【課題】液滴吐出法により吐出する液滴の着弾精度を飛躍的に向上させ、微細でかつ精度の高いパターンを基板上に直接形成することを可能にする。もって、基板の大型化に対応できる配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。また、スループットや材料の利用効率を向上させた配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液滴吐出法による液滴の吐出直前に、所望のパターンに従い基板表面上の液滴着弾位置に荷電ビームを走査し、そのすぐ後に該荷電ビームと逆符号の電荷を液滴に帯電させて吐出することによって、液滴の着弾位置の制御性を格段に向上させる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと接続するソース電極あるいはドレイン電極のスルーホールにおけるコンタクト抵抗を減少させ、表示装置の動作効率を向上させる。
【解決手段】スルーホールにおいて、ＴＦＴのソース部とソース電極８が接続している。ソース電極８は、バリヤメタル、Ａｌ合金８２、キャップメタル８３の３層から形成されている。バリヤメタルは半導体層と接触する下層８１ａとＡｌ合金と接触する上層８１ｂとに分かれている。バリヤメタルの下層８１ａをスパッタリングして形成した後、熱処理し、その後、ベースメタルの上層８１ｂ、Ａｌ合金８２、キャップメタル８３を連続してスパッタリングによって形成する。Ａｌ合金８２と接触するバリヤメタルの上層８１ｂは酸化されていないので、スルーホールにおけるコンタクト抵抗の上昇を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層内に拡散する汚染元素によってトランジスタ特性が低下するのを防止した薄膜トランジスタを有する表示装置、および、その製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０１の上側に積層された半導体層１０４と、半導体層１０４の上側に積層されるゲート電極１０６と半導体層１０４とゲート電極１０６との間に積層されるゲート絶縁層１０５と、ソース電極１１２およびドレイン電極１１１と、を含む薄膜トランジスタを有する表示装置であって、ソース電極１１２およびドレイン電極１１１の少なくとも一方は、ゲート絶縁層１０５の上側に形成されて、ゲート絶縁層１０５に形成されるコンタクトホール１０９を介して半導体層に接続され、コンタクトホール１０９の側壁には、窒素化合物を含む側壁膜１１０が形成される、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＭＰを伴うダマシン法を用いた配線や電極の形成は、製造工程が煩雑であり高コスト化している。表示装置等の大型基板に配線形成を行うには平坦性等の高精度が要求されて好適せず、また研磨による配線材料の除去・廃棄量が多いという課題がある。
【解決手段】表示装置の形成方法は、基板上に下地絶縁層を設け、その層上に配線パターンに沿った第１の銅拡散防止層を設ける。次に、その第１の銅拡散防止層上面に第１の銅拡散防止層の幅より僅かに狭い銅配線層を積層し、銅配線層の全表面を覆うように、第２の金属拡散防止層を設ける方法である。 （もっと読む）

【課題】 パッケージに封止される半導体素子は、使用環境によって湿度の影響を受けて、半導体素子の劣化が起こることがある。パッケージに実装することが容易で、半導体素子周囲の湿度・水分量を測定・記録できる湿度センサを得る。
【解決手段】 半導体基板２上に形成した絶縁膜７の上に、水溶性金属の薄膜８を用いた湿度センサ６を形成し、水溶性金属の薄膜８の抵抗を測定する。水溶性金属とは、電位−ｐＨ図において、電位がゼロ、ｐＨが７付近で腐食域にある金属を意味する。 （もっと読む）

【課題】表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた、表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭを含む半導体装置において、ＭＲＡＭの特性を向上することができる技術を提供する。
【解決手段】配線Ｌ３およびデジット配線ＤＬを形成した層間絶縁膜ＩＬ３の表面に対してプラズマ処理を実施する。まず、半導体基板１Ｓをチャンバ内に搬入し、窒素を含有する分子（アンモニアガス）と窒素を含有しない不活性分子（水素ガス、ヘリウム、アルゴン）とからなる混合ガスをチャンバ内に導入する。このとき、窒素を含有する分子の流量よりも窒素を含有しない不活性分子の流量が多い条件で、混合ガスを導入し、混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム系金属膜、及びチタニウム系又はモリブデン系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、鉄化合物０．１重量％〜１０重量％、硝酸０．１重量％〜１０重量％、含フッ素化合物０．０１重量％〜５重量％、及び水残部を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化と製造コストの高価格化を招くことなく、多層電極間の接続を容易に行うことが可能な電極基板の製造方法、電極基板、及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下地層の上に、下層電極、層間絶縁膜、上層電極がこの順番で積層され、下層電極と上層電極とが層間絶縁膜に形成された開口部を介して電気的に接続された電極基板の製造方法であって、下地層の上に、電極材料を含有する溶液を塗布した後、乾燥させて下層電極を形成する工程と、下層電極が形成された下地層の上に、開口部を有する層間絶縁膜を形成する工程と、開口部に溶液の溶媒を滴下し、開口部に位置する下層電極を溶解した後、乾燥させることにより、電極材料を開口部の内壁に沿ってコーヒーステイン形状に形成する工程と、電極材料が開口部の内壁に沿ってコーヒーステイン形状に形成された層間絶縁膜の上に上層電極を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】オフ電流および漏れ電流が抑制された薄膜トランジスタ、および前記薄膜トランジスタを歩留り良く製造することのできる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極１２上にゲート絶縁膜１２を介して順次形成されるＳｉ（ｉ）膜１３およびＳｉ（ｎ）膜１４上に金属膜を形成し、フォトレジストパターン２２をマスクとしてエッチングし、ソース電極１５およびドレイン電極１６を形成する。酸素を含むプラズマで処理して、フォトレジストパターン２２の側面を後退させるとともに、ソース電極１５およびドレイン電極１６の側面および露出した上面にＡｌ酸化皮膜１７を形成する。残存するフォトレジストパターン２２およびＡｌ酸化皮膜１７をマスクとして、チャネル部１８のＳｉ（ｎ）膜１４およびＳｉ（ｉ）膜１３の表面の一部をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】銅配線層の接着性を改善するとともに、銅配線層の抵抗値が大きくなることを抑制する配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造１０では、ガラス基板１１上に、チタンからなる接着層１２と、酸化銅からなるバリア層１３と、純銅からなる銅配線層１４とが順に積層されている。接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。このため、銅配線層１４は、熱処理された後も、比抵抗を小さな値に保つことができるので、信号の遅延を防止できる。 （もっと読む）

【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。
【解決手段】画素、メモリ部、又はＣＭＯＳ回路等に配置されたトランジスタのチャネル形成領域２１３、２１４と重なる第１の配線（ゲート電極）の一部または全部と第２の配線（ソース線またはドレイン線）１５４、１５７とを重ねる。また、ゲート電極と第２配線１５４、１５７の間には第１の層間絶縁膜１４９及び第２の層間絶縁膜１５０ｃを設け、寄生容量を低減した半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】配線形成後に５００℃以上の高温プロセスが存在する場合に適用可能なＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】５００℃以上の温度の処理をともなう後工程が施されるＣｕ配線の形成方法は、表面にトレンチおよび／またはホールを有する基板上の少なくともトレンチおよび／またはホールの底面と側面に、Ｃｕの格子面間隔との差が１０％以内の格子面間隔を有する金属からなる密着膜を形成する工程と、密着膜の上に前記トレンチおよび／またはホールを埋めるようにＣｕ膜を形成する工程と、 Ｃｕ膜形成後の基板に３５０℃以上のアニール処理を行う工程と、Ｃｕ膜を研磨してＣｕ膜のトレンチおよび／またはホールに対応する部分のみを残存させる工程と、研磨後のＣｕ膜にキャップを形成してＣｕ配線とする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】電気的抵抗が低い相互接続構造、および、かかる相互接続構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造は、少なくとも１つの開口を含む誘電物質を含む。少なくとも１つの開口内には、任意のバリア拡散層、結晶粒成長促進層、凝集めっきシード層、任意の第２のめっきシード層、および導電性構造が配置される。典型的にはＣｕである金属含有導電性物質を含む導電性構造は、バンブー微細構造を有し、平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい。いくつかの実施形態では、導電性構造は、（１１１）結晶方位を有する導電性結晶粒を含む。 （もっと読む）

【課題】 レジスト材料の利用効率を向上させて、作製コストの削減を目的としたレジス
トパターンの作製方法、レジストパターンの除去方法、半導体装置の作製方法を提供する
ことを課題とする。
【解決手段】 本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジ
ストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。また、前記レジストパター
ンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパタ
ーンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レ
ジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上
の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温で処理できる印刷法を用いて、配線の断線による欠陥を修正する場合に、欠陥修正用の導電性材料が不要な部分まで広がることを防止することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明に係る回路基板の欠陥修正方法は、基板２０上に形成された３本の配線２１，２２，２３のうち、配線２２のパターンに生じた断線箇所２４の周辺に絶縁性材料を用いてバンク２５を形成する工程と、そのバンク２５を形成した後で断線箇所２４に導電性材料を塗布することにより、当該導電性材料からなる欠陥修正部２６を形成する工程とを有する。この方法では、配線２２の断線箇所２４に導電性材料を塗布したときに、導電性材料の広がりがバンク２５によって抑制される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウエハが反るのを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、互いに対向する第１及び第２の主面を有するＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板の前記第１の主面上に形成され、Ｐｄ、Ｔａ、Ｍｏの少なくとも１つから構成された第１の金属層と、前記第１の金属層上に形成され、Ｎｉ系合金又はＮｉから構成された第２の金属層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】印刷塗布して形成された絶縁膜の絶縁特性を良好に保持した状態で、生産性を向上することが可能なアクティブマトリックスアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地層３４上に絶縁膜インクを印刷塗布する。印刷塗布された絶縁膜インクに含まれる溶媒が所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発させる前に終了するように絶縁膜インクを焼成して絶縁膜３２を形成する。下地層３４上に形成された絶縁膜３２上に１つ以上の開口部３３を有する導電層３１を形成する。それにより、導電層３１に設けられた開口部３３から絶縁膜３２内に残っている溶媒を揮発させることができるので、導電層３１におおわれた絶縁膜３２の絶縁特性を良好にすることができる。また、絶縁膜３２が十分に揮発する前に、絶縁膜３２上に導電層３１を形成することができるので、生産性を良くすることができる。 （もっと読む）