誘電体膜を処理する方法およびシステムであって、アルキルシラン、アルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルコキシシロキサン、アリールシラン、アシルシラン、シクロシロキサン、ポリシルセスキオキサン（ＰＳＳ）、アリールシロキサン、アシルシロキサン、ハロシロキサン、またはこれらのいずれかの組み合わせに、前記誘電体膜の少なくとも一つの表面を露出させるステップを有する、方法およびシステムである。誘電体膜は、ポアを有するまたは有さない、ドライエッチング処理により形成されたエッチング特徴部を備える低誘電率膜を有する。エッチング処理またはアッシュ処理の結果、誘電体膜に形成された特徴部に露出された表面は、損傷を受け、あるいは活性化され、これは、不純物の付着、水分の吸収、誘電率の上昇等につながる。このような損傷表面は、これらの表面の修復、例えば、誘電率の回復（すなわち、誘電率の低下）、およびこれらの表面の清浄化による不純物、水分または残留物の除去のうちの少なくとも一つを実施することにより処理される。また、バリア層の調製および膜の特徴部の金属化処理は、特徴部の側壁表面の密封による露出ポアの封止処理ステップを有し、バリア膜の成膜用の表面が提供される。 （もっと読む）

【課題】 ハードマスクを用いた金属配線形成エッチングで発生する配線不良を抑制する。
【解決手段】 ＴｉまたはＡｌを含む金属配線層６の上に、シリコン酸窒化膜からなるストッパー膜７を形成する。さらに、この上に形成したハードマスク層１０を、フッ素原子を含むガスを用いたプラズマエッチングによりエッチングしてハードマスク１０ａを形成する。
このとき、ストッパー膜７の表面でエッチングがストップするので、ＴｉＦやＡｌＦなどの反応生成物の発生を抑制することができる。これにより、金属配線層６をエッチングして金属配線６ａを形成するエッチング工程において、隣接する金属配線６ａの配線ショートなどの配線不良が発生するのを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の技術では、処理ガスに添加されたＣとＦを含むガスによってハードマスク開口部への付着物を抑制しているが、本来のエッチングガスとは別に、付着物を抑制ためのＣとＦを含むガスを添加しなくてはならず、また、ＣとＦを含むガスはハードハードマスク自体を減膜させるため、ＣとＦを含むガスの添加量や添加のタイミングを適正に制御しなくてはならない。つまり、開口寸法が０．２μｍ以下で高アスペクト比のホールまたはトレンチを形成する場合には、エッチング中にマスク開口部の堆積物を除去し、あるいはその成長を抑制しなくてはならない。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、プラズマを利用するエッチング方法において、側壁がボーイング形状の開口部２０１Ａを有するＳｉＯ_２膜２０１をハードマスクとして用いてＳｉ層２０２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕの埋め込み配線構造に於けるバリアメタルで構成したヒューズを少ない工程で容易に作製できるように、また、埋め込み配線表面とヒューズ表面とが同一面にある構造を実現しようとする。
【解決手段】 バリアメタル膜５とＣｕからなる配線７とが順に積層されて絶縁膜４中に埋め込まれた構造の一対のヒューズ電極を備え、バリアメタル膜５は両ヒューズ電極を隔てる絶縁膜４上を越えて両ヒューズ電極を結ぶと共に該絶縁膜４上に在る部分の表面がヒューズ電極及びその周辺と略同一面を成し且つ該絶縁膜４上に在る部分がヒューズ５Ａを成している。 （もっと読む）

【課題】 製造許容値を緩和した相互接続構造を提供する。
【解決手段】 相互接続構造を製造する方法であって、誘電層に相互接続部を設けるステップと、相互接続部の一部が誘電層の上面よりも上に延出するように誘電層をくぼませるステップと、相互接続部の延出した部分の上に被覆キャップを堆積するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンパターンの抵抗値を制御しつつ、多結晶シリコンパターンの上層に金属配線層を配置する。
【解決手段】半導体基板１上に絶縁膜７，９を介して形成された多結晶シリコンパターンからなるゲート電極１１，１３及び抵抗体２３と、ゲート電極１１，１３上及び抵抗体２３上を含んで半導体基板１上に形成された層間絶縁膜２７と、層間絶縁膜２７上に形成された金属配線層３１を備えた半導体装置において、金属配線層３１の下面に形成された第１窒化膜２９と、金属配線層３１の少なくとも一部の側面及び上面を被う第２窒化膜３３と、金属配線層３１のうち最も高い位置にある金属配線層の上面の少なくとも一部を第２窒化膜３３から露出させる高さに平坦面をもち、平坦化のためにエッチバック処理が施されているＳＯＧ膜（３５ａの一部）とを備えている （もっと読む）

【課題】 ポリイミド等の有機絶縁膜の表面荒れを抑制しつつ、効果的に有機絶縁膜上の変質層を除去して、半導体装置の表面リークを防止する。
【解決手段】 半導体装置に接続電極を形成する。前記接続電極の中央部が露出するように、隣接する接続電極間を連続的に覆う有機皮膜を形成する。露出した接続電極の表面をドライエッチングで処理する。前記表面処理により有機皮膜の表層に形成された変質層を、酸素を用いないドライ工程により除去する。 （もっと読む）

【課題】所望の比誘電率を有し、機械的強度に優れる絶縁膜、この絶縁膜を容易に形成し得る絶縁膜の形成方法、この絶縁膜を備える半導体素子、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、導電体同士を絶縁するものであって、絶縁性基材４２中に、当該絶縁膜の膜強度を向上させる絶縁性粒子４１を含有してなるものである。この絶縁膜は、絶縁性粒子４１として、絶縁性基材４２の比誘電率と異なる比誘電率の粒子を用いることにより、その比誘電率を調整したものである。例えば、絶縁性粒子４１として、絶縁性基材４２の比誘電率より低い比誘電率の粒子を用いることにより、絶縁膜全体の比誘電率を調整（低下）することができ、かかる絶縁膜は、層間絶縁膜に好適に適用される。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール内のダメージ層や自然酸化膜を十分に除去することが困難であった。
【解決手段】絶縁膜１３をドライエッチングすることにより導電層１２を露出するコンタクトホール１４を形成し、露出した導電層１２上に酸化性ガスから励起されるプラズマを供給して、コンタクトホール１４内に生成されたダメージ層１５をドライ洗浄し、ドライ洗浄によりコンタクトホール１４内に生成された生成物１６をウェット処理により除去し、ＮＦ_３、ＨＦのいずれかを含むガスを用いてドライ処理し、ウェット処理によりコンタクトホール１４内に形成された自然酸化膜１７をエッチングし、熱処理によりエッチングにより生成された生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板の主面上に形成された非常に軽微なダメージのプラズマダメージ層であっても検出することのできる技術を提供する。
【解決手段】 シリコン基板上に例えば酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜を形成し（ステップＳ１、Ｓ２）、この層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するためプラズマエッチングする（ステップＳ３）。このプラズマエッチングはシリコン基板が露出するまで行われるため、シリコン基板の主面上にはプラズマダメージ層が形成される。このシリコン基板を酸化し（ステップＳ４）、シリコン基板上に形成された酸化膜の膜厚を測定（ステップＳ５）することで、プラズマダメージ層の検出、評価を行う。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣ膜などのシリコン系の低誘電率膜がプラズマ処理に伴って受けたダメージを回復する方法を得ることにある。
【解決手段】ダメージを受けたシリコン系の低誘電率膜に対して、シリコン化合物またはハイドロカーボンからなる回復剤を液状または気体状で接触させる。接触を加熱下で行うことあるいは接触をプラズマ雰囲気下で行うことが好ましい。回復剤には、例えばＳｉＨ_４，Ｓｉ_２Ｈ_６、ＣＨ_４，Ｃ_２Ｈ_６，Ｃ_３Ｈ_８，が用いられる。 （もっと読む）

【課題】 主配線材料であるＡｌと主電極材料であるＰｔとの反応を効果的に抑制することができる強誘電体キャパシタの配線構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板の上方に形成される第１電極と、第１電極上に形成される金属酸化物誘電体からなる容量絶縁膜と、容量絶縁膜上に形成される第２電極と、第２電極の上面の一部を露出する第１開口部を有し第１電極、容量絶縁膜及び第２電極を覆うように形成される絶縁膜と、第１開口部内及び絶縁膜上に形成されるアモルファス構造を有する第１バリア膜と、第１バリア膜の上方に形成される配線膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】その後の加工プロセスとの整合性を有し、絶縁層の表面をより簡便にかつ効率良く疎水化することができ、かつ、絶縁層のより深い領域を疎水化することができる表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層２０を加熱により活性化する工程と、（Ａ）反応性シラン化合物および（Ｂ）有機溶媒を含む表面疎水化用組成物を前記絶縁層の表面に接触させる工程とにより、前記絶縁層の表面に疎水性膜を形成する疎水化処理方法および前記疎水性膜を含む半導体装置。 （もっと読む）

【課題】溶融金属充填法における歩留まりや品質の向上を目的として、溶融金属の表面の金属酸化物が基板に付着することを防止する。
【解決手段】内部を減圧する減圧手段１４ａ，１４ｂおよび内部を加圧する加圧手段１５ａ，１５ｂを備えたチャンバー１１と、このチャンバー１１内にて金属を加熱溶融することのできる金属溶融装置１６とを備え、基板２に形成された微細孔へ金属を充填する金属充填装置１０Ａにおいて、前記金属溶融装置１６に、加熱溶融された金属６の表面７を清浄に保つ金属表面浄化機構２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 その後の加工プロセスとの整合性を有し、層の表面をより簡便にかつ効率良く疎水化することができ、かつ、層のより深い領域を疎水化することができる表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化方法は、（Ａ）反応性シラン化合物および（Ｂ）有機溶媒を含む表面疎水化用組成物を層の表面に接触させる工程と、前記（Ａ）反応性シラン化合物を活性化する工程と、前記層を加熱する工程と、を含む。本発明の半導体装置は、上記本発明の表面疎水化方法によって得られた疎水性膜を含む。本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明の表面疎水化方法によって、疎水性膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】金属層を被着させ除去するための新しい処理技術を提供する。
【解決手段】本発明の一態様においては、ウェハ上に導電性フィルムを電気メッキするための方法例が提供されている。該方法は、第１の密度の凹部領域上で平面となる前に第１の電流密度範囲内で凹部領域および非凹部領域を有する半導体構造上に電気メッキする工程および金属フィルムを金属層が凹部領域上で平面となった後に第２の電流密度範囲内で電気メッキする工程を含む。第２の電流密度範囲は、第１の電流密度範囲よりも大きい。１つの例においては、該方法は更に、金属層が第２の密度の凹部領域上で平面となるまで第２の電流密度範囲内で電気メッキする工程およびその後第３の電流密度範囲内で電気メッキする工程を包含し、ここで第２の密度は第１の密度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法により、導電体を確実に充填して貫通電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、開口部１８ａを有する支持体１８を基板１０表面側に取り付ける工程、基板１０をその裏面側から薄化する工程、基板裏面に第１絶縁膜１９を形成する工程、支持体１８の開口部１８ａに繋がる貫通孔１３を基板１０に形成する工程、第２絶縁膜１４を基板１０の貫通口１３内部に形成する工程及び基板１０の貫通孔１３内部に導電体１６を充填する工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイスの製造方法に関するものである。この方法では、半導体デバイスは、基板（１０）を具え、この基板（１０）は、表面（２５）を有する低−ｋの前駆物質層（２０）で覆われている。この工程の後、部分硬化工程が行われ、前記低−ｋの前駆物質層（２０）の表面（２５）またはその近くに緻密層（３０）が形成される。この緻密層（３０）は、保護層（３０）として作用することができる。前記低−ｋの前駆物質層（２０）は、未硬化、または部分的に硬化された状態で適用できる特性を有する材料の群から選択される。この方法の主な利点は、前記緻密層（３０）が、前記低−ｋの前駆物質層（２０）自体から形成されるため、別個の保護層（３０）を低−ｋの前駆物質層（２０）に設ける必要がない点である。したがって、前記緻密層（３０）は、前記低−ｋの前駆物質層（２０）に対して良好な接着性を有する。
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【課題】不良の発生を低減することができる印刷パターンを用いた処理方法及び印刷パターンの製造装置、特に、液晶パネルの製造方法及び製造装置の提供。
【解決手段】印刷法を用いて、被エッチング膜２の上にレジスト３などの印刷パターンを形成した後、該印刷パターンをマスクとしてエッチングなどの処理を行う前に、プラズマアッシングなどのドライエッチングや現像処理などのウェットエッチングを用いてレジストを厚さ方向に薄化する薄化処理（図１（ｂ））を実施する。これにより、レジスト形成領域以外の不要な部分にレジストが付着した場合でも、付着したレジスト４を除去するか若しくはサイズを小さくし、付着したレジスト４下部に被エッチング膜２を残さないか若しくは非常に小さくし、配線のショート、パターン残りによる点欠陥等の不良の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子部品および電子機器またはそれらの製品に使用される金属合金材料、電子および金属材料の加工方法及び電子光学部品に関し、例えば液晶表示素子、各種半導体製品あるいは部品、プリント配線基板、その他のICチップ部品等に適用して、従来に比して低抵抗率であり、更に製造工程中での優位性を保有した安定かつ加工性に優れた電子部品用金属合金材料、この金属材料を使用した電子部品、電子機器を提供する。
【解決手段】 Ｃｕを主成分とし、Ｗを0.1〜7.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有してなる合金を金属材料として適用する。この金属材料によれば、ＣｕにＷを添加してＣｕの粒界にＭｏを均質に混入させることにより、Ｃｕ全体の耐候性を向上させることができる。 （もっと読む）