【課題】シリサイド・コンタクトとその上のメタライゼーションとの間の接触抵抗を低減する方法及び構造体を提供する。
【解決手段】上に配置される少なくとも１つの電界効果トランジスタを含み、前記少なくとも１つの電界効果トランジスタに隣接して配置されるシリサイド・コンタクト領域１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃを含む、半導体基板１２と、前記半導体基板上に配置され、前記少なくとも１つの電界効果トランジスタの上に延び、前記シリサイド・コンタクト領域を露出させるコンタクト開口部２０を有する絶縁中間層１８と、前記コンタクト開口部内の金属ゲルマニウム化物含有コンタクト材料２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】銅膜の表面にマンガン化合物膜を残すことにより、歩留まりおよび配線信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板１上に層間絶縁膜４を形成する工程と、層間絶縁膜４に開口部４ａ，４ｂを形成する工程と、開口部４ａ，４ｂの内壁を被覆する第１マンガン含有銅膜を形成する工程と、層間絶縁膜４の表面に、マンガン化合物膜８を形成する第１アニール処理を行う工程と、マンガン化合物膜８上であって、開口部４ａ，４ｂの内壁を被覆する第２マンガン含有銅膜６−２を形成する工程と、開口部４ａ，４ｂを埋め込む銅膜７−２を形成する工程と、層間絶縁膜４上に形成された銅膜７−２を除去する工程と、銅膜７−２と層間絶縁膜４の界面および銅膜７−２の表面に、マンガン化合物膜８，１０を形成する第２アニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線の接続抵抗を低減し、かつ、接続信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１導電層４が形成された基板１上に、層間絶縁膜６を形成する工程と、層間絶縁膜６に第１導電層４を露出させる接続孔９を形成する工程と、接続孔９に露出した第１導電層４の表面を酸化して、酸化膜１０を形成する工程と、酸化膜１０を選択的に除去して、第１導電層４の表面を窪ませる工程と、接続孔９内に第２導電層を埋め込む工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】導体−誘電体構造およびこれを作成するための方法を提供すること。
【解決手段】導体−誘電体相互接続構造は、パターン形成されたフィーチャをその内部に有する誘電体層を含む構造を用意し、パターン形成されたフィーチャ内の誘電体層の表面にめっきシード層を付着させ、パターン形成されたフィーチャ内のめっきシード層の表面に犠牲シード層を付着させ、犠牲シード層の厚さを逆めっきによって低減させ、パターン形成されたフィーチャ内の犠牲シード層の表面に導電性金属をめっきすることによって作成される。さらに、パターン形成されたフィーチャをその内部に有する誘電体層と、パターン形成されたフィーチャ内の誘電体層の表面のめっきシード層と、パターン形成されたフィーチャ内に位置する不連続な犠牲シード層とを含む構造も提供される。 （もっと読む）

【課題】マンガンの拡散を防止する層を形成することで、銅マンガン合金層からのマンガンの拡散を抑えて銅配線の低抵抗化を可能とする。
【解決手段】酸化シリコン系絶縁膜１１に設けられた凹部１２内面に形成された銅マンガン合金層１５と該酸化シリコン系絶縁膜１１とを反応させて形成されたマンガンシリケート層１８と、前記凹部１２を埋め込む銅もしくは銅を主体とした材料からなる導電層１７とを備えた半導体装置１において、前記銅マンガン合金層１５と前記導電層１９との間にマンガンの拡散を防止する拡散防止層１７を備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】マンガンの析出工程と除去工程とを繰り返し行うことで、サーマルバジェットの低減により信頼性の確保を可能とする。
【解決手段】絶縁膜１３に形成された凹部１４の内面に銅を主成分としてマンガンを含有するシード層１７を形成し、さらに凹部１４に銅を主成分とする配線材料２０を埋め込んだ後、余剰な配線材料２０を除去して凹部１４内に配線材料２０を残すことで配線２１を形成する半導体装置の製造方法において、シード層１７を形成した後で配線材料２０を埋め込む前に、熱処理によりシード層１７中のマンガンを絶縁膜１３との界面にマンガン化合物として析出させてバリア層１８を形成するとともに、シード層１７表面にマンガン酸化物１９を析出させる析出工程と、マンガン酸化物１９を除去する除去工程とを備えた製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 別個の拡散層及びシード層を利用する必要性を排除した、導電性材料、好ましくはＣｕの、向上した拡散特性を有するメッキシード層を含む相互接続構造体を提供すること。
【解決手段】 特に、本発明は、相互接続金属の拡散特性向上のためにメッキシード層内に酸素／窒素遷移領域を設ける。メッキシード層はＲｕ、Ｉｒ又はそれらの合金を含むことができ、相互接続導電性材料は、Ｃｕ，Ａｌ、ＡｌＣｕ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕなどを含むことができる。好ましくは、相互接続導電性材料はＣｕ又はＡｌＣｕである。より詳細に言えば、本発明は、上部及び底部シード領域間に挟持された酸素／窒素遷移領域を含む単一のシード層を提供する。メッキシード層内に酸素／窒素遷移領域が存在することで、メッキシードの拡散バリア抵抗が顕著に向上する。 （もっと読む）

【課題】平坦かつ薄いバリア膜またはRu膜をダマシン構造で形成する。
【解決手段】金属配線構造を形成する方法は、(i)露出した配線層及び露出した絶縁層を含む多層構造を反応空間内に与える工程と、(ii)還元雰囲気中で、絶縁層の少なくとも露出面上に-NH2または>NHターミナルを導入する工程と、(iii)反応空間へ還元剤を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(iv)反応空間へハロゲン化金属化合物を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(v) N及びHを含むガスを導入し、その後反応空間をパージする工程と、(vi)金属含有バリア層を製造するべく工程(iii)から(v)を連続して繰り返す工程と、(vii)金属含有バリア層上に金属膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 密着性を高める機能を併せ持つバリア層が形成されるまでの期間に、配線部材の十分な密着性を確保し、配線部材の剥離を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、凹部が設けられた層間絶縁膜を形成する。（ｂ）凹部の内面及び層間絶縁膜の上面に密着層を形成する。（ｃ）密着層の表面を、第１の金属元素を含むＣｕ合金からなる補助膜で被覆する。（ｄ）凹部内に、第１の金属元素以外の第２の金属元素を含む導電部材を充填すると共に、補助膜の上に導電部材を堆積させる。（ｅ）熱処理を行うことにより、補助膜内の第１の金属元素の原子を、凹部の内面に偏析させる。この密着層は、層間絶縁膜の表面上に補助膜を直接堆積させた場合に比べて、補助膜の密着性を高める元素を含む。 （もっと読む）

【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるＴＦＴのソース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導電層とする。 （もっと読む）

【課題】 銅の配線材料に対して有効なバリヤメタル層を提供する。
【解決手段】 シリコン層或いはシリコンを含むシリコン含有層６４と銅層６８，７０との間に介在されてシリコンの吸い上げを防止するためのバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層としてＴｉＳｉＮ膜６６を用いる。これにより、銅の配線材料に対して有効なバリヤメタル層とする。 （もっと読む）

Ｃｕメタライゼーション段階での、バリヤ／シード層として利用可能な低抵抗ルテニウム金属層の低温化学気相成長法。当該方法（３００）は、堆積システム（１，１００）のプロセスチャンバ内に基板（２５，１２５）を供する工程、ルテニウムカルボニル先駆体蒸気を含むプロセスガス及びＣＯ含有ガスを生成する工程、並びに熱化学気相成長法によって、基板（２５，１２５）をプロセスガスに曝露して、基板（２５，１２５）上に低抵抗ルテニウム金属層（４４０，４６０）を堆積する工程、を有する。曝露中、基板（２５，１２５）は約１００℃から約３００℃の間の温度に維持されている。１以上のビア若しくは溝又はこれらの結合を含む、パターニング基板上に形成されたルテニウム金属層（４４０，４６０）を有する半導体素子が供される。
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【課題】絶縁膜に形成された配線溝または接続孔の内部に埋込配線形成用の導体膜を良好に埋め込む。
【解決手段】半導体基板１上の絶縁膜５ｃに形成された配線溝１０ｂ内に埋込配線１１ｂを形成する際、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｂを、指向性を有し、かつ、スパッタリング粒子が散乱され難い条件を付加したスパッタリング法で被着した後、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｃをメッキ法で被着する。この導体膜８ｂは、プラチナ、パラジウム、ニッケル、クロム、金または銀の少なくとも１つが添加されている銅を含む導体材料からなる。導体膜８ｂの被着膜厚が導体膜８ｃの被着膜厚と等しいか、または導体膜８ｃの被着膜厚よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリント技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成するのではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

集積回路内のデュアルダマシン構造のコンフォーマルなライニングのための方法および構造を提供する。好ましい実施形態は、多孔性物質で形成された開口を覆うコンフォーマルなライニングの提供に向けられる。トレンチが絶縁層内に形成される（１００）。その後、その層が、特別のプラズマプロセスで適切に処理される（１０１）。このプラズマプロセスに引き続き、自己制限的、自己飽和的原子層堆積（ＡＬＤ）反応（１１５）が、細孔の著しい埋め込みなしに起こり、改善された相互接続を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の空孔を有する絶縁膜の形成方法を提案する。また、高集積化された半導体装置の歩留まり高い作製方法を提案する。
【解決手段】層間絶縁膜の低誘電率化の方法として、レーザ光を用いて層間絶縁膜中に複数の空孔を作成形成してすることにより、多孔質の絶縁膜を形成することを特徴とする。また、インクジェット法に代表される液滴吐出法を用いて、前記多孔質の絶縁膜に導電性粒子を含む組成物を吐出し、焼成して配線を形成する。レーザ光としては、超短パルスレーザーレーザ光を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中にＣｕとは異なる金属材料を均一に拡散させたＣｕ合金配線を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の層間絶縁膜１７に設けられた接続孔１８に合金層を形成する半導体装置の製造方法であって、接続孔１８の内壁を覆う状態で、第１のＣｕ層２０ａを形成する第１工程と、第１のＣｕ層２０ａ上にＡｇ層２１を形成する第２工程と、Ａｇ層２１が設けられた状態の接続孔１８を第２のＣｕ層２０ｂで埋め込む第３工程と、熱処理による拡散により、ＣｕＡｇ合金からなるヴィアを形成する第４工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 高い密着性と拡散防止性とを備えたバリアメタルを有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体の上に、シリコンを含有する材料からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層の上に、金属と窒素とを含有する第２の層を形成する工程と、前記第２の層を、還元性ガスを含有する雰囲気のプラズマから得られる活性種に晒す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

金属カルボニル前駆体（５２、１５２）の気相原料を一酸化炭素ガスと混合することにより、金属カルボニル前駆体（５２、１５２）からの金属層の堆積速度を増大する方法（３００）が開示される。この方法（３００）は、堆積システム（１、１００）のプロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（２５、１２５）を提供する工程と、金属カルボニル前駆体の気相原料を含むプロセスガスを生成する工程と、熱化学気相堆積プロセスによって基板（２５、１２５、４００、４０２）に金属層（４４０、４６０）を堆積するために基板（２５、１２５、４００、４０２）をプロセスガスに晒す工程とを含む。
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【課題】 はんだ接続用パッドを有する半導体装置において、製造工程中の熱負荷などによって発生する恐れのある、パッド部の膜剥がれを防止する。
【解決手段】 シリコン、シリコン酸化膜上に形成されるＴｉ膜またはＴｉ化合物膜と、はんだが接続されるＮｉ膜（またはＣｕ膜）との間に、両者との密着性が良好なＣｒ膜を挿入したパッド構造とする。さらに、Ｔｉ膜またはＴｉ化合物膜とシリコン酸化膜との界面に生じる剥離を防止するため、Ｃｒ膜がＴｉ膜またはＴｉ化合物膜よりも大きな面積で形成された構造とする。 （もっと読む）