【課題】
ガス透過性が異なる膜を含む多層膜において、パターン差を低減し均一な加工を行うプラズマ処理方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
マスク１と上層膜２と下層膜３が積層されている構造において、上層膜２をプラズマ１０によりエッチングした後、下層膜３をエッチングする前に下層膜３からの脱ガスを待つステップを有する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上にソース／ドレイン接合部を形成する段階と、前記ソース／ドレイン接合部を含んだ前記半導体基板の全体構造上に、コンタクトホールを含む層間絶縁膜を形成する段階と、前記コンタクトホールにコンタクトプラグを形成する段階と、前記層間絶縁膜の最上部の表面が前記コンタクトプラグの最上部の表面より低くなるように、エッチング工程によって前記層間絶縁膜を選択的にエッチングする段階と、前記コンタクトプラグを含んだ前記層間絶縁膜上に金属配線を形成する段階とを含む、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】各種装置が設置されたフレキシブルな基板に対する外力の変化によって、装置の作動あるいは非作動を選択する機能を各種装置に付加し、さらにフレキシブルな基板に設置された複数の回路素子の機能の中から、基板に対する外力を変化させることで使用者が必要な機能を選択して作動させることを可能とする半導体装置及び半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１１０は、基板１０上に形成された複数の回路素子と、複数の前記回路素子上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された前記回路素子同士を接続する複数の配線とを有し、前記絶縁膜は、前記配線を分断する開口部８１を有し、前記基板を曲げたとき、分断された前記配線７７、７８同士が接触して複数の前記回路素子のうち少なくとも２つの前記回路素子が電気的に接続するような接続部を有している。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法により配線層を形成するに際し、微細なビアホール及び配線トレンチへの配線材の埋め込みを容易にしうる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ビアホール形成領域以外の領域を覆うマスク２０と、配線トレンチ形成領域以外の領域を覆うマスク２２とをマスクとして絶縁膜１６，１８にビアホール２６及び配線トレンチ３２を形成するに際し、ビアホール形成領域の周辺部に絶縁膜１８の上面が露出し周辺部を除く配線トレンチ形成領域内のマスク２０が残存するようにマスク２０を等方性エッチングした後、マスク２０及び絶縁膜１８，１６を異方性エッチングすることにより、上部に幅広部３４を有するビアホール２６と、ビアホール２６の幅広部２６に接続された配線トレンチ３２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】 タングステン層のドライエッチングによるパターニング後に、タングステンの溶出・硬化によって配線層間が短絡する事故を防止する。
【解決手段】 タングステン層を、酸素を含む混合ガスのプラズマを用いてドライエッチングし、その後処理として、水素を含み酸素を含まないガスを用いて、プラズマ処理する。プラズマ処理によって、酸化窒素が除かれ、その後に硝酸となってタングステン層を溶出・硬化させることが防止される。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造を形成する際、合わせずれが生じた場合の下層の配線間絶縁膜への接続孔の掘り込みを抑制し、接続孔を加工制御性よく形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上にエッチング阻止膜7、第１絶縁膜8、第２絶縁膜9、第１、第２、第３マスク形成層を順次成膜し、第３マスク形成層をパターンニングして、配線溝パターンを有する第３マスク12'を形成し、第３マスク12'から第２絶縁膜9までをエッチングし、接続孔13を開口する。第3マスク12’上から第２マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第2マスク21’を形成し、第１絶縁膜8の途中まで接続孔13を掘り下げる。第３マスク12’上から第１マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第１マスク10'を形成し、エッチング阻止膜7の途中まで接続孔13を掘り下げる。第２マスク21'上から第２絶縁膜9をエッチングして第２配線溝14を形成し、エッチング阻止膜7を除去した後、第２マスク21'を除去する。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金からなる導電性のダマシン構造を含んだ集積回路構造のバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】導電構造（１６、２２）の側壁には、金属層、中間層が交互に積層され、少なくとも３つの層を含んだ積層構造（３２）が設けられている。積層構造（３２）の中に非常に薄い層があるにもかかわらず、外部電流を用いて銅を電解析出するために必要な導電率の高さに起因した銅の拡散に対する、高い障壁作用が得られる。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーション耐性およびストレスマイグレーション耐性に優れた配線構造およびこの配線構造を少ない工程数で形成する形成方法を提供する。
【解決手段】第１絶縁層１０２が有する下層溝の内面に第１拡散防止膜１０４を介して埋め込み形成された下層配線１０５と、下層配線１０５上に形成された高融点金属または高融点金属化合物からなる層間拡散防止膜１０６と、第２絶縁層１０８および層間拡散防止膜１０６を貫通して下層配線１０５に達するビアホール１０９の内面に形成された導電性の第２拡散防止膜１１２と、この第２拡散防止膜１１２を介してビアホール内に埋め込み形成された導電体１１４とを備え、ビアホール底部における下層配線１０５の上面から第２絶縁層１０８の側面にわたって層間拡散防止膜１０６の構成材料からなる付着膜１０６ａが形成されたことを特徴とする配線構造。 （もっと読む）

【課題】素子の動作特性及び信頼性を向上させることができる半導体素子の導電配線形成方法を提供することである。
【解決手段】導電層及びハードマスク層を備えた半導体基板の上部に導電配線領域を定義する感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンをマスクとして前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスク層パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを取り除く段階と、前記ハードマスク層パターンをマスクとして導電層をエッチングする段階とを含み、これらの段階は、インサイチュー（In-situ）工程で進める。 （もっと読む）

【課題】低誘電率層間絶縁膜に導入されたダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】上記の課題を解決した半導体装置は、配線溝若しくは接続孔の少なくとも一方が形成され、配線溝若しくは接続孔表面近傍の炭素濃度若しくは膜密度が内部の炭素濃度若しくは膜密度と同等若しくはそれより高い低誘電率絶縁膜と、前記配線溝若しくは接続孔内に形成された導電体層と、前記低誘電率絶縁膜と前記導電体層との間に設けられたバリアメタルと、前記バリアメタルと前記低誘電率絶縁膜との間に設けられた第２の絶縁膜とを具備する配線構造を具備する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】一導電型の不純物領域を含む半導体層と、半導体層上にゲート絶縁層と、ゲート電極層と、一導電型の不純物領域と接する配線層と、ゲート絶縁層上に設けられ、配線層と接する導電層と、導電層と接する第１の電極層と、第１の電極層上に電界発光層と、第２の電極層とを有し、配線層は導電層を介して第１の電極層と電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】 大きなアスペクト比を有するシリンダ孔の開孔に際して、ボーイングの発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板１１の主面上部にシリンダ孔形成用絶縁膜２２を成膜する工程と、シリンダ孔形成用絶縁膜２２を貫通し半導体基板１１に達する放電プラグ２７を形成する工程と、放電プラグ２７及びシリンダ孔形成用絶縁膜２２上に導電性ハードマスク２６を形成する工程と、導電性ハードマスク２６を用いてシリンダ孔形成用絶縁膜２２をエッチングしてシリンダ孔２９を形成しシリンダ孔２９内に下部電極３０を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 金属多層構造を持つ配線層のストレスを緩和しつつ、ボイドの発生を抑制する。
【解決手段】 スパッタリング法にて絶縁層１上にＴｉＮ膜２を堆積した後、Ａｒを用いたプラズマエッチング処理を行うことにより、ＴｉＮ膜２の表面を逆スパッタして、ＴｉＮ膜２の表面の結晶性を劣化させた結晶性緩和層２ａを形成し、スパッタリング法を用いることにより、結晶性緩和層２ａを介してＴｉＮ膜２上にＡｌ−Ｃｕ膜３を堆積してから、Ａｌ−Ｃｕ膜３上にＴｉ膜４およびＴｉＮ膜５を順次堆積する。 （もっと読む）

本発明は、多層配線構造を有する半導体装置において、半導体装置の層間絶縁膜の破損や剥離などを防止し、動作速度が高速であり、かつ安定な構造の半導体装置を実現することを目的としている。 本発明によれば、多層配線構造を有する半導体装置において、破壊靭性値の大きい絶縁膜を用いた配線構造を、多層配線構造中に形成することで、破壊靭性値の大きい絶縁膜によって、半導体装置にかかる応力の影響を緩和し、層間絶縁膜の破損や剥離を防止して安定な多層配線構造を形成することを可能とする。
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【課題】 チャンバのクリーニング及びシーズニングの影響を考慮に入れたプラズマ・エッチ・ツールにおけるエッチング線寸法制御のための方法及びシステムを提供する。
【解決手段】 エッチングされた構造部（１５０）の寸法を制御するための方法及びシステムである。この方法は、マスク構造部寸法値を得るために、基板（１００）上の層（１１０）の上面に形成されたマスク構造部（１４５）を測定するステップと、マスク構造部寸法値、マスク構造部寸法目標値（２５５）、層をプラズマ・エッチングする（２７５）ためのプラズマ・エッチ・ツール（１８０）の１つ又は複数のチャンバに生じた事象以降の、プラズマ・エッチ・ツールの選択された無線周波数電源投入時間の合計、及び、層のプラズマ・エッチ（２７５）の間にマスク構造部によって保護されていない層から形成されることになる層構造部についてのエッチ・バイアス目標に基づいて、マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を計算する（２６５）ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】接続層の形成が完了した下部構造物の上に形成される金属配線のステップカバレッジ特性を改善して信頼性を向上可能な半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】接触口（２３）に沿って層間絶縁膜（２２）上にＴｉＮバリア金属膜（４４）を形成するステップと、ＴｉＮバリア金属膜上にタングステン膜を形成するステップと、タングステン膜に対して過度エッチングを伴う第１エッチングを行い、接触口の内部に埋め込まれるタングステンプラグ（４５Ａ）を形成するステップと、露出したＴｉＮバリア金属膜に対して第２エッチングを行い、第１エッチング時に生成された接触口のトップ部の側壁の垂直プロファイルをスローププロファイル（４５Ｄ）に緩和させるステップと、全面にアルミニウム膜を形成するステップと、該アルミニウム膜を選択的にパターニングし、アルミニウム金属配線を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】
金属膜のサイドエッチを抑制し、良好な形状の配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に金属膜を形成し、金属膜上にハードマスクを形成し、得られた基板を処理チャンバー内に設置し、前記処理チャンバー内を所定圧力に減圧し、前記処理チャンバー内にエッチングガスを供給すると共に、前記処理チャンバー内にプラズマを生成して金属膜をパターニングする工程を備え、前記エッチングガスが、不飽和炭化水素ガスを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造方法は、互いに逆方向に向く第一及び第二主面を有する半導体基板を設けることを含む。この半導体基板の第一主面には、溝が形成される。当該溝は半導体基板の第一深さ位置まで延び、誘電体材料で覆われる。また、この溝は導電性材料で充填される。電気部品が、第一主面に露出した導電材料へ電気的に接続される。そして、キャップが第一主面へ取り付けられ、電気部品と電気的接続とを覆う。
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【課題】 タンタルを含む材料と、窒化珪素とのエッチング選択比を容易に制御可能としたエッチング方法及びこれを用いた電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 タンタルを含む材料からなる第１の部分と、窒化珪素からなる第２の部分と、を有する被処理体をエッチングするエッチング方法であって、エッチングガスに窒素を添加した第１の混合ガスを用いて前記第２の部分をドライエッチングすることを特徴とするエッチング方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、基板上に配置された段階的構造体の反転形状を基板に転写することを特徴形状とする、段階的構造体を基板上に形成するための方法を提供する。
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