【課題】 本発明は半導体装置における信頼性向上を図るものである。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体チップの第１の主面上に形成されたパッド電極５３と、前記半導体チップの第１の主面に接着されたガラス基板５６と、前記半導体チップの第２の主面から前記パッド電極５３の表面に貫通するビアホール８１と、前記ビアホール８１の側壁及び前記半導体チップの側端部に形成されたＣＶＤ膜から成る側壁絶縁膜５９Ａと、前記ビアホール８１を通して、前記パッド電極５３と電気的に接続された配線層６３とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の酸素含有量が低い部分とＣｕ配線との密着性およびバリア性を十分に高めることができるバリア層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置ＤＶは、半導体基板ＳＢと、Ｃｕ配線ＷＲと、層間絶縁膜ＩＬと、バリア層ＢＲとを有する。Ｃｕ配線ＷＲは銅を含有し半導体基板ＳＢ上に設けられている。層間絶縁膜ＩＬはＣｕ配線ＷＲを埋め込むように半導体基板ＳＢ上に設けられている。バリア層ＢＲは層間絶縁膜ＩＬとＣｕ配線ＷＲとの間に設けられている。層間絶縁膜ＩＬは、バリア層ＢＲに面し、かつ炭素および窒素の少なくともいずれかを含有するライナー膜ＬＮを含む。バリア層ＢＲのライナー膜ＬＮと面する部分ＢＬは、炭素および窒素の少なくともいずれかを含む化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ４０Ｄの内部空間Ｓに吸着期間の間だけＺｒ（ＢＨ_４）_４を導入した。そして、シリコン基板２の表面、すなわち第２層間絶縁膜の表面及び第１配線の表面に、あるいはハードマスクの表面及び第２配線の表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４を吸着させ、吸着分子からなる単分子層を形成した。また、吸着期間の経過後、照射管４７の内部に改質期間の間だけマイクロ波を照射し、プラズマ化したＨ_２を、すなわち水素活性種をシリコン基板２の表面に供給した。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４の供給と、水素活性種の供給と、を交互に繰り返した。 （もっと読む）

基板上にエアギャップ構造を作製する方法及びシステムが記載されている。当該方法は、基板上に犠牲層を形成する工程を有する。前記犠牲層は、約350℃より高温の熱分解温度で熱分解する分解可能材料を有する。その後、前記犠牲層の熱分解温度よりも低い基板温度で前記犠牲層上にキャップ層が形成される。前記犠牲層は、紫外(UV)放射線への前記基板の第1曝露を実行し、かつ前記基板を前記犠牲層の熱分解温度よりも低い第1温度にまで加熱することによって分解される。前記の分解した犠牲層は前記キャップ層を介して除去される。UV放射線への前記基板の第2曝露を実行し、かつ前記基板を前記第1温度よりも高い第2温度にまで加熱することによって、前記キャップ層は架橋して硬化する。
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【課題】配線間抵抗およびＳＩＶ発生率を低減することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】下層配線５上には、第２層間絶縁膜８が積層されている。第２層間絶縁膜８には、その上面から掘り下げて形成された第２溝９に、Ｃｕからなる上層配線１０が埋設されている。また、第２層間絶縁膜８には、上層配線１０の底面に接続され、Ｃｕを含む金属材料からなるビア１２が貫通形成されている。上層配線１０およびビア１２の底面および側面は、Ｃｕの拡散に対するバリア性を有する材料からなるバリア膜１３で連続して被覆されている。また、ビア１２は、その側面がバリア膜６，１３を介して下層配線５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】貫通配線基板を他基板に実装する際には圧力と熱が掛かる場合でも、貫通配線基板及び被実装物の耐久性を向上せしめた貫通配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に設けられた貫通孔に貫通配線を備える貫通配線基板の製造方法において、基板部材７の両面に絶縁層９を形成する工程と、基板部材７下面の絶縁層９の窓開けを行い、前記基板をエッチングし基板部材７に貫通孔３を形成する工程と、貫通孔３の内周面に絶縁層９を形成する工程と、貫通孔３における基板部材７の上面側の絶縁層９の窓開けを行う工程と、貫通孔３を充填すると共に、貫通孔３から所定距離離れた位置まで貫通配線基板の一方の面上に伸延した貫通伸延配線１３を形成する工程と、貫通孔３の位置を除く貫通伸延配線１３上に導電性を有するバンプ１５を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤプロセスを使用して、均一性が良好で、ほとんどまたは全く汚染がなく、かつ導電率が高いつまり抵抗率が低いタングステン含有材料を堆積するための改良されたプロセスを提供する。
【解決手段】一実施形態では、プロセスチャンバ内に基板を位置決めするステップであって、該基板がこの上に配置されている下地層を含有するステップと、該基板をタングステン前駆体および還元ガスに順次曝してＡＬＤプロセス時に該下地層上にタングステン核形成層を堆積するステップであって、該還元ガスが約４０：１、１００：１、５００：１、８００：１、１，０００：１以上の水素／ハイドライド流量比を含有するステップと、該タングステン核形成層上にタングステンバルク層を堆積するステップとを含む、基板上にタングステン含有材料を形成するための方法が提供される。該還元ガスはジボラン、シランまたはジシランなどのハイドライド化合物を含有している。 （もっと読む）

【課題】 周辺表面を殆ど汚染又は乱さずに、スパッタリングされたキャリア／バリヤ層を堆積させて所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】 堆積層のイオンの衝突により浸食・汚染されないように、刻設された層の適用された表面が保護される、イオン堆積スパッタリング法を用いて刻設された材料層を半導体の特徴表面に適用する方法であり、刻設された層の第１の部分を、その層の適用される表面が浸食又は汚染されない程度に基板バイアスを十分低くして適用するステップと、刻設された層の次の部分を、さらなる層材料を堆積させながら、第１の部分からの形状を刻設可能な程度に基板バイアスを十分高くして適用するステップとを含む。この方法は、半導体の特徴表面上にバリヤ層、ウェッティング層及び導電層等を刻設するのに特に適しており、導電層が銅である場合は特に有益である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低下を抑制しながら、消費電力の上昇および製造プロセスの煩雑化を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この表面形状認識用センサ（半導体装置）５０は、シリコン基板１の上面上に積層され、厚み方向に貫通する開口部３ｂを有する複数の層間絶縁膜３と、Ｗ（タングステン）から構成されるとともに、複数の層間絶縁膜３の各々の開口部３ｂ内に形成された複数の導電性プラグ１０と、層間絶縁膜３間に形成されたメタル配線層２とを備え、複数の導線性プラグ１０は、メタル配線層２を介することなく、シリコン基板１の厚み方向に互いに直接接触することにより柱状構造体１１に構成されている。 （もっと読む）

【課題】電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】層を異ならせて互いに交差する二層以上の導電層を備える電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置において、導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を異ならせる幅変動部を備え、幅変動部を備える導電層２４０と隣接する導電層のうち、少なくとも何れか一つには、これら導電層同士が交差しないその一つの導電層の非交差部に静電気を誘発させる電荷を集中させるためのダミー部２４１が備えられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線間絶縁膜からビア間絶縁膜への水分の移動を抑制し、配線間の実効誘電率に与える影響の少ない絶縁膜を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態による半導体装置１は、表面に半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線２ｂと、前記配線２ｂと同じ層に形成された配線間絶縁膜４ｂと、前記配線２ｂの下面に接続された第１のビア７ａと、前記第１のビア７ａと同じ層に形成された第１のビア間絶縁膜８ａと、前記配線２ｂの上面に接続された第２のビア７ｂと、前記第２のビア７ｂと同じ層に形成された第２のビア間絶縁膜８ｂと、前記配線間絶縁膜４ｂと前記第１のビア間絶縁膜８ａとの間、および前記配線間絶縁膜４ｂと前記第２のビア間絶縁膜８ｂとの間の少なくともいずれか一方に形成されたＣｕＳｉＮ膜９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の発生や熱アニールによる膜の縮小が抑制された、低誘電率で安定な層間絶縁膜を提供することにある。
【解決手段】 層間絶縁膜は、Ｓｉ原子を含有するハイドロカーボン層とＮ原子を含有するフルオロカーボン層とを積層してなり、かつ前記ハイドロカーボン層は、Ｃ原子数に対するＨ原子数の比（Ｈ／Ｃ）が０．８乃至１．２となる割合でＨ原子とＣ原子とを含有する。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ膜以外のバリア膜の形成方法及びその方法によりえられたバリア膜を提供する。このバリア膜を含む多層配線構造及び多層配線構造の作製方法を提供する。
【解決手段】 ホール及び配線溝が形成されている絶縁膜を有する成膜対象物の表面上で、ＣＶＤ法により、Ｚｒ(ＢＨ_４)_４ガスからなる原料ガスと、Ｎ_２ガスからなる反応ガスを励起手段によって励起せしめて得られたガスとを反応させ、バリア膜としてのＺｒＢＮ膜４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの低抵抗化により配線抵抗の低抵抗化を図ると共に、バリアメタルのＣｕに対する拡散バリア性を高める。
【解決手段】層間絶縁膜１０内に下層配線１４が形成される。層間絶縁膜１０及び下層配線１４上にライナー膜２０と層間絶縁膜２２とが順次形成される。ライナー膜２０と層間絶縁膜２２内にビア２８と上層配線３０とが形成される。下層及び上層配線１４，３０とビア２８とは、バリアメタル１６，３２とＣｕ１８，３６とを有している。バリアメタル１６，３２は、Ｒｕ_ｘＳｉ_ｎＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＳｉ_ｎ膜の少なくとも１つの膜１７Ａ，３４Ａと、Ｒｕ_ｘＮ_ｙ膜１７Ｂ，３４Ｂと、Ｒｕ膜１７Ｃ，３４Ｃとが積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大面積化や配線の微細化に伴って銅のシード層が薄くなると、電解めっきでめっき膜のばらつきが大きくなる。
【解決手段】デュアルダマシン法で埋め込み配線を形成するにあたって、下層配線２上に孔加工や溝加工の加工マスクとなるＴｉＮ膜８を用いて、配線埋め込み領域（９，１０）を形成する工程と、配線埋め込み領域を除くフィールド部に導電膜１１を成膜する工程と、配線埋め込み領域を覆うようにバリアメタル層／シード層１２を成膜する工程と、配線埋め込み領域を電解めっき法により銅配線材料１３で埋め込む工程とを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ−ＴａＮ膜上にＰＶＤ−Ｔａ膜を形成することなく信頼性に優れた低抵抗なＣｕ配線を形成した半導体装置を得ること。
【解決手段】半導体基板上にトランジスタを含む電子部品が形成された半導体基材上に、少なくとも１層の銅配線を含む多層配線構造が層間絶縁膜を介して形成される半導体装置において、銅配線が形成される下部層間絶縁膜１１と、下部層間絶縁膜１１に形成された配線用溝１２の側面と底面に、原子層レベルで膜厚が制御されて形成されるバリアメタル膜１３と、バリアメタル膜１３上に形成されるＣｕＡｌ合金からなるＣｕＡｌ合金シード膜１４と、バリアメタル膜１３が形成された配線用溝１２に埋め込まれたＣｕを含む材料からなる下層Ｃｕ配線１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速論理回路素子に利用される配線構造において、連続したルテニウム（Ｒｕ）薄膜を容易に形成する方法を提供する。
【解決手段】 ルテニウム（Ｒｕ）薄膜を基板上に堆積する方法は、（ｉ）基板表面を有機金属前駆体で処理する工程と、（ｉｉ）処理した基板表面にルテニウム前駆体を吸着させる工程と、（ｉｉｉ）吸着させたルテニウム前駆体を励起させた還元性ガスで処理する工程と、そして（ｉｖ）工程（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を繰り返すことにより、ルテニウム薄膜を基板上に形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性と低い電気抵抗を有する配線構造を備えた半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたシリサイド層と、
前記シリサイド層上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜内に形成され、前記シリサイド層に前記コンタクト膜を介して電気的に接続された金属層と、前記金属層と前記層間絶縁膜との間に形成された拡散バリア膜と、を備え、前記コンタクト膜は、前記金属層に含まれる金属元素と、前記拡散バリア膜に含まれる金属元素と、前記シリサイド層に含まれる金属元素またはＳｉと、を少なくとも１つずつ含むことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】配線材とバリアメタル層の密着性を向上させる。
【解決手段】第１の基板温度で、表面に凹部が形成された層間絶縁膜中及びその表面の酸
化種を放出させ、その後、前記第１の基板温度より低い第２の基板温度で、前記層間絶縁
膜の少なくとも一部と接触するようにして、Ｔｉ及びＮを含み、酸素（Ｏ）及び貴金属成分を除く全成分におけるＴｉ含有量が５０ａｔ％を超える層を形成する。次いで、前記層上にＣｕ金属層を形成して半導体装置を製造する。 （もっと読む）