【課題】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ合金が埋め込まれた半導体配線を製造するに当たり、凹部にＣｕ合金を埋め込むことができ、しかも配線の電気抵抗率を上げることなく絶縁膜とＣｕ配線の界面にバリア層を形成することができる配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた、最小幅が０．１５μｍ以下で、該最小幅に対する深さの比［深さ／最小幅比］が１以上である凹部の表面に、Ｔｉを０．５〜３原子％とＮを０．４〜２．０原子％含有するＣｕ合金を形成した後、２００℃以上、５０ＭＰａ以上に加熱加圧して前記凹部内に前記Ｃｕ合金を埋め込むことによって半導体配線を形成すればよい。 （もっと読む）

【課題】低減された誘電率を有する誘電体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の態様では、低減された誘電率を有する誘電体を製造する第１の方法を提供する。第１の方法は、（１）基板上のトレンチを含む誘電体層を形成するステップと、（２）誘電体の実効誘電率を減少させるために、トレンチの側壁および底部のうちの少なくとも一方に沿って、誘電体層内に複数の空隙を形成することにより、誘電体層内にクラッディング領域を形成するステップとを含む。他の多数の態様を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体埋込型配線の製造に用いられる金属薄膜であって、高温高圧処理時に優れた高温流動性を示すと共に、電気抵抗率が低く、高品質を安定して発揮する半導体装置用配線を得ることのできる半導体装置の配線用金属薄膜、およびこれを用いて得られる半導体装置用配線を提供する。
【解決手段】Ｎを０．４ａｔ%以上２．０ａｔ%以下含むＣｕ合金からなるものであることを特徴とする半導体装置の配線用金属薄膜、および半導体基板上の凹部を有する絶縁膜上に、上記金属薄膜を形成後、高温高圧処理して該金属薄膜を上記凹部内に埋め込むことにより形成されることを特徴とする半導体装置用配線。 （もっと読む）

【課題】銅の抵抗上昇を招くことなく埋め込まれた銅中に拡散されたマンガンを効率良く除去することで、マンガンシリケート膜をバリアに用いた低抵抗な銅配線の実現を可能とする。
【解決手段】絶縁膜（第２絶縁膜１４）に形成された凹部（配線溝１５）の内面にマンガンを含む銅のシード層１６を介して前記凹部（配線溝１５）内を銅膜１７で埋め込んだ後、前記銅膜１７表面に少なくとも水蒸気を含む雰囲気または水が接する状態で、もしくは、前記銅膜１７表面に少なくとも二酸化炭素を含む雰囲気が接する状態で、熱処理を行う工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ上に塗布された塗布膜を十分に平坦化して乾燥する。
【解決手段】 平坦化装置７１の処理容器１２０内に，ヒータ１２２が内蔵された保持台１２１が設けられる。保持台１２１の上方には，下面が平坦に形成された押圧板１３０が配置される。押圧板１３０は，昇降駆動部１３２により昇降可能であり，保持台１２１上に下降して，ウェハＷのレジスト膜を押圧できる。レジスト液が塗布されたウェハＷを保持台１２１上に載置する。保持台１２１上のウェハＷをヒータ１２２により所定の温度で加熱して，レジスト膜を乾燥させる。その乾燥中に，押圧板１３０によりレジスト膜の上面を断続的に押圧して平坦化する。 （もっと読む）

本発明は、プラズマエッチング処理のような作製方法によって損傷した、例えば、電子基板、半導体チップ、ウェハなどに関連する誘電体材料を含む材料を改質するための方法に関する。記載する方法は、例えばヤング率によって測定される構造的完全性のみならず、例えば液体/表面界面の接触角によって測定される疎水性をも改善する。

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【課題】 比較的簡単な製造工程によって膨大な数の配線を実装することができると共に、極めて高い歩留まりで製造することが可能な電子回路装置とその製造方法を提供し、併せてクロック信号のＧＨｚオーダーへの高周波化に伴う高速信号伝送を実現可能な配線構造を実現する。
【解決手段】 複数の電子回路素子と、当該電子回路素子を相互接続する配線層とを有する半導体基板１００と、多層配線層を内蔵する多層配線構造２００とを備える。半導体基板１００の前記配線層の表面と多層配線構造２００の接合面とが、接続用電極を用いてあるいは接続用電極を用いずに電気的・機械的に相互接続されることによって、前記半導体基板と前記多層配線構造とが一体化されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基材に特徴を形成するための改善された方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基材上に多孔質の誘電体層を形成する工程；当該多孔質の誘電体層の第１の部分を除去して第１のエッチング領域を形成する工程；当該第１のエッチング領域を、前記多孔質の誘電体層と類似のドライエッチ特性を有する多孔質の犠牲光吸収材料で満たす工程；当該多孔質の犠牲光吸収材料の一部と前記多孔質の誘電体層の第２の部分を除去して第２のエッチング領域を形成する工程；及び前記多孔質の犠牲光吸収材料のエッチ速度が前記多孔質の誘電体層のエッチ速度よりも高いプロセスを用いることにより、当該多孔質の犠牲光吸収材料の残りの部分を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】溶融金属充填法における歩留まりや品質の向上を目的として、溶融金属の表面の金属酸化物が基板に付着することを防止する。
【解決手段】内部を減圧する減圧手段１４ａ，１４ｂおよび内部を加圧する加圧手段１５ａ，１５ｂを備えたチャンバー１１と、このチャンバー１１内にて金属を加熱溶融することのできる金属溶融装置１６とを備え、基板２に形成された微細孔へ金属を充填する金属充填装置１０Ａにおいて、前記金属溶融装置１６に、加熱溶融された金属６の表面７を清浄に保つ金属表面浄化機構２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 大気圧未満に減圧された環境下においても加熱対象物を効率的に加熱することができる加熱装置を提供する。
【解決手段】 気密構造を有するチャンバ８内に、加熱対象物１を収容した収容槽２と、収容槽２と熱的に結合し、外部から給電されて発熱を生じることにより、収容槽２を介して加熱対象物１を加熱する発熱構造体４と、発熱構造体４と収容槽２とに接触した状態で両者の間に介在し、両者を熱的に結合させる熱伝導媒体５とが配置される。発熱構造体４によって加熱対象物１を目標温度に加熱する過程で熱伝導媒体５が溶融する。溶融した熱伝導媒体５が、発熱構造体４と収容槽２との間の隙間を埋める。 （もっと読む）

【課題】 第１の目的：半導体の配線幅を狭く設計しても該配線幅に対応する凹部に確実に埋め込むことのできる半導体配線用金属薄膜を提供する。第２の目的：上記半導体配線用金属薄膜を半導体基板に設けられた凹部に埋め込むことにより形成される半導体配線を提供する。第３の目的：こうした半導体配線を製造する方法を提供する。
【解決手段】 上記第１の目的を解決できる半導体配線用金属薄膜とは、凹部を有する半導体基板の表面に積層される金属薄膜であって、前記金属薄膜は、Ｃｕ系金属で構成される薄膜が、Ｃｕ系以外の金属で構成される１つ以上の薄層で分断されたものである。 （もっと読む）

【課題】 第１の目的：半導体装置に使用される配線用Ｃｕ合金であって、半導体の配線幅を狭く設計しても該配線幅に対応する凹部に確実に埋め込むことのできる半導体配線用Ｃｕ合金を提供する。第２の目的：半導体基板に設けられた凹部に上記半導体配線用Ｃｕ合金を埋め込むことによりＣｕ合金からなる配線を形成する製法を提供する。第３の目的：上記製法で得られるＣｕ合金配線を有する半導体装置を提供する。第４の目的：半導体のＣｕ合金配線を形成する際に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 第１の目的を解決できる半導体配線用Ｃｕ合金とは、Ｓｂ：０．１０〜１０原子％、Ｂｉ：０．０１０〜１．０原子％、および、Ｄｙ：０．０１〜３原子％よりなる群から選ばれる少なくとも１種を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる半導体配線用Ｃｕ合金である。 （もっと読む）

【課題】 電気抵抗率が低く、膜の緻密性や絶縁膜との密着性に優れているといった高品質を安定して発揮する信頼性の高い半導体装置用のＣｕ系配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に形成された凹部を有する絶縁膜２の表面に、ＣｕまたはＣｕ合金（以下「Ｃｕ系金属」という）よりなる薄膜５をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Ｃｕ系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線形成方法。スパッタリングガス種：水素ガスと不活性ガスの混合比率（％）が５：９５〜２０：８０である混合ガス、基板温度：０〜−２０℃。 （もっと読む）