生し，所定以上の温度上昇は発生しない。
【００７０】
そこで，モータセンサ２４６として例えば振動センサ，音センサ，温度センサなどを用いて，モータ２３８が動いているか否かを検知する。例えばモータセンサ２４６を振動センサで構成した場合，制御部３００は振動センサの出力を監視し，リフトピン２３２がウエハＷに接触してから一定時間内に，モータ２３８の駆動振動を検出すればモータ２３８が動いているのでウエハＷが過吸着状態でないと判定し，モータ２３８の駆動振動を検出しなければモータ２３８が動いていないのでウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００７１】
また，モータセンサ２４６を音センサで構成した場合，制御部３００は音センサの出力を監視し，リフトピン２３２がウエハＷに接触してから一定時間内に，モータ２３８の駆動音を検出すればモータ２３８が動いているのでウエハＷが過吸着状態でないと判定し，モータ２３８の駆動音を検出しなければモータ２３８が動いていないのでウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００７２】
また，モータセンサ２４６を温度センサで構成した場合，制御部３００は温度センサの出力を監視し，リフトピン２３２がウエハＷに接触してから一定時間内に，モータ２３８の温度に所定以上の温度上昇がなければモータ２３８が動いているのでウエハＷが過吸着状態でないと判定し，モータ２３８の温度に所定以上の温度上昇があればモータ２３８が動いていないのでウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００７３】
なお，上述したようにウエハＷの過吸着状態を判定する時間（リフトピン２３２がウエハＷに接触してからカウントする一定時間）は，リフトピン２３２がウエハＷに接触した時点からウエハＷを持ち上げ終わった時点までの間で設定することが好ましい。例えば図３に示すようにモータ２３８を制御する場合は，リフトピン２３２がウエハＷに接触した時点（ｔｃ）からウエハＷが静電チャック２１２から完全に離間した時点（ｔ２）までを過吸着状態判定時間とすることができる。
【００７４】
このように，本実施形態ではリフト推力をウエハ重量と同等の力に設定することでウエハＷに無理な力をかけることなくウエハＷが過吸着状態であるか否かを容易に判断できる。
【００７５】
（ウエハ重量）
ここで，リフト推力を設定する際に用いるウエハ重量についてより詳細に説明する。ウエハＷを持ち上げるのはウエハ処理終了後なので，リフト推力の設定には基本的には処理後のウエハ重量を用いることが好ましい。この場合は，処理後のウエハ重量を予め測定して記憶部３２０に記憶しておく。
【００７６】
また，ウエハ処理の条件（例えば処理室内圧力，処理ガスの種類や流量など）が異なれば，処理後のウエハ重量も異なるので，複数処理条件でウエハ処理を行う場合には，各処理条件に対応する処理後のウエハ重量を用いるようにしてもよい。この場合には，例えば図７に示すように各処理条件（Ｘ，Ｙ，・・・）ごとに測定した処理後のウエハ重量（ＪＸ，ＪＹ，・・・）を関連づけた基板重量情報を記憶部３２０に記憶しておく。そして，リフトピン２３２を上昇させる前にそのウエハＷの処理条件に対応するウエハ重量を記憶部３２０から読み出してリフト推力を設定する。
【００７７】
さらに，ウエハ処理の種類（例えばエッチング，成膜など）が異なればそのウエハ処理前後のウエハ重量も変わるので，その場合にはウエハ処理が途中で止まってしまう場合も考えて，リフト推力の設定にはウエハ処理の種類に応じて処理後のウエハ重量と処理前のウエハ重量のいずれかを選択的に用いることが好ましい。この場合も，ウエハ処理の種類ごとに処理条件も異なるので，上述したのと同様に処理条件ごとにリフト推力の設定に用いるウエハ重量を関連づけて記憶部３２０に記憶しておけばよい。
【００７８】
例えば成膜処理ではウエハＷの表面に薄膜を形成するので，ウエハ重量は処理前よりも処理後の方が重くなる。従って，この場合には最も重くなる処理後のウエハ重量でリフト推力を設定しておくことで，ウエハＷが過吸着状態でなければ，ウエハ処理が正常に終了した場合のみならず，ウエハ処理が途中で止まってしまった場合でもウエハＷを持ち上げることができる。
【００７９】
また，エッチング処理ではウエハＷの表面を削り取るので，ウエハ重量は処理前よりも処理後の方が軽くなる。従って，もし処理後のウエハ重量を用いてリフト推力を設定したとすれば，ウエハ処理が正常終了した場合には問題なくても，ウエハ処理が途中で止まってしまった場合にはウエハＷを持ち上げることができなくなる可能性もある。
【００８０】
そこで，この場合には最も重くなる処理前のウエハ重量でリフト推力を設定しておく。これにより，ウエハＷが過吸着状態でなければ，ウエハ処理が正常に終了した場合のみならず，ウエハ処理が途中で止まってしまった場合でもウエハＷを持ち上げることができる。
【００８１】
なお，このようにウエハ処理によってその処理前後のウエハ重量が変わる場合は，ウエハ処理が正常終了した場合と正常終了しなかった場合とで，リフト推力の設定に用いるウエハ重量を変えるようにしてもよい。例えばエッチング処理の場合はウエハＷの重量はウエハ処理が正常終了の場合よりも異常終了した方が重くなるので，ウエハ処理が正常終了の場合には処理後のウエハ重量を用い，ウエハ処理が異常終了の場合には処理前のウエハ重量を用いるようにしてもよい。
【００８２】
なお，この場合，ウエハ処理が正常終了した場合には，処理後のウエハ重量を用い，ウエハ処理が正常終了しなかった場合には，処理後のウエハ重量と処理前のウエハ重量のいずれかをウエハ処理条件（例えばウエハ処理の種類）に応じて選択的に用いるようにしてもよい。例えば上述したエッチング処理のように処理後のウエハ重量の方が処理前のウエハ重量よりも軽くなる場合はウエハ処理が正常に終了した場合には処理後のウエハ重量を用い，ウエハ処理が正常に終了しなかった場合（エッチングで削る量が予定より少なかった場合）には重い方の処理前のウエハ重量を用いることが好ましい。これに対して，成膜処理のように処理後のウエハ重量の方が処理前のウエハ重量よりも重くなる場合はウエハ処理が正常に終了した場合と正常に終了しなかった場合ともに重い方の処理後（成膜後）のウエハ重量を用いることが好ましい。これにより，どのようなウエハ処理の種類の場合でも適用でき，過吸着状態でない場合にはウエハＷを持ち上げることができる。
【００８３】
この場合には，例えば図８に示すように各処理条件（Ｘ，Ｙ，・・・）ごとに測定した処理前のウエハ重量（ＪＸ（ｂｅｆ），ＪＹ（ｂｅｆ），・・・）と処理後のウエハ重量（ＪＸ（ａｆｔ），ＪＹ（ａｆｔ），・・・）を関連づけた基板重量情報を記憶部３２０に記憶しておく。そして，リフトピン２３２を上昇させる前にそのウエハＷの処理条件に対応する処理前のウエハ重量又は処理後のウエハ重量を記憶部３２０から読み出してリフト推力を設定する。
【００８４】
（ウエハ脱離処理の具体例）
次に，静電チャック２１２からウエハＷを脱離する際に制御部３００によって実行されるウエハ脱離処理の具体例について図面を参照しながら説明する。図９は本実施形態におけるウエハ脱離処理の概略を示すメインルーチンのフローチャートである。図１０は，図７に示すウエハ重量情報に基づいてリフト推力を設定する場合のサブルーチンのフローチャートである。図１１は，図８に示すウエハ重量情報に基づいてリフト推力を設定する場合のサブルーチンのフローチャートである。なお，ウエハ脱離処理は記憶部３２０に記憶されたプログラムに基づいて実行される。
【００８５】
ウエハ脱離処理は，図９に示すように，先ずステップＳ１１０にてウエハＷを持ち上げる際のリフト推力の設定を行う。ここで，図７に示すウエハ重量情報に基づいてリフト推力を設定する場合には，図１０に示すサブルーチンのフローチャートに基づいてリフト推力が設定される。
【００８６】
図１０に示すリフト推力の設定では，先ずステップＳ２１０にてウエハＷに実行された処理条件に関連づけられたウエハ重量を図７に示すウエハ重量情報に基づいて取得する。続いてステップＳ２２０にてそのウエハ重量と同等の力をリフト推力として設定して図９に示すメインルーチンに戻る。
【００８７】
また，図８に示すウエハ重量情報に基づいてリフト推力を設定する場合には，図１１に示すサブルーチンのフローチャートに基づいてリフト推力が設定される。図１１に示すリフト推力の設定では，先ずステップＳ３１０にてウエハ処理が正常に終了したか否かを判断する。例えばウエハ処理の実行中に異常や断電があって途中で処理が止まってしまった場合などは正常に終了しなかったと判断する。
【００８８】
ステップＳ３１０にてウエハ処理が正常に終了したと判断した場合は，ステップＳ３２０にてウエハＷに実行された処理条件に関連づけられた処理後のウエハ重量を図８に示すウエハ重量情報に基づいて取得する。これに対して，ステップＳ３１０にてウエハ処理が正常に終了しなかったと判断した場合は，ステップＳ３３０にてウエハＷに実行された処理条件に関連づけられた処理前のウエハ重量を図８に示すウエハ重量情報に基づいて取得する。続いてステップＳ３４０にてそのウエハ重量と同等の力をリフト推力として設定して図９に示すメインルーチンに戻る。
【００８９】
次に，図９に示すステップＳ１２０にて静電チャック２１２に印加する電圧をオフにして，ウエハＷの電荷を除去する除電処理を行う。除電処理は例えば次のように実行される。先ず処理ガス供給部１２２から処理ガス例えばＮ２ガスを所定のガス流量で処理室１０２内へ導入しながら，排気部１０９により真空引きを行って，処理室１０２内を所定の圧力まで減圧する。そして，直流電源回路２１６から例えば静電吸着時とは逆極性の電圧（逆印加電圧）を静電チャック２１２に印加させる。この状態で所定時間が経過すると，静電チャック２１２への逆印加電圧をオフするとともに，処理ガスの導入をオフして，処理室１０２内の圧力制御を停止する。なお，除電処理のときに直流電源回路２１６から静電チャック２１２へ印加する電圧は逆極性に限られるものではなく，極性反転を複数回繰返すようにしてもよい。
【００９０】
このような除電処理が終了すると，ステップＳ１３０にて図３に示す速度制御でモータ２３８の駆動をしてリフトピン２３２の上昇を開始する。そしてステップＳ１４０にてリフトピン２３２がウエハＷに接触したか否かを判断する。具体的には例えば図３に示すモータ２３８の駆動開始時（ｔｓｔａｒｔ）からリフトピン２３２がウエハＷに接触する時点（ｔｃ）までの時間のカウントが終了したか否かで判断する。
【００９１】
続いてステップＳ１５０にて一定時間だけリフタセンサ２４０の出力を監視して，ウエハＷが過吸着状態の有無を判定する。具体的には上述したようにリフタセンサ２４０の出力からリフタ２３０が動いているか否かを判定する。リフタ２３０が動いている場合はウエハＷが過吸着状態でないと判定し，リフタ２３０が動いていない場合はウエハＷが過吸着状態であると判定する。
【００９２】
ステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態であると判定した場合はステップＳ１７０にてエラー処理を実行する。エラー処理としては，モータ２３８を停止してリフタ２３０を停止し，ディスプレイにエラー表示を行ったり，エラーの報知をしたりする。
【００９３】
また，ステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態でないと判定した場合はステップＳ１８０にてリフトピン２３２の上昇が終了したか否かを，例えばモータ２３８の速度制御が終了したか否かで判断する。そして，ステップＳ１８０にてリフトピン２３２の上昇が終了したと判断した場合は一連のウエハ脱離処理を終了する。
【００９４】
このように本実施形態によれば，ウエハＷを持ち上げる際のリフト推力をウエハ重量と同等の力に設定することで，ウエハＷに無理な力をかけることなく過吸着状態か否かを容易に判断できる。これにより，ウエハＷが割損したり，ずれたりすることなく，ウエハＷを搬送アームなどにより搬出させたり，取除いたりすることができる。
【００９５】
なお，図９に示すウエハ脱離処理においては，ステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態であると判断した場合は，ステップＳ１７０にてエラー処理を行う場合を例に挙げたが，これに限定されるものではない。例えばステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態であると判断した場合にウエハＷの電荷を除去する除電処理を再度実行するようにしてもよい。この場合，リフタ２３０を停止せずに再度の除電処理を開始するようにしてもよい。本実施形態では，ウエハＷを持ち上げる際のリフト推力をウエハ重量と同等の力程度の極めて小さい力に設定するので，リフタ２３０を停止せずに除電処理を開始してもウエハＷがずれたり跳ね上がったりすることはないからである。なお，再度の除電処理は複数回実行するようにしてもよい。
【００９６】
ここで，再度の除電処理を実行するウエハ脱離処理のフローチャートの具体例を図１２を参照しながら説明する。なお，図１２において図９と同じステップは同様の処理を行うのでその詳細な説明を省略する。図１２に示すウエハ脱離処理ではステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態であると判定した場合は，ステップＳ１７２にて再度の除電処理が所定回数実行されたか否かを判断する。
【００９７】
ステップＳ１７２にて再度の除電処理が所定回数実行されていないと判断した場合はステップＳ１７４にて再度の除電処理を実行する。再度の除電処理としては，ステップＳ１２０の除電処理と同様の処理を行うようにしてもよく，また異なる処理を行うようにしてもよい。
【００９８】
除電処理が終了すると，ステップＳ１５０の処理に戻って過吸着状態を判定する。もしウエハＷの除電が十分であれば残留静電吸着力がなくなるので，リフトピン２３２が再び動き出してウエハＷを持ち上げることができる。従って，この場合はステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態でないと判定される。
【００９９】
これに対して，ウエハＷの除電が不十分であれば残留静電吸着力がなくならないので，リフトピン２３２もウエハＷに接触したままである。この場合はステップＳ１６０にてウエハＷが過吸着状態であると判定され，ステップＳ１７２にて再度の除電処理は所定回数に達するまで繰り返し行われる。そして，ステップＳ１７２にて再度の除電処理が所定回数に達しても未だウエハＷが過吸着状態である場合にはステップＳ１７０にてエラー処理を実行する。
【０１００】
また，上述した実施形態の機能（例えばウエハ処理機能，ウエハ脱離処理機能，除電処理機能）を実現するソフトウェアのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体をシステム或いは装置に供給し，そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても，本発明が達成されることは言うまでもない。
【０１０１】
この場合，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施形態の機能を実現することになり，そのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムを供給するための記憶媒体等の媒体としては，例えば，フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭ，或いはネットワークを介したダウンロードなどを用いることができる。
【０１０２】
なお，コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより，上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく，そのプログラムの指示に基づき，コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【０１０３】
さらに，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムが，コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後，そのプログラムの指示に基づき，その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【０１０４】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明は，基板を載置台に吸着保持して処理し，処理後は載置台から脱離する基板処理装置，基板脱離方法，プログラムに適用可能である。
【符号の説明】
【０１０６】
１００ 基板処理装置
１０２ 処理室
１０３ 容器本体
１０４ 基板搬入出口
１０５ 天井部
１０６ ゲートバルブ
１０８ 排気管
１０９ 排気部
１１０ 上部電極
１１２ シールドリング
１１４ シール部材
１１６ 拡散室
１１８ 吐出孔
１２１ ガス導入口
１２２ 処理ガス供給部
１５０ 第１高周波電源
１５４ ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）
１６０ 第２高周波電源
１６４ ローパスフィルタ（ＬＰＦ）
１５２ 整合器
１６２ 整合器
２００ 載置台（基板載置台）
２１０ 下部電極
２１２ 静電チャック
２１４ 静電チャック電極
２１６ 直流電源回路
２２０ 筒状保持部
２３０ リフタ
２３２ リフトピン
２３４ ベース
２３６ ロッド
２３８ アクチュエータ（モータ）
２４０ リフタセンサ
２４２ 位置センサ
２４４ エンコーダ
２４６ モータセンサ
３００ 制御部
３１０ 操作部
３２０ 記憶部
Ｗ ウエハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置において前記基板載置台から前記基板を脱離させる方法であって，
前記基板処理装置は，
前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，
前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，
前記リフトピンを昇降させるリフタと，を備え，
前記リフトピンを上昇させる前に，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記基板重量と同等の力に設定する工程と，
前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させる工程と，
を有することを特徴とする基板脱離方法。
【請求項２】
前記リフタの状態を検出するリフタセンサを設け，
前記リフタセンサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してからも前記リフタが動いているか否かによって前記基板が過吸着状態か否かを判定する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の基板脱離方法。
【請求項３】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記ベースの上昇位置を検出する位置センサであり，
前記判定工程は，前記位置センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記上昇位置が変化している場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記上昇位置が変化していない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することを特徴とする請求項２に記載の基板脱離方法。
【請求項４】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの駆動振動を検出する振動センサであり，
前記判定工程は，前記振動センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ駆動振動が検出された場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ駆動振動が検出されない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することを特徴とする請求項２に記載の基板脱離方法。
【請求項５】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの駆動音を検出する音センサであり，
前記判定工程は，前記音センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ駆動音が検出された場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ駆動音が検出されない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することを特徴とする請求項２に記載の基板脱離方法。
【請求項６】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの温度を検出する温度センサであり，
前記判定工程は，前記温度センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ温度に所定以上の温度上昇がない場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ温度に所定以上の温度上昇がある場合には前記基板が過吸着状態であると判定することを特徴とする請求項２に記載の基板脱離方法。
【請求項７】
前記判定工程で前記基板が過吸着状態であると判定した場合には，前記リフタを停止してエラー処理を行う工程を有することを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の基板脱離方法。
【請求項８】
前記判定工程で前記基板が過吸着状態であると判定した場合には，前記リフタを停止せずに再度の除電処理を開始する工程を有することを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の基板脱離方法。
【請求項９】
前記基板処理装置は，複数の基板処理条件と，これら各基板処理条件のそれぞれに関連づけられた基板重量とを記憶する記憶部を備え，
前記リフト推力を設定する工程は，前記載置台から脱離しようとする基板に実行された基板処理条件に関連づけられた基板重量を前記記憶部から取得し，その基板重量を用いて前記リフト推力を設定することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板脱離方法。
【請求項１０】
前記リフト推力の設定に用いる基板重量は，処理後の基板重量と処理前の基板重量のいずれかを基板処理条件に応じて選択的に用いることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板脱離方法。
【請求項１１】
前記リフト推力の設定に用いる基板重量は，前記基板処理が正常に終了した場合には処理後の基板重量を用い，前記基板処理が正常に終了しなかった場合には処理前の基板重量と処理後の基板重量のいずれかを基板処理条件に応じて選択的に用いることを特徴とする請求項１０に記載の基板脱離方法。
【請求項１２】
基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置であって，
前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，
前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，
前記リフトピンを昇降させるリフタと，
基板処理条件とこれに関連づけられた基板重量とを記憶する記憶部と，
前記リフトピンを上昇させる前に，その基板に実行された基板処理条件に関連づけられた基板重量を前記記憶部から取得し，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記記憶部から取得した基板重量と同等の力に設定し，前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させる制御部と，
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
前記リフタの状態を検出するリフタセンサを設け，
前記制御部は，前記リフタセンサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してからも前記リフタが動いているか否かによって前記基板が過吸着状態か否かを判定することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記ベースの上昇位置を検出する位置センサであることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの駆動振動を検出する振動センサであることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの駆動音を検出する音センサであることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの温度を検出する温度センサであることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置において前記基板載置台から前記基板を脱離させる方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって，
前記基板処理装置は，
前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，
前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，
前記リフトピンを昇降させるリフタと，を備え，
前記基板脱離方法は，
前記リフトピンを上昇させる前に，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記基板重量と同等の力に設定するステップと，
前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させるステップと，
を有することを特徴とするプログラム。
【請求項１】
基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置において前記基板載置台から前記基板を脱離させる方法であって，
前記基板処理装置は，
前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，
前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，
前記リフトピンを昇降させるリフタと，を備え，
前記リフトピンを上昇させる前に，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記基板重量と同等の力に設定する工程と，
前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させる工程と，
を有することを特徴とする基板脱離方法。
【請求項２】
前記リフタの状態を検出するリフタセンサを設け，
前記リフタセンサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してからも前記リフタが動いているか否かによって前記基板が過吸着状態か否かを判定する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の基板脱離方法。
【請求項３】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記ベースの上昇位置を検出する位置センサであり，
前記判定工程は，前記位置センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記上昇位置が変化している場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記上昇位置が変化していない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することを特徴とする請求項２に記載の基板脱離方法。
【請求項４】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの駆動振動を検出する振動センサであり，
前記判定工程は，前記振動センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ駆動振動が検出された場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ駆動振動が検出されない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することを特徴とする請求項２に記載の基板脱離方法。
【請求項５】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの駆動音を検出する音センサであり，
前記判定工程は，前記音センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ駆動音が検出された場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ駆動音が検出されない場合には前記基板が過吸着状態であると判定することを特徴とする請求項２に記載の基板脱離方法。
【請求項６】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの温度を検出する温度センサであり，
前記判定工程は，前記温度センサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してから一定時間内に，前記アクチュエータ温度に所定以上の温度上昇がない場合には前記基板が過吸着状態でないと判定し，前記アクチュエータ温度に所定以上の温度上昇がある場合には前記基板が過吸着状態であると判定することを特徴とする請求項２に記載の基板脱離方法。
【請求項７】
前記判定工程で前記基板が過吸着状態であると判定した場合には，前記リフタを停止してエラー処理を行う工程を有することを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の基板脱離方法。
【請求項８】
前記判定工程で前記基板が過吸着状態であると判定した場合には，前記リフタを停止せずに再度の除電処理を開始する工程を有することを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の基板脱離方法。
【請求項９】
前記基板処理装置は，複数の基板処理条件と，これら各基板処理条件のそれぞれに関連づけられた基板重量とを記憶する記憶部を備え，
前記リフト推力を設定する工程は，前記載置台から脱離しようとする基板に実行された基板処理条件に関連づけられた基板重量を前記記憶部から取得し，その基板重量を用いて前記リフト推力を設定することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板脱離方法。
【請求項１０】
前記リフト推力の設定に用いる基板重量は，処理後の基板重量と処理前の基板重量のいずれかを基板処理条件に応じて選択的に用いることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板脱離方法。
【請求項１１】
前記リフト推力の設定に用いる基板重量は，前記基板処理が正常に終了した場合には処理後の基板重量を用い，前記基板処理が正常に終了しなかった場合には処理前の基板重量と処理後の基板重量のいずれかを基板処理条件に応じて選択的に用いることを特徴とする請求項１０に記載の基板脱離方法。
【請求項１２】
基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置であって，
前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，
前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，
前記リフトピンを昇降させるリフタと，
基板処理条件とこれに関連づけられた基板重量とを記憶する記憶部と，
前記リフトピンを上昇させる前に，その基板に実行された基板処理条件に関連づけられた基板重量を前記記憶部から取得し，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記記憶部から取得した基板重量と同等の力に設定し，前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させる制御部と，
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
前記リフタの状態を検出するリフタセンサを設け，
前記制御部は，前記リフタセンサの出力を監視し，前記リフトピンが前記基板に接触してからも前記リフタが動いているか否かによって前記基板が過吸着状態か否かを判定することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記ベースの上昇位置を検出する位置センサであることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの駆動振動を検出する振動センサであることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの駆動音を検出する音センサであることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記リフタは，前記リフトピンを支持するベースと，前記ベースを昇降させるアクチュエータとを備え，
前記リフタセンサは，前記アクチュエータの温度を検出する温度センサであることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
基板載置台に吸着保持された基板に所定の処理を施す基板処理装置において前記基板載置台から前記基板を脱離させる方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって，
前記基板処理装置は，
前記基板載置台の表面に設けられ，直流電圧を印加して発生した静電吸着力で前記基板載置台の表面に載置された前記基板を保持する静電チャックと，
前記基板載置台の表面から突没自在に設けられ，前記基板載置台の表面から前記基板を持ち上げて脱離させるリフトピンと，
前記リフトピンを昇降させるリフタと，を備え，
前記基板脱離方法は，
前記リフトピンを上昇させる前に，前記リフトピンで前記基板を持ち上げるときのリフト推力を前記基板重量と同等の力に設定するステップと，
前記静電吸着用の直流電圧を止めて前記基板の電荷を除去する除電処理を実行し，前記リフタを駆動させて前記リフト推力で前記リフトピンを上昇させるステップと，
を有することを特徴とするプログラム。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１０−２７２７０９（Ｐ２０１０−２７２７０９Ａ）
【公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２３６７３（Ｐ２００９−１２３６７３）
【出願日】平成２１年５月２２日（２００９．５．２２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月２２日（２００９．５．２２）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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