【課題】パターン寸法のバラツキの少ない、配線容量の低減されたデュアルダマシン配線を、高い歩留まりで形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０上に、有機系絶縁膜４を形成する工程と、有機系絶縁膜上に、無機材料を含む第１および第２のハードマスク５，６を形成する工程と、第２のハードマスクに凹部を形成する工程と、凹部が形成された第２のハードマスク上に、下層膜１２、中間層１３およびレジスト膜１４を順次形成する工程と、レジスト膜をパターン露光する工程とを具備する方法である。前記下層膜は、前記第２のハードマスク上に第１の有機膜９を形成し、第１の有機膜を、スラリーを用いて化学的機械的に研磨して第２のハードマスクの表面を露出し、凹部に前記第１の有機膜を選択的に残置し、第２のハードマスクおよび第１の有機膜上に、第２の有機膜１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に低誘電率絶縁膜を用いた半導体作製の時、ハードマスクを用いて微細加工を行う製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体に低誘電率絶縁膜１３を適用して低誘電率絶縁膜１３とその下層のエッチングストッパー膜１２を加工する時、まずレジスト１５ａをマスクとしたハードマスク膜１４のエッチングを行い、続いてレジスト１５ａをＨ_２とＨｅの混合ガスで２００℃より高い高温、１Ｔｏｒｒ付近の圧力の条件でアッシングを行う。このようにすればレジスト除去においてハードマスク膜１４ａにダメージを与えることなく続く低誘電率絶縁膜１３のエッチングにおいてファセットの少ないハードマスクによる微細加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、ネガレジスト層及び配線層のパターニング工程における信頼性の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０の裏面に開口部１０ｗを形成した後、それらの上に配線層１８及び第３のレジスト層１９を形成する。次に、開口部１０ｗの底部のダイシングラインＤＬの上方にマスク２０を配置する。次に、開口部１０ｗの側壁から当該底部に反射する光がマスク２０に対応する第３のレジスト層１９を固着させない光エネルギーを以って、第３のレジスト層１９を露光する。次に、現像によりマスク２０に対応する第３のレジスト層１９を除去する。次に、第３のレジスト層１９の全面を再び露光する。この第３のレジスト層１９をマスクとして配線層１８のエッチングを行う。最後に、ダイシングラインＤＬに沿って、半導体基板１０を複数の半導体チップにダイシングする。 （もっと読む）

【課題】 導電膜が正常にパターニングされて配線が形成されていることを、少ない労力で確認することができるようにする。
【解決手段】 層間絶縁膜８上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜をパターニングすることにより、チップ領域１ａに配線１０ａ〜１０ｃを形成すると共に、スクライブライン１ｂ上に、複数のダミー配線３１〜３３を互いに平行に形成する工程と、複数のダミー配線３１〜３３相互間の抵抗値を測定する工程とを具備する。最外側に位置するダミー配線３１，３３それぞれに接続するパッド３４，３５を形成し、このパッド３４，３５に抵抗計の端子を接触させてもよい。 （もっと読む）

【課題】
疎密のパターンを備える半導体デバイス１００のリソグラフィー技術を改善する方法を提供する。
【解決手段】
スキャッタリング・バー１０８aおよび１０８bを孤立した導線１０６bの両側に配置することによりリソグラフィーの結果を改善する半導体デバイス１００の製造方法である。このスキャッタリング・バー１０８aおよび１０８bは、半導体デバイスパターニング時における孤立した導線１０６bの焦点深度を向上させるに十分な幅を有し、かつ、該導線１０６bの焦点深度を向上させるに十分な距離だけ該孤立した導線１０６bから離間させて配置される。半導体デバイス１００の製造が終了した後にも、このスキャッタリング・バー１０８aおよび１０８bは残したままとする。
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【課題】 少ない労力でビアホール等を形成するときのエッチング条件が適切か否かを確認できるようにする。
【解決手段】 基準部、該基準部より低地である低地部、及び前記基準部より高地である高地部を有する半導体基板１上に、導電膜２及び層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜３の表面を平坦化する。層間絶縁膜３をエッチングすることにより、低地部の上方に位置する第1及び第２の接続孔３ａ、前記基準部の上方に位置する第３の接続孔３ｂ、及び高地部の上方に位置する第４の接続孔３ｃを同時に形成する。第１〜第４の接続孔３ａ〜３ｃそれぞれに、第1〜第４の導電体４ａ〜４ｃを埋め込む。層間絶縁膜３上に、第1の導電体３ａ、第３の導電体４ｂ及び第４の導電体４ｃを互いに接続する上部電極５ｂを形成し、上部電極５ｂと、第１の導電体３ａとの間の抵抗を測定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 この方法は無機ハードマスク膜、有機マスク膜、反射防止膜及びシリコン含有フォトレジスト膜が積層された多層のマスク層を形成し、Ｏ_２プラズマで前記反射防止膜及び有機マスク膜を乾式エッチングしてパターンを形成することによって無機ハードマスク膜の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

エアブリッジ（１０）を形成するリソグラフィック方法は、一連の下端レジスト層（２）、シールド層（３）、及び上端レジスト層（４）を設けるステップと、ブリッジスパンの領域で上端レジスト層（４）を除去した後にシールド層（３）を除去するステップと、ブリッジのピラーの領域で下端レジスト層（２）を除去するステップと、一連の層の上に金属層（８）を形成するステップと、シールド層部分（３）及び金属コーティング部分（９）と共にレジスト層（２、４）を除去して、エアブリッジを形成するステップとを備える。 （もっと読む）

レーザによりパターン化された基板上に金属を無電解メッキする方法。基板上に熱画像形成層および触媒層がともに被着される。レーザ・ビームで露光すると、熱画像形成層において十分なレベルの放射が熱に変換され、それによって、隣接する触媒層の露光領域が不活性になる。次いで、レーザによりパターン化された基板を反応溶液に暴露し、それによって、触媒層の非露光領域上で金属被膜の成長が開始される。
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アクティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタにおける下地電極上の絶縁膜上にフォトエンボッシング材料を用いて凹凸を有する有機膜を形成し、この有機膜にドライエッチングを施して有機膜の膜厚を減少させてコンタクトホール形成領域の絶縁膜を露出させる。その後、露出した絶縁膜にドライエッチングを施してコンタクトホールを形成すると共に下地電極を露出させ、得られた構造上に反射電極を形成して、露出した下地電極と反射電極とを接続する。
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本発明は、薄膜トランジスタ表示板とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法に関し、薄膜トランジスタ表示板は液晶表示装置や有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などで、各画素を独立的に駆動するための回路基板において、画素電極またはゲート線及びデータ線の拡張部を外部回路と接続させるコンタクト補助部材を、ＩＺＯ及びＩＴＯの２重層で形成することに対する発明であって、ＩＺＯで形成された下部層とＩＴＯで形成された上部層を有するように形成する。前記のように画素電極またはコンタクト補助部材を二重層で形成することによって、エッチング過程で下部配線が損傷されることを防止し、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を良好に確保することができる。また、コンタクト補助部材のみをＩＺＯとＩＴＯ二重層で形成することによって、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を確保することができ、ＩＴＯの使用を減らすことによって製造単価を下げることができる。
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【課題】小型化および低背化対応した多層構造の電子部品において、電子部品を構成する絶縁層の上下層に構成された配線部を電気的に接続する信頼性の高い電子部品を提供する。
【解決手段】第一の絶縁層１、第二の絶縁層２および第三の絶縁層３により構成される多層配線構造において、第一の絶縁層１上に設けられた第一の配線部と第二の絶縁層２上に設けられた第二の配線部との電気的な接続を、第二の絶縁層２に設けられた、一部に傾斜部４を有する貫通孔５に形成された導通配線部６により行なう。傾斜部４は、凸部１５の上面に囲われる構成となる。
【効果】傾斜部４およびそれに繋がる第二の絶縁層２上に設けられらた導通配線部６が、凸部１５の上面に保護されることで、信頼性の高い配線形成ができる。。また、信頼性の高い小型化および低背化に対応した電子部品を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】感光性絶縁膜を用いたダマシン配線法により、微細で信頼性の高い多層配線構造を形成する。
【解決手段】感光性ポリシラザンを主成分とした感光性絶縁膜で第１ビアホール６を有するビアホール用絶縁膜７を形成し、全面にスピン塗布法で第２の感光性絶縁膜８を形成する。そして、フォトリソグラフィ法による露光／現像のみで上記第１ビアホール６の上部に配線溝９あるいは第２ビアホール１０を形成する。そして、この配線溝９および第２ビアホール１０に導電体材料を埋め込んでデュアルダマシン配線を形成する。ここで、感光性絶縁膜の下層に反射防止機能を有しそのまま層間絶縁膜として使用できる絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層及びヴィア形成において、形成された絶縁層の表面が非常に平滑となり、薄膜素子等を信頼性及び歩留り良く、高い自由度を以って形成でき、さらには微小なヴィア形成が可能である絶縁層及びヴィア（接続孔）の形成方法、及びそれを用いた多層配線基板並びにモジュール基板等の配線構造及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 台座２０を介してマスク基板２１を配置し、この基板２１とコア基板１との間に感光性エポキシ樹脂などの感光性絶縁材料３Ａを介在させ、これをパターン露光して現像してヴィアホール７を形成する。この現像により、微小なヴィアホール７を形成できると同時に、マスク基板２１のコア基板対向面２１ａによって絶縁材料（従って、絶縁層３）を平坦かつ滑らかな表面に、しかも常に設定された厚みに形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層１１，１３に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層１２に電気的に導通するように絶縁層１３と下層の導体層１２とを覆って形成された金属薄膜１４上に形成された配線層１７の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層１８で覆うように構成する。この被覆層１８を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム、又はニッケル／パラジウム／金が用いられる。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）