【課題】周囲の誘電体材料にダメージを与えない銅配線上のキャップ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ、Ｎ、およびＳｉおよび／またはＧｅを含むキャップ層６を、銅の導電構造２の上に形成する方法であって、２００℃と４００℃との間の温度範囲で、構造をＧｅＨ_４および／またはＳｉＨ_４含有雰囲気３に晒すことにより、銅の導電構造２の上に少なくとも１つのキャップ層を形成する工程と、ＮＨ_３プラズマ処理５を行って、少なくとも部分的に窒化されたキャップ層６を形成する工程と、少なくとも部分的に窒化されたキャップ層６の上に誘電体バリア層７を形成する工程とを含み、少なくとも１つのキャップ層を形成する工程の前に、２５０℃と４５０℃との間の温度範囲で、銅の導電構造のプレアニール工程が行われることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】金属配線を電気的に連結させるビアプラグを形成する工程過程で発生する素子の信頼性を低下させる問題を解消すること。
【解決手段】半導体基板上に多数の金属配線を形成する段階;ビアホールが形成される領域の前記金属配線上に反応防止膜を形成する段階;前記反応防止膜を含む前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階;前記反応防止膜の上部の前記層間絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成する段階;前記ビアホール内部にビアプラグを形成する段階を含む半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線に十分なＥＭ耐性を確保しつつ、配線層間・線間リークを低減しかつＴＤＤＢ寿命を向上することができるとともに、ビアエッチの際に高選択比を確保して高信頼性な配線を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上の第１の絶縁膜１に形成された配線溝Ｍ１と、配線溝Ｍ１側壁及び底部に形成されたタンタル系バリアメタル２ａと、タンタル系バリアメタル２ａに沿って配線溝Ｍ１を埋め込むように形成されたＣｕ膜２ｂと、Ｃｕ膜２ｂ表面に形成された銅とシリコンの合金層または銅とシリコンと窒素のＣｕＳｉＮ層３ａと、ＣｕＳｉＮ層３ａの上及び第１の絶縁膜１の上に形成され第１の絶縁膜１より高密度なＳｉＮｘ膜３ｄとを有する。 （もっと読む）

【課題】水素等の還元性物質からキャパシタ誘電体膜を効果的に保護できる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０の上方に形成された第１絶縁膜２０と、第１絶縁膜２０の上に形成された強誘電体キャパシタQと、キャパシタQを覆う第１絶縁性水素バリア膜３１及び第２絶縁性水素バリア膜３２と、第２絶縁性水素バリア膜３２の上に形成され、前記第１、第２絶縁性水素バリア膜３１、３２を貫くホール４６を上部電極２８ａの上に備えた第２絶縁膜３３と、ホール４６内に形成されて上部電極２８ａと電気的に接続された導電性部材４７とを有し、所定のエッチングガスに対し、第２絶縁性水素バリア膜３２のエッチング速度が第１絶縁性水素バリア膜３１のエッチング速度よりも速いことを特徴とする半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にｎチャネル型及びｐチャネル型電界効果トランジスタがそれぞれ層間絶縁層を介して積層している半導体装置とする。ｎチャネル型及びｐチャネル型電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は層間絶縁層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている。応力を有する絶縁膜によって半導体層へ与えられる歪み、半導体層の面方位、又はチャネル長方向の結晶軸を制御することによって、ｎチャネル型とｐチャネル型電界効果トランジスタとの移動度の差を軽減し、電流駆動能力及び応答速度を同等とする。 （もっと読む）

【課題】 誘電率の低い誘電体材料を含む多レベル相互接続構造体を形成するための方法を提供する。
【解決手段】 相互接続構造体の誘電体材料にエアギャップを生成するための方法及び装置。一実施形態では、半導体構造体を形成する方法において、基板上に第１の誘電体層を堆積し、第１の誘電体層にトレンチを形成し、トレンチに導電性材料を充填し、導電性材料を平坦化して第１の誘電体層を露出させ、導電性材料及び露出された第１の誘電体層に誘電体バリア膜を堆積し、この誘電体バリア膜の上に硬質マスク層を堆積し、誘電体バリア膜及び硬質マスク層にパターンを形成して基板の選択された領域を露出させ、基板の選択された領域において第１の誘電体層の少なくとも一部分を酸化させ、第１の誘電体層の酸化された部分を除去して、導電性材料の周りに逆のトレンチを形成し、逆のトレンチに第２の誘電体材料を堆積しながら逆のトレンチにエアギャップを形成することを含む方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ層間絶縁層を介して積層している半導体装置とする。複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は層間絶縁層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている。複数の電界効果トランジスタはそれぞれ前記半導体層に歪みを与える絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＦ膜を含む層間絶縁膜にダマシン法で埋め込み配線を形成する半導体集積回路装置において、埋め込み配線用の配線溝を形成する際に用いるエッチングストッパ層とＳｉＯＦ膜との界面剥離を防止する。
【解決手段】ＳｉＯＦ膜２６、２９を含む層間絶縁膜をドライエッチングして形成した配線溝３２の内部にダマシン法でＣｕ配線３３を埋め込む際、上記ドライエッチングのエッチングストッパ層を構成する窒化シリコン膜２８とＳｉＯＦ膜２６との間に酸窒化シリコン膜２７を介在させ、ＳｉＯＦ膜２６中で発生した遊離のＦを酸窒化シリコン膜２７でトラップする。 （もっと読む）

【課題】均一性や生産性が高いと共に、高周波性能として、雑音指数が小さく、かつ付随利得の大きい電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、このＦＥＴを備える半導体チップ及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のＦＥＴ１は、ＧａＡｓ半導体基板２の上に、ｉ形ＧａＡｓバッファ層３と、ｉ形ＩｎＧａＡｓ二次元電子ガス層４と、ｎ形ＡｌＧａＡｓ電子供給層５と、が積み上げられ、ｎ形ＡｌＧａＡｓ電子供給層５の上に線状にショットキー性接触するゲート電極１２があり、ゲート電極１２の両横から離れ、かつｎ形ＡｌＧａＡｓ電子供給層５の上に、ｎ形ＩｎＧａＰエッチング停止層６と、続いて同程度の横位置でｎ形ＧａＡｓコンタクト層７とが積み上げられ、ｎ形ＧａＡｓコンタクト層７の上にコンタクト層７の端から離れて帯状にオーム性接触をする電極として各側にソース電極９とドレイン電極１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定した低誘電率と高い硬度（ヤング率）を有するＢＣＮ膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供する。
【解決手段】従来のＢＣｌ_３ガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてＢＣＮ膜を成膜する。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、 比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の低い誘電率を持つ絶縁体材料膜を得る。 （もっと読む）

【課題】セル領域及び周辺回路領域のコンタクトプラグ形成工程の単純化及びコスト削減をする方法を提供する。
【解決手段】セル領域Ａ及び周辺回路領域Ｂが定義され、上記周辺回路領域Ｂに第１のコンタクトプラグ１１０が形成された半導体基板１００上に第１の絶縁膜１０８を形成する段階と、上記第１の絶縁膜をエッチングして上記セル領域Ａには接合領域１０４が露出され、上記周辺回路領域Ｂでは上記第１のコンタクトプラグが露出される第２のコンタクトホールを形成する段階と、上記第２のコンタクトホール内に第２のコンタクトプラグ１１６を形成する段階と、上記周辺回路領域Ｂの上記第２のコンタクトホール内に形成された上記第２のコンタクトプラグを除去する段階と、上記第２のコンタクトホール側壁にスペーサ１２０を形成する段階と、上記第２のコンタクトホール内に第３のコンタクトプラグ１２４を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の製造工程におけるパーティクルの発生や組成比の変動を抑制させて、半導体装置の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】成膜チャンバ３３は、第１カソード４０ａと第２カソード４０ｂを備え、各カソード４０ａ，４０ｂに、それぞれＺｒを含む第１ターゲット４２ａと、ＢＮを主成分とする第２ターゲット４２ｂを搭載する。そして、成膜チャンバ３３は、各外部電源を駆動して第１ターゲット４２ａと第２ターゲット４２ｂとを同時にスパッタし、第１絶縁層の表面と第１配線の表面、又は、第２絶縁層の表面と第２配線の表面に、ＺｒＢＮを主成分とするメタルキャップ層を成膜させる。 （もっと読む）

本明細書には概して半導体デバイスにおける電気漏れ特性の改善及びエレクトロマイグレーションの抑制を行う方法が記載されている。
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【課題】接続孔内から無電解めっき層が剥がれて抜け落ちるのを防止できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体層３２上に形成された第１の絶縁層３３，２０３と、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の絶縁層の上面から途中まで異方性エッチングにより形成された第１の接続孔２０３ｃと、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の接続孔に繋げられ、前記第１の接続孔下の前記第１の絶縁層が等方性エッチングにより形成され、前記半導体層上に位置する第２の接続孔２０３ｇと、前記第１の接続孔内の側面及び前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層２０３ｄと、前記第２の接続孔の底面の前記半導体層から成長され、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に埋め込まれた無電解めっき層２０４ａと、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＮＯＳ型不揮発性半導体記憶装置において、製造時にメモリセルを紫外線から保護する紫外線遮光膜を安定して形成できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の上部にＸ方向に延びるビット線拡散層９と、半導体基板１の上にＹ方向に延びると共に電荷トラップ膜４及びゲート電極５からなるゲート構造体とを有する不揮発性半導体記憶装置に、ビット線拡散層３と接続される第１のコンタクト９が形成された第１の層間絶縁膜８と、該第１の層間絶縁膜８の上に形成された紫外線遮光膜１０及び第２の層間絶縁膜１１を貫通して下端部が第１のコンタクト９と接し且つ上端部が金属配線１３と接続される第２のコンタクト１２とを設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】銅めっき層をアンテナの導体に用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止するとともに、密着性の良い銅めっき層を提供することを課題とする。また、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、アンテナと集積回路の接続不良に伴う半導体装置の不良を防止することを課題とする。
【解決手段】アンテナ１０１と集積回路１００が一体形成された半導体装置において、アンテナ１０１として銅めっき層を用いるとともに、そのシード層１０７としてＡｇ、Ｐｄ及びＣｕの合金を用い、バリア層１１６としてＴｉＮ又はＴｉを用いるものである。 （もっと読む）

電子素子、特にＴＦＴ、蓄積コンデンサまたはスタック装置の導電層間の交差部等を備えるものが開示されている。電子素子は、電極を形成する第１の導電層を基板上に備える。第２の導電層により形成された第２の電極は第１の電極から少なくとも誘電体層により隔てられている。この誘電体層は電気絶縁材料の中間層、好ましくは絶縁破壊に対して高い耐性を有する中間層と、光パターニング可能な電気絶縁材料のさらなる層とを包含する。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型トランジスタの特性向上処理とＮ型トランジスタの特性向上処理とを施したとしても、製造工程の増加を抑制することができ、かつデバイス全体の性能の劣化を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一の領域の半導体基板１上に、加熱により応力が生ずるカバー膜１１を形成する。当該カバー膜１１が形成された半導体基板１に対して、加熱処理を施す。これにより、カバー膜１１に応力が発生し、当該応力に起因して第一のトランジスタの特性を向上させる第一の特性向上処理が、半導体基板１に施される。また、カバー膜１１をマスクとして使用して、当該カバー膜１１から露出している第二の領域の半導体基板１に対して、第二のトランジスタの特性を向上させる第二の特性向上処理を施す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＮＯＲフラッシュデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）構造を有するＮＯＲフラッシュデバイスにおいて、ＢＥＯＬ構造は導電領域を有する基板と、基板上に形成された第１層間絶縁膜と、導電領域に形成される第１金属ラインと、該第１金属ラインと第１層間絶縁膜を覆う第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜を貫通する第１コンタクト及び第１コンタクトを通じて第１金属ラインと連結される第２金属ラインを具備して、第１コンタクト、第１及び第２金属ラインのうちで少なくとも一つは銅であり、第１及び第２層間絶縁膜のうちで少なくとも一つは、低誘電物質を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低価の工程が可能であり、低い電気抵抗を提供できる金属配線の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
（ａ）基板上部に誘電体層を蒸着する段階；（ｂ）前記誘電体層上部に金属配線の潜在的マスクパターンを形成する段階；（ｃ）前記潜在的マスクパターンにより露出された誘電体層をエッチングする段階；（ｄ）前記基板を活性化処理して表面にシード層を形成する段階；（ｅ）前記潜在的マスクパターンおよびその上部をリフトオフして除去する段階；および（ｆ）上記ターン形成されたシード層上部に金属層をめっきする段階を含む金属配線形成方法と前記方法により製造された金属配線構造および前記構造を含む薄膜トランジスタ−液晶ディスプレーを提供する。 （もっと読む）