【課題】イオンマイグレーションなどによる銅配線間の短絡を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、第１窒化膜４と、銅配線５と、第２窒化膜６と、保護膜７と、バリア層８と、接着層９と、ワイヤ１０とを備えている。第１窒化膜４は、ＳｉＮからなり、銅配線５の下面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって形成されている。第２窒化膜６は、第１窒化膜４と同じＳｉＮからなり、銅配線５の側面を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって第１窒化膜４と接触するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 垂直型ウェハ間相互接続を設けるための金属充填貫通ビア構造体を提供する。
【解決手段】 垂直型ウェハ間相互接続構造体を設けるのに有用な貫通ビア接続を作成する方法、並びに、この方法によって形成される垂直型相互接続構造体が提供される。本発明の方法は、垂直型接続のために金属スタッドのみを使用し、それゆえに、金属スタッドによってアルファ線は発生されない。本発明の方法は挿入ステップ、加熱ステップ、薄層化ステップ及び裏面加工を含む。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】低比誘電率の熱ビアを提供し、もって層間絶縁の低誘電率化と高熱伝導率化を同時に実現することができる多層配線基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】多層配線構造の第１の配線層１０１と第２の配線層１０２との間に比誘電率が平均して２．５以下の気体または絶縁物を介在させるとともに、第１の配線層１０１における配線と第２の配線層１０２における配線との間に所望の導電接続体を設け、さらに第１の配線層１０１における所定の配線と第２の配線層１０２における所定の配線との間に比誘電率が５以下の絶縁物熱伝導体を設ける。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】マスク層を形成する際、形成したいパターンの外側（パターンの輪郭、端部に相当する）に液状のマスク層形成材料を含む組成物を付着させ、枠状の第１のマスク層を形成する。枠状の第１のマスク層の内側の空間を充填するように、液状の第２のマスク層形成材料を含む組成物を付着させ第２のマスク層を形成する。第１のマスク層及び第２のマスク層は接して形成され、第２のマスク層の周囲を囲むように第１のマスク層が形成されるので、第１のマスク層及び第２のマスク層は連続した一つのマスク層として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 トレンチ及びビアを有する相互接続構造体、並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】 層間誘電体（ＩＬＤ）材料内に相互接続構造体を形成する方法であって、この方法は、ＩＬＤ材料内に１つ又は複数のビア開口部を生成するステップと、１つ又は複数のビア開口部の少なくとも１つを覆う第１のライナを形成するステップと、第１のライナで覆われている１つ又は複数のビア開口部の少なくとも１つの上に１つ又は複数のトレンチ開口部を生成するステップと、トレンチ開口部及び第１のライナの少なくとも一部を覆う第２のライナを形成するステップとを含む。この方法により形成される相互接続構造体も提供される。 （もっと読む）

【課題】ホウ素原子および窒素原子の双方にアルキル基が結合しているヘキサアルキルボラジンを製造する過程において、大量合成の場合においても高い選択性で生成物を得る方法を提供する。
【解決手段】ボラジン化合物と、アルケン化合物とを、触媒存在下で反応させて、化学式２で表されるヘキサアルキルボラジンを合成する段階を有し、前記触媒および／または前記ボラジン化合物を徐々に反応系へ供給する、ヘキサアルキルボラジンの製造方法である。
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【課題】再配線層のエッジ部付近に界面剥離やクラックが生じることを防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板１００と、半導体基板１００上に形成され、開口１１０ａ（第１開口）を有する第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）と、第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）上の一部から開口１１０ａ（第１開口）内にかけて形成され、最上面の大きさが第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）と接する面の外周に囲まれた領域の大きさよりも小さい第１再配線層１１と、第１再配線層１１上及び第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）上に形成された第２層間絶縁膜１２０（第２絶縁膜）とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化ハフニウム等の高誘電率絶縁膜を用いたＭＩＭキャパシタにおいて、高容量密度と高容量精度を両立し、ＭＩＭキャパシタの耐圧低下を防止し、リーク電流増大を低減する技術を提供する。
【解決手段】第一の金属配線７００、加工された容量膜４０５、加工された上部電極２１５、第三の金属配線７０２から構成されるＭＩＭキャパシタにおいて、第一の金属配線を被覆するように酸化シリコンからなる層間絶縁膜を形成した後、この第一の金属配線直上の層間絶縁膜の接続孔層に相当する領域に対し、第一の金属配線の上面が露出しないようにこの層間絶縁膜に第一の開口部を形成し、次に、第一の金属配線表面が露出するように第一の開口部の内部に第二の開口部を形成した後、容量膜、第三の金属配線を形成されることにより達成される。 （もっと読む）

【課題】周辺部における配線層絶縁膜の剥れを抑制した半導体装置基板を提供する。
【解決手段】本発明の１態様による半導体装置基板は、半導体基板上に形成された半導体素子と、前記半導体素子を覆って形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜中に配置された第１の配線と、前記第１の層間絶縁膜上に形成された第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、及び第３の絶縁膜を含む第２の層間絶縁膜と、前記第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜中に配置された第２の配線と、前記第１の絶縁膜中に配置され、前記第１の配線と前記第２の配線とを接続するビアプラグとを具備し、前記半導体装置基板の周辺領域において、前記第１の絶縁膜の端部が前記第２の絶縁膜で覆われていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 デュアルダマシン構造の埋め込み金属配線を有する半導体装置において、下層金属配線とビアホールとの接続部の加工形状のバラツキを抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】 下層金属配線１０１と上層金属配線１１３間の層間絶縁膜を第１絶縁膜１０２と、同じエッチング条件において第１絶縁膜１０２よりエッチング速度の速い第２絶縁膜１０３と、同じエッチング条件において第２絶縁膜１０３よりエッチング速度の速い第３絶縁膜１０４の３層構造とし、第３絶縁膜１０４上の第４絶縁膜１０５に上層金属配線１１３が埋め込まれ、第１乃至第３絶縁膜１０２〜１０４を貫通するビアホール１１０形成時に、第１絶縁膜１０２のエッチング加工時までにレジスト残渣等を除去した上で、第１絶縁膜１０２のエッチング加工とビアホール１１０内壁への拡散防止金属膜の成膜を同じ真空装置内で連続して行う。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール形成時に生成されるエッチング残渣の多くを除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板１０を準備し、シリコン基板上に絶縁膜２０を堆積し、絶縁膜をエッチングすることによってシリコン基板へ達するコンタクトホール３０を形成し、シリコンエッチング工程およびシリコン酸化膜エッチング工程の両方を用いてコンタクトホールの底部に残るエッチング残渣５０を除去する。 （もっと読む）

【課題】先に形成された下層配線に熱的ダメージを与えることなく、エッチング加工後の低誘電率膜に結合した水分やエッチングガス成分を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成した有機絶縁膜３および無機絶縁膜４にエッチング加工を施して配線溝５ａを形成した後、エッチング加工によって絶縁膜３，４の表面に結合したダメージ成分を電子線ＥＢ照射または紫外線ＵＶ照射によって除去する。電子線ＥＢまたは紫外線ＵＶの照射は、不活性な雰囲気中で半導体基板を加熱した状態で行われる。カーボン系ガスまたはシラン系ガスなどの修復ガスＧを添加した雰囲気中で行われる。 （もっと読む）

半導体装置（１０）は、ボンディングパッド（２８）と最終相互接続層（１６）との間にコンタクトを有し、そのコンタクトは、最終相互接続層（１６）とボンディングパッドとの間にバリアメタル（２６）を含む。パッシベーション層（１８）及びポリイミド層（２２）の両方により、最終相互接続層（１６）とボンディングパッド（２８）とが分離される。パッシベーション層（１８）は、最終相互接続層（１６）と接するように第一の開口（２０）を形成すべくパターン化される。また、ポリイミド層（２２）も、パッシベーション（１８）を貫通する第一の開口（２０）よりも内側にあって、それゆえにより小さな第二の開口（２４）を残存させるようにパターン化される。次に、バリア層（２２）が最終相互接続層（１６）と接して堆積されて、ポリイミド層（２２）により境界を形成する。次に、バリア（２６）と接してボンディングパッド（２８）が形成されると、その後、ボンディングパッド（２８）に対してワイヤボンド（３０）が形成される。
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【課題】ＳｉＯＣ系材料を用いた層間絶縁膜に埋込配線を設ける際、層間絶縁膜の誘電率をより低く抑えながらも、層間絶縁膜表面のウォーターマークの発生を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも最上層がＳｉＯＣ系材料からなる層間絶縁膜３を成膜し、層間絶縁膜３に溝パターン３ａを形成する。溝パターン３ａ内が埋め込まれるように層間絶縁膜３上に導電性材料膜７を成膜し、導電性材料膜７を表面側から研磨除去することにより溝パターン３ａ内のみに導電性材料膜７を残した埋込配線７ａを形成する。埋込配線７ａを形成した後、層間絶縁膜３にアルキル基を導入するための熱処理を行うことにより層間絶縁膜３を構成するＳｉＯＣ系材料を低誘電率化する。 （もっと読む）

改善された半導体シールリングおよびそのための方法が記載される。シールリングは、太層を含み、この太層の少なくともある部分は、個片化の前に個片化通路から取除かれ、これにより個片化処理の間に太層に対するダメージを回避する。薄い防湿バリア層が、太層の少なくとも縁部をシールするように太層の少なくともある部分の上に配されるのが好ましい。能動回路素子の作製のために好ましくは用いられる太い非金属層が、当該太層として有利に用いられ得る（たとえばバルク音波（ＢＡＷ）フィルタ装置における窒化アルミニウム（ＡｌＮ））。薄いアモルファス非金属層（たとえば窒化ケイ素（ＳｉＮ）層）が、好ましくは当該太層の上に配されてもよい。代替的には、他の材料が用いられてもよい。
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【課題】超臨界二酸化炭素を用いて、半導体装置の配線を形成する際に発生する残渣を基体から除去することができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】スルファミン酸エステルと、水又はメタノールのいずれかを含有する超臨界二酸化炭素流体を、基体の表面に供給して、半導体装置の配線を形成する際に発生する残渣を除去することにより、基体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板（不図示）上に形成され、導電体により構成された電気ヒューズ２００を含む。電気ヒューズ２００は、切断前状態において、それぞれ異なる層に形成された上層配線１３４と、上層配線１３４に接続されたビア１２８と、ビア１２８に接続された下層配線１２２とを含み、切断状態において、導電体が上層配線１３４から外方に流出してなる流出部１４２が形成されるとともに、下層配線１２２とビア１２８との間に空隙部１４０が形成される。 （もっと読む）

【課題】 デバイス性能を向上させ、チップの留まりを改善するために、ＣＭＯＳ構造体内に機械的応力を与える構造体及び方法を提供すること。
【解決手段】 第１のトランジスタの上に配置された第１の応力層及び第２のトランジスタの上に配置された第２の応力層が、当接するが、重ならない、ＣＭＯＳ構造体及びＣＭＯＳ構造体を製造する方法が提供される。こうした重ならない当接により、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの一方の中のソース／ドレイン領域の上に、シリサイド層へのコンタクトを形成するとき、製造の柔軟性が向上する。 （もっと読む）

【課題】多層配線を有する半導体装置の製造歩留まりを向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】絶縁膜４上にウエハ全面露光により第１レジスト膜のパターンを形成し、続いてウエハ周辺露光によりウエハ周辺部の第１レジスト膜を除去した後、第１レジスト膜をマスクとしたエッチングによりチップ形成領域の絶縁膜４にビア７を形成し、周辺露光領域の絶縁膜４を除去する工程と、絶縁膜４上にウエハ全面露光により第２レジスト膜のパターンを形成し、続いてウエハ周辺露光によりウエハ周辺部の第２レジスト膜を除去した後、第２レジスト膜をマスクとしたエッチングによりチップ形成領域の絶縁膜４に配線溝１１を形成する工程と、銅めっき膜を形成した後、ウエハ周辺部の銅めっき膜を洗浄除去する工程と、銅めっき膜をＣＭＰ法により研磨して配線１４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）