【課題】大画面化しても低消費電力、歩留まり及び信頼性の向上を実現するための半導体
装置の構造及びその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素薄膜トランジスタを逆スタガ型薄膜トランジスタで作製
する。その逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上
に作製する。また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄
膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】内部短絡を防ぐ表示装置を提供する。また、内部短絡を防ぐ前記表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る表示装置は、基板１１１と、前記基板上に形成された半導体層１３３と、前記半導体層上に形成された有機絶縁膜１７０と、前記有機絶縁膜上に形成された複数の導電配線１８４，１８５，１８７，１８８，１８９と、前記複数の導電配線の間で前記有機絶縁膜に形成されたオープングルーブ７０８０とを含む。 （もっと読む）

【課題】高い電荷移動度を有し、大面積表示装置に対して均一な電気的特性を得ることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたＳｉＮｘから構成された第１ゲート絶縁膜と、前記第１ゲート絶縁膜の上に形成されたＳｉＯｘから構成された第２ゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と重畳するように形成され、チャネル部を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層及び前記ゲート電極の上部に形成されたＳｉＯｘから構成された保護膜とを含み、前記保護膜はドレイン電極拡張部を露出するコンタクトホールを含む。ここで、前記コンタクトホールは、ドレイン電極拡張部を直接的に露出する部分の保護膜が、その上部の保護膜よりさらに狭い領域を占める形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 配線の特性の劣化を生じさせることなく、額縁面積を削減することが可能な回路基板、及び、該回路基板を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板上にトランジスタ及び外部接続端子が載置されたトランジスタ基板と、該トランジスタ基板上に取り付けられた外付け部材とを含んで構成される回路基板であって、上記外付け部材は、導電部材を介して外部接続端子と電気的かつ物理的に接続されており、上記トランジスタは、外部接続端子と横並びに配置されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】優れたスループットを実現できる導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第１の波面および第２の波面を有する基体と、第１の波面上に形成された導電層とを備える。導電層は、導電パターン部を形成し、第１の波面および第２の波面が、０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】単結晶シリコン基板に形成されたｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が引っ張り応力を受けるように、導電膜には不純物が導入され、単結晶シリコン基板に形成されたｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が圧縮応力を受けるように、導電膜には不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】配線破断を軽減する構造を有する液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート配線及び信号配線、ゲート絶縁膜、半導体パターン、データ配線、保護膜、ドレーン電極を露出させる第１接触孔及び信号配線を露出させ、側辺の長さが幅より大きく形成される複数の第２接触孔、第１及び第２接触孔を通じてドレーン電極に連結される画素電極及び信号配線に連結される信号配線補助パッドを形成する液晶表示装置の製造方法であって、信号配線を形成する段階では、信号配線に一対一に対応する複数の信号リードを有する信号伝送用フィルムを含み、信号伝送用フィルムには複数の信号リードのうちの高電圧信号を伝送する第１信号リードと低電圧信号を伝送する第２信号リードとの間にダミーリードが形成され、ダミーリードに対応するダミー配線が基板に形成され、ダミー配線は信号配線より酸化傾向が小さい特性を有する導電物質で形成される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を厚くすることなく、放電耐圧を向上させ、デバイスの特性の安定化や性能の向上を図る。
【解決手段】高耐圧配線は、Ｓｉ基板１０１上に形成された配線層１０３と、絶縁膜１０４と、上層配線１０５，１０６と、絶縁膜１０４に形成された溝１０７とを有する。配線層１０３上の絶縁膜１０４の厚さＴは、上層配線１０５と１０６間の距離ｄよりも小さく、溝の幅Ｗは、距離ｄよりも小さい。絶縁膜１０４の厚さＴは、配線層１０３と上層配線１０５，１０６との間に与えられる最大の電位差Ｖ_maxよりも絶縁膜１０４の耐圧が大きくなるように設定され、絶縁膜１０４の露出量Ｘは、溝の幅Ｗと距離ｄとが等しいときの絶縁膜１０４に沿った沿面放電開始電圧をＶ₀（Ｖ₀＝ｂ×ｌｎＴ＋ｃ、ｂ，ｃは定数）としたとき、Ｖ_max＜ａＸ＋Ｖ₀（ａは定数）となるように設定される。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】充填時の溶融温度が低く、凝固後は高い融点を確保することができ、しかも、作業操作性に優れた充填用基材及びそれを用いた充填方法を提供すること。
【解決手段】充填用基材５は、第１金属層２１と第２金属層２２とを含む金属層２を支持基体１の一面上に設けた構造になっている。第１金属層２１は、その融点よりも低い温度で溶融可能なナノ金属粒子の集合したものでなり、第２金属層２２は、その融点が第１金属層２１の融点よりも低い金属粒子の集合したものでなる。充填用基材５の一面側を、微細空間３０の開口する基板３の一面上に重ねる。そして、充填用基材５を加熱し、かつ、加圧Ｆ１して、金属層２の溶融物を微細空間３０内に充填する。 （もっと読む）

【課題】低い過酸化水素含有量で銅膜と他の金属膜とからなる多重膜の一括エッチングが可能で、工程に適したエッチング速度、適当なエッチング量、及び適切なテーパ傾斜角を有するエッチング液組成物により、既存の過水系エッチング液よりも高い安定性を有し、処理枚数能力を向上させる。
【解決手段】
本発明による金属配線エッチング液は、過酸化水素、酸化剤、フッ素化合物、キレート剤、硝酸系化合物、ホウ素系化合物、添加剤、及び残量の水を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールをより微細に形成することができる薄膜のパターニング方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の段差部を有した絶縁層２５を形成する工程と、スパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層２５上に犠牲層２８を成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層２８のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層２８から露出された領域における前記絶縁層２５の除去とを、ドライエッチングにより連続して行う工程と、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層２８の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板切断などの切出し加工の際に生じるクラックからの水分侵入に起因する金属配線端面の腐食防止、あるいは金属配線端面の腐食が生じている場合でも該腐食が液晶表示装置を駆動する液晶表示部分を構成するゲート配線、ソース配線や配線端子部に金属配線にまで到達することを防止する技術を提供する。
【解決手段】基板の上に、切り出し加工により切断端面が露出している第１の金属配線と、第２の金属配線と、絶縁膜と、を有する表示装置用配線構造であって、前記第１の金属配線は１００μｍ以上の不連続部を有し、前記不連続部によって分断された各第１の金属配線は、第２の金属配線によって連結されており、前記分断された第１の金属配線と、前記第２の金属配線との接触界面の少なくとも一方は、前記第１の金属配線または前記第２の金属配線を構成する金属よりも貴な金属を含むもので構成される腐食防止層を有する配線構造。 （もっと読む）

【課題】生産のリードタイムが短く、小フットプリント化を実現できるエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋを搬送する搬送装置２と、基板Ｋ上にエッチング液を供給して金属膜をエッチングする第１エッチング部１０と、金属膜エッチング後の基板Ｋを洗浄する第１洗浄部１５と、洗浄後の基板Ｋを乾燥させる第１乾燥部２０と、フッ素系反応成分及び酸化性反応成分を含む処理ガスを用い、略大気圧下で、基板Ｋ上のシリコン含有膜をエッチングする第２エッチング部３０と、シリコン含有膜エッチング後の基板Ｋを洗浄する第２洗浄部３５と、洗浄後の基板Ｋを乾燥させる第２乾燥部４０とを順次搬送方向に配設する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。
【解決手段】 第１絶縁膜に設けた凹部の側壁に第２絶縁膜を形成し、第２絶縁膜の内側に順に第２絶縁膜との密着性が優れている第１の導電性バリア層、炭素を含有する第２の導電性バリア層、及び、Ｃｕ系埋込電極との密着性が優れている第３の導電性バリア層の３層構造のバリア層を介してＣｕ系埋込電極を設けるとともに、前記第１の導電性バリア層と前記第２の導電性バリア層との界面と、前記第２の導電性バリア層と前記第３の導電性バリア層との界面に炭素混合領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電
極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し
、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを
有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコ
ンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部
でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデ
ンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタは、半導体層６と、半導体層６上に形成されるコンタクト層７と、コンタクト層７上に形成されるソース電極１０及びドレイン電極９とを有し、ソース電極１０およびドレイン電極９は、コンタクト層７の上側に形成される第１の導電層９ａ，１０ａと、第１の導電層９ａ，１０ａの上側に形成される第２の導電層９ｂ，１０ｂとを有し、第２導電層９ｂ，１０ｂは、第１添加元素と、銅とを含有する銅合金層であり、前記第１添加元素は、ジルコニウム、チタン、銀、インジウム、金、錫、クロム、ケイ素から選ばれた少なくとも１種類の元素である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３に電圧Ｖおよび電流Ｉを印加しチャンバ２内でターゲットから放電が発生した後、スパッタガスの導入を止めてターゲットのイオンにより自己保持放電を発生させ、被処理体Ｗの表面の孔または溝内を含む被処理体の表面全面に金属薄膜を形成する工程において、ターゲットに印加する電流Ｉを一定とし、放電が不安定になった時に電圧Ｖを増大させるとともに、関係式（１）および（２）を満たすことを特徴とする。Ｉ＞Ｉ_０・・・（１）、Ｐ＞Ｐ_０・・・（２）（Ｉ_０：自己保持放電を開始する電流の最小値、Ｐ：ターゲットの電力、Ｐ_０：自己保持放電を開始する電力の最小値） （もっと読む）

【課題】経済性を備え、地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）３，３，３−トリフルオロプロピンと、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、及びＣＯＦ_２からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスを含むドライエッチング剤を用いることにより、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、オキシフッ化物、シリサイド及びこれらの合金等を好適にエッチングできる。ドライエッチング剤は、大気中での分解性があり、地球温暖化への寄与もＣＦ_４やＣＦ_３Ｈ等のＰＦＣ類やＨＦＣ類より格段に低く、環境への負荷が低い。さらに、第二のガスとして、含酸素ガス、含ハロゲンガス、あるいは第三のガスとして不活性ガスと混合することで、飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしに高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）