【課題】信頼性の高い半導体装置を高い製造歩留まりで提供し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１応力膜３８上に第１ストッパ膜３９及び第２ストッパ膜４０を形成する工程と、第１領域２を覆う第１マスク６０をマスクとし、第１ストッパ膜をストッパとして、第２領域４内の第２ストッパ膜をエッチングするとともに、第１領域のうちの第２領域に近接する部分の第２ストッパ膜をサイドエッチングする工程と、第２ストッパ膜とエッチング特性が異なる第２応力膜４２を形成する工程と、第２領域を覆い、第１領域側の端面が第２ストッパ膜上に位置する第２マスクとし、第２ストッパ膜をストッパとして、第２応力膜の一部が第１応力膜の一部及び第２ストッパ膜の一部と重なり合うように第２応力膜をエッチングする工程と、第１領域と第２領域との境界部におけるゲート配線２０に達するコンタクトホールを形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】複数のゲート電極３ｂを覆うように窒化シリコン膜（第１絶縁膜）５を形成した後、オゾンＴＥＯＳ膜（第１酸化シリコン膜）６、プラズマＴＥＯＳ膜（第２酸化シリコン膜）を順次積層する。ここで、オゾンＴＥＯＳ膜６を積層後、プラズマＴＥＯＳ膜を積層する前に、窒化シリコン膜５をＣＭＰストッパ膜として、ＣＭＰ法により研磨する。これにより、プラズマＴＥＯＳ膜の膜厚を均一化させることができるので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ディッシング及び埋め込み不良のないパッド構造を短時間で安定して形成する。
【解決手段】基板１００上に形成された第１の絶縁膜１０８Ｂに、複数のパッド配線１０９ｐを含むパッドが形成されている。第１の絶縁膜１０８Ｂ上に、前記パッドの少なくとも一部分の上に位置する開口部を有する第２の絶縁膜１１０が形成されている。複数のパッド配線１０９ｐのうち互いに隣り合う配線同士を電気的に接続するように配線接続部１０９ｑが設けられている。各パッド配線１０９ｐの幅Ｗ１は、各パッド配線１０９ｐの高さよりも小さく且つ配線接続部１０９ｑの幅Ｗ３よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】機械的強度および密着力に優れた低誘電率の層間絶縁層を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された、ＳｉＯ_２骨格を含む第１の多孔質層６と、第１の多孔質層６の直上に形成された、ＳｉＯ_２骨格を含む第２の多孔質層７と、第１の多孔質層６に埋め込まれたビア１０と、第２の多孔質層７に埋め込まれた配線１１と、を有し、第１の多孔質層６の孔密度ｘ_１は４０％以下であり、第２の多孔質層７の孔密度ｘ_２は、（ｘ_１＋５）％以上である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】バリア金属膜とＣＶＤ法によって形成される金属導体膜である銅膜との間の密着性に優れた半導体デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に直接にまたは絶縁体膜を介してバリア金属膜を形成する工程と、該バリア金属膜上にＣＶＤ法によって銅膜を形成する工程とを含む半導体デバイス製造方法において、該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか１つを含む第１の還元性ガスに暴露する工程と、該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第２の還元性ガスに暴露する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法による研磨のばらつきを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハ１の周辺領域２の第３層間絶縁膜に、ダミーパターン４１を形成する。ダミーパターン４１は、ウェハ１の接線及び法線に交差する斜パターン４２と、斜パターン４２に連結され、ウェハ１の周方向に延びる分離パターン４３とを有する。配線溝に導電性材料を埋め込んだ後に、ＣＭＰ法により余分な導電性材料を除去するときは、ダミーパターン４１に形成された溝を通って研磨剤が分散されるので、導電性材料や第３層間絶縁膜の研磨量が均一になる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線間容量を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を貫通する第１の溝及び絶縁膜の内部で終端する第２の溝を絶縁膜に形成する工程と、絶縁膜の内部で終端する配線溝を絶縁膜に形成する工程と、第１の溝の表面及び配線溝の表面に第１の金属膜を形成するともに、第２の溝の上方を覆うように第１の金属膜を形成する工程と、第１の溝及び配線溝に第２の金属膜を埋め込む工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線の洗浄液への溶解を低減する配線構造の形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１３に犠牲配線溝２１及び主配線溝３１を形成し、犠牲配線溝２１及び主配線溝３１内にバリア層１６を形成し、バリア層１６が形成された犠牲配線溝２１及び主配線溝３１内に導電層１７を埋め込んだ後に、絶縁層１３上の導電層１７の部分を研磨する工程と、犠牲配線溝２１及び主配線溝３１内の露出したバリア層１６及び導電層１７の表面を洗浄する工程と、を備え、研磨する工程の後における絶縁層１３の平面視において、犠牲配線溝２１内のバリア層１６の部分の面積と導電層１７の部分の面積との比Ｓ１が、主配線溝３１内のバリア層１６の部分の面積と導電層１７の部分の面積との比Ｓ２よりも大きくなる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜の一部または全部を流動化し、その後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線間の実効的な容量の増加を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、６員環構造の環状シロキサンを原料とする絶縁膜１１と、絶縁膜１１に形成された配線溝１２と、配線溝１２に金属膜（配線メタル）１５が埋め込まれて構成される配線１０と、を有する。半導体装置１００では、配線溝１２の底面において、絶縁膜１１の内部よりも単位体積あたりの炭素原子数、又は／及び、窒素原子数が多い改質層１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】膜中及び膜表面の不純物が効果的に除去でき、Ｃｕ配線構造に適用したときにバリア層及びＣｕ配線層に対する密着性に優れて一層の低抵抗を実現できるＣｏ膜形成方法を提供する。
【解決手段】基材Ｓを処理室１０内に配置して処理室内を真空引きすると共に、基材を一の所定温度に加熱し、アルキル基を有するイオン又は分子がコバルトに配位した有機金属材料Ｌを気化させ、気化させた有機金属材料を基材表面に供給し、有機金属材料を熱分解させてＣｏ膜を成膜する。その後、同一の処理室内で、またはＣｏ膜が成膜された基材を他の処理室内に配置し、この基材をアンモニアガスと水素ガスとを含む混合ガス雰囲気中にて他の所定温度でアニールする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置１は、配線２０を有する配線層１１ｂと、配線層１１ｂ上に形成された層間絶縁膜２６と、層間絶縁膜２６上に形成され、上部がシリサイド化されたアモルファスシリコン層２７を有するＴＦＴ１４と、ＴＦＴ１４上に、層間絶縁膜４７を介して形成された配線５０を有する配線層１２ａと、層間絶縁膜４７、アモルファスシリコン層２７及び層間絶縁膜２６を貫通し、第１及び第２の配線を電気的に接続するコンタクトプラグ３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高さのばらつきが低減された埋め込みビット線を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板内にビット線とワード線を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板をエッチングして第１の方向に延在する第１の溝を形成することによって、複数の第１の半導体ピラーを形成する工程と、第１の半導体ピラーの側面の一部に拡散層を形成する工程と、隣接する前記第１の半導体ピラー間の前記第１の溝に、拡散層に接続するビット線を形成する工程と、第１の半導体ピラーと前記ビット線を覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の半導体ピラーの少なくとも一部が露出するように前記第１の絶縁膜に、第１の方向に直交する第２の方向に延在する第２の溝を形成する工程と、露出した第１の半導体ピラー上にエピタキシャル層を成長させて第２の半導体ピラーを形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 暗電流やリーク電流の発生を抑制することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 固体撮像装置は、光電変換素子が主面に配された第１基板と、導電体を含む第１の接合部を有する第１配線構造と、周辺回路の一部が主面に配された第２基板と、導電体を含む第２の接合部を有する第２配線構造と、を有する。そして、第１基板と、第１配線構造と、第２配線構造と、第２基板とがこの順に配置されるように第１の接合部及び第２の接合部とが接合されている。そして、第１の接合部の導電体と、第２の接合部の導電体とは、導電体に対する拡散防止膜で囲まれている。 （もっと読む）

【課題】ビアを形成するとともに配線を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置の製造方法は、まず、第１のパターンを導電体上に形成された被加工材に転写することにより、第１のパターンを有する第１の溝を被加工材の上部に形成する工程を行い。次に、第１のパターンと一部が重なる第２のパターンを被加工材に転写することにより、第１および第２のパターンの和集合からなるパターンを有する第２の溝を被加工材の上部に形成し、第１および第２のパターンの積集合からなるパターンを有し、底部に導電体が露出する孔を被加工材の第２の溝の下に形成する工程を行い。孔内にビアを形成し、第２の溝内に配線を形成する工程を行う、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑制しつつ、配線部分の抵抗の増大を抑制することができるとともに、電気的なリークの発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜としてポーラス状の低誘電率膜を有する半導体装置を基板上に形成する半導体装置の製造方法であって、前記基板に前記低誘電率膜を形成する低誘電率膜形成工程と、エッチングにより前記低誘電率膜にトレンチ又はホールを形成するエッチング工程と、前記トレンチ又はホール内に、ニトロ化合物のプラズマを作用させて前記低誘電率膜のエッチングにより露出された面を改質する改質工程と、前記トレンチ又はホール内に導体を充填する導体形成工程と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の凹部に導電体を十分に充填させることができる半導体装置の配線形成方法を提供する。
【解決手段】はじめに、低誘電率層２１上に所定パターンで形成されたメタルハードマスク層２５をマスクとして低誘電率層２１をエッチングすることにより形成された凹部２４を有する基板を準備する。次に、低誘電率層２１上のメタルハードマスク層２５を薬液により除去する。その後、低誘電率層２１の凹部２４に導電体２３を充填する。このようにして、ダマシン法により、半導体装置３０の配線が形成される。 （もっと読む）

【課題】研磨工程を含む新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に、第１の深さを有するダミー溝と、第１の深さよりも深い第２の深さを有する配線溝と、配線溝の底面に配置されるビアホールとを形成する凹部形成工程と、ダミー溝内、配線溝内、ビアホール内、及び絶縁膜上方に、導電材を堆積させる工程と、絶縁膜上方の導電材を研磨除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 耐水性に優れた低誘電率材料を得る。
【解決手段】 化学式（１―１）
【化１】


で示されるボラジン系原料を有機溶媒に分散または溶解させたものを低誘電率材料形成用原料とする。式中のホウ素原子もしくは窒素原子が備える手が結合手となってボラジン環が結ばれたボラジン骨格系構造を形成し、上記ボラジン骨格系構造が繰り返されたオリゴマーまたはポリマーとして低誘電率材料を生成する。ただし式中、上記結合手以外のＲ_１〜Ｒ_６は、水素原子、炭素原子数１〜２のアルキル基の少なくともいずれかであって、少なくとも１つは水素原子ではなく、少なくとも１つは水素原子である。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。 （もっと読む）