【課題】 半導体基板に形成された開口部の形成状態を、断面観察しないでも確認できるようにすることを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成されたパッド電極３を露出するように基板裏面から開口部が形成され、この開口部を介して前記パッド電極３に配線層１０が形成されて成るものにおいて、前記開口部の形成状態をモニターするためのモニター開口部６ｂをスクライブライン上に形成することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 ビアファースト方法を用いたデュアルダマシン配線の形成において、ビアホール内を充填するダミープラグを高精度に形成する。
【解決手段】 スピン塗布法によりキャップ層１０６上およびビアホール１１０を埋設する樹脂膜１１を形成する。そして、２００℃程度の温度でベーク処理を施した後に、水素ガス、あるいは水素ガスと不活性ガスとの混合ガスをプラズマ励起し、水素活性種である水素プラズマ１３を樹脂膜１１表面に照射して行う樹脂膜１１のエッチバックによりキャップ層１０６表面の不要な樹脂膜１１を除去し、ビアホール１１０を充填するダミープラグ１２を形成する。ここで、不活性ガスとしてＡｒガスあるいはＨｅガスが好適である。 （もっと読む）

【課題】 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化用組成物は、（Ａ）官能基を有するシラン化合物と、（Ｂ）ケトン系溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ビアファースト方法を用いるデュアルダマシン配線の形成において、レジストポイズニングを抑制しトレンチ開口パターンを高精度に形成する。
【解決手段】 デュアルダマシン配線の形成工程において、層間絶縁膜に形成したビアホール２１を充填しキャップ層１６表面を被覆して、セルロースを構成材料とした捕獲兼用樹脂膜１を塗布形成する。好ましくは、不活性雰囲気において２００℃程度の焼成温度でその一部を炭化させる。そして、水素プラズマあるいは水素ラジカルを含む水素活性種を照射し、キャップ層１６表面の不要な捕獲兼用樹脂膜１ａをエッチング除去してダミープラグ２を形成する。ここで、上記捕獲兼用樹脂膜１に予め酸性剤を添加しておくと好適である。このダミープラグ２は、アミン等の塩基性物質を捕獲あるいは中和させ上記課題を達成させる。 （もっと読む）

【課題】 周辺回路領域に形成されるロジック回路等に不具合が発生するのを防ぐことができるフラッシュメモリセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１導電体２５ａのコンタクト領域CR上の第２絶縁膜２６を除去する工程と、第２絶縁膜２６の上に第２導電膜３０を形成する工程と、第１導電体２５ａのコンタクト領域CR上の第２導電膜３０を除去し、該第２導電膜３０を第２導電体３０ａとする工程と、第２導電体３０ａを覆う層間絶縁膜（第３絶縁膜）４４を形成する工程と、コンタクト領域CR上の層間絶縁膜４４に第１ホール４４ａを形成する工程と、コンタクト領域CRと電気的に接続される導電性プラグ４５ａを第１ホール４４ａ内に形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 例えデザインルールが厳しくなっても、十分な密着性を有する配線材料を電解めっきによって基板の全面に均一に形成して、信頼性の高い埋込み配線を形成できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜内に配線用凹部を形成した基板表面に、配線材料成膜用の電解めっき液に対して不溶性の導電膜を形成し、前記導電膜をシード膜として、電解めっき法により該導電膜の表面に配線材料を前記配線用凹部内に埋込みつつ成膜し、前記導電膜の表面に成膜した余剰の配線材料を除去して前記配線用凹部内に埋込んだ配線材料で配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 金属間誘電体として用いられる低ｋ及び極低ｋ有機シリケート膜の疎水性の回復方法を提供する。
【解決手段】 集積回路におけるＲＣ遅延を低減するためにしばしば使用されるのは、多孔質有機シリケートの誘電体膜であり、これはシリカ様の骨格とその網目構造中のＳｉ原子に直接結合したアルキルまたはアリール基を（材料に疎水性を与え、空隙を生成するために）有する。Ｓｉ−Ｒ結合は加工処理において通常用いられるプラズマへの暴露又は化学処理に耐えて残存することはほとんどなく、このことはとくに開放気孔構造を有する材料の場合に当てはまる。Ｓｉ−Ｒ結合が破壊されると、その材料は親水性のシラノールの形成のために疎水性を失い、低誘電率が損なわれる。一般式（Ｒ_２Ｎ）_ＸＳｉＲ’_Ｙを有し、ここでＸ及びＹは、それぞれ、１から３まで及び３から１までの整数であり、Ｒ及びＲ’は水素、アルキル、アリール、アリル及びビニル部分から成る群から選択される、新規な種類のシリル化剤を用いて、材料の疎水性を回復する方法が開示される。シリル化処理の結果、多孔質有機シリケートの機械的強度も向上する。 （もっと読む）

【課題】 基板の一表面から他表面にわたって延びる配線を、貫通孔に確実に形成することができる基板の貫通配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体基材２４に、第１樹脂層２７および金属層４０をこの順番で積層して形成する。金属層４０に第１貫通孔４４を形成し、第１貫通孔４４に連通するように第１樹脂層２７および半導体基材２４に、第２貫通孔４５および未貫通孔４６をそれぞれ形成する。導電性樹脂材料６２を第１貫通孔４４に供給すると、金属層４０と導電性樹脂材料６２との接触角が大きいので、導電性樹脂材料６２は、金属層４０の表面に広がらず、第１貫通孔４４を確実に閉塞することができ、圧力差を利用して導電性樹脂材料６２を未貫通孔４６に確実に注入することができる。導電性樹脂材料６２を硬化させ、半導体基材２４の一部を他表面３６側から除去することによって貫通配線２１が形成される。 （もっと読む）

【課題】 高い膜強度と低い比誘電率を有するＣＭＰ犠牲膜やエッチング・ストッパー膜等の半導体加工用保護膜を形成するための塗布液、その調整方法および該塗布液より得られる半導体加工用保護膜に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)およびアルコキシシラン(AS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解または部分加水分解した後、アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物、（ｂ）有機溶媒、および（ｃ）水を含む液状組成物であり、しかも該液状組成物中に含まれる水の量が３５〜６５重量％の範囲にあることを特徴とする半導体加工用保護膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】 エッチングマスクを通して層内にフィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】 前記エッチングマスクの曝露された表面、および前記フィーチャの垂直側壁上に保護コーティングが保護膜形成ガス混合物で形成される。前記フィーチャは、前記エッチングマスクを通して、少なくとも１つのエッチング化学物質および少なくとも１つの保護膜形成化学物質を含む反応性エッチング混合物でエッチングされる。
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【課題】 半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】 環状シランモノマーと有機溶剤とからなる組成物。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】 （Ａ）ポリシランと、（Ｂ）有機溶媒を含む、表面疎水化用組成物。（Ａ）下記一般式（１）で表わされる化合物の群から選ばれた少なくとも１種のポリシランと、（Ｂ）有機溶媒を含む、表面疎水化用組成物、および該組成物を用いた表面疎水化方法、半導体装置。


［式中、Ｒ¹，Ｒ²は水素原子、アルキル基、ビニル基、アリル基またはフェニル基を示す（ただし、Ｒ¹，Ｒ²のうち水素原子は１個または０個である）。］ （もっと読む）

【課題】 半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】 マロン酸ビス（トリメチルシリル）、１，２−ビス（トリメチルシロキシ）エタン、テトラキス(トリメチルシロキシ)チタニウムなどのシラン化合物と有機溶媒とからなる組成物。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置等の電子デバイスに用いられる絶縁層の表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】 １，１，３，３−テトラメトキシジシラシクロブタン、ビス(ジメチルメトキシシリル)メタン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンなどのシラン化合物と有機溶媒とからなる組成物。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】 （Ａ）ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有するポリカルボシラン化合物と、（Ｂ）有機溶媒とを含む表面疎水化用組成物。 （もっと読む）

【課題】チップのサイズを大きくせずに、内在された構造物を外部の環境から十分に保護できる段差被覆性の向上した半導体ウェハー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのリセス領域１３６を備えるスクライブラインＳＬが形成された層間絶縁膜１０４と、スクライブラインＳＬと所定距離だけ離れて層間絶縁膜１０４上に形成されて、傾斜した側面を有するスペーサ状の導電ライン１２０ａと、導電ライン１２０ａの側面とリセス領域１３６の少なくとも一側面とを覆う保護膜１４０とを形成する半導体ウェハー及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】その後の加工プロセスとの整合性を有し、かつ、表面のダメージをより簡便にかつ効率良く修復する事ができる表面疎水化法、ならびに表面のダメージの修復に使用可能な表面疎水化用組成物、及び前記表面疎水化方法によって、表面疎水化処理が施された層を含む半導体装置及びその製造方法、を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２０をエッチングして形成された凹部２２の内壁２２ａの表面に、（Ａ）官能基を有するシラン化合物と、（Ｂ）有機溶媒と、（Ｃ）安定化剤とを含む膜を形成し、前記膜中に含まれるシラン化合物と、前記凹部内壁表面にエッチングで生成されたシラノール基を反応させることによって、前記凹部内壁表面に疎水性膜２４を形成した後、凹部内に導電性膜２６を充填する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜上のハードマスク膜に配線溝パターンを段差のない状態で形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の層間絶縁膜１２上にハードマスク膜１３を形成し、ハードマスク膜１３の配線溝パターンを除く領域に表面処理を行うことで変質層２１を形成する工程と、ハードマスク膜１３上にレジストを塗布し、接続孔１４を形成するためのレジストパターンＲ２を形成する工程と、レジストパターンＲ２をマスクとしたエッチングにより、ハードマスク膜１３を貫通する状態で、層間絶縁膜１２に接続孔１４を形成する工程と、変質層２１をマスクとしてハードマスク膜１３の配線溝パターン領域を選択的にエッチング除去することで、ハードマスク膜１３をパターンニングする工程と、このハードマスク膜１３をマスクに用いて、層間絶縁膜１２に接続孔１４に連通する配線溝を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 プラズマプロセスによるチャージアップに起因するスルーホール不良の発生を防止することができる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 多層配線構造を有する半導体装置を製造する方法であって、半導体基板を準備するステップと、半導体基板の上方に第１配線層をプラズマを用いる方法で形成するステップと、第１配線層を含む全面に第１導電層を成膜して全ての第１配線層を電気的に短絡するステップと、プラズマを用いない方法で第１導電層を除去するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜抵抗体を含む集積回路を備えた半導体装置において、レーザ照射による金属薄膜抵抗体の周辺領域へのダメージを低減する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された下層側絶縁膜５と、下層側絶縁膜５上に形成された金属配線パターン１１と、下層側絶縁膜５上及び金属配線パターン１１上に形成された、少なくとも最上層にリン又はリン及びボロンが導入されたシリコン酸化膜１５ｂをもつ下地絶縁膜１５と、金属配線パターン１１上の下地絶縁膜１５に形成された接続孔１７を備え、金属薄膜抵抗体２１は下地絶縁膜１５上から接続孔１７内にわたって形成されて接続孔１７内で金属配線パターン１１と電気的に接続されている。 （もっと読む）