【課題】 本発明の目的は、低抵抗であって且つ絶縁膜及び配線との間で高い密着性を有するバリアメタル膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、基板（１）上に形成された絶縁膜（６，８）と、絶縁膜（６，８）中に形成された埋め込み配線（１４）と、絶縁膜（６，８）と埋め込み配線（１４）との間に形成されたバリアメタル膜（Ａ１）とを有する。バリアメタル膜（Ａ１）は、絶縁膜（６，８）が存在している側から埋め込み配線（１４）が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜（１１）、遷移層（１２ａ）及び金属膜（１３）よりなり、遷移層（１２ａ）は、金属酸化物膜（１１）の組成と金属膜（１３）の組成とのほぼ中間的な組成を有する単一の原子層よりなる。 （もっと読む）

【課題】 多孔質絶縁膜を含む層間絶縁膜の誘電率を実効的に低減させ、微細で高信頼性のダマシン配線を有する半導体装置の実用化を容易にする。
【解決手段】 下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１層間絶縁膜２に設けられたビアホール３内にその側壁に設けられた第１側壁保護膜４を介して第１バリア層５およびビアプラグ６が形成される。同様に、多孔質の第２低誘電率膜７ｂを含む第２層間絶縁膜７のトレンチ８内にその側壁に設けられた第２側壁保護膜９を介して第２バリア層１０および上層配線１１が形成される。ここで、第１側壁保護膜４および第２側壁保護膜９は多孔質の低誘電率膜で成り、その空孔の含有率は３０％以下であり、空孔の寸法は２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法によりシリコン層のディッシングを抑制でき、安定した平坦性を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、（１）凸部を有するシリコン層を覆う絶縁層のうちシリコン層の凸部の上方部分を除去することにより、シリコン層を露出させる工程と、
（２）前記絶縁層の残部でシリコン層を保護しながら、シリコン研磨用スラリーで露出したシリコン層を化学機械研磨する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置、例えばＳＲＡＭのメモリセルのα線によるソフトエラーを低減する。
【解決手段】基板１ａをエッチングして第１配線溝ＨＭ１を形成し、第１配線溝ＨＭ１下の素子分離２（または素子分離溝２および絶縁層１ｃ）をエッチングして第２配線溝ＨＭ２を形成し、第１配線溝ＨＭ１および第２配線溝ＨＭ２の内壁に沿って局所配線１６ａ，１６ｂを形成し、一方の局所配線１６ａを下部電極ＥＬとして、その下部電極ＥＬ上に容量絶縁膜となる窒化シリコン膜１７、さらに上部電極ＥＵを形成することにより、容量ＣＡ１の面積を増加させて、メモリセルの記憶ノードに相対的に大きな静電容量を付加する。 （もっと読む）

【課題】静電破壊耐性を向上し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極とドレイン領域とソース領域とを有する半導体装置であって、ドレイン領域は、ゲート電極の第１の側に形成された第１導電型の第１の不純物拡散領域１８ａと；第１の不純物拡散領域より深く形成された第１導電型の第２の不純物拡散領域２０ａと；第１の不純物拡散領域より浅く形成され、不純物拡散層より不純物濃度が高い第１導電型の第３の不純物拡散領域２８ａ、２８ｂと；第３の不純物拡散領域上に形成され、ドレインコンタクト部２２Ｄに接続されるシリサイド膜３２ａ、３２ｂとを有し、ドレインコンタクト部とサイドウォール絶縁膜との間にシリサイド膜が形成されていない領域が存在しており、ドレインコンタクト部の下方の半導体基板内に第２の不純物拡散領域が形成されていない。 （もっと読む）

本発明は、層構造の製造方法に関するものである。導電層および犠牲層をパターニングし、形成する。これらの層の上に、電気絶縁層を形成し、犠牲層の表面領域が露出するようにパターニングする。該露出した領域を除去し、そうすることによって露出したパターン形成された導電層の表面領域を、導電性材料からなる構造によって覆う。
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本発明は、ｌｏｗ−ｋ誘電体高分子のクラッキングを最小限に抑制するプロセスに関する。実施の一形態では、プラズマ蒸着された酸化シリコンＳｉＯ_Ｘで不動態化された金属層（２２０）上に配置される複合誘電体（２３０，２４０，２５０，２６０）を半導体基板（２００）上に形成する方法がある。その方法は、プラズマ蒸着された酸化シリコンＳｉＯ_Ｘ（２２０）で保護された金属層（２１０）上にスピンオン誘電体からなる第１の所定の厚さの第１の層を堆積させるステップ（３１０，３２０）を含む。次に、第２の所定の厚さの薄い応力緩和層（２４０）が、スピンオン誘電体からなる第１の層（２３０）上に堆積される（３３０）。薄い応力緩和層（２３０）上には、スピンオン誘電体からなる第３の所定の厚さの第２の層（２５０）が堆積される（３４０，３５０）。ｌｏｗ−ｋスピンオン誘電体は、水素メチルシルセスキオキサン（ＨＳＱ）及びメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）を含んでいてもよい。
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【課題】低ｋ材料上にタンタル−窒化物（ＴａＮ）拡散バリア領域を堆積する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、チャンバにおいてタンタル系前駆物質および窒素プラズマからプラズマ増強原子層堆積（ＰＥ−ＡＬＤ）を実行することによって、低ｋ材料基板（１０２）上に保護層（１０４）を形成することを含む。保護層（１０４）は、そのタンタル含有量よりも大きい窒素含有量を有する。次いで、タンタル系前駆物質ならびに水素および窒素を含むプラズマからＰＥ−ＡＬＤを実行することによって、次の実質的化学量論的タンタル−窒化物層を形成する。また、本発明は、このように形成したタンタル−窒化物拡散バリア領域（１０８）も含む。一実施形態において、金属前駆物質は、五塩化タンタル（ＴａＣｌ₅）を含む。本発明は、低ｋ材料とライナ材料との間に鮮鋭な界面を生成する。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム処理を用いた多孔質超低ｋ値（ＵＬＫ）絶縁体材料内に二重ダマシン構造を形成する方法に関して開示する。これらの方法においては二重ダマシンＵＬＫ処理中におけるハードマスク層を最小にし、最終的なＵＬＫ二重ダマシン構造内には、ハードマスク層が存在しない。ガスクラスターイオンビームのエッチング処理、緻密化処理、孔のシーリング処理、アッシング処理の各方法が記載されており、該方法は、材料の除去と同時にＵＬＫインターフェースの緻密化を進行させる。緻密なインターフェースとハードマスクがない新規なＵＬＫ二重ダマシン構造が含まれている。 （もっと読む）

コンタクトエッチストップ層（１１６）を設けることによって、異なるトランジスタ型（１００Ｎ），（１００Ｐ）のチャネル領域内の応力を効果的に制御することができる。その際、コンタクトエッチストップ層（１１６）の引張応力部分と圧縮応力部分は、ウェット化学エッチング、プラズマエッチング、イオン注入、プラズマ処理などの十分に確立されたプロセスによって得ることができる。このため、プロセスを著しく複雑にすることなく、トランジスタ（１００Ｎ），（１００Ｐ）の性能を大きく改善することができる。
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【課題】半導体デバイスの形成方法および該方法によって形成されたデバイスを提供すること。
【解決手段】第１の誘電材料（１２ａ〜ｆ）と第２の誘電材料（１４ａ〜ｆ）の互層を付着させる。ここで、第１の誘電材料と第２の誘電材料は異なる速度で選択的にエッチング可能である。誘電材料の互層内に第１のフィーチャ（２２、２４）を形成する。誘電材料の互層を選択的にエッチングして、第１の誘電材料を有するそれぞれの層内の第１の誘電材料の少なくとも一部分（２６）を除去し、第２の誘電材料は本質的にエッチングされていないままにしておく。 （もっと読む）

本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

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【課題】 半導体装置用のバックエンド工程伝送線路構造を提供する。
【解決手段】 半導体装置用の伝送線路構造（３００）を形成する方法は、第１のメタライゼーション層上に層間絶縁膜を形成するステップと、前記層間絶縁膜の一部を除去するステップと、前記層間絶縁膜の一部の除去により生じた一つ以上のボイド（３０８）内に犠牲材を形成するステップとを含む。前記層間絶縁膜上に形成された第２のメタリゼーション層中に信号伝送線路（３０２）が形成され、該信号伝送線路（３０２）は前記犠牲材上に設けられている。前記第２のメタリゼーション層中に含まれる誘電体の一部が除去されて前記犠牲材が露出され、このとき該犠牲材の一部は前記信号伝送線路（３０２）を貫通して形成された複数のアクセスホール（３１０）を介して露出される。前記犠牲材は除去され、それにより前記信号伝送線路（３０２）の下部にエアギャップが形成される。 （もっと読む）

実施例はエッチング材料の供給（２１０）、水素を含む混合ガスの適用（２３０）、プラズマの発生（２４０）、エッチング材料のエッチング（２５０）を含むエッチング方法（２００及び１６００）を含む。エッチング材料は低ｋ誘電性材料を含み得る。混合ガスは水素ガス、水素非含有フルオロカーボン、窒素ガスを含み得る。また、１つ以上のハイドロフルオロカーボンガス、不活性ガス、及び/又は一酸化炭素を含み得る。水素ガスとしては、Ｈ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_４、ＮＨ_３、及び／又はＨ_２Ｏガスを含む、二原子水素、炭化水素、シラン、及び／又はフッ素非含有水素ガスであってもよい。水素非含有フルオロカーボンガスはＣ_ｘＦ_ｙガス（ｘ≧１、ｙ≧１）、ハイドロフルオロカーボンガスはＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚガス（ｘ≧１、ｙ≧１、ｚ≧１）であってもよい。混合ガスは酸素非含有であってもよい。実施例は減圧、低流量水素、１つ以上のプラズマ周波数を含み得る。

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【課題】 誘電率が低く、熱安定性を有する誘電材料を提供する。
【解決手段】 プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスを利用して、平行板化学気相成長プロセスにおいて、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨ原子を含む熱的に安定した超低誘電率膜を製造するための方法を開示する。更に、この方法によって作成された熱的に安定した超低誘電率材料の絶縁層を含む電子デバイスを開示する。熱的に安定した超低誘電率膜の製造を可能とするため、例えばジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）のようなシラン誘導体、および、例えばビシクロヘプタジエンおよび酸化シクロペンテンのような有機分子等、特定の前駆物質材料を用いる。 （もっと読む）

本発明は、感光性材料の層が直接にパターン化される方法を提供する。その後、感光性材料は、少なくとも部分的に分解され、層内にボイドまたは空隙を残し、低減された抵抗キャパシタンス遅延特性を有する低誘電率の層を提供する。
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本発明は、半導体構成に関連して電気的接続を形成する方法を含む。その上に導電線路を有し、導電線路に隣接して少なくとも２つの拡散領域を有する半導体基板が設けられる。パターン化されるエッチ・ストップが拡散領域の上に形成される。パターン化されるエッチ・ストップは、開口を貫通して延びる１対の開口を有し、開口は導電線路の軸に実質的に平行に一列に並んでいる。絶縁材料がエッチ・ストップ上に形成される。絶縁材料は、絶縁材料内にトレンチを形成し且つ開口をエッチ・ストップから拡散領域まで延ばすために、エッチングに対して露出される。トレンチの少なくとも一部分は開口の直上にあり、線路の軸に沿って延びる。導電材料が開口内とトレンチ内に形成される。
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有機メモリセルの製造中などに実施されうるものなど、導電層上にパッシブ層を形成するためのシステムおよび方法が開示され、これは、一般に、従来の無機メモリデバイスに固有の不具合を低減させる。パッシブ層は硫化銅（Ｃｕ_２Ｓ）などの導電促進化合物を含み、これは、導電材料の上部から形成される。この導電材料はメモリセルにおいて下部電極として作用し、導電材料の上部が、フッ素（Ｆ）系ガスから生成されたプラズマによる処理によってパッシブ層に変換されうる。
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【課題】
【解決手段】集積回路の配線構造を形成する方法が、誘電材料の層（１３）内に複数のフィーチャ（１６）を形成するステップと、フィーチャの側壁（１６ｓ）にスペーサ（２０）を形成するステップとを含む。次に、スペーサによって側壁から分離された導体（２５）をフィーチャ内に形成する。その後、スペーサを除去して側壁のところに空隙（４０）を形成し、それによって導体が空隙によって側壁から分離されるようにする。導体の上下の誘電体層（４２、１２）は、導体間の誘電体の誘電率よりも低い誘電率を有する低ｋ誘電体とすることができる。各導体（２５）の断面は、低ｋ誘電体層（１２）と接触する底部と、他の低ｋ誘電体（４２）と接触する上部と、空隙（４０）とのみ接触する側面とを有する。空隙は、層内静電容量を低減する機能を果たす。 （もっと読む）

本発明は、エッチング残渣を除去するための改善された特性を有する新規溶液及び半導体製造におけるその使用に関する。本発明は、特に、半導体の製造プロセスの間にエッチング残渣及びパーティクルを除去しなければならないメタライジング部に対して及び表面に対して低いエッチング速度を有する水溶液に関する。 （もっと読む）