熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法
【課題】シリコンウエーハ等を熱処理する際、スリップだけでなく、裏面周辺部や面取り部のキズの発生も確実に防ぐことができる熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ状の被処理体を水平に支持して熱処理する際に使用する熱処理用治具であって、前記被処理体の裏面側を支持する支持部を有し、該支持部の支持面が、凸曲面状に形成されていることを特徴とする熱処理用治具。例えば、被処理体を裏面周縁部に沿って支持する支持部を有する環状のサセプタ４１とし、半導体ウエーハＷの面取り部と裏面との境界部分が凸曲面状に形成された支持面４６と接触するようにウエーハＷを支持して熱処理を行う。
【解決手段】ウエーハ状の被処理体を水平に支持して熱処理する際に使用する熱処理用治具であって、前記被処理体の裏面側を支持する支持部を有し、該支持部の支持面が、凸曲面状に形成されていることを特徴とする熱処理用治具。例えば、被処理体を裏面周縁部に沿って支持する支持部を有する環状のサセプタ４１とし、半導体ウエーハＷの面取り部と裏面との境界部分が凸曲面状に形成された支持面４６と接触するようにウエーハＷを支持して熱処理を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハ状の被処理体、特にシリコンウエーハを熱処理する際に好適な熱処理用治具及びそれを用いた半導体ウエーハの熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン単結晶等の半導体インゴットから切り出したウエーハを用いてデバイスを作製する場合、ウエーハの加工プロセスから素子の形成プロセスまで多数の工程が介在する。それらの工程の一つに熱処理工程がある。この熱処理工程は、ウエーハの表層における無欠陥層の形成、ゲッタリング、結晶化、酸化膜形成、不純物拡散等を目的として行われる非常に重要なプロセスである。
【０００３】
このようなウエーハの熱処理工程、例えば、酸化や不純物拡散に用いられる拡散炉（酸化・拡散装置）としては、ウエーハの大口径化に伴い、図４に示すような多数のウエーハＷを所定の間隔をあけて水平に支持した状態で熱処理を行う縦型の熱処理炉２０が主に用いられている。熱処理炉２０内のウエーハＷは、反応室２２の周囲に設けられたヒータ２４によって加熱することができる。熱処理中は、反応室２２にはガス導入管２６を介してガスが導入され、上方から下方に向かって流れてガス排気管２８から外部に排出される。なお、使用するガスは熱処理の目的によって異なるが、主としてＨ２、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ等が用いられる。不純物拡散の場合には、これらのガスを不純物化合物ガスのキャリアガスとしても使用する。
【０００４】
このような縦型熱処理炉２０を用いてウエーハＷを熱処理する際には、ウエーハを支持するための熱処理用治具として、多数のウエーハＷを水平にセットする熱処理用縦型ボート１０（以下、熱処理用ボート、縦型ボート、或いは単にボートという場合がある。）が用いられる。図５（Ａ）は一般的な熱処理用ボート１０の概略を示している。４本の棒状（円柱状）の支柱１４の両端部に一対の板材（天板１６ａ、底板１６ｂ）が連結されている。図６（Ａ）に示されるように、各支柱１４には多数のスリット（溝）１１が形成され、各スリット１１間の半円形の凸部がウエーハＷの支持部１２として作用する。
【０００５】
このように支柱１４に多数の溝１１（支持部１２）を形成した熱処理用ボート１０は、一般的にショートフィンガータイプと呼ばれている。熱処理する際には、図５（Ｂ）に示されるように、各支柱１４の同じ高さに形成されている支持部１２によりウエーハＷの裏面（下面）周辺部が４ヶ所で水平に支持されることになる。
なお、ボートの支持部については、例えば図６（Ｂ）に示したように角状の支柱１５に長方形の支持部１３を形成したものもある。
【０００６】
上記のようにウエーハＷの裏面周辺部を支持した場合、ウエーハＷの自重が支持部に集中するため、これにより生ずる応力が常に作用している。そして、この応力が臨界剪断応力を超えると、ウエーハ内に転位が発生する。この転位は応力の作用により巨視的な大きさにまで広がり、スリップとなる。スリップの発生はウエーハの品質を大きく低下させるため、これを防ぐことが重要である。
【０００７】
しかし、一般に高温雰囲気下では、ウエーハにスリップが著しく発生し易くなる。特に、半導体デバイスの高集積化に伴いウエーハ一枚当たりのデバイス収率を上げるために、ウエーハの大直径化が進んでいる。その結果、ウエーハの自重が大きくなり、それに伴いウエーハに作用する応力が増大する傾向にあり、ウエーハ中にスリップがより発生し易くなってきている。直径２００ｍｍ以上、特に３００ｍｍの大直径のシリコンウエーハは、熱処理時にウエーハが撓んでボートの支持部の先端の角が裏面にあたって応力が集中し、スリップが生じ易いという問題がある。
【０００８】
スリップの発生を防ぐため様々な熱処理用治具が提案されており、例えば縦型ボートの支持部の支持面をウエーハの撓みに対応するように傾斜させたものが提案されている（特許文献１参照）。このように支持面を所定の角度で傾斜させたものでは、ウエーハは面取り部で支持され、熱処理中にウエーハが撓んだときには、ウエーハの裏面が支持面と面接触した状態で支持されるため、応力集中が緩和されてスリップの発生が抑制されるとしている。
【０００９】
また、図７（Ａ）（Ｂ）に示したような環状又は円弧状のサセプタ３１も提案されている（特許文献２参照）。このような環状（円弧状）のサセプタ３１をボートの支持部に載置してサセプタ３１を介すことで、ウエーハＷを裏面周縁部に沿って数ｍｍから数十ｍｍの幅で全周または一部を支持することができる。従って、ウエーハＷは、より広い面積で支持されて応力が分散されるため、スリップの発生を抑制することができる。なお、図７に示したサセプタ３１では開口部（切り欠き部）３２が設けられており、ウエーハＷを移載する時に移載機が通過できるようになっている。
さらに、スリップの発生をより効果的に防止するため、ウエーハの撓みに対応するように支持面を傾斜させたサセプタも提案されている（特許文献１参照）。
【００１０】
上記のようにウエーハの撓みに対応するように支持面を傾斜させたボートやサセプタでは、熱処理中、ウエーハが撓んでも広い面積でウエーハと接し、応力が分散されるため、スリップの発生を抑制する効果が得られる。ところが、支持面を傾斜させたサセプタを用いてウエーハの熱処理を行った場合でも、ウエーハの裏面や面取り部にキズが多数発生することがあった。しかも、ウエーハにより撓み方が異なるため、裏面の内側にキズが発生したり、面取り部にキズが発生したり、キズの発生位置を特定することができなかった。
【００１１】
特に最近では、半導体デバイスの高集積化に伴い、スリップのほか、ウエーハの裏面に発生するキズも重要視されている。これは、ピンチャック方式のステッパーを用いる場合、ピンチャックのピンの上にウエーハの裏面キズが乗ったときに、デフォーカス（焦点不良）が起こることが懸念されているためである。従って、スリップだけでなく、裏面キズの発生も抑えることが重要となっており、熱処理時の裏面キズの発生は、裏面の周辺部といえどもその後のデバイス工程で問題となることがあった。さらに、ウエーハの面取り部にキズを付けてしまうと、その後のデバイス工程でのウエーハ割れの原因となると言われている。
【００１２】
【特許文献１】特開平９−２５１９６１号公報
【特許文献２】特開平６−２６０４３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
このような問題点に鑑み、本発明では、シリコンウエーハ等を熱処理する際、スリップだけでなく、裏面周辺部や面取り部のキズの発生も確実に防ぐことができる熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明によれば、ウエーハ状の被処理体を水平に支持して熱処理する際に使用する熱処理用治具であって、前記被処理体の裏面側を支持する支持部を有し、該支持部の支持面が、凸曲面状に形成されていることを特徴とする熱処理用治具が提供される（請求項１）。
【００１５】
このように、支持面が凸曲面状に形成されている熱処理用治具とすれば、例えば、シリコンウエーハを、常に面取り部と裏面との境界部分が凸曲面状の支持面と接するように支持することができ、裏面キズの発生を確実に防ぐことができる。
【００１６】
この場合、支持面の凸曲面は、治具の内側に向けて下方に傾斜しているものとすることができる（請求項２）。
このように支持面の凸曲面が治具の内側に向けて下方に傾斜していれば、被処理体の面取り部と裏面との境界部分が支持面により接し易くなり、裏面キズの発生をより確実に防ぐことができる。
【００１７】
そして、支持面の凸曲面は、曲率半径が０．５〜５００ｍｍの範囲内で一定または変化しているものとすることが好ましい（請求項３）。
このような曲率半径の範囲内となる凸曲面であれば、応力集中によるスリップやキズがより発生し難く、また、キズの発生領域をより小さくすることができる。
【００１８】
前記熱処理用治具は、天板と、底板と、該天板と底板の間に固定された支柱とを有し、該支柱に前記支持部が設けられている熱処理用縦型ボート（請求項４）、あるいは、前記被処理体を裏面周縁部に沿って支持する支持部を有する円弧状または環状のサセプタとすることができる（請求項５）。
これらの形態の熱処理用治具は半導体ウエーハの熱処理に多く使用されており、支持面を本発明のような凸曲面とすれば、スリップに限らず、裏面キズや面取り部のキズの発生も効果的に抑制することができる。
【００１９】
また、本発明によれば、面取り加工されている半導体ウエーハを熱処理する方法において、前記熱処理用治具を用い、前記半導体ウエーハの面取り部と裏面との境界部分が前記凸曲面状に形成された支持面と接触するようにウエーハを支持して熱処理を行うことを特徴とする半導体ウエーハの熱処理方法が提供される（請求項６）。
本発明に係る熱処理用治具を用いて上記のようにしてウエーハの熱処理を行えば、ウエーハが変形したとしても、常に境界部分が支持面と接した状態で支持されるため、面取り部や裏面の内側深くにキズが発生することはなく、デバイス工程で問題となるような裏面キズや面取り部のキズの発生を防ぐことができる。
【００２０】
この場合、前記熱処理する半導体ウエーハは、シリコンウエーハとすることができる（請求項７）。
半導体ウエーハとして特にシリコンウエーハは大直径化しており自重が大きくなっているので、スリップや裏面キズ等が発生し易く、問題となることが多い。そこで、本発明の熱処理用治具を用いてシリコンウエーハの熱処理を行えば、スリップだけでなく裏面キズや面取り部のキズの発生も確実に抑え、歩留りを向上させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る熱処理用治具は、凸曲面状の支持面により被処理体を支持するものであり、スリップだけでなく、裏面キズや面取り部のキズの発生を確実に防止することができる。従って、例えば、直径３００ｍｍの面取り加工されたシリコンウエーハを熱処理する場合に、本発明による支持面が凸曲面状に形成された環状のサセプタを用いてウエーハの裏面と面取り部との境界部分を支持することで、デバイス工程でデフォーカス等の原因となり得る裏面キズを発生させず、かつ割れの原因となる面取り部のキズの発生を抑制し、結果として歩留りを大きく向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付の図面に基づいて本発明についてより詳しく説明する。
本発明者は、本発明の完成に先立ち、支持面を傾斜させたボートやサセプタを用いてシリコンウエーハを熱処理した場合に、ウエーハの裏面や面取り部にキズが発生する原因を調査したところ、以下のようなことが判明した。
まず、熱処理中、ウエーハが弾性変形すると、図８（Ａ）に示したように、ウエーハＷの裏面８が、ボートの支持部先端あるいは環状サセプタ３１ａの内側の角部３７との接触を繰り返して多数の裏面キズ９が生じることが分かった。
また、ウエーハＷの裏面８は支持面３６と広い面積で接しているため、図８（Ｂ）に示したようにサセプタ３１ｂの支持面３６のラフネスが大きい場合にも、熱処理中、支持面３６の微小な凹凸によって裏面キズ９が発生し易いことが分かった。
【００２３】
しかも、このような支持面３６を傾斜させたボート等でウエーハＷを支持した場合、熱処理中のウエーハの撓み方や傾斜勾配あるいは面取り形状等によりウエーハの裏面内側深くにキズが生じたり（図８（Ａ））、外側に生じたり（図８（Ｂ））、さらには図８（ｃ）に示したように、面取り部７がサセプタ３１ｃにより支持されてキズ９ｃが生じている場合もあった。
【００２４】
なお、ボートの支持部の先端あるいはサセプタの内側の角部３７を大きく面取りして丸めたものとすれば角部３７に起因する裏面キズ９の発生を抑えることはできるが、この場合でも、ウエーハの裏面周辺部は、数ｍｍ幅で支持面と接することになるため、支持面の面粗さに起因する裏面キズ９の発生を防ぐことができない。
また、支持面の傾斜角度を大きくし、ウエーハが撓んだ場合でも常に面取り部７のみを支持することも考えられるが、前述のように面取り部７にキズが入ると、ウエーハのワレやパーティクルの発生原因となるおそれがある。
【００２５】
そこで、本発明者は、ウエーハを支持する以上、支持部（支持面）との接点において多少のキズが発生する可能性があるのはやむを得ないが、たとえキズが発生したとしても最も問題とならない位置にキズが発生するようにすればよいと考え、調査、検討を行った。そして、ウエーハの面取り部と裏面との境界領域が常に接触するようにコントロールできれば、その後のデバイス工程でも歩留り低下等の悪影響を最小限に抑えることができることが分かった。
【００２６】
これらの知見に基づき、本発明者はさらに鋭意研究を重ねた結果、ウエーハを熱処理する際にウエーハを水平に支持する熱処理用治具において、支持部の支持面を、凸曲面状に形成させることで、ウエーハの面取り部と裏面との境界部分を確実に支持することができ、それによりたとえキズが生じても最も問題の少ない位置にキズが入るように制御することができることを見出し、本発明の完成に至った。
【００２７】
以下、好適な態様として、シリコンウエーハの熱処理の際に使用する本発明に係る熱処理用縦型ボート及び環状のサセプタについて添付の図面に基づいて具体的に説明する。
図１は、本発明に係る熱処理用縦型ボートの一例を示している。この熱処理用ボート１は、天板２と、底板３と、４本の支柱４とを有し、各支柱４は天板２と底板３の間に固定されている。各支柱４には所定の間隔で支持部５が設けられており、支持部５の支持面６は、ボート１の内側に向けて下方に傾斜しているとともに凸曲面状に形成されている。
【００２８】
一方、図２は、本発明に係る環状のサセプタの一例を示しており、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図である。このサセプタ４１は、上側が支持部となり、前記縦型ボート１と同様、支持面４６が、サセプタ４１の内側に向けて下方に傾斜しているとともに凸曲面状に形成されている。
【００２９】
このような縦型ボート１あるいは環状のサセプタ４１では、支持面６，４６を下方に傾斜する凸曲面状に形成したものとされているので、熱処理するウエーハＷは、熱処理時に撓むなどして変形した場合でも、常に面取り部と裏面との境界部分が支持面６，４６と接するように支持されることになる。
【００３０】
例えば環状のサセプタ４１を用いる場合、図３に示されるように、ウエーハＷの面取り部７と裏面８との境界部分４７が凸曲面状に形成された支持面４６と接触した状態で支持されることになる。このように面取り部７と裏面８との境界部分４７を支持するようにすれば、熱処理中、ウエーハＷが弾性変形しても、図８に示したような角部３７が無いため、角部３７との接触を防ぐことができる。また、支持面４６のラフネスが多少粗くても、ウエーハＷの面取り部７や裏面８は支持面４６と接触することは無い。すなわち、ウエーハは常に面取り部７と裏面８との境界部分４７で支持面４６と接触することになる。従って、ウエーハＷの面取り部７や裏面８にキズが発生するのを確実に防ぐことができる。
【００３１】
一方、ウエーハＷの面取り部７と裏面８との境界部分４７、すなわち支持面４６との接点には多少のキズが発生することがあるが、キズの発生箇所が狭く、境界部分４７にある程度のキズが入っても、その後のデバイス工程でほとんど問題となることはない。なお、場合によっては、境界部分４７から１ｍｍ以内範囲で多少のキズが入ることも考えられるが、この範囲内であれば問題は少なく、影響を最小限に抑えることができる。
【００３２】
支持面の凸曲面は、熱処理するウエーハの大きさ（直径）、面取り部の形状等に応じて適宜設定すれば良い。
例えば、シリコンウエーハであれば、ウエーハの面取り部の幅は、面取り形状、仕様等により多少異なるが、ウエーハの直径に係わらず一般的に外周端部から０．３〜０．４ｍｍ程度の範囲である。このような面取り部の幅や形状を考慮し、熱処理するウエーハの面取り部と裏面との境界部分を支持するように支持面の凸曲面を形成すれば良い。ただし、凸曲面の曲率半径が０．５ｍｍ未満であると、接触面積が小さすぎて応力集中が起き、深いキズやスリップの発生原因となるおそがあるので、０．５ｍｍ以上、特に５ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００３３】
一方、凸曲面の曲率半径が５００ｍｍを超えると、比較的なだらかな面となるため応力集中はより緩和されるが、接触面積が大きくなるため、キズの発生領域が大きくなるおそれがある。従って、支持面の曲面形状を規定する曲率半径を０．５〜５００ｍｍの間で設定すれば、キズの発生をより効果的に抑制することができると同時にキズの発生領域もより小さくすることができる。
なお、凸曲面の曲率半径は一定のものに限定されず、０．５〜５００ｍｍの範囲内で変化しているものとしても良く、例えば、凸曲面の曲率半径がボートの内側に近くなるほど連続的に小さくなるような支持面としても良い。
【００３４】
また、支持面の表面粗さはできるだけ小さくすることが好ましい。支持面の表面粗さが大きいと、ウエーハと支持面との間に点接触が生じ、応力が集中して比較的深いキズを引き起こすおそれがある。本発明の熱処理用治具では、ウエーハの面取り部と裏面との境界部分を支持することができるため、たとえこの境界部分に多少のキズが入ってもあまり問題とはならないが、深いキズの発生はできるだけ避けた方が良い。従って、エッチング、鏡面研磨等により支持面の面粗さを十分小さくすることで、キズの発生をより効果的に防ぐことが好ましい。
【００３５】
本発明に係る熱処理用治具の材質については、被処理体の材質や熱処理条件等に応じて適宜決めれば良く、シリコンウエーハの熱処理に使用する場合には、表面の材質をＳｉＯ２、ＳｉＣまたはＳｉとすれば、熱処理中の汚染を効果的に防ぐことができる。例えば、金属不純物をほとんど含有していない硬質の高純度炭化珪素からなる熱処理用ボートとすれば、シリコンウエーハの汚染を防ぎ、１０００℃以上、特に１２００℃以上の高温で熱処理を行う際にもほとんど変形せず、また、長期間使用できるという利点もある。特に、ＣＶＤ−ＳｉＣコートしたものであれば熱処理中に発生する金属汚染をより低減させることができ、好ましい。
【００３６】
なお、本発明に係る熱処理用治具の支持面の形状は凸曲面状に形成されていれば、必ずしも治具の内側に向けて下方に傾斜している必要はない。例えば、図９（Ａ）に示したように断面がかまぼこ形のサセプタ５１や、図９（Ｂ）に示したように支持面の凸曲面が全体にわたって大きな曲率半径を有するサセプタ６１としても良い。これらのサセプタ５１，６１はいずれも支持面５６，６６が凸曲面状に形成されており、ウエーハＷの面取り部と裏面との境界部分が支持面５６，６６と接した状態で支持することができる。
【００３７】
また、支持面以外の形状については特に限定されるものではなく、サセプタであれば、環状のもののほか、ウエーハＷをサセプタ上に移載する時に移載機を通過させることができるように開口部（切り欠き部）が形成された円弧状のサセプタとしても良い。
一方、熱処理用ボートであれば、支柱の数は４本に限らず、増減が可能であり、すなわち３本以下、あるいは５本以上としても良い。また、支持部の形状については、支柱に、図２に示したサセプタと同様の環状あるいは円弧状の支持部を形成したものとすることもできる。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
（実施例１）
図２に示したような支持面が内側に向けて下方に傾斜しているとともに凸曲面状に形成されている環状のサセプタを用意した。このサセプタは、ＳｉＣ製のものであり、外径３０５ｍｍ、内径２９０ｍｍであり、支持面の凸曲面は、曲率半径が約１５０〜１０ｍｍの範囲内で内側に向けて曲率半径を小さくしたものとした。
このような環状のサセプタを、ショートフィンガータイプの熱処理用ボートにセットした。そして、面取り加工した直径３００ｍｍのシリコンウエーハを、その面取り部と裏面との境界部分がサセプタの支持面と接触するように載置した。
【００３９】
このように熱処理用ボートに、凸曲面状の支持面を有する環状サセプタを介してシリコンウエーハを３０枚支持し、図４に示すような熱処理炉内に搬入した。そして、炉内で、アルゴン雰囲気中、１２００℃、１時間の熱処理を行った。
熱処理後、熱処理炉からボートを搬出し、熱処理後のウエーハの裏面を目視にて検査したところ、いずれのウエーハにもスリップの発生は確認されず、また、裏面キズは多少発生していたが、面取り部と裏面との境界領域内であり、その後のデバイス工程でも問題とならないものであった。
【００４０】
（比較例）
図８に示したような支持面が平坦面で傾斜した環状のサセプタを用いて、実施例１と同様の熱処理条件でシリコンウエーハの熱処理を行った。なお、使用したサセプタは、外径３１０ｍｍ、内径２６０ｍｍ、支持面の傾斜角度は２°とした。
熱処理後のウエーハを同様に検査したところ、全てのウエーハで、外周端部から２０ｍｍの範囲内で微小な裏面キズが多数発生しており、しかも発生位置がウエーハによってばらついていることが確認された。
【００４１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、本発明に係る熱処理用治具を用いて熱処理する被処理体は、シリコンウエーハに限らず、他の半導体ウエーハ等を熱処理する場合にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明に係る熱処理用縦型ボートの一例を示す概略正面図である。
【図２】本発明に係る環状のサセプタの一例を示す概略図である。 （Ａ）斜視図 （Ｂ）断面図
【図３】支持部を拡大した概略図である。
【図４】縦型熱処理炉の一例を示す概略図である。
【図５】従来の熱処理用縦型ボートの一例を示す概略図である。 （Ａ）正面図 （Ｂ）横方向断面図（ウエーハを支持した状態）
【図６】従来の熱処理用ボートにおけるウエーハ支持部を示す概略斜視図である。 （Ａ）半円形の支持部 （Ｂ）長方形の支持部
【図７】開口部を有する従来のサセプタの一例を示す概略図である。 （Ａ）平面図 （Ｂ）断面図（ウエーハを支持した状態）
【図８】支持面を傾斜させたサセプタの支持部を拡大した概略図である。
【図９】本発明に係る環状のサセプタの他の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…熱処理用縦型ボート、 ２…天板、 ３…底板、 ４…支柱、 ５…支持部、
６…支持面、 ７…面取り部、 ８…裏面、 ９…裏面キズ、 １０…熱処理用ボート、
１１…スリット（溝）、 １２，１３…支持部、 １４，１５…支柱、
２０…熱処理炉、 ３１…サセプタ、 ３６，４６，５６，６６…支持面、
３７…角部、 ４１，５１，６１…環状サセプタ、 ４７…境界部分（接点）、
Ｗ…ウエーハ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハ状の被処理体、特にシリコンウエーハを熱処理する際に好適な熱処理用治具及びそれを用いた半導体ウエーハの熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン単結晶等の半導体インゴットから切り出したウエーハを用いてデバイスを作製する場合、ウエーハの加工プロセスから素子の形成プロセスまで多数の工程が介在する。それらの工程の一つに熱処理工程がある。この熱処理工程は、ウエーハの表層における無欠陥層の形成、ゲッタリング、結晶化、酸化膜形成、不純物拡散等を目的として行われる非常に重要なプロセスである。
【０００３】
このようなウエーハの熱処理工程、例えば、酸化や不純物拡散に用いられる拡散炉（酸化・拡散装置）としては、ウエーハの大口径化に伴い、図４に示すような多数のウエーハＷを所定の間隔をあけて水平に支持した状態で熱処理を行う縦型の熱処理炉２０が主に用いられている。熱処理炉２０内のウエーハＷは、反応室２２の周囲に設けられたヒータ２４によって加熱することができる。熱処理中は、反応室２２にはガス導入管２６を介してガスが導入され、上方から下方に向かって流れてガス排気管２８から外部に排出される。なお、使用するガスは熱処理の目的によって異なるが、主としてＨ２、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ等が用いられる。不純物拡散の場合には、これらのガスを不純物化合物ガスのキャリアガスとしても使用する。
【０００４】
このような縦型熱処理炉２０を用いてウエーハＷを熱処理する際には、ウエーハを支持するための熱処理用治具として、多数のウエーハＷを水平にセットする熱処理用縦型ボート１０（以下、熱処理用ボート、縦型ボート、或いは単にボートという場合がある。）が用いられる。図５（Ａ）は一般的な熱処理用ボート１０の概略を示している。４本の棒状（円柱状）の支柱１４の両端部に一対の板材（天板１６ａ、底板１６ｂ）が連結されている。図６（Ａ）に示されるように、各支柱１４には多数のスリット（溝）１１が形成され、各スリット１１間の半円形の凸部がウエーハＷの支持部１２として作用する。
【０００５】
このように支柱１４に多数の溝１１（支持部１２）を形成した熱処理用ボート１０は、一般的にショートフィンガータイプと呼ばれている。熱処理する際には、図５（Ｂ）に示されるように、各支柱１４の同じ高さに形成されている支持部１２によりウエーハＷの裏面（下面）周辺部が４ヶ所で水平に支持されることになる。
なお、ボートの支持部については、例えば図６（Ｂ）に示したように角状の支柱１５に長方形の支持部１３を形成したものもある。
【０００６】
上記のようにウエーハＷの裏面周辺部を支持した場合、ウエーハＷの自重が支持部に集中するため、これにより生ずる応力が常に作用している。そして、この応力が臨界剪断応力を超えると、ウエーハ内に転位が発生する。この転位は応力の作用により巨視的な大きさにまで広がり、スリップとなる。スリップの発生はウエーハの品質を大きく低下させるため、これを防ぐことが重要である。
【０００７】
しかし、一般に高温雰囲気下では、ウエーハにスリップが著しく発生し易くなる。特に、半導体デバイスの高集積化に伴いウエーハ一枚当たりのデバイス収率を上げるために、ウエーハの大直径化が進んでいる。その結果、ウエーハの自重が大きくなり、それに伴いウエーハに作用する応力が増大する傾向にあり、ウエーハ中にスリップがより発生し易くなってきている。直径２００ｍｍ以上、特に３００ｍｍの大直径のシリコンウエーハは、熱処理時にウエーハが撓んでボートの支持部の先端の角が裏面にあたって応力が集中し、スリップが生じ易いという問題がある。
【０００８】
スリップの発生を防ぐため様々な熱処理用治具が提案されており、例えば縦型ボートの支持部の支持面をウエーハの撓みに対応するように傾斜させたものが提案されている（特許文献１参照）。このように支持面を所定の角度で傾斜させたものでは、ウエーハは面取り部で支持され、熱処理中にウエーハが撓んだときには、ウエーハの裏面が支持面と面接触した状態で支持されるため、応力集中が緩和されてスリップの発生が抑制されるとしている。
【０００９】
また、図７（Ａ）（Ｂ）に示したような環状又は円弧状のサセプタ３１も提案されている（特許文献２参照）。このような環状（円弧状）のサセプタ３１をボートの支持部に載置してサセプタ３１を介すことで、ウエーハＷを裏面周縁部に沿って数ｍｍから数十ｍｍの幅で全周または一部を支持することができる。従って、ウエーハＷは、より広い面積で支持されて応力が分散されるため、スリップの発生を抑制することができる。なお、図７に示したサセプタ３１では開口部（切り欠き部）３２が設けられており、ウエーハＷを移載する時に移載機が通過できるようになっている。
さらに、スリップの発生をより効果的に防止するため、ウエーハの撓みに対応するように支持面を傾斜させたサセプタも提案されている（特許文献１参照）。
【００１０】
上記のようにウエーハの撓みに対応するように支持面を傾斜させたボートやサセプタでは、熱処理中、ウエーハが撓んでも広い面積でウエーハと接し、応力が分散されるため、スリップの発生を抑制する効果が得られる。ところが、支持面を傾斜させたサセプタを用いてウエーハの熱処理を行った場合でも、ウエーハの裏面や面取り部にキズが多数発生することがあった。しかも、ウエーハにより撓み方が異なるため、裏面の内側にキズが発生したり、面取り部にキズが発生したり、キズの発生位置を特定することができなかった。
【００１１】
特に最近では、半導体デバイスの高集積化に伴い、スリップのほか、ウエーハの裏面に発生するキズも重要視されている。これは、ピンチャック方式のステッパーを用いる場合、ピンチャックのピンの上にウエーハの裏面キズが乗ったときに、デフォーカス（焦点不良）が起こることが懸念されているためである。従って、スリップだけでなく、裏面キズの発生も抑えることが重要となっており、熱処理時の裏面キズの発生は、裏面の周辺部といえどもその後のデバイス工程で問題となることがあった。さらに、ウエーハの面取り部にキズを付けてしまうと、その後のデバイス工程でのウエーハ割れの原因となると言われている。
【００１２】
【特許文献１】特開平９−２５１９６１号公報
【特許文献２】特開平６−２６０４３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
このような問題点に鑑み、本発明では、シリコンウエーハ等を熱処理する際、スリップだけでなく、裏面周辺部や面取り部のキズの発生も確実に防ぐことができる熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明によれば、ウエーハ状の被処理体を水平に支持して熱処理する際に使用する熱処理用治具であって、前記被処理体の裏面側を支持する支持部を有し、該支持部の支持面が、凸曲面状に形成されていることを特徴とする熱処理用治具が提供される（請求項１）。
【００１５】
このように、支持面が凸曲面状に形成されている熱処理用治具とすれば、例えば、シリコンウエーハを、常に面取り部と裏面との境界部分が凸曲面状の支持面と接するように支持することができ、裏面キズの発生を確実に防ぐことができる。
【００１６】
この場合、支持面の凸曲面は、治具の内側に向けて下方に傾斜しているものとすることができる（請求項２）。
このように支持面の凸曲面が治具の内側に向けて下方に傾斜していれば、被処理体の面取り部と裏面との境界部分が支持面により接し易くなり、裏面キズの発生をより確実に防ぐことができる。
【００１７】
そして、支持面の凸曲面は、曲率半径が０．５〜５００ｍｍの範囲内で一定または変化しているものとすることが好ましい（請求項３）。
このような曲率半径の範囲内となる凸曲面であれば、応力集中によるスリップやキズがより発生し難く、また、キズの発生領域をより小さくすることができる。
【００１８】
前記熱処理用治具は、天板と、底板と、該天板と底板の間に固定された支柱とを有し、該支柱に前記支持部が設けられている熱処理用縦型ボート（請求項４）、あるいは、前記被処理体を裏面周縁部に沿って支持する支持部を有する円弧状または環状のサセプタとすることができる（請求項５）。
これらの形態の熱処理用治具は半導体ウエーハの熱処理に多く使用されており、支持面を本発明のような凸曲面とすれば、スリップに限らず、裏面キズや面取り部のキズの発生も効果的に抑制することができる。
【００１９】
また、本発明によれば、面取り加工されている半導体ウエーハを熱処理する方法において、前記熱処理用治具を用い、前記半導体ウエーハの面取り部と裏面との境界部分が前記凸曲面状に形成された支持面と接触するようにウエーハを支持して熱処理を行うことを特徴とする半導体ウエーハの熱処理方法が提供される（請求項６）。
本発明に係る熱処理用治具を用いて上記のようにしてウエーハの熱処理を行えば、ウエーハが変形したとしても、常に境界部分が支持面と接した状態で支持されるため、面取り部や裏面の内側深くにキズが発生することはなく、デバイス工程で問題となるような裏面キズや面取り部のキズの発生を防ぐことができる。
【００２０】
この場合、前記熱処理する半導体ウエーハは、シリコンウエーハとすることができる（請求項７）。
半導体ウエーハとして特にシリコンウエーハは大直径化しており自重が大きくなっているので、スリップや裏面キズ等が発生し易く、問題となることが多い。そこで、本発明の熱処理用治具を用いてシリコンウエーハの熱処理を行えば、スリップだけでなく裏面キズや面取り部のキズの発生も確実に抑え、歩留りを向上させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る熱処理用治具は、凸曲面状の支持面により被処理体を支持するものであり、スリップだけでなく、裏面キズや面取り部のキズの発生を確実に防止することができる。従って、例えば、直径３００ｍｍの面取り加工されたシリコンウエーハを熱処理する場合に、本発明による支持面が凸曲面状に形成された環状のサセプタを用いてウエーハの裏面と面取り部との境界部分を支持することで、デバイス工程でデフォーカス等の原因となり得る裏面キズを発生させず、かつ割れの原因となる面取り部のキズの発生を抑制し、結果として歩留りを大きく向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付の図面に基づいて本発明についてより詳しく説明する。
本発明者は、本発明の完成に先立ち、支持面を傾斜させたボートやサセプタを用いてシリコンウエーハを熱処理した場合に、ウエーハの裏面や面取り部にキズが発生する原因を調査したところ、以下のようなことが判明した。
まず、熱処理中、ウエーハが弾性変形すると、図８（Ａ）に示したように、ウエーハＷの裏面８が、ボートの支持部先端あるいは環状サセプタ３１ａの内側の角部３７との接触を繰り返して多数の裏面キズ９が生じることが分かった。
また、ウエーハＷの裏面８は支持面３６と広い面積で接しているため、図８（Ｂ）に示したようにサセプタ３１ｂの支持面３６のラフネスが大きい場合にも、熱処理中、支持面３６の微小な凹凸によって裏面キズ９が発生し易いことが分かった。
【００２３】
しかも、このような支持面３６を傾斜させたボート等でウエーハＷを支持した場合、熱処理中のウエーハの撓み方や傾斜勾配あるいは面取り形状等によりウエーハの裏面内側深くにキズが生じたり（図８（Ａ））、外側に生じたり（図８（Ｂ））、さらには図８（ｃ）に示したように、面取り部７がサセプタ３１ｃにより支持されてキズ９ｃが生じている場合もあった。
【００２４】
なお、ボートの支持部の先端あるいはサセプタの内側の角部３７を大きく面取りして丸めたものとすれば角部３７に起因する裏面キズ９の発生を抑えることはできるが、この場合でも、ウエーハの裏面周辺部は、数ｍｍ幅で支持面と接することになるため、支持面の面粗さに起因する裏面キズ９の発生を防ぐことができない。
また、支持面の傾斜角度を大きくし、ウエーハが撓んだ場合でも常に面取り部７のみを支持することも考えられるが、前述のように面取り部７にキズが入ると、ウエーハのワレやパーティクルの発生原因となるおそれがある。
【００２５】
そこで、本発明者は、ウエーハを支持する以上、支持部（支持面）との接点において多少のキズが発生する可能性があるのはやむを得ないが、たとえキズが発生したとしても最も問題とならない位置にキズが発生するようにすればよいと考え、調査、検討を行った。そして、ウエーハの面取り部と裏面との境界領域が常に接触するようにコントロールできれば、その後のデバイス工程でも歩留り低下等の悪影響を最小限に抑えることができることが分かった。
【００２６】
これらの知見に基づき、本発明者はさらに鋭意研究を重ねた結果、ウエーハを熱処理する際にウエーハを水平に支持する熱処理用治具において、支持部の支持面を、凸曲面状に形成させることで、ウエーハの面取り部と裏面との境界部分を確実に支持することができ、それによりたとえキズが生じても最も問題の少ない位置にキズが入るように制御することができることを見出し、本発明の完成に至った。
【００２７】
以下、好適な態様として、シリコンウエーハの熱処理の際に使用する本発明に係る熱処理用縦型ボート及び環状のサセプタについて添付の図面に基づいて具体的に説明する。
図１は、本発明に係る熱処理用縦型ボートの一例を示している。この熱処理用ボート１は、天板２と、底板３と、４本の支柱４とを有し、各支柱４は天板２と底板３の間に固定されている。各支柱４には所定の間隔で支持部５が設けられており、支持部５の支持面６は、ボート１の内側に向けて下方に傾斜しているとともに凸曲面状に形成されている。
【００２８】
一方、図２は、本発明に係る環状のサセプタの一例を示しており、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図である。このサセプタ４１は、上側が支持部となり、前記縦型ボート１と同様、支持面４６が、サセプタ４１の内側に向けて下方に傾斜しているとともに凸曲面状に形成されている。
【００２９】
このような縦型ボート１あるいは環状のサセプタ４１では、支持面６，４６を下方に傾斜する凸曲面状に形成したものとされているので、熱処理するウエーハＷは、熱処理時に撓むなどして変形した場合でも、常に面取り部と裏面との境界部分が支持面６，４６と接するように支持されることになる。
【００３０】
例えば環状のサセプタ４１を用いる場合、図３に示されるように、ウエーハＷの面取り部７と裏面８との境界部分４７が凸曲面状に形成された支持面４６と接触した状態で支持されることになる。このように面取り部７と裏面８との境界部分４７を支持するようにすれば、熱処理中、ウエーハＷが弾性変形しても、図８に示したような角部３７が無いため、角部３７との接触を防ぐことができる。また、支持面４６のラフネスが多少粗くても、ウエーハＷの面取り部７や裏面８は支持面４６と接触することは無い。すなわち、ウエーハは常に面取り部７と裏面８との境界部分４７で支持面４６と接触することになる。従って、ウエーハＷの面取り部７や裏面８にキズが発生するのを確実に防ぐことができる。
【００３１】
一方、ウエーハＷの面取り部７と裏面８との境界部分４７、すなわち支持面４６との接点には多少のキズが発生することがあるが、キズの発生箇所が狭く、境界部分４７にある程度のキズが入っても、その後のデバイス工程でほとんど問題となることはない。なお、場合によっては、境界部分４７から１ｍｍ以内範囲で多少のキズが入ることも考えられるが、この範囲内であれば問題は少なく、影響を最小限に抑えることができる。
【００３２】
支持面の凸曲面は、熱処理するウエーハの大きさ（直径）、面取り部の形状等に応じて適宜設定すれば良い。
例えば、シリコンウエーハであれば、ウエーハの面取り部の幅は、面取り形状、仕様等により多少異なるが、ウエーハの直径に係わらず一般的に外周端部から０．３〜０．４ｍｍ程度の範囲である。このような面取り部の幅や形状を考慮し、熱処理するウエーハの面取り部と裏面との境界部分を支持するように支持面の凸曲面を形成すれば良い。ただし、凸曲面の曲率半径が０．５ｍｍ未満であると、接触面積が小さすぎて応力集中が起き、深いキズやスリップの発生原因となるおそがあるので、０．５ｍｍ以上、特に５ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００３３】
一方、凸曲面の曲率半径が５００ｍｍを超えると、比較的なだらかな面となるため応力集中はより緩和されるが、接触面積が大きくなるため、キズの発生領域が大きくなるおそれがある。従って、支持面の曲面形状を規定する曲率半径を０．５〜５００ｍｍの間で設定すれば、キズの発生をより効果的に抑制することができると同時にキズの発生領域もより小さくすることができる。
なお、凸曲面の曲率半径は一定のものに限定されず、０．５〜５００ｍｍの範囲内で変化しているものとしても良く、例えば、凸曲面の曲率半径がボートの内側に近くなるほど連続的に小さくなるような支持面としても良い。
【００３４】
また、支持面の表面粗さはできるだけ小さくすることが好ましい。支持面の表面粗さが大きいと、ウエーハと支持面との間に点接触が生じ、応力が集中して比較的深いキズを引き起こすおそれがある。本発明の熱処理用治具では、ウエーハの面取り部と裏面との境界部分を支持することができるため、たとえこの境界部分に多少のキズが入ってもあまり問題とはならないが、深いキズの発生はできるだけ避けた方が良い。従って、エッチング、鏡面研磨等により支持面の面粗さを十分小さくすることで、キズの発生をより効果的に防ぐことが好ましい。
【００３５】
本発明に係る熱処理用治具の材質については、被処理体の材質や熱処理条件等に応じて適宜決めれば良く、シリコンウエーハの熱処理に使用する場合には、表面の材質をＳｉＯ２、ＳｉＣまたはＳｉとすれば、熱処理中の汚染を効果的に防ぐことができる。例えば、金属不純物をほとんど含有していない硬質の高純度炭化珪素からなる熱処理用ボートとすれば、シリコンウエーハの汚染を防ぎ、１０００℃以上、特に１２００℃以上の高温で熱処理を行う際にもほとんど変形せず、また、長期間使用できるという利点もある。特に、ＣＶＤ−ＳｉＣコートしたものであれば熱処理中に発生する金属汚染をより低減させることができ、好ましい。
【００３６】
なお、本発明に係る熱処理用治具の支持面の形状は凸曲面状に形成されていれば、必ずしも治具の内側に向けて下方に傾斜している必要はない。例えば、図９（Ａ）に示したように断面がかまぼこ形のサセプタ５１や、図９（Ｂ）に示したように支持面の凸曲面が全体にわたって大きな曲率半径を有するサセプタ６１としても良い。これらのサセプタ５１，６１はいずれも支持面５６，６６が凸曲面状に形成されており、ウエーハＷの面取り部と裏面との境界部分が支持面５６，６６と接した状態で支持することができる。
【００３７】
また、支持面以外の形状については特に限定されるものではなく、サセプタであれば、環状のもののほか、ウエーハＷをサセプタ上に移載する時に移載機を通過させることができるように開口部（切り欠き部）が形成された円弧状のサセプタとしても良い。
一方、熱処理用ボートであれば、支柱の数は４本に限らず、増減が可能であり、すなわち３本以下、あるいは５本以上としても良い。また、支持部の形状については、支柱に、図２に示したサセプタと同様の環状あるいは円弧状の支持部を形成したものとすることもできる。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
（実施例１）
図２に示したような支持面が内側に向けて下方に傾斜しているとともに凸曲面状に形成されている環状のサセプタを用意した。このサセプタは、ＳｉＣ製のものであり、外径３０５ｍｍ、内径２９０ｍｍであり、支持面の凸曲面は、曲率半径が約１５０〜１０ｍｍの範囲内で内側に向けて曲率半径を小さくしたものとした。
このような環状のサセプタを、ショートフィンガータイプの熱処理用ボートにセットした。そして、面取り加工した直径３００ｍｍのシリコンウエーハを、その面取り部と裏面との境界部分がサセプタの支持面と接触するように載置した。
【００３９】
このように熱処理用ボートに、凸曲面状の支持面を有する環状サセプタを介してシリコンウエーハを３０枚支持し、図４に示すような熱処理炉内に搬入した。そして、炉内で、アルゴン雰囲気中、１２００℃、１時間の熱処理を行った。
熱処理後、熱処理炉からボートを搬出し、熱処理後のウエーハの裏面を目視にて検査したところ、いずれのウエーハにもスリップの発生は確認されず、また、裏面キズは多少発生していたが、面取り部と裏面との境界領域内であり、その後のデバイス工程でも問題とならないものであった。
【００４０】
（比較例）
図８に示したような支持面が平坦面で傾斜した環状のサセプタを用いて、実施例１と同様の熱処理条件でシリコンウエーハの熱処理を行った。なお、使用したサセプタは、外径３１０ｍｍ、内径２６０ｍｍ、支持面の傾斜角度は２°とした。
熱処理後のウエーハを同様に検査したところ、全てのウエーハで、外周端部から２０ｍｍの範囲内で微小な裏面キズが多数発生しており、しかも発生位置がウエーハによってばらついていることが確認された。
【００４１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、本発明に係る熱処理用治具を用いて熱処理する被処理体は、シリコンウエーハに限らず、他の半導体ウエーハ等を熱処理する場合にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明に係る熱処理用縦型ボートの一例を示す概略正面図である。
【図２】本発明に係る環状のサセプタの一例を示す概略図である。 （Ａ）斜視図 （Ｂ）断面図
【図３】支持部を拡大した概略図である。
【図４】縦型熱処理炉の一例を示す概略図である。
【図５】従来の熱処理用縦型ボートの一例を示す概略図である。 （Ａ）正面図 （Ｂ）横方向断面図（ウエーハを支持した状態）
【図６】従来の熱処理用ボートにおけるウエーハ支持部を示す概略斜視図である。 （Ａ）半円形の支持部 （Ｂ）長方形の支持部
【図７】開口部を有する従来のサセプタの一例を示す概略図である。 （Ａ）平面図 （Ｂ）断面図（ウエーハを支持した状態）
【図８】支持面を傾斜させたサセプタの支持部を拡大した概略図である。
【図９】本発明に係る環状のサセプタの他の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…熱処理用縦型ボート、 ２…天板、 ３…底板、 ４…支柱、 ５…支持部、
６…支持面、 ７…面取り部、 ８…裏面、 ９…裏面キズ、 １０…熱処理用ボート、
１１…スリット（溝）、 １２，１３…支持部、 １４，１５…支柱、
２０…熱処理炉、 ３１…サセプタ、 ３６，４６，５６，６６…支持面、
３７…角部、 ４１，５１，６１…環状サセプタ、 ４７…境界部分（接点）、
Ｗ…ウエーハ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハ状の被処理体を水平に支持して熱処理する際に使用する熱処理用治具であって、前記被処理体の裏面側を支持する支持部を有し、該支持部の支持面が、凸曲面状に形成されていることを特徴とする熱処理用治具。
【請求項２】
前記支持面の凸曲面は、治具の内側に向けて下方に傾斜しているものであることを特徴とする請求項１に記載の熱処理用治具。
【請求項３】
前記支持面の凸曲面は、曲率半径が０．５〜５００ｍｍの範囲内で一定または変化しているものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の熱処理用治具。
【請求項４】
前記熱処理用治具が、天板と、底板と、該天板と底板の間に固定された支柱とを有し、該支柱に前記支持部が設けられている熱処理用縦型ボートであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の熱処理用治具。
【請求項５】
前記熱処理用治具が、前記被処理体を裏面周縁部に沿って支持する支持部を有する円弧状または環状のサセプタであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の熱処理用治具。
【請求項６】
面取り加工されている半導体ウエーハを熱処理する方法において、前記請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の熱処理用治具を用い、前記半導体ウエーハの面取り部と裏面との境界部分が前記凸曲面状に形成された支持面と接触するようにウエーハを支持して熱処理を行うことを特徴とする半導体ウエーハの熱処理方法。
【請求項７】
前記熱処理する半導体ウエーハが、シリコンウエーハであることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエーハの熱処理方法。
【請求項１】
ウエーハ状の被処理体を水平に支持して熱処理する際に使用する熱処理用治具であって、前記被処理体の裏面側を支持する支持部を有し、該支持部の支持面が、凸曲面状に形成されていることを特徴とする熱処理用治具。
【請求項２】
前記支持面の凸曲面は、治具の内側に向けて下方に傾斜しているものであることを特徴とする請求項１に記載の熱処理用治具。
【請求項３】
前記支持面の凸曲面は、曲率半径が０．５〜５００ｍｍの範囲内で一定または変化しているものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の熱処理用治具。
【請求項４】
前記熱処理用治具が、天板と、底板と、該天板と底板の間に固定された支柱とを有し、該支柱に前記支持部が設けられている熱処理用縦型ボートであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の熱処理用治具。
【請求項５】
前記熱処理用治具が、前記被処理体を裏面周縁部に沿って支持する支持部を有する円弧状または環状のサセプタであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の熱処理用治具。
【請求項６】
面取り加工されている半導体ウエーハを熱処理する方法において、前記請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の熱処理用治具を用い、前記半導体ウエーハの面取り部と裏面との境界部分が前記凸曲面状に形成された支持面と接触するようにウエーハを支持して熱処理を行うことを特徴とする半導体ウエーハの熱処理方法。
【請求項７】
前記熱処理する半導体ウエーハが、シリコンウエーハであることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエーハの熱処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００６−５２７１（Ｐ２００６−５２７１Ａ）
【公開日】平成１８年１月５日（２００６．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−１８２１３５（Ｐ２００４−１８２１３５）
【出願日】平成１６年６月２１日（２００４．６．２１）
【出願人】（０００１９０１４９）信越半導体株式会社 (867)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月５日（２００６．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年６月２１日（２００４．６．２１）
【出願人】（０００１９０１４９）信越半導体株式会社 (867)
【Ｆターム（参考）】
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