【課題】本発明は、信頼性の高い半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に設けられた第１絶縁体層を貫く第１開口に第１プラグ電極を形成する工程と、第１プラグ電極と接触する第１配線層を形成する工程と、第１絶縁体層上および第１配線層上にエッチングストップ層および第２絶縁体層をこの順で形成する工程と、第１配線層上のエッチングストップ層および第２絶縁体層をドライエッチングを用いて除去することにより第１配線層を露出させ、第１配線層の側面上および第１絶縁体層の一部の上に設けられたエッチングストップ層ならびに第２絶縁体層を含むサイドウォールを形成する工程と、第３絶縁体層を形成する工程と、第３絶縁体層を貫く第２開口を形成する工程と、第２開口に第１配線層と接触する第２プラグ電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線遅延の増大を防止すると共に、配線信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、基板の上に形成され、第１の配線２を有する第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１及び第１の配線２の上に形成された第２の絶縁膜３と、第２の絶縁膜３の上に形成された第３の絶縁膜４とを有している。第２の絶縁膜３は、空孔を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ソース抵抗を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に配置された窒化物系化合物半導体層１２と、窒化物系化合物半導体層１２上に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層１８からなる活性領域ＡＡと、活性領域ＡＡ上に配置されたゲート電極２４、ソース電極２０およびドレイン電極２２と、窒化物系化合物半導体層１２上に配置され、それぞれゲート電極２４、ソース電極２０およびドレイン電極２２に接続されたゲート端子電極ＧＥ１〜ＧＥ３、ソース端子電極ＳＥ１〜ＳＥ４およびドレイン端子電極ＤＥと、ソース端子電極が配置される側の基板の端面に配置され、ソース端子電極と接続された端面電極ＳＣ１〜ＳＣ４と、端面電極上に配置され、ダイボンディングで使用する半田層がソース端子電極ＳＥ１〜ＳＥ４に到達するのを防止する突起電極３４とを備える半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線構造における強度の向上と層間絶縁膜の低誘電率化との両立を図れるようにする。
【解決手段】半導体基板１００の上に絶縁膜１０４を形成し、該絶縁膜１０４の上に金属からなる犠牲膜１０５を形成する。その後、犠牲膜１０５を選択的にエッチングすることにより犠牲膜１０５にトレンチパターン１０５ａを形成する。続いて、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に対して紫外線又は電子線を照射する。その後、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に配線形成溝１０４ａを形成し、該配線形成溝１０４ａに金属膜１０６ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の低い半導体装置を提供すること、透過率の高い半導体装置を提供すること、または開口率の高い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極、半導体層、ソース電極又はドレイン電極を透光性を有する材料を用いて形成し、ゲート配線又はソース配線等の配線を透光性を有する材料より抵抗率が低い材料で設ける。また、ソース配線及び／又はゲート配線を、透光性を有する材料と当該透光性を有する材料より抵抗率が低い材料を積層させて設ける。これにより、配線抵抗が低く、透過率の高い半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ素子のレイアウト面積を増大させることなく確実にヒューズを溶断するとともに、ヒューズ銅原子の拡散を防止する防護壁の配線層数を低減する。
【解決手段】ヒューズ（ＦＵ）を複数のメタル配線層のうちの上層のメタル配線層（Ｍ４）の配線を用いて形成する。ヒューズの直上および直下部においては、少なくとも２層の配線層をおいて配線が配置される。上層においては、電源電圧（ＶＤＤ）を伝達する電源線（１０２）をヒューズ直上の防護壁構造の蓋部分として利用する。 （もっと読む）

本発明は、電子部品に関するもので、接触平面に位置する少なくとも一つの接触表面と、前記接触平面の上方にある少なくとも一つの絶縁層と、該部品の機械的安定性を高めるために、前記絶縁層に接して配置される少なくとも一つの安定化層と、少なくとも一つのボンディング及び／または半田接点とを有し、前記絶縁層及び前記安定化層が少なくとも一つの開口を有し、その開口が、前記接触表面から離れて対向する前記安定化層の一表面に向かって開口するとともに、前記安定化層及び前記絶縁層を通じて前記接触表面まで達し、前記ボンディング及び／または半田接点が、前記安定化層を横切って延び、前記開口を通じて前記接触表面に接する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有
する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と
、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２
の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【目的】従来よりも比抵抗の低いＷ膜のプラグ或いは配線が得られる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０６）と、前記開口部の少なくとも底面に、ルテニウム（Ｒｕ）膜を形成する工程（Ｓ１１２）と、前記Ｒｕ膜が形成された前記開口部内に、水素（Ｈ_２）還元による化学気相成長（ＣＶＤ）法によりタングステン（Ｗ）膜を埋め込む工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】配線抵抗の上昇を抑制したまま、ＥＭ特性を改善させる半導体装置或いはその製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０６）と、開口部内に、ケイ化物の形成エネルギーがＣｕケイ化物の形成エネルギーよりも小さい金属含有膜を形成する工程（Ｓ１０８）と、前記金属含有膜が形成された開口部内に銅（Ｃｕ）膜を埋め込む工程（Ｓ１１２）と、Ｃｕ膜上に、３００℃未満の温度でＣｕとＳｉとを含有する化合物膜を選択的に形成する工程（Ｓ１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より導電率が高い酸化物クラスターを形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ、且つオフ電流の増大を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】配線間の容量の増加が抑制された半導体装置およびその製造方法を実現する。
【解決手段】本実施形態における半導体装置１０は、半導体基板１００と、半導体基板１００上に形成された層間絶縁膜１１０（第一の層間絶縁膜）と、層間絶縁膜１１０上に形成された、層間絶縁膜１１０よりも誘電率が低い層間絶縁膜１２０（第二の層間絶縁膜）と、層間絶縁膜１２０を貫通し、底部が層間絶縁膜１１０に入り込んでいるＣｕ配線１４１と、を備えている。Ｃｕ配線１４１は、下方に向かって幅が狭くなる形状を有しており、層間絶縁膜１２０におけるＣｕ配線１４１の側面の傾斜よりも、層間絶縁膜１１０におけるＣｕ配線１４１の側面の傾斜が大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】シード膜の酸化を抑制して、電気的信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、表面に凹部１ａを有する基板１００の少なくとも凹部１ａの内面１ｂ上に、シード膜５を形成する工程と、シード膜５上に、シード膜５の構成材料より酸化されやすい材料からなる保護膜６を形成する工程と、保護膜６に熱処理を施す工程と、熱処理が施された保護膜６の少なくとも一部を除去し、シード膜５の少なくとも一部を露出させる工程と、少なくとも一部が露出したシード膜５に電流を供給して、シード膜５上に凹部１ａに埋め込まれるように電解めっきによりめっき膜７を形成する工程と、凹部１ａに埋め込まれた部分以外のめっき膜７を除去する工程とを具備することを特徴とする、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【目的】、配線層とその下層のプラグ層との配線抵抗を抑えながら下層のプラグの埋め込み性を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、Ｃｕ配線１０と、Ｃｕ配線１０の下層側でＣｕ配線１０と接触して接続されるＣｕプラグ２０と、Ｃｕプラグ２０の底面側及び側面側に配置された、Ｃｕに対してバリア性を有するＢＭ膜２４０と、Ｃｕ配線１０とＣｕプラグ２０との内Ｃｕプラグ２０側に選択的に、かつＣｕプラグ２０とＢＭ膜２４０との間に介在するように配置された、ＢＭ膜２４０よりも前記導電性材料に対して濡れ性が高いＲｕ膜２４２と、Ｃｕ配線１０とＣｕプラグ２０とが接触する箇所を少なくとも除くＣｕ配線１０の底面側と、Ｃｕ配線１０の側面側とに配置された、Ｃｕに対してバリア性を有するＢＭ膜２４４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えばエアギャップ構造の形成に好適な、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜に溝を形成する工程と、第１の絶縁膜上面及び溝の内面を覆うように、Ｒｕを含む第１の金属層を形成する工程と、第１の金属層上に、銅を含む第２の金属層を形成する工程と、第１の絶縁膜上の第２の金属層及び第１の金属層を研磨し除去して、第１の絶縁膜を露出させ、溝内に形成された第１の金属層及び第２の金属層を残す工程と、研磨によって露出した第１の絶縁膜を上面から少なくとも一部除去する工程と、第１の絶縁膜の上方に、第１及び第２の金属層の少なくとも上面を覆う第２の絶縁膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン貫通ビアを有する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 回路面と前記回路面とは逆の背面を有する半導体基板、前記半導体基板を穿通して延伸するシリコン貫通ビア、及び前記シリコン貫通ビアと前記半導体基板の間に設置され、前記半導体基板の前記背面の表面の少なくとも一部の上に延伸する誘電体層を含む半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】レジストポイズニングによる微細パターンの解像不良を低減して高品質な半導体装置を歩留まり良く提供することである。
【解決手段】 下層絶縁層を設ける工程と、前記下層絶縁層上に上層絶縁層を設ける工程と、前記上層絶縁層上にレジスト層を設ける工程と、前記レジスト層を所定パターンに形成し、該所定パターンのレジスト層を用いて絶縁層を所定パターンに形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記下層絶縁層と前記上層絶縁層との境界領域に、Ｎ−Ｈ結合を有する物質とＣ−Ｈ結合を有する物質とを共に有することは無い中間層が形成される工程を有する。 （もっと読む）

【課題】印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能で、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。
【解決手段】積層構造体１は、臨界表面張力が大きい高表面エネルギー部３と臨界表面張力が小さい低表面エネルギー部４を有する濡れ性変化層２と、高表面エネルギー部３に形成されている導電層５と、低表面エネルギー部４に形成されている半導体層６と、を有し、濡れ性変化層２は、エネルギーの付与により臨界表面張力が変化する、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を含み、高分子材料は、ポリイミドを含む。 （もっと読む）