ウェハを支持するための領域を有する表面および本体を備えるステージと、ステージに結合されたシャフトと、第１および第２の加熱素子とを含む加熱装置。第１の加熱素子は、ステージの本体の第１の平面内に配置される。第２の加熱素子は、第１の加熱素子よりステージの表面から離れた距離にあるステージの本体の第２の平面内に配置され、第２の加熱素子は、第１の平面および第２の平面の少なくとも１つに対して実質的に平行な平面に第１の加熱素子からずらされる。
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【課題】シリコンウエーハ等を熱処理する際、スリップだけでなく、裏面周辺部や面取り部のキズの発生も確実に防ぐことができる熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ状の被処理体を水平に支持して熱処理する際に使用する熱処理用治具であって、前記被処理体の裏面側を支持する支持部を有し、該支持部の支持面が、凸曲面状に形成されていることを特徴とする熱処理用治具。例えば、被処理体を裏面周縁部に沿って支持する支持部を有する環状のサセプタ４１とし、半導体ウエーハＷの面取り部と裏面との境界部分が凸曲面状に形成された支持面４６と接触するようにウエーハＷを支持して熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 ねじれ振動に対して抵抗力及び共振周波数の高いステージ部材を提供することである。
【解決手段】 四角柱状の空隙部を備え、当該空隙部を構成する璧をねじれ変形の方向に対して垂直となるように配置したハニカム構造体を有するステージ部材及び当該ステージ部材を含む露光装置が得られる。ステージ部材のハニカム構造体はセラミックスによって構成することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】高温の酸加熱処理によるスリップの発生を低減するとともに、基板裏面における熱酸化膜の成長差に起因する表面段差をなくすことができる熱処理治具を提供する。
【解決手段】半導体シリコン基板８と接触し保持して、縦型熱処理炉の熱処理ボードに搭載される熱処理治具７であって、その厚さが１．５ｍｍ以上、６．０ｍｍ以下で、前記熱処理ボートに搭載された際の前記半導体シリコン基板８と接触する領域の撓み変位量を１００μｍ以下とし、前記半導体シリコン基板８と接触し保持する治具の外径が当該半導体シリコン基板８の直径の６５％以上で、治具形状がリング構造または円板構造であり、前記半導体シリコン基板８と接触する面の表面粗さ（Ｒａ値）が１．０μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とする半導体シリコン基板用熱処理治具７である。さらに、熱酸化膜の成長抑制を回避するため、スリットを設け、または貫通孔を均等に配置できる。 （もっと読む）

化学酸化物除去のためのプロセス加工システムおよび方法であって、プロセス加工システムは、基材を化学処理するように構成された下部チャンバ部分と、基材を熱処理するために構成された上部チャンバ部分とを有するプロセスチャンバ、および下部チャンバ部分と上部チャンバ部分との間で基材を輸送するように構成された基材昇降アセンブリを備える。下部チャンバ部分は、基材を化学処理のために支持するための温度制御された基材ホルダを提供する化学処理環境を備える。基材は、表面温度およびガス圧力を含む制御された条件下で、ＨＦ／ＮＨ_３などのガス状化学物質に露出される。上部チャンバ部分は、基材の温度を上昇させるように構成された加熱アセンブリを提供する熱処理環境を備える。
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物体を熱処理する少なくとも１つの装置を含む熱処理システムであって、該装置は、１つのプラットフォーム、または互いに反対側に位置した２つのプラットフォームからなり、ここで少なくとも１つのプラットフォームは物体を加熱または冷却する少なくとも１つの熱的手段を有し、少なくとも１つのプラットフォームは、非接触で物体を支持する流体機械的手段を有している、熱処理システムである。前記プラットフォームは、少なくとも１つの、複数からなる基本セルからなる作動面を有し、この基本セルは、少なくとも１つの、複数からなる圧力吐出口と、少なくとも１つの、複数からなる流体排出流路を有するものである。各基本セルの圧力吐出口の少なくとも１つは、流量絞り機構を介して高圧流体源に流体的に接続され、この圧力吐出口は、前記物体とプラットフォームの作動面の間の流体クッションの形成維持のために加圧流体を供給するものである。流量絞り機構は、特性的には、流体的な戻しばね的な挙動を示すものである。各流体排出路は流入口と流出口を有し、各基本セルに対する質量流量の平衡をとるものである。 （もっと読む）

表面に冷却流路を備えた静電チャックを提供する。本発明の一実施形態によると、ウエハを支持するチャックベースと、前記ウエハの固定に必要な静電気力を提供する直流電圧を供給するための電極を内部に備えており、前記チャックベース上に装着される誘電膜と、冷却流路と、を備えた静電チャックを提供する。このとき、冷却流路は、前記ウエハの温度制御のために、前記誘電膜に冷媒を供給するもので、前記ウエハの縁部に対応する前記誘電膜の表面に同心円状に形成された少なくとも二つ以上の第１冷却流路と、前記第１冷却流路の相互間を連結するために、前記誘電膜の表面に形成された第２冷却流路と、前記第１及び第２冷却流路に前記冷媒を提供するために、前記誘電膜を貫通する第１貫通流路と、前記ウエハの中心部に前記冷媒を提供するために、前記誘電膜の中心部を貫通する第２貫通流路と、を含んで構成される。
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工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び方法。機器は、工作物の動きを熱により誘起するように構成された工作物加熱システムを備え、さらに、工作物から離間し、減衰力を加えて工作物の動きを減衰させるように構成された減衰部材を備える。この減衰部材は、減衰部材と工作物の間のガス圧が工作物の動きを妨げるのに十分に短い距離だけ工作物の静止位置から離間し得る。この距離は、好ましくは調節可能である。
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温度制御されたホットエッジリングアセンブリは、プラズマ反応室内の基板支持体を取り囲むように構成されている。このアセンブリは、導電性の下部リング、セラミックの中間リング及び上部リングを含む。中間リングは、下部リングの上に横たわり、下部リングを介してＲＦ電極に取り付けられるように構成されている。上部リングは、中間リングの上に横たわり、プラズマ反応室の内部に露出した上面を有する。
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本発明は、半導体処理装置を用いて、半導体基板をクランプして処理するための方法を提供する。本発明の１つの構成によれば、多極静電チャック及びその方法は、静電チャックと基板との間の熱接触伝導によって基板を加熱または冷却する動作を開示する。この多極静電チャックは、複数の突起を有する半導体プラットフォームを含み、前記突起は、その間にギャップを形成し、突起の表面あらさは、100Å以下である。静電チャックは、更にチャックに印加される電圧を制御する電圧制御システムを含み、チャックの接触熱伝達係数を制御する。静電チャックの熱伝達係数は、基板と複数の突起との間の接触圧の関数である。
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【課題】比較的高い温度およびエネルギーレベルに耐えることができ、かつスパッタリングのコンタミネーションの可能性を低減したウエハーホルダを提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂から形成されたウエハー保持構造であって、例えば、ＳＩＭＯＸウエハープロセスを含む半導体プロセスに用いられる。一実施形態では、ピンが、ウエハーの縁を受容するように構成され、ウエハーホルダ組立体に結合される。このピンは、導電材料で満たして、ウエハーとウエハーホルダ組立体との間に、グランドに接続できる電気経路を形成することができる。この構成により、イオン注入プロセスの際にウエハーからの放電を防止する導電経路が得られる。このピンは、ウエハーの局所的な熱の放散が起こらないように断熱特性および十分な硬度を有するが、ウエハーにマークを付けたり、他の損傷を与えない程度に軟質である。 （もっと読む）

加工物は、処理中、加工物への機械的ストレスを減じるためにガスクッションによって支持される。加工物を受け入れる加工物支持フランジを有するプレナムは、ガス供給源に接続されている。ガスがプレナム内に流れて、加工物を持ち上げるのに十分な圧力が増加すると、加工物は、持ち上げられ、そして、支持フランジと加工物エッジとの間のプレナムからガスが流れる。その結果、加工物は、処理中、ガスによって支持フランジ上方で支持される。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板をクランプしかつこれに関連した熱伝達を制御するための半導体処理装置及び方法を提供する。本発明の１つの構成によれば、多極静電チャック及びその方法は、チャック表面間に、制御されかつ均一の熱伝達係数を与えるように構成されている。この多極静電チャックは、ギャップを形成する複数の突起を有する半導体プラットフォームを含み、前記ギャップの距離または深さは、均一であって、冷却ガスの平均自由行路に関係する。静電チャックは、複数のギャップ内における冷却ガスの背面圧力を調整して、冷却ガスの熱伝達係数を制御する。複数の突起は、さらに、均一な接触表面を有し、複数の突起と基板との間の接触伝導率は、基板間で制御可能でかつ均一である。 （もっと読む）

各種ウェハ処理分野に使用される現在の最高技術水準のホルダに勝る製造及び性能利点を有する改善されたウェハホルダ設計を開示する。このウェハホルダには、一連の短い半径方向溝が組み込んである。溝は環状チャンネルの基部から延び、このチャンネルはウェハ寸法と肉厚に基づき変化する固定された半径方向位置へ基部ウェハ凹部の外径沿いに延びている。この溝がウェハに対し若干の重複を備え、ウェハの着脱操作に必要なウェハ下側での自由なガス交換を容易にしている。半径方向溝の短い長さが、ウェハホルダをより簡単に製造させ、現在の最高技術水準のホルダに比べより優れた性能を提供する。 （もっと読む）

試料位置合わせ機構（１０）が、複数の軸に沿って動かせる可動ステージ（１２）と、試料取り付けチャック（１４）と結合され、それを支持する板（３５）と、板を可動ステージに結合し、可動ステージと板との間の異なる位置に相隔たり、かつ可動ステージと板との間の距離を変化させるために別々に制御できる、複数の直線変位機構（３６，３８）と、可動ステージおよび板に結合する可撓性部材（２２）と、を含む。可撓性部材は３つの運動軸で応従して動く。直線変位機構の直線変位に対応する可撓性部材は、試料取り付けチャックの直線および回転運動を３つの応従運動軸で可能にする。 （もっと読む）

【課題】アームの熱膨脹収縮により生じるハンド部材の偏位量を許容範囲内に収めることができるアーム回動形のワーク搬送用ロボットを提供する。
【解決手段】固定プーリ８，２７と、一端が固定プーリ８，２７に対して回動自在に支持されたアーム１３，２６と、アーム１３，２６の他端に回転自在に支持された回転プーリ１５，２９と、固定プーリと回転プーリとの間に張設されたベルト１７，３０とを備えたアーム機構を多段に設けて、最終段のアーム機構の回転プーリ２９にハンド部材４０を取り付けたワーク搬送用ロボットにおいて、アーム１３，２６の熱膨脹収縮によりハンド部材４０に生じる偏位を許容範囲に収めるように、テンションローラ２２，３５からベルト１７，３０に与える張力を調整するようにした。 （もっと読む）

【課題】 定盤表面を均熱に加熱できるとともに、冷却機能を有する均熱装置を得ることにより、被成形物の加工時間の短縮を図る。
【解決手段】 定盤１の被成形物が載置される面と反対側の面に例えば一体となって配置され、冷却媒体が流通する冷却構造体８を設ける。冷却構造体８に形成された水などの冷却媒体１０を流通させる流路９を形成する。冷却構造体８は供給口１１から冷却媒体１０が導入され、流路９を流通し排出口１２から排出される。 （もっと読む）

【課題】 リニア増幅器とＰＷＭ増幅器を効率よく組み合わせた出力電流制御装置、この出力電流制御装置を使用したステージ装置および露光装置を提供すること。
【解決手段】 出力電流に応じてリニア増幅器１０５とＰＷＭ増幅器１０４とを使い分け、出力電流検出器Ｒ５、１０７と比較器１０６とを共通に使用する。 （もっと読む）