【課題】フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線上面部からの金属拡散を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、半導体基板上の第一層間膜１内に形成された溝２内に、銅と第一金属元素とを含有する銅シード膜４を形成する。その後、銅メッキ処理を施す。その後、銅層の酸化が行われない第一雰囲気中にて第一熱処理を行う。そして、余分な銅合金金属層を除去し、溝２内に銅合金配線６を形成する。その後、酸素を含有する第二雰囲気中にて第二熱処理を行うことにより、銅合金配線６表面に、第一金属元素の酸化物である酸化物層７を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子全体の機械的な強度の低下を防ぎ、配線を伝播する信号の遅延を低減する。
【解決手段】各配線層１００を構成する第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層がシリコン炭化窒化膜、シリコン炭化物及び／又はシリコン酸化物を含み、下層配線層の第２の絶縁層はシリコン酸化物を含み、上層配線層の第２の絶縁層はフッ素添加シリコン酸化物及び／又は炭素添加シリコン酸化物を含む。下層配線層の第２の絶縁層の比誘電率を、上層配線層の第２の絶縁層の比誘電率よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】直接ボディ・タイ・コンタクトを備えた浅いトレンチ絶縁（ＳＴＩ）デバイスを製造するプロセスフローを提供する。
【解決手段】プロセスフローは、ボディ・タイ・コンタクト２２２が、ボディ・タイ２０４まで直接、ナイトライド層２１０およびＳＴＩ酸化物層２０６を通してエッチングされるエッチングステップの一つを除いて、標準的なＳＴＩ製造方法と同様である。このプロセスフローは、浮遊ボディ効果を緩和するように直接ボディ・タイ・コンタクト２２２を提供するが、臨界的なアライメント要求ならびにレイアウトの臨界的な寸法制御なしで、非直接ボディ・タイ・コンタクトに共通のヒステリシスおよび過渡アップセット効果をも除去する。 （もっと読む）

【課題】基板に発生する応力を低減できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体素子が形成される素子領域を有する基板と、素子領域の隣接部分の基板に形成されるビアホールと、ビアホール内に絶縁層を介して設けられる導通部と、基板と絶縁層との間に設けられる緩衝層とを備え、緩衝層は、基板の熱膨張係数と緩衝層の熱膨張係数との差が、基板の熱膨張係数と絶縁層の熱膨張係数との差より小さい材料から形成される。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を要せずに、アスペクト比の高い所望の形状のパターンを形成することのできるパターン形成方法、このパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造方法、並びに、このパターン形成方法を用いた電子装置または光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】誘電率及び／又は磁化率が異なる２以上の物質からなるネガパターンに電場及び／又は磁場を印加して電気力線及び／又は磁力線の疎密差を前記ネガパターンの近傍に発生させ、前記電気力線及び／又は磁力線の疎密差に沿って少なくとも１以上の流動性のある物質を移動させて所望のポジパターンを形成する方法であって、前記ネガパターンの内部に前記流動性のある物質の少なくとも一部が進入することでポジパターンを形成し、その後少なくとも１以上の流動性のある物質の少なくとも一部を固化形成する。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその製造方法を提供する。また、消費電力の低い半導体装置又はその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極として機能する透光性を有する導電層と、該透光性を有する導電層上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート電極として機能する透光性を有する導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層と、半導体層に電気的に接続されたソース電極又はドレイン電極として機能する透光性を有する導電層とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ビア開口の下部分を多層ライナで内側を覆うことにより強化したエレクトロマイグレーション耐性を有する相互接続構造体を提供する。
【解決手段】 多層ライナは、誘電体材料のパターン付けされた表面から外側に、拡散障壁、マルチ材料層、及び金属含有ハード・マスクを含む。マルチ材料層は、下層の誘電体キャッピング層からの残留物からなる第１材料層と、下層の金属キャッピング層からの残留物からなる第２材料層とを含む。本発明はまた、誘電体材料内に形成されたビア開口の下部分内に多層ライナを含む相互接続構造体を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターイオンビーム処理プロセスの適用により、集積回路の相互接続構造に使用される、銅の相互接続配線層の表面上で、層をキャップ化する、改良された集積相互接続、集積回路の構造を形成する方法ならびに機器である。
【解決手段】
銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。銅のキャップ化処理、清浄化処理、エッチング処理、および膜形成処理用の、ガスクラスターイオンビーム処理モジュールを含む、各種クラスターツール構成について示した。 （もっと読む）

【課題】貫通電極と導電パターンの間で接続不良が生じることを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、基板１００、層間絶縁膜２６０、導電パターンの一例である配線３４２、貫通電極４４０、及び接続端子の一例であるバンプ９００を備える。層間絶縁膜２６０は、基板１００の表面より上に位置している。配線３４２は、第１の層間絶縁膜２６０の表面に位置している。貫通電極４４０は、基板１００の裏面から層間絶縁膜２６０の表面まで貫通しており、一端が配線３４２に接続している。バンプ９００は基板１００の裏面側に設けられ、貫通電極４４０の他端に接続している。 （もっと読む）

【課題】実用上十分な動作速度およびエレクトロマイグレーション耐性を有する半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体基板の上面に層間絶縁膜１０１が形成されており、層間絶縁膜１０１内に下層配線１０５が形成されている。層間絶縁膜１０１の上面および下層配線１０５の上面にはライナー絶縁膜１０６が形成されており、ライナー絶縁膜１０６の上面には層間絶縁膜１０８が形成されている。層間絶縁膜１０８内に上層配線１１３が形成されており、下層配線１０５と上層配線１１３とはビア１０９を介して接続されている。そして、ビア周辺領域１４０に形成されたライナー絶縁膜１０６の膜厚は、ビア周辺領域１４０の外側に形成されたライナー絶縁膜１０６の膜厚よりも厚い。 （もっと読む）

基板中に狭いビアを形成するための方法および装置を提供する。従来型のリソグラフィによって、パターンリセスを基板中にエッチングする。パターンリセスの側壁および底部を含んでいる基板の表面の上方に薄いコンフォーマル層を形成する。コンフォーマル層の厚さは、パターンリセスの実効的な幅を縮小する。下方にある基板を暴露させるために、異方性エッチングによってパターンリセスの底からコンフォーマル層を除去する。次に、マスクとしてパターンリセスの側壁を覆っているコンフォーマル層を使用して基板をエッチングする。次に、ウェットエッチャントを使用してコンフォーマル層を除去する。
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集積回路中の銅線を完全に取り囲んでいるケイ酸マンガン層及び窒化ケイ素マンガン層を組み込んだ集積回路用の配線構造、及びその製造方法を提供する。ケイ酸マンガンは、銅が配線から拡散しないためのバリアを形成し、それにより、絶縁体が磁気尚早に損しないよう保護し、トランジスタが銅により劣化しないように保護する。また、ケイ酸マンガン及び窒化ケイ素マンガンは、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、これゆえに製造及び使用の間のデバイスの機械的な完全性が保持される。また、銅−ケイ酸マンガン界面及び窒化ケイ素マンガン界面における強い接着は、デバイスの使用の間の銅のエレクトロマイグレーションによる損傷から保護する。また、マンガン含有シースは、銅がその周囲の酸素又は水により腐食しないよう保護する。 （もっと読む）

【課題】ＷＰＰ技術における再配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】再配線が半導体基板１Ｓの面内において互いに電気的に分離された本体パターン２およびダミーパターン３を有している。多層配線と電気的に接続された本体パターン２と、フローティングされたダミーパターン３とが、半導体基板１Ｓの面内で混在して設けられている。半導体基板１Ｓの面内における本体パターン２およびダミーパターン３を合わせた占有率、すなわち再配線の占有率が３５％以上６０％以下である。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリア特性を設けた誘電バリアを形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を処理する方法を提供し、この方法は、ケイ素−炭素結合および炭素−炭素結合を備える前駆物質を処理チャンバへ流すステップと、半導体基板上に炭素−炭素結合を有する誘電バリア膜を形成するために、処理チャンバ内において前駆物質の低密度プラズマを生成するステップであって、この前駆物質中の炭素−炭素結合の少なくとも一部は低密度プラズマ中に保存されかつ誘電膜内に組み込まれるステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】層間誘電体（ＩＬＤ）上でハードマスクを用いながら、ＩＬＤ内のトレンチのアンダーカットを減らしたり、防止したりさえする方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン層３１０とシリコン層上に配置された誘電体層１０１とを含んでいる。誘電体層は、その間に誘電体層の領域が配置されるように第１トレンチ４０１Ａと第２トレンチ４０２Ａとを有し、第１、第２トレンチは、各々、金属を含み、また誘電体層の上述の領域の炭素濃度よりも高い炭素濃度有する側壁を有する。 （もっと読む）

【課題】 ２つの異なる方向にサブリソグラフィ幅および間隔を有するナノスケール構造およびこれを製造する方法を提供する。
【解決手段】 サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第１の方向に沿って延在する半導体基板上の第１のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第１の層（２０）内の第１の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１の層に充填材料を充填し、第１のナノスケール・ネスト線構造を含む第１の層（２０）の上に、第２の層（６０）を堆積する。サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第２の方向に沿って延在する第２のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第２の層（６０）内の第２の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１のナノスケール・ネスト線構造および第２のナノスケール・ネスト線構造の複合パターンを、第１の層（２０）の下の基層（１２）に転写して、２つの方向に周期性を有する構造のアレイを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線層の信頼性を高める。
【解決手段】層間絶縁膜３に形成した配線溝４内に、バリアメタル膜５を介して、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を有する配線部１を形成した後、ＳｉＨ₄とＮＨ₃のガスに曝し、その配線部１の表面にＯを含有しないＳｉＮの保護層８を形成する。この上にキャップ膜９を形成する。キャップ膜９の形成時には、配線部１のバリアメタル膜５との界面領域にはＭｎＯ層１０が形成される一方、配線部１の上面には保護層８があることでＭｎの析出が抑制される。配線部１のＭｎ含有量を高めても、配線部１とキャップ膜９との間にＭｎを含有するバリア性の低い層が形成されることがなく、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】曲げ等の外力が加わり応力が生じた場合であってもトランジスタ等の損傷を低減する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜及びゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜とを有している。 （もっと読む）

【課題】熱プロセスを使用しないで、低誘電率材料である空隙を含む多層配線構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】誘電層１０５にトレンチを形成し、トレンチにコンフォーマル誘電バリア膜と金属拡散バリア膜を堆積する。トレンチに導電材料を充填し導電ライン１０９を形成する。誘電層と導電ライン上に多孔性バリア１１１を形成する。フォトレジスト１１２を生成し、そのホール１１３からエッチング液を多孔性バリアを介して誘電層に接触させ、誘電層をエッチング除去して空隙１１４を形成する。コンフォーマル誘電バリア膜が、ウェットエッチング化学薬品に対するバリアとして作用する。 （もっと読む）