【課題】 ランプアニールにより効果的に被処理膜を加熱処理するための方法を提供する。
【解決手段】 基板１０１の上面側からは紫外光ランプ１０４を用いて紫外光１０７が照射される。また、基板１０１の下面側からは赤外光ランプ１０８を用いて赤外光１１１が照射される。本発明では赤外光照射による振動励起効果に加えて紫外光照射による電子励起効果が付加されるため、被処理膜１０３の励起効率が大幅に高まり、効果的な加熱処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有する半導体装置の製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 パッド電極１１に対応した位置で半導体基板１０を貫通するビアホール１６を形成する。次に、ビアホール１６を含む半導体基板１０の裏面上に絶縁膜１７を形成する。次に、半導体基板１０の裏面上に、ビアホール１６の開口部の縁でオーバーハング部１８ａを有する補強用絶縁膜１８を形成する。そして、補強用絶縁膜１８をマスクとして、ビアホール１６の側壁の絶縁膜１７を残存させつつ、当該底部の絶縁膜１７をエッチングして除去する。次に、ビアホール１６を含む半導体基板１０の裏面に、貫通電極２１、配線層２２、及び導電端子２４を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】既存の金属配線パターンマスクを用いてダマシン工程を実施しながら層間絶縁膜の幅を最大限確保し、金属配線間の間隔を広めて相互干渉を防止することにより、半導体素子の誤動作を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜１１〜１４の形成された半導体基板を提供する段階と、金属配線パターンマスクを用いたエッチング工程によって前記絶縁膜をパターニングして溝を形成するが、前記エッチング工程の際に発生するポリマーの量を制御し、パターニングされる前記絶縁膜の上部コーナー部位にラウンディング(rounding)１６を形成する段階と、前記溝が埋め込まれるように金属配線を形成する段階と、このラウンディング部が除去されるようにＣＭＰ工程により全体構造上部を平坦化する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】駆動側基板上の信号線と対向側基板上の透明電極との間に形成される寄生容量が大きいと、信号線によって伝送される映像信号に波形のなまりや遅延が生じたり、あるいは基板外部から映像信号を供給する駆動ＩＣの負荷が増大したりする。
【解決手段】ガラス基板４１（駆動側基板）上の第２のガラス基板（対向側基板）４２と対向する領域内に信号線３３（３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂ，３３Ｐ）を配線する配線構造を採る場合において、ガラス基板４１上の酸化膜４３に凹部４５を形成し、この凹部４５内に信号線３３を配線することにより、透明電極４４と信号線３３との間の距離を拡大して透明電極４４と信号線３３との間に形成される寄生容量を低減する。 （もっと読む）

【課題】 ボイドの発生の有無を短時間で且つ容易に確認できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に複数の配線パターン１〜４を形成する工程と、前記絶縁膜及び前記複数の配線パターンの上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に該層間絶縁膜とは異なる物質（例えばＷ）からなる物質層を堆積する工程と、前記複数の配線パターンのうち隣り合う配線２，３間の容量を測定する工程と、前記容量が所定値より小さい場合は、前記隣り合う配線間に位置する該層間絶縁膜の少なくとも一部にボイドが形成されていると判断し、前記容量が所定値以上の場合は、前記隣り合う配線間に位置する該層間絶縁膜にボイドが形成されていないと判断する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 多層配線構造における上層配線の下層配線に対する接続部の形成にあたり、その接続導体の接続部の清浄化処理において問題となる特性劣化を確実に回避する。
【解決手段】 下層配線溝(第１配線溝)１１ｇ内の埋込み配線（第１埋込み配線）１１ｂに上層配線(第２埋込み配線)１２ｂが接続導体１２ｃを介して接続される構成において、接続導体１２ｃの形成時の第１埋込み配線１１ｂ表面の水素ラジカルないしは水素ブラズマによる清浄化に耐性を有する保護膜７を、この清浄化の雰囲気にさらされ侵食される第２埋込み配線１２ｂが埋め込まれる配線溝１２ｇ、接続導体１２ｃが充填される配線接続孔１２ｈの内表面に形成することによって、上述した清浄化に際して絶縁層が侵食されることを回避し、充分な洗浄を行うことができるようにして特性劣化の改善を図る。 （もっと読む）

【課題】 スタックコンタクトにおける接触抵抗を抑制させる。
【解決手段】 基板と、基板上に設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの上層側に設けられた配線と、該配線と薄膜トランジスタの少なくとも半導体層とを層間絶縁する層間絶縁層と、該層間絶縁層に掘られており且つ基板面上で平面的に見て長手状に延びる第１の穴、及び、夫々、第１の穴の底部から層間絶縁層を貫通して半導体層の表面に至り且つ第１の穴の長手方向に沿って配列された複数の第２の穴を含んでおり、配線と半導体層とを層間絶縁層を介して接続するコンタクトホールとを備える。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の表面の荒れを防ぐ半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板１１上に層間絶縁膜１２を形成し、層間絶縁膜１２上にレジスト膜１４を形成し、レジスト膜１４にパターンを形成し、レジスト膜１４のパターン上面に表面膜１６を形成し、層間絶縁膜１２をエッチングする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 十分なエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、絶縁材料からなる第１の層間絶縁膜が形成されている。第１の層間絶縁膜をビアホールが貫通する。ビアホール内に、銅または銅を主成分とする合金からなる導電プラグが充填されている。第１の層間絶縁膜の上に、絶縁材料からなる第２の層間絶縁膜が形成されている。第２の層間絶縁膜に、導電プラグ上を通過して導電プラグの上面を露出させる配線溝が形成されている。配線溝内に、銅または銅を主成分とする合金からなる配線が充填されている。導電プラグ中の炭素、酸素、窒素、硫黄、及び塩素の原子濃度の合計が、配線中の炭素、酸素、窒素、硫黄、及び塩素の原子濃度の合計よりも低い。 （もっと読む）

プラズマ処理システムにおいて、処理の閾値決定方法について開示する。該方法は、処理開始部と、実質的に定常状態部、処理終了部を含むプラズマ処理に基板を曝す工程を有する。また該方法は、実質的に定常状態部における第一データセットを収集する工程と；分散要因と残差要因とからなる群より選択される少なくとも一つの統計的モデル要因を含む第一統計モデルを作成する工程と；第二データセットを収集する工程を有する。さらに、該方法は、処理の閾値が達成されるように、第一統計モデルの要因とは実質的に異なる統計的モデル要因を含む第二統計モデルを作成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有した半導体装置の製造方法において、工程を簡略化して製造コストを極力低く抑えると共に、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０の表面に第１の絶縁膜１１を形成し、その一部をエッチングして、半導体基板１０の一部を露出する開口部１１ａを形成する。次に、開口部１１ａ内から第１の絶縁膜１１上に延びるパッド電極１２を形成する。半導体基板１０の裏面上には第２の絶縁膜１５を形成する。次に、開口部１１ａよりも大きい開口径を有したビアホール１６を形成する。そして、ビアホール１６内から第２の絶縁膜１５上に延びる第３の絶縁膜１７を形成し、ビアホール１６の底部の第３の絶縁膜１７をエッチングしてパッド電極１２を露出する。その後、ビアホール１６内に貫通電極１９及び配線層２０を形成する。最後に、半導体基板１０を複数の半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 発光装置、特に発光装置が有する画素部の高精細化、高開口率化が進むにつれて、より幅の小さい配線を形成することが要求されている。しかしインクジェット法を用いて配線を形成する場合、配線形成表面でドットが広がってしまい、配線の幅を小さくすることが難しかった。
【解決手段】 本発明は、配線形成表面に光触媒物質を形成し、該光触媒物質の光触媒活性を利用して配線を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。インクジェット法により、光触媒物質上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出することにより、ドットの径より狭い、つまり幅の小さい配線を有する発光装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】水素の触媒作用によるコンタクトプラグ不良を防止する。
【解決手段】ソース領域、ドレイン領域およびゲートからなるトランジスタが集積化された半導体基板上に、前記ソース領域またはドレイン領域に接続されたコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグに接続された下部電極と、前記下部電極の間に埋め込まれた酸素バリアを有する絶縁膜と、前記容量絶縁膜に形成された上部電極からなる強誘電体キャパシタにおいて、前記下部電極が酸素に対する導電性バリアを含み、さらに前記下部電極と絶縁膜との間に前記下部電極との反応を防止するための絶縁性反応防止膜を備えた構造になっている。 （もっと読む）

【課題】 配線膜厚が２００〜１０００ｎｍ程度のサブμｍオーダの薄膜でも２．５μΩｃｍ以下の比抵抗を得ること配線層の形成方法および配線層を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板１上に下地絶縁膜２の窒化シリコン膜を形成し、この上に下地金属層３を形成し、この上に金属シード層４を形成し、この金属シード層４上に金属配線層７を形成した配線層であって、上記金属シード層４は主として結晶面が（１１１）に配向し、平均結晶粒径が０．２５μｍ以上であり、上記金属配線層は膜厚が２００乃至１０００ｎｍであり、無電解めっき法で形成された層である。 （もっと読む）

【課題】 印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能で、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。
【解決手段】 少なくとも第一の導電性材料７上に、絶縁性材料層２が積層され、その上に第二の導電性材料５が積層されている積層構造体１において、記絶縁性材料層２が、絶縁機能とエネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する機能とを有する絶縁性濡れ変化層で構成され、第二の導電性材料５が絶縁性濡れ変化層の高表面エネルギー部３の部位に形成した。 （もっと読む）

【課題】 大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性が高く、かつ、腐食に対する信頼性の高い配線を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 銅配線層３０と、銅配線層３０に比べ酸素による腐食の少ないアルミ配線層３２を銅配線層３０の上に形成した積層構造の配線層３３を形成する。したがって、配線層３３が銅配線層３０を有するため、エレクトロマイグレーションによる断線が生じ難く、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性を向上させることができる。また、配線層３３形成後に配線層３３が露出した状態で酸素を含む雰囲気中における処理を行なう場合でも、配線層３３が腐食されにくい。すなわち、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性が高く、かつ、腐食に対する信頼性の高い配線層３３を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 配線の終端部におけるボイドの爆発により配線に損傷が生じるのを抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁膜１１上に、複数の配線１３ａを互いに並ぶように形成すると共に、複数の配線１３ａの端部１３ｃ近傍に、複数の配線１３ａと交わる方向にダミーパターン１３ｂを形成する。次いで、絶縁膜１１上、複数の配線１３ａ上、及びダミーパターン１３ｂ上に、第２の絶縁膜を形成する。その後、絶縁膜１１、複数の配線１３ａ、ダミーパターン１３ｂ及び第２の絶縁膜を加熱し、配線１３ａ相互間のボイドが膨張しても、ダミーパターン１３ｂが設けられているため、配線端部の近傍でボイドが爆発するのを防止でき、それにより配線が損傷することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】半導体を実装する実装面積のデッドスペースをできるだけ小さくし、実装基板の小型化をするためにスリット孔を赤外線機能付のダイシング装置を用いて、正確にスリット孔を形成し、半導体基板を所定サイズに分割することにより、外部電極と接続するリード端子、保護用の封止モールドを不要とすることができ、且つ、外観寸法を著しく小型化した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体チップ１００と第２の半導体チップ６０を実装するにあたり、第１の半導体チップ１００の上に配線を設ける。配線は、第２の半導体チップ６０の真下からその周囲に延在される。 （もっと読む）

【課題】 クロストークによるノイズを排除できる貫通電極を提供する。
【解決手段】 貫通基板は、表面１１と裏面１２とを貫通する貫通孔１９を有するシリコン基板１０と、貫通孔１９の内壁面に沿って設けられた、シリコン酸化膜１３と、シリコン酸化膜１３の内壁面に形成されたＺｎおよびＣｕの層１４，１５と、ＺｎおよびＣｕの層１４，１５の内壁面に沿って、間に絶縁層１６を介して、Ｃｕのシード層１７から成長されたＣｕのメッキ層１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】 大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いたパターン形成装置を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明では、液滴吐出法を用いたパターン形成装置と、加熱処理室をそれぞれ複数設置し、それぞれを一つの搬送室と連結させたマルチチャンバー方式とし、吐出と焼成とを効率よく行って生産性を向上させる。パターン形成装置にブロー手段を設け、着弾直後にガスの吹きつけを基板の走査方向（或いは吐出ヘッドの走査方向）と同じ方向に行い、ガス流路中に加熱ヒータを設けて局所的に焼成を行う。 （もっと読む）