【課題】画素ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現し、信頼性と生産性を向上させる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】画素領域に形成する画素ＴＦＴをチャネルエッチ型の逆スタガ型ＴＦＴで基板上に形成し、ソース領域及びドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じフォトマスクで行う。また、ソース配線を画素電極と同じ材料である導電膜で覆い、基板全体を外部の静電気等から保護する構造とする。このような構成とすることで、製造工程において製造装置と絶縁体基板との摩擦による静電気の発生を防止することができる。特に、製造工程で行われる液晶配向処理のラビング時に発生する静電気からＴＦＴ等を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】電界メッキ法やＣＭＰ法を使わないことで製造コストを落として配線を形成する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上にマスクを形成する工程と、選択的にエッチングして絶縁膜に開口部を形成する工程と、マスク上および開口部に第１導電膜を形成する工程と、液滴吐出法により開口部の第１導電膜上に導電材料を含む液滴を滴下する工程と、レーザー光を選択的に照射して導電材料を加熱して第２導電層を形成する工程と、マスク上および第２導電層上に第３導電膜を形成する工程と、マスクを除去すると同時にマスク上に形成された第１導電膜および第３導電膜を除去し、第１導電層および第３導電層を形成する工程とを有する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ層とＩＴＯ層とを電気的に接続する場合には、易加工性を備え電気抵抗率が低いアルミ等の金属と高融点金属としてのチタン等との積層構造を用いる必要があるが、積層構造を形成する場合、複数の金属層を形成する必要がある。そのため製造工程が増えると共に、パーティクル等の発生確率が増え、歩留まりを落とすという課題がある。
【解決手段】ＩＴＯ等の金属酸化物を用いた画素電極２ａが、層間絶縁層９に形成されたコンタクトホール９ａを介してＩＧＺＯ層を用いた配線層７ａと電気的に接続している。画素電極２ａとＡｌ−Ｎｄ合金を用いた上電極６ｃと直接接触させた場合、コンタクト抵抗が高くなるが、配線層７ａにＩＧＺＯ層を用い、画素電極２ａにＩＴＯ等の第２金属酸化物配線層を用いた場合、互いの構造が類似していることから、密接させるだけで接触抵抗の増大を招くことなく電気的に導通を取ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、画素部に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを用い、さらに駆動回路の少なくとも一部の回路も酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】生産性がよく、信頼性を向上した配線の作製方法とそれを用いた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】液滴吐出法によりゲート電極を形成する半導体装置の作製方法であって、基板上に半導体を形成し、半導体上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールにバリア膜として機能する金属膜をスパッタリング法または蒸着法により形成し、液滴吐出法により、コンタクトホールに銅からなる導電層をコンタクトホールを充填するように形成し、金属膜と導電層からなるゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性領域１１を有する下地と１０、下地の表面を覆う絶縁性エッチストッパ膜１２と、絶縁性エッチストッパ膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜表面から第１の深さで形成された配線用溝と、配線用溝底面から導電性領域に達する接続用孔と、配線用溝および接続用孔を埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線である。層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。接続用孔は、断面で見た時に第１種の絶縁層内で傾斜し、上方に向かって次第に開口が増大する部分を有する。 （もっと読む）

【課題】遮光領域を抑制することにより、開口率の低下を防止するとともに、製造工程を簡素化することができる多層配線基板及びそれを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板１は、第１コンタクトホール１１が形成された第１絶縁膜８と、第１絶縁膜８の表面及び第１コンタクトホール１１の表面に形成された第１配線層１４と、第２コンタクトホール１５が形成された第２絶縁膜９と、第２絶縁膜９上に積層されるとともに、第２絶縁膜９の表面及び第２コンタクトホール１５の表面に形成され、第１配線層１４と導通された第２配線層１６とを備えている。そして、第１及び第２コンタクトホール１１，１５が、ＴＦＴ基板１の上下方向Ｘにおいて重なった状態で直線的に配置され、第１コンタクトホール１１において、第１配線層１４上に絶縁性樹脂２５が充填されている。 （もっと読む）

【課題】移動度の大きな結晶性半導体層をチャネル層とし、動作速度を向上させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】レーザアニール時に、非晶質シリコン層１０６ａに吸収されたレーザ光は熱に変換される。変換された熱は、非晶質シリコン層１０６ａを溶融させるとともに、輻射熱としてゲート電極１５０に与えられる。しかし、レーザアニール時には、ゲート電極１５０はゲート配線３０と分離されているので、与えられた熱はゲート電極１５０からゲート配線３０に熱伝導によって放熱されることはなく、ゲート電極１５０の温度を上昇させる。このため、ゲート電極１５０上の非晶質シリコン層１０６ａで発生した熱は、主に非晶質シリコン層１０６ａを溶融させて結晶化するために使われ、微結晶シリコン層１０６ｂの結晶粒径が大きくなり、移動度も大きくなる。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、低コストで省資源である方法を採用し、実用性に富み、任意の場所、任意の形状に金属又は半導体を二次元的又は三次元的に形成できる半導体素子及びその製造装置を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属酸化物材料又は半導体酸化物材料とを有する還元反応構造１Ａを持つ層構造３０Ａを準備し、還元反応構造１Ａに対して局所的にエネルギーを集中することが可能で、かつ還元反応構造１Ａに対して２次元的又は３次元的に走査することが可能な熱源を用い、この熱源によって酸化還元反応が起こる温度以上に還元反応構造１Ａの一部を走査しつつ選択的に加熱して、炭素材料により金属酸化物材料又は半導体酸化物材料をそれぞれ金属又は半導体に還元し、所望の形状の金属領域又は半導体領域（金属層又は半導体層３Ａ）を形成することによって製造されることを特徴とする半導体素子４０Ａとすることにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】６００℃〜７００℃の高温であっても高い耐酸化性と低抵抗を両立し、かつ低コストで形成可能な配線材料を提供する。
【解決手段】基板上に形成される銅配線と、銅配線上に５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚で形成される５０重量％以上のアルミニウムを含有する銅合金薄膜と、を具備する配線部材を用いる。上記銅配線の膜厚は、１μｍ以上５０μｍ以下である。基板と銅配線の間には下地層が配置されている。配線部材の電気抵抗率は、４×１０^-6Ωcm以下である。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを増加させずに、信頼性が高く、かつ反射特性に優れる電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイス２００は、基板１と、基板１上に形成され、少なくともＭｏ系膜４１と、その上層に形成されたＡｌ系膜４２とからなる導電性反射膜４０とを備える。そして、導電性反射膜４０のＭｏ系膜４１の表面荒さＲａが５ｎｍ以下であり、Ａｌ系膜４２の波長３５０ｎｍ〜５５０ｎｍにおける反射率が８５％以上である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器を提供する。
【解決手段】導電層形成工程によって形成されたソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、及び画素電極２０Ｃを含む導電層２０上に、該導電層２０及び酸化物半導体層１８を覆うように、無機材料を主成分とする無機絶縁層２３を形成する。そして、この無機絶縁層２３上にフォトレジスト膜３０を形成してパターン状に露光した後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターン３０Ｂ’を形成する。現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層２３の内のレジストパターン３０Ｂ’から露出した領域を除去することによって導電層２０の一部を露出させて、無機絶縁層２２にコンタクトホール２７を形成する。 （もっと読む）

【課題】工程を単純化することのできる酸化物薄膜トランジスタを備えた表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示素子は、第１基板１２０及び第２基板１４０と、第１基板の画素領域に形成され、ゲート電極１２１、ゲート絶縁層１２６、酸化物半導体層１２２、並びにソース電極１２３及びドレイン電極１２４からなる薄膜トランジスタと、第１基板のゲートパッド領域に形成されたゲートパッド１１８、及び第１基板のデータパッド領域に形成されたデータパッド１１９と、ゲートパッド領域のゲート絶縁層上に形成され、コンタクトホールを介してゲート電極に接続する金属層１５５と、第１基板の全体にわたって形成された保護層１２８と、画素領域の保護層に形成された画素電極と、ゲートパッド領域に形成された第１透明導電層１２９ａ及びデータパッド領域に形成された第２透明導電層１２９ｂと、基板間に形成された液晶層１３０とから構成される。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での絶縁膜の腐食を抑制して、絶縁不良を回避した半導体装置及びその製造方法を提供することことを課題とする。
【解決手段】半導体基板１１上にエピタキシャル成長により第１絶縁膜１２が積層形成され、この第１絶縁膜１２上には、耐熱性の電極１３が選択的に形成され、この電極１３の上部には、シリカガラスを主成分とする層間絶縁膜１４が形成され、この層間絶縁膜１４の表面には絶縁バリア膜１５が形成され、この絶縁バリア膜１５の上には、Ａｌの配線１６が形成され、絶縁バリア膜１５は、絶縁性の窒化物、炭化物、窒化炭化物の単層膜、多層膜、または混合膜で構成されている。 （もっと読む）

【課題】金属膜の酸化を防止し、さらに金属膜の酸化を防止するだけでなく、酸化防止を行うことで新たに発生した不具合（腐食）も防止する。
【解決手段】
電子部品素子１では、基板２上に少なくとも３層からなる金属膜群５が形成されている。この金属膜群５は、少なくとも、金属膜５１と、金属膜５１を保護する保護膜５２と、金属膜５１と保護膜５２との電位差を無くす調整膜５３とから構成されている。この電子部品素子１では、基板２上に、金属膜５１、調整膜５３、および保護膜５２の順に積層されている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトエッチングの加工精度を上げて、精度良くコンタクトホールが形成されたＴＦＴ基板及び、そのＴＦＴ基板を工程が煩雑にならずに製造コストが抑制可能なＴＦＴ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚膜レジスト部２１と厚膜レジスト部よりも厚みの薄い薄膜レジスト部２２と、開口部２３とからなる膜厚差を有するパターンのレジスト層２０を設け、レジスト層２０の開口部の絶縁膜のエッチングと、レジスト層２０の薄膜レジスト部２２の除去と、薄膜レジスト部２２の下層の絶縁膜のエッチングとを同じエッチング工程で行うことにより、ゲートコンタクトホール８及びシリコンコンタクトホール９を共に形成してＴＦＴ基板１を製造した。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低いながらも接触特性が良い接触部を含み、優れた接触特性を有する接触部を含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板と、ゲート線と、ゲート絶縁層と、半導体層と、データ線と、前記データ線と分離されているドレーン電極と、前記半導体層を覆っていて前記ドレーン電極を露出する第１接触孔、前記ゲート線の一部を露出する第２接触孔、前記データ線の一部を露出する第３接触孔を有する保護膜と、前記第１接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極と、前記第２接触孔を通じて前記ゲート線と連結されているゲート接触補助部材と、前記第３接触孔を通じて前記データ線に連結されるデータ接触補助部材とを含み、前記データ接触補助部材は凹凸を有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板を提供する。 （もっと読む）

【課題】電力増幅モジュールの放熱特性を向上させる。
【解決手段】電力増幅モジュールに用いられる電力増幅回路用のＬＤＭＯＳＦＥＴ素子が形成された半導体チップにおいて、ＬＤＭＯＳＦＥＴ素子用の複数のソース領域、複数のドレイン領域および複数のゲート電極３９が形成されたＬＤＭＯＳＦＥＴ形成領域上に、ソース用バンプ電極ＢＰＳを配置する。ソース用バンプ電極ＢＰＳは、アルミニウムを主体とするソース用パッドＭ３Ｓ上に、ソース用パッドＭ３Ｓよりも厚くかつ銅を主体とするソース用導体層ＣＮＤＳを介して形成する。ソース用バンプ電極ＢＰＳとソース用導体層ＣＮＤＳの間には樹脂膜は介在していない。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ現像液耐性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、上記Ａｌ合金膜は、グループＡに属するＮｉおよび／またはＣｏの元素を２．０原子％以下（０原子％を含まない）、並びにグループＢに属する少なくとも一種の元素を０．０５〜２．５原子％含み、上記グループＢの元素はＧｄ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｙ、Ｓｃ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｂ、Ｐｍ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、およびＧｅから構成されている。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜パターンの端部におけるバリ発生を確実に防止できる金属薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、所定パターンの金属薄膜パターン８を形成するための方法であって、下地の上に、前記パターンのエッジに対応する位置近傍に壁面を有する段差パターン３を形成する工程と、段差パターン３を含む下地全体にレジスト４を塗布する工程と、塗布したレジスト４に対して、前記パターンの反転パターンとなるようにパターニングを施す工程と、レジスト４および段差パターン３を含む下地全体に金属薄膜５を形成する工程と、溶剤を塗布して、レジスト４および該レジスト４上に位置する金属薄膜５を除去する工程とを含む。 （もっと読む）