【発明の課題】 より高いスループットで、ウェハー表面の汚染を生ずることなく当該ウェハー上に膜を堆積できるＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 ＣＶＤ装置は、ウェハー搬入／搬出チャンバ１ａ，１ｂ、処理チャンバ３、ウェハー搬送チャンバ２を備える。処理チャンバは、２つまたはそれより多いウェハーステージ６ａ〜６ｄであって、当該ウェハーステージの各々は回転可能な中央ポールに水平アーム８ａ〜８ｄを介して連結されているものと、ウェハー・ロード／アンロード室５と、２つまたはそれより多い分離された処理反応容器４ａ，４ｂとで構成され、当該処理反応容器では各々に膜の化学的気相成長のために必要な１タイプの処理ガスのみが供給される。ウェハー・ロード／アンロード室と処理反応容器は、中央ポールから同じ半径距離に配置され、中央ポールが回転する時、ウェハーステージの各々は処理反応容器等を通って移動する。 （もっと読む）

【課題】ハンド部の位置ずれを検出し、ハンド部の位置を調整する。
【解決手段】レチクル中継部は、第２のロボット１８８のアーム１９０の一部（ハンド部１８０）に光Ｌ１、Ｌ２を照射する照射部１９７ａ，１９７ｂと、ハンド部とロードシェルフ２５とが所望の位置関係にあるときハンド部の異なる２箇所を経由した前記光を同時に受光可能で、所望の位置関係から外れたときは前記２箇所のうちの少なくとも１箇所を経由した光が受光不能となる光検出部１９９ａ，１９９ｂとを有する位置ずれ検出装置４５を備えている。このため、光の受光状況に基づいて第２のロボットがロードシェルフにレチクルＲを渡す際に、レチクルを保持したハンド部とロードシェルフとが所望の位置関係にあるか否か、すなわちハンド部１８０の位置ずれを確実に検出することができ、この検出結果に基づいてハンド部の位置を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハカセットなどのウエハ保持容器を経て搬送するウエハへの前記ウエハ保持容器でのパーティクルの付着をなくし、配線ショート等のパターン形成不良の発生を防止する。
【解決手段】 複数のウエハ処理工程間でウエハ４を保管するウエハ保管装置２０を、ウエハ４をウエハ表面４ａが上下方向に沿う向きに保持するウエハカセット１と、ウエハカセット１内に上下方向の気流を流す気流取り入れ口２３ａ，排気口２４ａなどからなる気流発生機構と、ウエハカセット１の上流部で前記気流に対してイオン化を行うイオン化機構２２とを備えた構造とする。これにより、ウエハカセット１内の雰囲気中のパーティクルや、複数枚保持されたウエハ４の内の他のウエハ４に付着していたパーティクルが、重力作用によってウエハ表面４ａに落下すること、および、ウエハ表面４ａへ静電吸着することを防止可能である。 （もっと読む）

本発明は、クリーン・ルーム対応の、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法用のコーティング・システムに関する。前記システムは、ガラス様の層、ガラス・セラミック層および／またはセラミック層が堆積される、少なくとも１つの真空コーティング・チャンバを備える。真空コーティング・チャンバの第１の開口部が、真空排気可能な別個の真空ロック・チャンバ（ロード・ロック）を介してクリーン・ルームに接続される。この真空ロック・チャンバは、基板を真空コーティング・チャンバ内に供給し、基板を真空コーティング・チャンバから取り出すために使用される輸送手段を備える。真空コーティング・チャンバの第２の開口部が、真空コーティング・チャンバをクリーン・ルームから切り離されたグレイ・ルーム領域に接続する。
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【課題】処理対象物の搬送及び搬出入の時間を短くし、処理能力を高めることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器５０に、第１のロードロック機構１と第２のロードロック機構２とが設置され、真空容器５０の外に、処理対象物５２を一時的に保持するバッファ６が配置されている。真空容器５０の外に配置された第１の外部アーム１７が、バッファ６に保持された処理対象物５２を、第１及び第２のロードロック機構１、２に搬入することができる。第２の外部アーム１８が、処理対象物５２を、第１及び第２のロードロック機構１，２から受け取る。真空容器５０の外にロボットアーム３，４が配置されている。ロボットアーム３、４は、真空容器外の保管場所５１からバッファ６へ処理対象物５２を搬送し、かつ第２の外部アーム１８に保持された処理対象物５２を受け取り、真空容器外の保管場所５１へ搬送する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、環境制御されたチャンバー内部に基板の搬出入を行うロードロック機構において、チャンバー内部とロードロック内部の圧力差を短時間でなくし、ロードロック内部とチャンバー内部を繋いだときのパーティクルの巻き上げ等を防止することのできるロードロック機構を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、互いに独立した2つ以上の異なる雰囲気の空間のそれぞれとゲートバルブを介して連結自在であるロードロック機構において、前記空間のうち少なくとも1つの空間と、少なくとも1つのロードロック機構とを、少なくとも１つの圧力調整手段を介して連結したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 容器開閉装置の載置台上に載置された容器に対し、簡単に、少ない不活性ガス
量で、短時間で、効率的に容器内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気で置換する。
【解決手段】 半導体ウエハ等の収容容器１の開閉装置１０の載置台上に載置された当該
容器１内の酸化性ガス雰囲気を非酸化性ガス雰囲気に置換するための容器内ガスパージシ
ステム２０が、不活性ガス供給路２１、容器１内の酸化性ガス排出路２２、これらを接続
するバイパス路２３を備え、供給路２１の一端には、容器１に設けられた給気用パージポ
ート３に接合する給気ノズル２４が設けられ、供給路２１とバイパス路２３との接続部よ
りも上流側には、第１のバルブ２６が設けられ、排出路２２の一端には、容器１に設けら
れた給排気用パージポート４に接合する給排気ノズル２５が設けられ、排出路２２とバイ
パス路２３との接続部よりも下流側には、第２のバルブ２７が設けられ、バイパス路２３
には、第３のバルブ２８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 基板の大型化、積載量の増大に対応可能な無人搬送台車の、走行機構と、クリーンルーム床パネルにダメージを与えない走行輪機構。
【解決手段】 無人搬送車に操舵機構と、駆動機構を有する２列配置の走行輪を設け、略正方形で、単一形状の床パネル部材に対し、無人搬送車の走行輪間ピッチ寸法を、床パネル部材辺の寸法より、大きいかまたは小さな寸法とし、床パネル部材に当接する各走行輪位置を走行輪毎に相互に違えることで、床面のたわみに起因して形成される凹凸の緩和を図る。 （もっと読む）

【課題】
上下２段に基板が保持されている状態でも、上下の基板の有無をそれぞれ個別に検出可能とする。
【解決手段】
上下２段に基板保持棚４，５を有し、該基板保持棚にそれぞれ基板３５が保持される基板保持台３と、上段の基板保持棚の上方に配置され検出光１１を射出して反射光の有無を検出して上段の基板保持棚の基板の有無を検出する上光センサ８と、下段の基板保持棚の下方に配置され検出光５６を射出して反射光の有無を検出して下段の基板保持棚の基板の有無を検出する下光センサ４７とを具備する。
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【課題】 インライン型半導体製造装置を採用して、基板処理室内の基板滞留を防止しつつ、高スループット化を図る。
【解決手段】 インライン型半導体製造装置は、真空ロボットＶＲを有する複数の基板処理モジュールＭＤと、１台の大気ロボットＡＲを有する大気ローダＬＭとを備える。基板処理モジュールは、プロセスチャンバＰＭとバキュームロックチャンバＶＬとからなる。制御手段ＣＮＴは、チャンバＰＭからチャンバＶＬに処理済みウェハが搬出されたら、チャンバＶＬが真空圧から大気圧に戻される工程と並行して、ロードポートＬＰから未処理ウェハを大気ローダＬＭに搬出させ、アライナユニットＡＵでアライメントを行わせ、チャンバＶＬの前で待機させる。処理済みウェハが冷却完了したら、待機させていた未処理ウェハをチャンバＶＬに搬入させ、処理済みウェハをロードポートＬＰに搬出させるよう制御する。 （もっと読む）

【課題】 ドラム型基板ホルダーの外周面に対して基板の取り付け、取り外しを、簡易な構成で容易に行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 ドラム型基板ホルダー５を水平方向の回転軸を回転中心にして成膜室内に水平状態で回転自在に支持し、基板１２を固定保持した基板固定治具１３をアームでドラム型基板ホルダー５の外周面上に水平に搬送することで、ドラム型基板ホルダー５の外周面の角部５ａに設けた固定装置１４で基板固定治具１３の端部１３ｂを固定することができる。 （もっと読む）

本発明は、真空下の半導体処理システムにおいて加工中の製品を処理する方法及びシステムに関し、線形処理システムを横断するためにアームからアームへと材料を処理するための方法及びシステムを含む。 （もっと読む）

ウエハを取り扱うためのシステム及び方法は、第１アームを用いて第１ウエハをウエハカセットから取り出し、第１ウエハを第１ウエハ移動アームから第２アームへ移動し、第２アームを用いて第１ウエハを処理チャンバに処理のため引き渡し、第１アームを用いて第１ウエハを処理チャンバから除去し、第１アームを用いて第１ウエハをカセットに返却することを含む。これらのシステム及び方法は、第１アームを用いて第１ウエハをウエハカセットから取り出し、第１アームを用いて第１ウエハを処理チャンバに処理のため引き渡し、第２アームを用いて処理済みウエハを処理チャンバから除去し、第２アームを用いて処理済みウエハをカセットに返却し、反復的に、ウエハをカセットから取り出し、引き渡し、除去し、且つ返却しつつ、反復実行間でアームを交互に入れ替えてもよい。
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本発明は、人の手を介することなく、自動的に正常状態にある基板を回収することができる基板処理装置を提供することを目的とする。基板１２を多段に保持する基板保持具２６と、この基板保持具２６に基板１２を移載する基板移載機３４とからなり、基板保持具２６の基板保持状態は検知部６０により検知される。検知部６０は、フォトセンサ６４ａ，６４ｂを有し、このフォトセンサ６４ａ，６４ｂから検知された検知波形が正常波形と比較され、少なくとも異常と判断された基板１２以外の基板１２を基板移載機３４にて移載するよう制御する制御部６６が設けられている。 （もっと読む）

基板は、ほぼ真空の環境から第１のドアを介してロードロック内に転送される。それからこの基板は、このロードロック内にシール（密封）される。ロードロック内の圧力は、真空より高い高圧に上げられる。それからこのロードロックを高圧処理チャンバに連結する第２のドアが開かれ、基板はロードロックから高圧チャンバ内に移される。それから基板は、高圧チャンバ内にシールされる。それからこの高圧チャンバ内で基板に高圧処理、例えば高圧洗浄または高圧蒸着が実行される。その後、第２のドアが開かれて基板はロードロックに転送される。それから基板は、ロードロック内にシールされる。ロードロック内の圧力はほぼ真空に下げられて、第１のドアが開けられる。それから基板は、ロードロックから環境内に取り出される。
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【課題】占有スペースやコストを大幅に削減することができ、しかもスループットを向上させることが可能な被処理体の処理システムを提供する。
【解決手段】第１の大気圧搬送室４と、第１の大気圧搬送室内に設けられた第１の搬送機構２０と、第１の大気圧搬送室にロードロック室を介して直交するように設けた第１の真空搬送室６と、第１の真空搬送室内に設けた第２の搬送機構３６と、第１の大気圧搬送室に接続した大気圧バッファ搬送室８と、大気圧バッファ搬送室内に設けたバッファ用搬送機構４４と、大気圧バッファ搬室に直列に接続した第２の大気圧搬送室１０と、第２の大気圧搬送室内に設けた第３の搬送機構５４と、第１の真空搬送室に接続した真空処理室１２Ａ〜１２Ｃと、第２の大気圧搬送室にロードロック室を介して接続した真空処理室１２Ｄ、１２Ｅとを備えて処理システムを形成する。 （もっと読む）

【課題】大気ロボットハンドリング装置を提供すること。
【解決手段】半導体製造ツール３０は２つのロードロック３６，４０を有し、一方はツール３０に入って処理される半導体ウェーハ用であり、他方は処理後にツール３０から出るウェーハ用である。ツール３０は３つの大気ウェーハハンドリングロボット４４，４６，４８と関連して、ロードロック３６，４０により可能となる高スループットを得る。第１のロボット４４は未処理のウェーハを供給源からウェーハ・プリアライナ５０に搬送し、第２のロボット４６は、ウェーハを、ウェーハ・プリアライナ５０から、ウェーハがツール３０に入るロードロック３６に搬送し、第３のロボット４８は、処理済のウェーハを、ウェーハがツール３０から出るロードロック４０から供給源４２に搬送する。 （もっと読む）

【課題】 占有スペースをそれ程大きくすることなく、簡単なプロセスを含めた多種多様な処理を行う。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の処理を行う複数の処理装置３２Ａ〜３２Ｆと、前記複数の処理装置に共通に接続された共通搬送室３４と、前記共通搬送室内に設けられて前記処理装置との間で前記被処理体を搬送するための第１及び第２の２つの搬送手段４０、４２と、前記共通搬送室内であって前記２つの搬送手段のそれぞれの搬送範囲が重なる範囲内に設置されて、両側がゲートバルブ５８Ａ、５８Ｂによって開閉されて密閉空間となるバッファ部５０、５２と、前記共通搬送室に接続されて真空引き可能になされたロードロック室３６Ａ、３６Ｂと、前記ロードロック室に接続された導入側搬送室３８と、前記導入側搬送室内に設けられて、前記被処理体を複数収容するカセットと前記ロードロック室との間で前記被処理体を搬送する導入側搬送手段１２４とを備えた。 （もっと読む）