【課題】 エッチング工程で生成される反応生成物による配線信頼性の低下を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線と、配線に接続されるプラグとを有する半導体装置の製造方法であって、配線上に絶縁膜を形成する工程と、プラグを形成するためにドライエッチングにより絶縁膜に開口を形成する工程と、水素単体ガスまたは窒素を含むガスによるプラズマ放電により上記ドライエッチングにより生じた反応生成物を除去する工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】簡単に絶縁膜を形成することができ、効率良く配線構造を形成することができる配線構造の形成方法を提供すること。
【解決手段】シリコンウエハ１１上に反応溶液を塗布する。反応溶液を塗布したシリコンウエハを縦型炉に投入して塗布膜を焼成する。絶縁膜１２に対して酸素プラズマ処理を施す。絶縁膜１２上にＡｌをスパッタリング法により被着してＡｌ膜１３を形成する。Ａｌ膜１３上にレジスト膜１４を形成して、フォトリソグラフィー法によりパターニングして開口部１４ａを形成する。レジスト膜１４をマスクとしてその開口部１４ａに露出しているＡｌ膜１３に対して塩素プラズマ処理を施してＡｌ膜１３をエッチングする。その後、レジスト膜１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】 銅配線の下方に位置する下部配線がレイアウト上の制約を受けず、しかも、実効誘電率のばらつきが低減される半導体装置の製造方法と半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上にビアプラグが形成される絶縁膜としてＳｉＯＣ膜５が形成され、銅配線が形成される絶縁膜としてそのＳｉＯＣ膜よりもエッチング選択比の高い有機膜６が形成される。ＳｉＯＣ膜には開口部１４が形成され、有機膜に溝１３が形成される。次に、開口部と溝を充填する銅膜が形成されて、開口部にビアプラグ１５ｂが形成され、溝に銅配線１５ａが形成される。次に、有機膜を除去して最終的に銅配線の側方を充填するようにＬｏｗ−ｋ膜としてのＭＳＱ膜を形成することによって、銅配線とビアプラグを備えた半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】アッシング残渣の剥離液を提供する。
【解決手段】0.007〜0.04mol/kgの酸、前記酸の２０倍以上の濃度の非金属フッ化物塩および水を含む、ドライエッチング及び／又はアッシングにより生じたCu/low-k多層配線構造のアッシング残渣の剥離液。 （もっと読む）

【課題】 Ａｒスパッタ処理のようなダメージの大きい工程を必要とせず、高精度でホールや溝などを形成することが可能で、信頼性の高い半導体装置を製造する。
【解決手段】 レジストパターン２０８をマスクとして、層間絶縁膜２０７をエッチングし、さらにＣｕ拡散防止用絶縁膜２０６をエッチングして凹部２２０を形成し、下層配線２０５を露出する。続いて、水素、窒素または酸素のいずれかの元素を含む処理ガスを用いプラズマ処理を行ない、レジストパターン２０８を剥離すると同時に、Ｃｕの表層に混入している不純物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 製造に係る期間の短縮及びコストの低減を図ると共に、製品としての信頼性の向上に寄与することができる「半導体装置及びその製造方法」を提供すること。
【解決手段】 機能素子が作り込まれた半導体基板１１の一方の面に、絶縁層１２を介して導体層１３を形成した後、半導体基板１１の所定の箇所にスルーホールＴＨ１を形成する。さらに、半導体基板の他方の面に支持シートを張り付け、導体層１３と支持シート上とをワイヤ１４により接続し、導体層１３、ワイヤ１４及びスルーホールＴＨ１が形成されている部分を樹脂１６で封止した後、支持シートを除去する。さらに、半導体基板１１の他方の面から露出しているワイヤ１４の端部１４ａ上に導体層１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の膜剥がれ及び周辺への銅の拡散を防止しつつ、層間絶縁膜のより一層の低誘電率化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】 絶縁性保護膜１０で覆われた基板１０１を形成する工程と、絶縁性保護膜１０上にプラズマＣＶＤ法により形成された絶縁膜で囲まれた第１の多層配線５０１を形成する工程と、第１の多層配線５０１を残して絶縁性保護膜１０上の絶縁膜をすべて除去する工程と、絶縁膜を除去した後の空間に、塗布法により第１の塗布絶縁膜を充填する工程とを有する。 （もっと読む）

従来のフォトリソグラフィーを用いた配線作製工程では、レジストや配線材料、またプラズマ処理時に必要なプロセスガス等の多くが無駄になってしまう。また真空装置等の排気手段が必要であることから、装置全体が大型化するため、処理基板の大型化に伴い製造コストが増加することが問題になっていた。本発明では、レジストや配線材料を液滴として、基板上の必要な箇所に直接線状または点状に噴射して、パターンを描画するという手段を適用する。またアッシングやエッチング等の気相反応プロセスを大気圧又は大気圧近傍下で行う手段を適用する。
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【課題】シロキサンを含む層を選択的にエッチングする技術について提供することを課題とする。また、本発明は、エッチングの際に生じる不具合に起因した動作不良等の低減された半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】トランジスタに電気的に接続する導電層と、その導電層を覆う絶縁層とを形成した後、さらに絶縁層の上にマスクを形成する工程を有する。そしてマスクを形成した後、臭化水素ガスを含む処理用ガスを用いて絶縁層をエッチングすることを特徴としている。 （もっと読む）

導電性材料を噴射する第一の溶液噴射手段を用いて配線を形成する工程と、第二の溶液噴射手段を用いて前記配線の上にレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクをマスクとして、線状のプラズマ発生手段を有する大気圧プラズマ装置、又は、複数のプラズマ発生手段が線状に配列された大気圧プラズマ装置を用いて前記配線をエッチングする工程とを有する。
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【課題】 占有面積を抑えた簡便な形態でプラズマ処理に伴うチャージングを抑える半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０上にゲート酸化膜１２を介してゲート電極１３の形成、基板コンタクト領域１４を形成する。層間絶縁膜１５、ビア接続部１６の形成後、第１層目の金属配線層１７で各回路に関係する配線パターンの一部を形成すると共に、基板コンタクト領域１４への接続経路１７１も同時に形成する。これにより、以降、プラズマ処理を伴う工程を経てもゲート電極１３のチャージングは回避される。所定の配線層による集積回路のパターンが形成され、プラズマ処理終了後、接続経路１７１は、トリミング部１７１Ｂにレーザービームを照射して切断される。接続経路１７１の一部は、第１層目の金属配線層１７による必要な回路配線のパターンとして働く。 （もっと読む）

本発明は、先端状に形成された金属パターンを有するナノプリントされたデバイスに関する。それぞれの金属パターンは、先端のベースを有する下の層（３０）と先端自身を有する上の層（３１）とを備え、硬度および化学的特性を制御された二層構造を持つ。
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【課題】 複数の配線層を有し、最上の配線層を保護膜で覆って構成される半導体装置において、配線容量低減のために配線間に空洞を形成した場合、空洞上方の保護膜中に接合界面が形成され、その接合界面を通して浸入した水分によりはいせんが腐食する問題を解決する。

【解決手段】 最上の配線を形成した後、酸化シリコンからなる応力緩和層を形成した後、配線間内に空洞が生じるように、窒化シリコンからなる第一の耐湿性保護膜を形成する。この時、空洞上方の第一の耐湿性保護膜中に接合界面が形成されるが、その表面を大気に暴露するか、もしくは異種の方法により絶縁膜を形成することにより、接合界面の成長を遮断して第二の耐湿性保護膜を積層形成する。
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【課題】導電性基板若しくは半導電性基板に設けられた非常に微細な貫通孔の内側表面であっても、均一な絶縁膜を形成することができるとともに、貫通孔の開口部においても内部においても確実に信頼性の高い絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成方法を提供すること。
【解決手段】導電性基板若しくは半導電性基板に設けられた貫通孔の内表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法として、前記貫通孔の開口部に第１の絶縁膜を形成する工程と、該貫通孔の内表面に第２の絶縁膜を形成する工程と、該第２の絶縁膜を硬化させる工程とを有することを特徴とする。ここで、第１の絶縁膜は、物理的蒸着方法又は化学的蒸着方法によって形成された絶縁膜であり、第２の絶縁膜は、電着塗装によって形成された絶縁膜である。 （もっと読む）

本発明は、局所的にレジスト膜を形成する手段と、大気圧若しくは大気圧近傍の圧力下におけるプラズマ処理により局所的に成膜、エッチング、若しくはアッシングする手段を用いて、表示装置製造の低コスト化を実現する表示装置の作製方法について提案する。
本発明の表示装置の製造方法は、大気圧若しくは大気圧近傍の圧力下で、局所的に導電膜を形成し、配線を形成する工程を有することを特徴としている。ここで、配線とは、アクティブマトリクス型の表示装置の画素部においてゲート配線やソース配線として機能する配線の他、外部入力端子から画素部へ信号を送るための接続配線や、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と画素電極とを接続するための配線など、全ての配線を含む。
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【課題】ＳｉＯＣＨの組成からなる材料で形成された層間絶縁膜に、アスペクト比の高い凹部を形成する際、凹部の加工初期から加工終期にかけてＯラジカル量に対してＣＦ系ラジカル量が過剰になることが防止された絶縁膜の加工方法を提供する。
【解決手段】ＣＦ系ラジカルをエッチング種として用いたドライエッチングにより、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１６に、同一のエッチング条件下で接続孔１８を形成する絶縁膜の加工方法において、層間絶縁膜１６の表面側に向かってＯ含有率が高くなるように層間絶縁膜１６の膜質を膜厚方向に変化させることで、ドライエッチングの進行により接続孔１８のアスペクト比が高くなるのにともない、エッチング底面へのＣＦ系ラジカルの入射量が減少するのに合わせて、層間絶縁膜１６から放出されるＯラジカル量を減少させることを特徴とする絶縁膜の加工方法である。 （もっと読む）

【課題】 細りのない所望する断面積の銅配線を形成することができる銅配線層の形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に下地絶縁膜２、下地バリア層３、銅シード層４を順次成膜したのち、この銅シード層４上にフォトレジスト層５の配線溝６パターンを形成し、この配線溝６の底部に露出した銅シード層４上に銅配線層７を形成し（図２（ａ））、この層７上に保護層８を形成したのちこの層８をマスクとしてフォトレジスト層５、銅シード層４、下地バリア層３を順次エッチングして図２（ｅ）に示す銅配線層７のパターンを形成する。
この層７からの銅の拡散を防止するため表面に層間絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等を、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】導電層を有する基板に対して裏面からの光照射によって、選択的に基板表面を改質し、ぬれ性を制御する。改質された表面上に、導電性材料又は絶縁性材料を吐出（噴出なども含む）などによって、付着させ、導電層、絶縁層を形成する。また、光触媒物質の光吸収、エネルギー放射作用によって、光による処理効率を向上させることができる。また、導電層上にも選択的にマスク層を形成し、非照射領域である導電層上の領域のぬれ性も制御する。 （もっと読む）

配線パターンやレジストパターンを直接基板上に描写する手段と、成膜やエッチングなどの気相プロセスを大気圧または大気圧近傍下で局地的に行なう手段を適用することにより、製造ラインの省スペース化、効率化、材料の利用効率の向上、さらには作製費用の削減を実現する。
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【課題】 周辺回路領域に形成されるロジック回路等に不具合が発生するのを防ぐことができるフラッシュメモリセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１導電体２５ａのコンタクト領域CR上の第２絶縁膜２６を除去する工程と、第２絶縁膜２６の上に第２導電膜３０を形成する工程と、第１導電体２５ａのコンタクト領域CR上の第２導電膜３０を除去し、該第２導電膜３０を第２導電体３０ａとする工程と、第２導電体３０ａを覆う層間絶縁膜（第３絶縁膜）４４を形成する工程と、コンタクト領域CR上の層間絶縁膜４４に第１ホール４４ａを形成する工程と、コンタクト領域CRと電気的に接続される導電性プラグ４５ａを第１ホール４４ａ内に形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）