【課題】窒化珪素膜でＣｕ配線を挟み込むことによりＣｕによりＴＦＴが汚染されるのを防ぐ。
【解決手段】結晶性半導体膜と、結晶性半導体膜上のゲート絶縁膜とゲート絶縁膜上のゲート電極と、結晶性半導体膜及びゲート電極上の第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜に設けられた第１のコンタクト部を介して結晶性半導体膜に電気的に接続される第１の配線と、第１の層間絶縁膜及び第１の配線上の、第１の配線の一部を露出させた第２のコンタクト部が設けられた第１の窒化珪素膜及び第１の窒化珪素膜上の第２の層間絶縁膜と、第２のコンタクト部により露出させた第１の配線上に設けられたＣｕの拡散を防ぐバリア層と、第２のコンタクト部に設けられたバリア層上のＣｕでなる第２の配線と、第２の配線を被覆して設けられた第２の窒化珪素膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの高いアレイ基板及びアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アレイ基板１は、チャネル層１９と、ゲート絶縁膜２１と、ゲート配線と、ゲート電極２３と、層間絶縁膜２５と、非晶質シリコン層２７ａと、データ配線と、を備えている。データ配線は、非晶質シリコン層２７ａに積層され、金属で形成され、ゲート絶縁膜２１及び層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホールｈ１を介してチャネル層１９に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、Ａｌ合金膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液に対する腐食性を改善できるＡｌ合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．２〜２．０原子％、および元素群Ｘ（Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ）より選択される少なくとも１種の元素を含むと共に、希土類元素と高融点金属群（Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ）からなる元素群Ｑより選択される少なくとも１種の元素を０．０２〜１原子％含み、かつ、粒径が１００ｎｍを超える析出物が１０^−６ｃｍ^２あたり１個以下であるところに特徴を有するＡｌ合金膜と、該Ａｌ合金膜を備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングを採用した場合でも、未エッチング部分を発生させずに微細なパターンを形成することができる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板上に、スリット７ｂを備えた透光性の画素電極７ａを形成するにあたって、透光性導電膜７の上にレジストマスク９６を形成した後、ウエットエッチングを行なう。レジストマスク９６において、マスク開口部９６ｂを挟むマスク線状部９６ｅの側面部９６ｆは斜め上向きのテーパ面になっている。 （もっと読む）

【課題】無線通信機能を有する半導体装置に振幅の大きい信号が供給された場合においても正常に動作し、且つ信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、交流電圧を生成するアンテナ１０１と、交流電圧を整流し、内部電圧Ｖｉｎを生成する整流回路１０２と、第１の保護回路１０７と、第２の保護回路１０８と、を有する。第１の保護回路１０７は、第１のダイオード２０１と、第２のダイオード２０２と、を有し、第２の保護回路は、容量素子２０３と、トランジスタ２０４と、を有する。第１の保護回路は、アンテナ１０１で生成される交流電圧の絶対値がある値よりも大きい場合に、その余剰分をカットし、第２の保護回路１０８は、整流回路１０２で生成された内部電圧Ｖｉｎが大きい場合に機能し、共振周波数をずらすことにより、半導体装置に入力される信号を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０上に走査線３ａなどの配線を形成するにあたって、ネオジウムを２ａｔｍ％未満含有するアルミニウム合金膜を用いるとともに、走査線３ａの上面および側面を酸化して表面保護膜３１ａを形成する。このため、走査線３ａは、耐ヒロック性が高いとともに、表面保護膜３１ａ、３１ｅによってアルカリ性の剥離液から保護される。 （もっと読む）

【課題】電磁波を吸収する粒子を含有する前駆体層を用いることにより、前駆体層への局所加熱による機能性層への変換を可能な機能性層の製造方法を提供することであり、且つ、該製造方法を用いて製造された電子デバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも１種類の、電磁波を吸収する粒子を含有する前駆体層に電磁波を照射し、該電磁波を吸収する粒子を発熱させ、該前駆体層を機能性層に変換する工程を有することを特徴とする機能性層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低下させて、均一かつ確実に動作させる透明薄膜トランジスタ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】実質的に透明な基板と、基板上に実質的に透明な導電材料の第１の薄膜と金属材料の第２の薄膜とを２層以上積層して形成されたゲート配線と、ゲート配線上に形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体活性層と、実質的に透明な半導体活性層を挟んで離間して形成された実質的に透明な導電材料の第５の薄膜と金属材料の第６の薄膜とを２層以上積層して形成されたソース配線と、実質的に透明な半導体活性層を挟み、ソース配線に離間して実質的に透明な導電材料の第７の薄膜で形成されたドレイン電極と、を備えることを特徴とする透明薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成され、ゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁体に蓄積した電荷が放電を起こすことにより、アンテナ又は薄膜トランジスタを有する回路を破壊してしまう問題（静電気破壊の問題）を解決することを目的とする。
【解決手段】第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に設けられた薄膜トランジスタを有する回路と、前記回路上に設けられ、前記回路と電気的に接続されたアンテナと、前記アンテナ上に設けられた第２の絶縁体と、を有し、前記第１の絶縁体と前記回路との間に第１の導電膜が設けられ、前記第２の絶縁体と前記アンテナとの間に第２の導電膜が設けられる。 （もっと読む）

パターンが形成された基板上に金属を堆積させる方法および装置を提供する。金属層が，第１のエネルギーを有する物理蒸着工程で形成される。第２のエネルギーを用いて金属層上に第２の物理蒸着工程が行われ、ここで、堆積層は、脆性および塑性表面修正工程の相互作用を受け、基板上にほぼ同形の金属層が形成される。
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【課題】ガラス基板を使用したＳＯＩ基板上に形成しても、ゲート電極を形成する導電膜を成膜する際に該導電膜の加える応力により、ガラス基板上の絶縁膜及び半導体膜がはがれないような半導体装置の作製方法の提供を課題の一つとする。
【解決手段】ボンド基板上に第１の絶縁膜を形成し、ボンド基板の表面からイオンを添加することによって脆化層を形成し、ボンド基板を、第１の絶縁膜を介してガラス基板と貼り合わせ、ボンド基板を脆化層において分離してガラス基板上に第１の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、第１の絶縁膜及び半導体膜の周辺領域を除去してガラス基板の一部を露出させ、半導体膜、第１の絶縁膜及びガラス基板上に接してゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に接して２層構造の積層導電膜を形成し、２層構造の積層導電膜として、上層に引っ張り応力を有する導電膜、下層に圧縮応力を有する導電膜を用いて半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】透明導電性微粒子を含む流動性材料の塗布により、ゲート電極を形成する方法において、従来よりも低抵抗、かつ充分な表面平滑性をもった透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０６上に、金属酸化物微粒子（ＩＴＯ）及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜１０４”を塗布する。この薄膜にマイクロ波を照射することにより、前駆体が発熱体として作用し、焼成され、導電性薄膜を形成する。これをパターンニングしゲート電極１０４とする。ついで、ゲート絶縁膜１０５を形成し、半導体前駆体を塗布、乾燥し、半導体前駆体材料薄膜１０１’を得る。これにマイクロ波を照射することにより、ゲート電極が発熱し、この熱により半導体前駆体材料薄膜が加熱され、酸化物半導体膜に変換され半導体層１０１が形成される。マスクを介して金を蒸着し、ソース、ドレイン電極１０２，１０３を形成し、薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】加工精度を改善し、かつ厚い配線を得るための半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁性基板上に形成された導電性膜上に配線形成領域を覆う第１のフォトレジストパターンを形成する工程と、前記第１のフォトレジストパターンをマスクとする異方性エッチングにより前記導電性膜の上部を除去することで第１溝を形成する工程と、前記第１のフォトレジストパターンを除去した後、前記第１溝の底部の少なくとも一部が露出した開口を有する第２のフォトレジストパターンを形成する工程と、前記第２のフォトレジストパターンをマスクとする異方性エッチングにより前記第１溝の底部に露出する前記導電性膜の下部を少なくとも除去することで第２溝を形成する工程を備えることで、前記第１溝と第２溝に由来する配線分離溝と、前記配線分離溝により分離された配線とを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
良好な特性を有するスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴ構造と、ディスプレイの大型化に有利な低抵抗配線構造を両立でき、低コストで高画質の表示装置を提供する。
【解決手段】
マトリックス状に配置された複数の画素を駆動するＴＦＴをスタガ型の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴで構成し、該ＴＦＴのチャネルを形成する多結晶Ｓｉ層４より下層に位置する電極配線２を、希土類元素を添加元素として含むＡｌ合金からなる第一の合金層２ａと、希土類元素と高融点金属とＡｌとの合金からなり、前記第一の層の上層に位置する第二の合金層２ｂとの積層構造とすることで、多結晶Ｓｉ形成時の高温に耐え得る低抵抗配線構成とした。 （もっと読む）

【課題】銅、銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金の食刻組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量を基準に、１２〜３５重量％の過酸化水素、０．５〜５重量％の硫酸塩、０．５〜５重量％のリン酸塩、０．０００１〜０．５重量％のフルオロイオンを提供できるフッ化物、０．１〜５重量％の第１水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のキレート剤、０．１〜５重量％の第２水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のグリコール、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする脱イオン水を含む銅膜、銅／モリブデン膜または銅／モリブデン合金膜の食刻組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子及び第１の電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥の多い領域を形成し、第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で、第２のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥の多い領域を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域のうちの上方の領域から下方の領域に、金属元素を拡散させることにより、絶縁膜中に、第１の電極と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】配線基板の生産歩留りおよび生産性を向上する配線基板製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線基板製造装置１における欠損検出部１１０は、絶縁膜における欠損を検出する。続いて、欠損数算出部１２０は、検出した絶縁膜における欠損のうち、交差部における欠損の数を算出する。そして、修正指示部１３０は、算出した欠損の数が０より多く、かつ、所定の閾値Ｔｈ１未満である場合に、交差部における欠損を修正すべきであると判断する。 （もっと読む）

【課題】表示部周辺の引き回し線が多層構造となっている液晶表示装置において、走査線
とソース配線との繋ぎ換え配線部の配置を見直すことにより、より狭額縁化を達成するこ
とができる液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】表示領域の周辺部の額縁領域ＰＦに、ゲート絶縁膜の下部に形成された複数
のゲート配線４１と、ゲート絶縁膜の上に形成された複数のソース配線４２と、を備え、
前記ゲート配線４１とソース配線４２との間の電気的接続を行う繋ぎ換え配線部５０を前
記コモン配線４０に形成した切り欠き部５４内に配置する。 （もっと読む）

【課題】良好な形状制御性を確保しつつ、銅配線層の酸化および銅の拡散を抑制できる配線を提供する。
【解決手段】金属拡散防止膜51上に形成したシード層52を、レジストを用いて選択的に除去する。レジストを除去した後、シード層52を覆って無電解めっき法により銅配線層53と、銅配線層53上に位置するメタルマスク層54とを形成する。メタルマスク層54を用いて金属拡散防止膜51を選択的に除去する。良好な形状制御性を確保しつつ、金属拡散防止膜51の形成時のエッチングなどによる銅配線層53の表面荒れなどを防止して、銅配線層53の酸化および銅の拡散を抑制できる。 （もっと読む）