【課題】 下層の金属膜の抵抗増大、及び水の吸湿による低誘電率絶縁膜の誘電率上昇を招くことなく、銅付着物を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅を用いた電気的接続部材４が形成された第１の層間絶縁膜２上に形成され、電気的接続部材４に達する溝７を有する第２の層間絶縁膜６の表面から、有機酸ガスと酸化性ガスとを用いて銅付着物１３を除去する工程と、第２の層間絶縁膜６の溝７の底に露出した電気的接続部材４の表面を還元する工程と、還元された電気的接続部材４上、及び第２の層間絶縁膜６上に、バリアメタル層８を形成する工程と、バリアメタル層８上に、銅を用いた導電膜９を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置であっても、膜剥がれを生じ難くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 溝７を有し、バリアメタル層８で被覆された層間絶縁膜６上に、銅を用いた導電膜９を形成し、層間絶縁膜６の溝７を、銅を用いた導電膜９で埋め込む工程と、銅を用いた導電膜９を、有機酸ガスと酸化性ガスとを用いてエッチングし、前記銅を用いた導電膜９を薄膜化する工程と、薄膜化された銅を用いた導電膜９及びバリアメタル層８を研磨し、層間絶縁膜６の上面と溝７内に残存する銅を用いた導電膜の上面とを平坦化する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金中の合金元素を少なくしても、透明酸化物導電膜との接触抵抗を低くすることのできる低接触電気抵抗型電極、およびこうした電極を製造するための有用な方法、並びにこうした電極を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の低接触電気抵抗型電極は、酸化物透明導電膜と直接接触するＡｌ合金薄膜からなる低接触電気抵抗型電極において、前記Ａｌ合金は、Ａｌよりもイオン化傾向が小さい金属元素を０．１〜１．０原子％の割合で含有し、且つＡｌ合金薄膜の酸化物透明電極と直接接触するＡｌ合金薄膜表面は、最大高さ粗さＲｚで５ｎｍ以上の凹凸が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】ビア抵抗の低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ５の底面のバリアメタル膜６を残存させつつ、ビア４の底面のバリアメタル膜６を除去する。次に、そのビア底面から露出する下層配線１を改質して、改質層７を形成する。次に、その改質層７を除去して、掘れ込み（凹部）８を形成する。そして、掘れ込み８、ビア４およびトレンチ５内にＣｕ膜９を堆積させて、ビアプラグ１０および上層配線１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】穴径の小さいホールを容易かつ確実に形成することを可能ならしめる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素と水素を主元素とし所定の開口径を有する穴部１４を備えたレジスト膜１２を絶縁膜１０上に形成し（ＳＴ１）、このレジスト膜１２をマスク材として絶縁膜１０の途中深さまでエッチング加工し（ＳＴ２）、レジスト膜１２をＸｅＦ_２ガス雰囲気に暴露することにより、レジスト膜１２の表面を膨張させて穴部１４の開口径を縮小させ（ＳＴ３）、こうして生成したレジスト膨張部１２ａと元のレジスト膜１２をマスク材として絶縁膜１０の下端面までエッチング加工し（ＳＴ４）、ホール１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】湾曲を軽減し上下比を改善するためにアドバンスドパターニングフィルム（ＡＰＦ）を用いてウェハをエッチングする方法である。
【解決手段】ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、１６２ＭＨｚ電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。処理ガスは水素ガス（Ｈ_２）、窒素ガス（Ｎ_２）、及び一酸化炭素ガス（ＣＯ）を含む。Ｈ_２：Ｎ_２の比は約１：１である。加えて、ウェハ温度を調節してエッチング特性を改善する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグの形成のための平坦化工程で障壁層が損傷することを防止することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板上に複数の導電性構造物間の空間を埋め立てて上面が平坦化された絶縁膜を形成し、絶縁膜を部分的に除去して基板の一部を露出する開口を形成する。その後、開口の下部側壁及び底面に沿って形成された残留金属膜と開口の上部側壁及び残留金属膜の表面に沿って形成された金属窒化膜とを含む障壁層を形成する。障壁層を含む開口を埋め立てて金属プラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造において、ビアのボトム径を一定以上確保するとともに、ビアのトップ径を一定以下の大きさとすることにより、ビア抵抗を抑え、ＥＭ耐性・ＳｉＶ耐性を確保するとともに、ＩＬＤ−ＴＤＤＢ耐性を確保した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法が、前記層間絶縁膜に、フルオロカーボン系ガスおよびＮ_２ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングによりビアホールを形成する工程と、つづいて前記層間絶縁膜に、前記ビアホールに接続する配線溝を形成し、当該層間絶縁膜に前記下層導電膜に接続するデュアルダマシン配線を形成するためのデュアルダマシン配線溝を形成する工程とを含み、前記ビアホールを形成する工程において、ビアホールをボーイング形状に形成し、および前記配線溝を形成する工程において、前記ビアホールが最大径となる近傍領域の位置までエッチングして、配線溝を形成するとともに、前記配線溝の下部に順テーパー形状のビアを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に下部金属配線を形成する段階と、下部金属配線を含む半導体基板上に、ダマシンホールを持つ層間絶縁膜を形成する段階と、ダマシンホールの下側部分に露出された下部金属配線及びダマシンホールの側面部分に露出された層間絶縁膜上に拡散防止膜を形成する段階と、不活性気体を用いたプラズマ方式で、ダマシンホールの下側部分の下部金属配線上に形成された拡散防止膜を選択的に除去する段階と、を含む半導体素子の製造方法とした。したがって、ビアに残存する残余物をパンチスルーによって除去し、接触抵抗を下げ、サイドカバレッジ（ｓｉｄｅ ｃｏｖｅｒａｇｅ）を向上させることによって、上部金属配線のギャップ・フィル特性を改善させ、不良率の改善によって歩留まりを向上させる効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】形状劣化やバリアメタルの薄膜化を防止して、適正な配線形状と、必要十分な膜厚のバリアメタルを備えた多層配線構造と、その製造方法を提供する。
【解決手段】多層配線構造の製造方法において、下層配線（１２）を被覆する低誘電率材料の絶縁膜に、前記下層配線に到達する溝（１９）を形成する。前記溝の内壁及び前記下層配線上に第１バリアメタル（２１）を形成する。前記溝の前記内壁に位置する前記第１バリアメタルを残して、前記下層配線上の前記第１バリアメタルを除去する。前記下層配線の表面をウェット処理し、前記第１バリアメタル上及び前記下層配線上に、第２のバリアメタル（２２）を形成する。 （もっと読む）

【課題】メチル基を含有する層間絶縁膜を有する多層配線構造を備え、信頼性が向上された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】低誘電率絶縁膜３を形成し、低誘電率絶縁膜３に、配線層２に達する開口孔４を形成し、水素またはアンモニアを含むガスを用いたプラズマ処理を行い、フルオロカーボンを含むガスを用いたプラズマ処理を行って、コンタクト不良やボイドの発生を抑制するようにした。これにより、抵抗の上昇や断線などを防止して、信頼性が大きく向上された半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】下層構造の影響を抑制して高精度にパターン形状管理を行うことができる配線構造およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１上の絶縁膜１１１に形成された配線パターン１１８と、基板１上の絶縁膜１１１における配線パターン１１８とは異なる領域に形成されて測定光が照射される測定用パターン１１９と、測定用パターン１１９の直下に形成された光透過抑制膜１０９とを備え、測定用パターン１１９は、配線パターン１１８と同一のパターンであり、光透過抑制膜１０９は、測定用パターン１１９を構成する絶縁膜１１１の材料の光透過率よりも小さい光透過率を有する材料からなることを特徴とする配線構造。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の形成時にギャップフィル特性を確保でき、コンタクトホールの形成時に開口不良を防止できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板２００上に少なくとも１つ以上のゲートパターン２０１を形成するステップと、ゲートパターン２０１を含む基板上に第１の絶縁膜を形成するステップと、周辺領域の第１の絶縁膜をエッチングし、周辺領域の少なくとも１つ以上のゲート側壁スペーサ２０３Ｂ、２０４Ｂを形成するステップと、ゲート側壁スペーサ２０３Ｂ、２０４Ｂを含む基板上に第２の絶縁膜を形成するステップと、セル領域の第２の絶縁膜２０６Ａを所定の厚さにエッチングするステップと、第２の絶縁膜を含む基板全体上に層間絶縁膜を形成するステップと、セル領域の層間絶縁膜、第１の絶縁膜２０３Ａ、及び第２の絶縁膜２０６Ａをエッチングし、コンタクトホールを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】安価で、環境負荷の少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】アルマイトからなる部材を備えたチャンバー内でSF₆含有ガスを用いたプラズマ処理を行う半導体装置の製造方法において、前記SF₆含有ガスを用いたプラズマ処理後に、前記アルマイトからなる部材に還元剤を接触させることを特徴とする半導体装置の製造方法など。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に、コンタクトプラグとワード配線のショートを防止することができる信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】上面及び側面が酸化シリコン膜２４及びサイドウォール２５で覆われたワード配線５を形成した後、ワード配線５を覆って全面に非晶質炭素膜からなる犠牲層間膜を形成する。そして、この犠牲層間膜をエッチングして第１コンタクトホールを形成した後、この第１コンタクトホール内に第１コンタクトプラグ７、８を形成する。その後、犠牲層間膜を除去して、半導体基板１上にコンタクトプラグの柱を形成し、その上に第１層間絶縁膜を形成する。この第１層間絶縁膜を表面から一部除去し、第１層間絶縁膜の表面に第１コンタクトプラグの上端面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示デバイスの大型化にも対応すべく、Ａｌ合金膜と透明画素電極との間の接触抵抗を低減できるエッチング条件を特定し、応答速度の速い表示デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＡｌ合金膜を形成する工程と、Ａｌ合金膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、Ａｌ合金膜に接触するように透明導電膜を形成する工程とを含む表示デバイスの製造方法において、コンタクトホールを形成する工程は、少なくとも六フッ化硫黄ガス、酸素ガス、及び希ガスを含む雰囲気中で行われるドライエッチング工程を含むとともに、０．４≦（酸素ガスの流量）／［（六フッ化硫黄ガスの流量）＋（酸素ガスの流量）］≦０．９の条件を満足させる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率絶縁材料を含む層間絶縁膜において、層間絶縁膜の機械的強度や耐圧を維持しつつ配線間容量を低減した配線構造を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜に配線層が埋め込まれた配線構造において、配線層に隣接する層間絶縁膜が、拡散防止膜、多孔質絶縁膜、およびキャップ膜の３層構造からなり、キャップ膜がＳｉＯＣまたはＳｉＯ_２からなる。また、かかる配線構造の製造方法が、第１キャップ膜を選択的にエッチングするエッチング工程と、半導体基板の上面を覆うように、ＳｉＯＣまたはＳｉＯ_２からなる第２キャップ膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量素子の占有面積を小さくすることが可能な薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、基板１上に形成され、ソース／ドレイン領域を有する半導体層３と、ゲート絶縁膜４と、ゲート電極５と、層間絶縁膜６ａと、ソース／ドレイン領域に接続する配線電極７１、７２と、保護膜８と、配線電極７２に接続する画素電極９と、半導体層３より延在して形成された下部容量電極３ａと、ゲート電極５と同じ層によって形成され、ゲート絶縁膜４を介して下部容量電極３ａの対面に配置された共通配線電極５ａと、層間絶縁膜６ａより膜厚の薄い誘電体膜（保護膜８）を介して共通配線電極５ａの対面に配置された上部容量電極９ａと、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】水素化シリコンオキシカーバイド材料に基づく低−ｋ誘電体材料に特に有用な酸素フリーの水素プラズマアッシングプロセスを提供する。
【解決手段】メインアッシング工程は、水素（５０）及び任意の窒素（５４）、大量の水蒸気（６０）、更に大量のアルゴン（８０）又はヘリウムのプラズマ（４８）に、予めエッチングしておいた誘電体層を露出することを含む。ポーラス低−ｋ誘電体については特に、メインアッシングプラズマは、更に、メタン等の炭化水素ガス（８４）を含有する。メインアッシングは、水素及び任意の窒素等の水素含有還元ガスのプラズマにより、短い表面処理を施しておいてもよい。 （もっと読む）

【課題】タングステン配線の断面形状を良好にすることにより、配線抵抗の増大及び配線信頼性の低下を防ぐ。
【解決手段】先ず、下地１００を用意して、下地上に、バリア膜１２０、配線膜１３０及びマスク膜１４０を順次に積層する。バリア膜及びマスク膜が窒化チタンであり、配線膜がタングステンである。次に、マスク膜上に、反射防止膜１５０を塗布する。次に、反射防止膜上に、レジスト膜を形成した後、フォトリソグラフィによりパターニングして、レジストマスク１６０を形成する。レジストマスクは、配線形成領域１０５を覆い、かつ配線非形成領域１０７を露出する。次に、フッ素系ガスを用いたエッチングにより反射防止膜のパターニングを行う。次に、塩素系ガスを用いたエッチングによりマスク膜のパターニングを行う。次に、フッ素系ガスを用いたエッチングにより配線膜のパターニングを行う。 （もっと読む）