二次元自己組織化サブリソグラフィ・ナノスケール構造およびこれを製造するための方法（自己組織化材料を用いた二次元パターニング）
【課題】 ２つの異なる方向にサブリソグラフィ幅および間隔を有するナノスケール構造およびこれを製造する方法を提供する。
【解決手段】 サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第１の方向に沿って延在する半導体基板上の第１のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第１の層（２０）内の第１の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１の層に充填材料を充填し、第１のナノスケール・ネスト線構造を含む第１の層（２０）の上に、第２の層（６０）を堆積する。サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第２の方向に沿って延在する第２のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第２の層（６０）内の第２の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１のナノスケール・ネスト線構造および第２のナノスケール・ネスト線構造の複合パターンを、第１の層（２０）の下の基層（１２）に転写して、２つの方向に周期性を有する構造のアレイを形成する。
【解決手段】 サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第１の方向に沿って延在する半導体基板上の第１のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第１の層（２０）内の第１の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１の層に充填材料を充填し、第１のナノスケール・ネスト線構造を含む第１の層（２０）の上に、第２の層（６０）を堆積する。サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第２の方向に沿って延在する第２のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第２の層（６０）内の第２の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１のナノスケール・ネスト線構造および第２のナノスケール・ネスト線構造の複合パターンを、第１の層（２０）の下の基層（１２）に転写して、２つの方向に周期性を有する構造のアレイを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にナノスケール構造に関し、更に具体的には、規則的な周期アレイにおける二次元自己組織化（self-assembled）サブリソグラフィ・ナノスケール構造およびこれを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体業界において、半導体製造のためのボトムアップ手法の使用に関心が高まっている。かかる１つの手法は、サブリソグラフィ基本原則ナノメートル・スケール・パターンを発生するための自己組織化ブロック・コポリマーを利用する。
【０００３】
ナノメートル・スケールのパターンに自己編成することができる自己組織化コポリマー材料を、テンプレート層のくぼんだ領域内に塗布して、ナノスケール構造を形成することができる。適切な条件のもとで、２つ以上の不混和性ポリマー・ブロック・コンポーネントは、ナノメートル・スケールの２つ以上の異なる相に分離し、これによって、分離されたナノサイズ構造ユニットの配列パターンを形成する。このような、自己組織化ブロック・コポリマーによって形成された分離ナノサイズ構造ユニットの配列パターンは、半導体、光学、および磁気デバイスにおいてナノスケール構造ユニットを製造するために用いることができる。このように形成された構造ユニットの寸法は、典型的に５から４０ｎｍの範囲であり、これはサブリソグラフィ・レベル（sublithographic）（すなわちリソグラフィ・ツールの解像度未満）である。
【０００４】
自己組織化ブロック・コポリマーは、まず、適切な溶剤系に溶解させてブロック・コポリマー溶液を形成し、次いでこれを基層の表面上に塗布してブロック・コポリマー層を形成する。自己組織化ブロック・コポリマーを、高温でアニーリングして、２つの異なるポリマー・ブロック・コンポーネントを含む２組のポリマー・ブロック構造を形成する。ポリマー・ブロック構造は、線形または円筒形とすることができる。１組のポリマー・ブロック構造を他の組のポリマー・ブロック構造内に埋め込むことができ、または、異なる組に属するポリマー・ブロック構造は交互にすることができる。自己組織化ブロック・コポリマーは非感光性レジストであり、そのパターニングは、光子すなわち光放射によってではなく、アニーリング等の適切な条件のもとでの自己組織化によって生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願番号第１１／４２４，９６３号
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Nealeyらの「Self-assembling resists for nanolithography」（IEDM Technical Digest、２００５年１２月、Digital Object Identifier 10.1109/IEDM. 2005.1609349）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
当技術分野において、六角形アレイの自己組織化自己整合ナノスケール構造は既知であるが、かかる構成では、デバイス・コンポーネントの配置に形状上の制限が加わる。ほとんどの半導体デバイス・アレイおよびナノスケール・アレイは、典型的に六角形アレイでなく矩形アレイで設計されるので、特にこれが当てはまる。
【０００８】
上述のことに鑑み、矩形アレイにおける自己整合および自己組織化構造の二次元アレイであって、構造の周期性が６０度以外の角度を有する２つの方向に沿って伝搬するものに対する要望が存在する。
【０００９】
特に、２つの直交する方向におけるサブリソグラフィ空間および幅を有する構造の二次元矩形アレイに対する要望が存在する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、２つの異なる方向にサブリソグラフィ幅および間隔を有するナノスケール構造の矩形アレイおよびこれを製造する方法を提供することによって、上述の要望に対応する。
【００１１】
サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第１の方向に沿って延在する半導体基板上の第１のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第１の層内の第１の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１の層に充填材料を充填し、第１のナノスケール・ネスト線構造を含む第１の層の上に、第２の層を堆積する。サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第２の方向に沿って延在する第２のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第２の層内の第２の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第２の方向は第１の方向とは異なり、第１の方向に対して直交する場合もあるし直交しない場合もある。第１のナノスケール・ネスト線構造および第２のナノスケール・ネスト線構造の複合パターンを、第１の層の下の基層に転写して、２つの方向に周期性を有する構造のアレイを形成する。
【００１２】
本発明の第１の態様によれば、基板上にナノスケール・パターンを形成する方法が提供される。この方法は、
基板上の第１の層上に２つの平行な第１の長さ方向の縁部を有する第１のくぼんだ領域を形成するステップと、
第１のサブリソグラフィ幅を有し、第１のくぼんだ領域の２つの平行な第１の長さ方向の縁部に対して平行な第１の線の縁部を有する少なくとも１つの第１の線を含む第１のナノスケール自己組織化自己整合構造を形成するステップと、
第１のナノスケール自己組織化自己整合構造および第１の層の上に第２の層を形成するステップと、
第２の層上に２つの平行な第２の長さ方向の縁部を有する第２のくぼんだ領域を形成するステップであって、２つの平行な第１の長さ方向の縁部と２つの平行な第２の長さ方向の縁部との間の角度がゼロよりも大きい、ステップと、
第２のサブリソグラフィ幅を有し、前記第２のくぼんだ領域の２つの平行な第２の長さ方向の縁部に対して平行な第２の線の縁部を有する少なくとも１つの第２の線を含む第２のナノスケール自己組織化自己整合構造を形成するステップと、
を含む。
【００１３】
一実施形態において、第１のナノスケール自己組織化自己整合構造は、第１の層の上面に、または上面の下に配置されている。
【００１４】
別の実施形態において、第１のナノスケール自己組織化自己整合構造は、第２の層の上面に、または上面の下に配置されている。
【００１５】
更に別の実施形態において、この方法は、第１のポリマー・コンポーネントおよび第２のポリマー・コンポーネントを含む第１の非感光性ポリマー・レジストを第１のくぼんだ領域に塗布するステップを含み、少なくとも１つの第１の線が第１のポリマー・コンポーネントを含む。
【００１６】
更に別の実施形態において、この方法は、
第３のサブリソグラフィ幅を有し、第２のポリマー・コンポーネントを含み、第１のくぼんだ領域において少なくとも１つの第１の線に横方向に当接する少なくとも１つの第３の線を形成するステップと、
少なくとも１つの第１の線および第１の層に対して選択的に少なくとも１つの第３の線を除去するステップと、
を更に含む。
【００１７】
更に別の実施形態において、この方法は、少なくとも１つの第３の線の除去によって形成された空間を、第１の非感光性ポリマー・レジストとは異なる充填材料によって充填するステップを更に含む。
【００１８】
更に別の実施形態において、この方法は、第３のポリマー・コンポーネントおよび第４のポリマー・コンポーネントを含む第２の非感光性ポリマー・レジストを第２のくぼんだ領域に塗布するステップを更に含み、少なくとも１つの第２の線が第３のポリマー・コンポーネントを含む。
【００１９】
更に別の実施形態において、この方法は、
第４のサブリソグラフィ幅を有し、第４のポリマー・コンポーネントを含み、第２のくぼんだ領域において少なくとも１つの第２の線に横方向に当接する少なくとも１つの第４の線を形成するステップと、
少なくとも１つの第２の線および第２の層に対して選択的に少なくとも１つの第４の線を除去するステップと、
を更に含む。
【００２０】
更に別の実施形態において、少なくとも１つの第１の線は第１の非感光性ポリマー・レジストのポリマー・コンポーネントを含み、少なくとも１つの第２の線は第２の非感光性ポリマー・レジストのポリマー・コンポーネントを含み、この方法は、少なくとも１つの第２の線に対して選択的に第２の層を除去するステップを更に含む。
【００２１】
更に別の実施形態において、この方法は、少なくとも１つの第１の線および少なくとも１つの第２の線に対して選択的に第１の層を除去するステップを更に含む。
【００２２】
更に別の実施形態において、この方法は、第１の層の下および基板の上の基層にナノスケール・トレンチの二次元アレイを含む構造を形成するステップを更に含み、ナノスケール・トレンチが二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復し、ナノスケール・トレンチの各々が、第１のサブリソグラフィ距離だけ離れた第１の対の側壁および第２のサブリソグラフィ距離だけ離れた第２の対の側壁を有する。
【００２３】
更に別の実施形態において、第１の方向は２つの平行な第１の長さ方向の縁部に対して垂直であり、第２の方向は２つの平行な第２の長さ方向の縁部に対して垂直である。
【００２４】
更に別の実施形態において、ナノスケール・トレンチの水平横断面領域は平行四辺形である。
【００２５】
更に別の実施形態において、ナノスケール・トレンチの水平横断面領域は矩形である。
【００２６】
本発明の別の態様によれば、パターン含有層に配置されたナノスケール・トレンチの二次元アレイを含む構造が提供される。ナノスケール・トレンチは、二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復し、ナノスケール・トレンチの各々は、第１のサブリソグラフィ距離だけ離れた第１の対の平行側壁および第２のサブリソグラフィ距離だけ離れた第２の対の平行側壁を有する。
【００２７】
一実施形態において、第１の方向と第２の方向との間の角度は、第１の対の平行側壁の１つおよび第２の対の平行側壁の１つとの間の角度と同じである。
【００２８】
別の実施形態において、この角度は０度と６０度との間または６０度と９０度との間である。
【００２９】
更に別の実施形態において、ナノスケール・トレンチの水平横断面領域は平行四辺形である。
【００３０】
更に別の実施形態において、ナノスケール・トレンチの水平横断面領域は矩形である。
【００３１】
更に別の実施形態において、第１の方向における隣接するナノスケール・トレンチの対の間の第１の間隔はサブリソグラフィ・レベルであり、第２の方向における隣接するナノスケール・トレンチの対の間の第２の間隔はサブリソグラフィ・レベルである。
【００３２】
同一の参照番号を有する図は同一の製造段階に対応する。最後に「Ａ」が付いた図は上から下に見た図である。最後に「Ｂ」、「Ｃ」、または「Ｄ」が付いた図は、それぞれ、同一の参照番号を有し最後に「Ａ」が付いた対応する図の平面Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’、Ｄ−Ｄ’に沿った垂直断面図である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図２Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図３Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図３Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図４Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図４Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図５Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図５Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図６Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図６Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図６Ｃ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図７Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図７Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図８Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図８Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図８Ｃ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図８Ｄ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図９Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図９Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図９Ｃ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１０Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１０Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１０Ｃ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１１Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１１Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１１Ｃ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１２Ａ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１２Ｂ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１２Ｃ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１３Ａ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１３Ｂ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１３Ｃ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１４Ａ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１４Ｂ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１４Ｃ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
上述のように、本発明は、規則的な周期アレイにおける二次元自己組織化サブリソグラフィ・ナノスケール構造、およびこれを製造する方法に関する。これらについて、添付図面を参照して詳細に説明する。同様のおよび対応する要素は、同様の参照番号によって示すことに留意すべきである。
【００３５】
図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造は、基板１０上に配置された基層１２および第１の層２０を含む。基板１０は、半導体基板、絶縁体基板、金属製基板、またはそれらの組み合わせとすることができる。半導体基板は、シリコン基板、他のＩＶ群元素半導体基板、または化合物半導体基板とすることができる。また、半導体基板は、バルク基板、絶縁体上半導体（ＳＯＩ）基板、またはバルク部分およびＳＯＩ部分を有するハイブリッド基板とすれば良い。
【００３６】
基層１２は、半導体材料、絶縁体材料、または金属を含むことができる。半導体材料の例示的な材料は、純粋な材料としてまたは合金としてのＩＶ群元素、ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料、およびＩＩ−ＶＩ化合物半導体材料を含む。半導体材料は、ドーパントをドーピングすることができ、または実質的にドーピングなしとすることができる。例示的な絶縁体材料は、当技術分野において既知の、誘電体酸化物、誘電体窒化物、および多孔性または非多孔性の低誘電率誘電体材料（酸化シリコンの誘電率未満すなわち３．９未満の誘電率を有する）を含む。金属は、純粋な金属、元素金属の合金、金属半導体合金、または他のいずれかの導電性金属化合物とすることができる。
【００３７】
第１の層２０は、半導体材料または絶縁体材料を含むことができる。例示的な半導体材料は、ポリシリコン、アモルファス・シリコン、ゲルマニウムもしくは炭素を含む合金を含む多結晶シリコン、またはゲルマニウムもしくはシリコンを含む合金を含むアモルファス・シリコンを含む。例示的な絶縁体材料は、誘電体酸化物、誘電体酸窒化物、誘電体窒化物、および多孔性または非多孔性の低誘電率絶縁体材料（酸化シリコンの誘電率未満すなわち３．９未満の誘電率を有する）を含む。更に、自己組織化ブロック・コポリマーのためのテンプレートである第１の層２０は、無水素アモルファス炭素等のアモルファス炭素またはダイヤモンド様炭素、四面体無水素アモルファス炭素、金属含有無水素アモルファス炭素、金属含有水素添加アモルファス炭素、および変更された（modified）水素添加アモルファス炭素を含むことができる。第１の層２０の厚さは、変動する場合があるが、典型的には約３ｎｍから約３００ｎｍであり、典型的には約１０ｎｍから約１００ｎｍである。
【００３８】
第１の層２０は、まず、基層１２の上面全体を覆うブランケット層として形成し、続いて、フォトレジスト（図示せず）の塗布、フォトレジストのパターニング、およびフォトレジストのパターンを第１の層２０に転写する異方性エッチングを用いるリソグラフィ方法によってパターニングされる。パターンは、第１の層２０における第１の開口Ｏ１を含み、この下に基層１２の上面が露出される。第１の開口Ｏ１の第１の横方向の幅ＬＷ１はリソグラフィ・レベル（lithographic）である。更に、隣接する第１の開口Ｏ間の空間もリソグラフィ・レベルである。第１の開口Ｏ１の各々は矩形または平行四辺形であり、このため、２つの長さ方向の縁部が幅方向の縁部よりも大きい。好ましくは、第１の開口Ｏ１の長さ方向の縁部の長さである第１の開口Ｏ１の長さは、第１の開口Ｏ１の幅方向の縁部の長さおよび第１の開口Ｏ１のかどの１つの角度のサインの積である第１の開口Ｏ１の幅と同じかまたはこれより長い。
【００３９】
第１の開口Ｏ１はリソグラフィ方法によって形成されるので、第１の開口Ｏ１の各々の長さおよび幅はリソグラフィ寸法である。寸法がリソグラフィ寸法であるかサブリソグラフィ寸法であるかは、寸法がリソグラフィ・パターニング方法によって形成可能であるか否かに応じて決まる。リソグラフィ・パターニング方法によって形成可能な最小寸法を、本明細書においては、「リソグラフィ最小寸法」または「臨界寸法」と称する。リソグラフィ最小寸法は、所与のリソグラフィ・ツールとの関連によってのみ規定され、通常は半導体技術の世代ごとに異なるが、リソグラフィ最小寸法およびサブリソグラフィ寸法は、半導体製造の時期に利用可能なリソグラフィ・ツールの最良の性能との関連によって規定されることになる。２００７年現在、リソグラフィ最小寸法は約４５ｎｍであり、将来は更に小さくなることが予想される。リソグラフィ最小寸法未満の寸法はサブリソグラフィ寸法であり、リソグラフィ最小寸法以上の寸法はリソグラフィ寸法である。
【００４０】
図２Ａおよび図２Ｂを参照すると、スピン・コーティング等の当技術分野において周知の方法で、第１の開口Ｏ１の各々内に第１の非感光性ポリマー・レジストを塗布して、第１の非感光性ポリマー・レジスト部分３０が形成されている。第１の非感光性ポリマー・レジスト部分３０の上面は、第１の層２０の上面と同一平面とすることができ、または、第１の層２０の上面よりも下にくぼませることができる。第１の非感光性ポリマー・レジストは、ナノメートル・スケールのパターンに自己編成することができる自己組織化ブロック・コポリマーを含む。
【００４１】
第１の非感光性ポリマー・レジストは、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントおよび第２のポリマー・ブロック・コンポーネントを含み、これらは相互に不混和性である。非感光性ポリマー・レジストは自己平坦化するものとすることができる。あるいは、非感光性ポリマー・レジストは、化学機械平坦化、くぼみエッチング、またはそれらの組み合わせによって平坦化することができる。
【００４２】
第１のポリマー・ブロック・コンポーネントおよび第２のポリマー・ブロック・コンポーネントの例示的な材料については、２００６年６月１９日に出願された、本願と同一の譲受人に譲渡された同時係属中の米国特許出願番号第１１／４２４，９６３号に記載されている。本発明の構造ユニットを形成するために使用可能な非感光性ポリマー・レジストのための自己組織化ブロック・コポリマーの具体的な例は、限定ではないが、ポリスチレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ブロック−ポリイソプレン（ＰＳ−ｂ−ＰＩ）、ポリスチレン−ブロック−ポリブタジエン（ＰＳ−ｂ−ＰＢＤ）、ポリスチレン−ブロック−ポリビニルピリジン（ＰＳ−ｂ−ＰＶＰ）、ポリスチレン−ブロック−ポリエチレンオキシド（ＰＳ−ｂ−ＰＥＯ）、ポリスチレン−ブロック−ポリエチレン（ＰＳ−ｂ−ＰＥ）、ポリスチレン−ブロック−オルガノシリケート（ＰＳ−ｂ−ＰＯＳ）、ポリスチレン−ブロック−ポリフェロセニルジメチルシラン（ＰＳ−ｂ−ＰＦＳ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリイソプレン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＩ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリブタジエン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＢＤ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＥＯ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリエチルエチレン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＥＥ）、ポリブタジエン−ブロック−ポリビニルピリジン（ＰＢＤ−ｂ−ＰＶＤ）、およびポリイソプレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＩ−ｂ−ＰＭＭＡ）を含むことができる。
【００４３】
自己組織化ブロック・コポリマーは、まず、適切な溶剤系に溶解させてブロック・コポリマー溶液を形成し、次いでこれを第１の例示的な構造の表面上に塗布して非感光性ポリマー・レジストを形成する。ブロック・コポリマーを溶解しブロック・コポリマー溶液を形成するために用いられる溶剤系は、限定ではないが、トルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、およびアセトンを含むいずれかの適切な溶剤を含むことができる。非感光性ポリマー・レジストは、紫外線光または光学光に露光されると現像することができる従来のフォトレジストではない。また、非感光性ポリマー・レジストは、従来の低ｋ誘電材料ではない。
【００４４】
図３Ａおよび図３Ｂを参照すると、アニーリングによって自己組織化ブロック・コポリマーの架橋を形成することによって、第１の開口Ｏ（図１Ｂを参照）の各々内に、第１のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ１が形成されている。具体的には、紫外線処理または高温での熱アニーリングによって第１の非感光性ポリマー・レジストをアニーリングして、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントを含む第１の主要層状構造４０および第２のポリマー・ブロック・コンポーネントを含む第１の補足層状構造５０を形成する。第１の主要層状構造４０および第１の補足層状構造５０は、第１の開口Ｏ１の長さ方向に対して垂直な方向に周期性をもって交互になっている。
【００４５】
ブロック・コポリマー層における自己組織化ブロック・コポリマーにアニーリングを行って２組のポリマー・ブロックを形成する例示的なプロセスは、Nealeyらの「Self-assembling resists for nanolithography」（IEDM Technical Digest、２００５年１２月、Digital Object Identifier 10.1109/IEDM. 2005.1609349）に記載されている。米国特許出願番号第１１／４２４，９６３号に記載されたアニーリングの方法を用いることができる。アニーリングは、例えば、約２００℃から約３００℃までの温度で、約１時間未満から約１００時間までの時間、行うことができる。
【００４６】
第１の非感光性ポリマー・レジストの組成および濡れ特性を調整して、第１の主要層状構造４０の一部が第１の層２０の側壁に当接し、第１の補足層状構造５０が第１の層２０の側壁から離れているようにする。第１のポリマー・ブロック・コンポーネントの濡れ特性の調整は、第１の主要層状構造４０の幅が、第１の主要層状構造４０が第１の層２０の側壁に接触しているか否かに応じて決まるように行えば良い。例えば、第１の層２０に側壁に接触していない第１の主要層状構造４０の幅は、第１の層２０の側壁に接触している第１の主要層状構造４０の幅と同じか、またはこれとは異なるようにすることができる。第１の主要層状構造４０の幅は、サブリソグラフィ・レベルであり、約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍの範囲とすることができる。本明細書において第１の層状間隔と称する第１の補足層状構造５０の幅は、サブリソグラフィ・レベルとすることができる。また、第１の主要層状構造４０の１つの幅および第１の層状間隔の和も、サブリソグラフィ・レベルとすることができる。
【００４７】
第１のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ１は、「自己組織化」される。第１の非感光性ポリマー・レジストの化学的組成は、第１および第２のポリマー・ブロック・コンポーネントの不混和性によって、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントが第１の主要層状構造４０へと自己組織化することができ、第２のポリマー・ブロック・コンポーネントが第１の補足層状構造５０へと組織化するようになっている。
【００４８】
第１のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ１は、第１の開口Ｏ１を画定する第１の層２０の壁に対して「自己整合」する。第１の主要層状構造４０および第１の補足層状構造５０は、第１の層２０における第１の開口Ｏ１の長さ方向に沿って延在する。
【００４９】
図４Ａおよび図４Ｂを参照すると、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントに対して選択的に第２のポリマー・ブロック・コンポーネントを除去する異方性エッチングによって、第１の主要層状構造４０および第１の層２０に対して選択的に第１の補足層状構造５０が除去されている。１組の第１の主要層状構造４０は、第１の開口Ｏ１（図１Ｂを参照）の各々内に構成され、サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有する第１の平行線の一次元アレイを構成する。本明細書において、第２のポリマー・ブロック・コンポーネントに対して選択的に第１のポリマー・ブロック・コンポーネントを除去する異方性エッチングによって第１の補足層状構造５０および第１の層２０に対して選択的に第１の主要層状構造５０を除去する本発明の変形は、明示的に想定される。
【００５０】
図５Ａおよび図５Ｂを参照すると、第１の主要層状構造４０間に、充填部２２が形成されている。充填部２２は、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントを含む第１の主要層状構造４０に対して選択的に除去可能な材料を含む。例えば、充填部は、誘電体酸化物、誘電体窒化物、または、多孔性または非多孔性の低誘電率材料（酸化シリコンの誘電率すなわち３．９未満の誘電率を有する）を含むことができる。充填部２２は、スピンオン・コーティング、堆積およびくぼみエッチング、堆積および化学機械平坦化（ＣＭＰ）、またはそれらの組み合わせによって形成することができる。
【００５１】
図６Ａから図６Ｃを参照すると、第１の層２０、第１の主要層状構造４０、および充填部２２の上に直接、ブランケット層として第２の層６０が形成されている。第２の層６０は、第１の層２０として使用可能な材料のいずれかを含むことができる。具体的には、第２の層６０は、半導体材料、絶縁体材料、アモルファス炭素、またはダイヤモンド様炭素を含むことができる。第２の層６０を形成するために、スピンオン・コーティングまたは化学気相堆積を用いることができる。第２の層６０の厚さは、約３ｎｍから約６００ｎｍまで、典型的には約１０ｎｍから約２００ｎｍまでとすることができる。
【００５２】
第１の実施形態の変形においては、充填部２２および第２の層６０は、同一の材料を含むことができ、第１の主要層状構造４０の間に第２の層６０を形成することによって同一の処理ステップで形成することができる。この場合、充填部２２および第２の層６０は、それらの間に明らかな物理的界面なしで一体的に形成される。
【００５３】
第２の層６０は、フォトレジスト（図示せず）の塗布、フォトレジストのパターニング、およびフォトレジストのパターンを第２の層６０に転写する異方性エッチングを用いるリソグラフィ方法によってパターニングされる。パターンは、第２の層６０における第２の開口Ｏ２を含む。第２の開口Ｏ２は、第２の層６０を貫通して、第１の層２０の上面、第１の主要層状構造４０、および充填部２２を露出させるように形成することができ、あるいは、第１の層２０の上面を露出させることなく、第２の層６０内に部分的にのみ形成することも可能である。
【００５４】
第２の開口Ｏ２の横方向の幅である第２の横方向の幅ＬＷ２は、リソグラフィ・レベルである。２つ以上の第２の開口Ｏ２を形成することも可能である。かかる場合、隣接する第２の開口Ｏ２間の間隔もリソグラフィ・レベルである。第２の開口Ｏ２は、矩形または平行四辺形であり、このため、２つの長さ方向の縁部が幅方向の縁部よりも大きい。好ましくは、第２の開口Ｏ２の長さ方向の縁部の長さである第２の開口Ｏ２の長さは、第２の開口Ｏ２の幅方向の縁部の長さおよび第２の開口Ｏ２のかどの１つの角度のサインの積である第２の開口Ｏ２の幅と同じかまたはこれより長い。第２の開口Ｏ２はリソグラフィ方法によって形成されるので、第２の開口の長さおよび幅はリソグラフィ寸法である。
【００５５】
図７Ａおよび図７Ｂを参照すると、スピン・コーティング等の当技術分野において周知の方法によって、第２の開口Ｏ２内に第２の非感光性ポリマー・レジストを塗布して、第２の非感光性ポリマー・レジスト部分８０が形成されている。好ましくは、第２の非感光性ポリマー・レジスト部分８０の上面は、第２の開口Ｏ２の外側の第２の層６０の上面よりも下にくぼませるか、またはこれと実質的に同じ高さとすることができる。第２の非感光性ポリマー・レジストは、第２の層６０と同一平面に、またはこれよりも上になるように塗布し、次いで、くぼみエッチングによって、または希薄溶液を用い、その後に溶剤を蒸発させて第２の開口Ｏ２内で体積を収縮させることによって、最終的な高さまでくぼませることができる。
【００５６】
第２の非感光性ポリマー・レジストは、ナノメートル・スケールのパターンに自己編成することができる自己組織化ブロック・コポリマーを含む。このため、第１の非感光性ポリマー・レジストについて先に列挙した材料のいずれかを、第２の非感光性ポリマー・レジストのために用いることができる。第２の非感光性ポリマー・レジストは、第１の非感光性ポリマー・レジストと同じ材料か、またはこれとは異なる材料を含むことができる。本発明を例示する目的のために、第２の非感光性ポリマー・レジストのポリマー・ブロック・コンポーネントを、第３のポリマー・ブロック・コンポーネントおよび第４のポリマー・ブロック・コンポーネントと称する。第３のポリマー・ブロック・コンポーネントは、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントと同じか、またはこれとは異なるものとすることができる。同様に、第４のポリマー・ブロック・コンポーネントは、第２のポリマー・ブロック・コンポーネントと同じか、またはこれとは異なるものとすることができる。
【００５７】
図８Ａから図８Ｄを参照すると、アニーリングによって自己組織化ブロック・コポリマーの架橋を形成することによって、第２の開口Ｏ内に第２のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ２が形成されている。第２のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ２を形成するためには、第１のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ１を形成するために用いたものと同じ方法を使用することができる。
【００５８】
具体的には、紫外線処理または高温での熱アニーリングによって第２の非感光性ポリマー・レジストをアニーリングして、第２のポリマー・ブロック・コンポーネントを含む第２の主要層状構造９０および第４のポリマー・ブロック・コンポーネントを含む第２の補足層状構造１００を形成する。第２の主要層状構造９０および第２の補足層状構造１００は、第２の横方向の幅ＬＷ２の方向すなわち第２の開口Ｏ２の長さ方向に対して垂直な方向に周期性をもって交互になっている。
【００５９】
第２の非感光性ポリマー・レジストの組成および濡れ特性を調整して、第２の主要層状構造９０の一部が第２の層６０の第２の開口Ｏ２の側壁に当接し、第２の補足層状構造１００が第２の層６０の第２の開口Ｏ２の側壁から離れているようにする。第３のポリマー・ブロック・コンポーネントの濡れ特性の調整は、第２の層６０の第２の開口Ｏ２の側壁に当接している第２の主要層状構造９０の幅が、第２の層６０の第２の開口Ｏ２の側壁から離れている別の第２の主要層状構造９０の幅と同じとなるか、またはこれとは異なるように行えば良い。
【００６０】
第２の主要層状構造９０の幅は、サブリソグラフィ・レベルであり、約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍの範囲とすることができる。本明細書において第２の層状間隔と称する第２の補足層状構造１００の幅は、サブリソグラフィ・レベルとすることができる。また、第２の主要層状構造９０の１つの幅および第２の層状間隔の和も、サブリソグラフィ・レベルとすることができる。
【００６１】
第２のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ２は、第１のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ１が自己組織化され自己整合するのと同じいみで、自己組織化され、自己整合される。なぜなら、第２のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ２の様々なコンポーネントの自己組織化および自己整合のために同じ機構を用いているからである。
【００６２】
図９Ａから図９Ｃを参照すると、反応性イオン・エッチング等の異方性エッチングによって、第２の主要層状構造９０に対して選択的に第２の補足層状構造１００および第２の層６０の露出部分が除去されている。異方性エッチングの後、第１の層２０、充填部２２、および第１の主要層状構造４０の上面が露出する。このため、第１の主要層状構造９０は、サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有する線の一次元アレイを含むエッチ・マスクとして用いられる。本明細書において、反応性イオン・エッチング等の異方性エッチングによって第２の補足層状構造１００に対して選択的に第２の主要層状構造９０および第２の層６０の露出部分を除去する本発明の変形は、明示的に想定される。
【００６３】
図１０Ａから図１０Ｃを参照すると、反応性イオン・エッチング等の異方性エッチングによって、第２の主要層状構造９０および第１の主要層状構造４０に対して選択的に、充填部２２、第１の層２０、および基層１２がエッチングされている。第２の主要層状構造９０および第１の主要層状構造４０のパターンによってパターニングされた基層１２は、本明細書において、パターン含有層１２’と称する。
【００６４】
図１１Ａから図１１Ｃを参照すると、第２の主要層状構造９０および第１の主要層状構造４０、ならびに、第２の主要層状構造９０の直接下に配置された第２の層６０、充填部２２、第１の層２０の残りの部分が、パターン含有層１２’および基板１０に対して選択的に除去されている。
【００６５】
パターン含有層１２’は、典型的にサブリソグラフィ・レベルであるナノスケール寸法を有する複数のナノスケール・トレンチを含む。トレンチのパターンは、２つの異なる方向に周期性を有する２つのパターンの並置によって形成される。第１のパターンは、第１の組のサブリソグラフィ幅の線を含む第１の主要層状構造４０のパターンを含み、これらは、第１の層状間隔であるサブリソグラフィ間隔だけ離れて、本明細書において第１の方向と称する第１の開口Ｏ１（図１Ｂを参照）の長さ方向の縁部に対して垂直な方向に反復している。第２のパターンは、第２の組のサブリソグラフィ幅の線を含む第２の主要層状構造９０のパターンを含み、これらは、第２の層状間隔である別のサブリソグラフィ間隔だけ離れて、本明細書において第２の方向と称する第２の開口Ｏ２（図６Ｃを参照）の長さ方向の縁部に対して垂直な方向に反復している。
【００６６】
パターン含有層１２’におけるナノスケール・トレンチは、二次元矩形アレイまたは二次元平行四辺形格子アレイに配列されている。ナノスケール・トレンチは、二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復している。ナノスケール・トレンチは各々、ナノスケール寸法すなわち約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍまでの寸法を有する２対の側壁を有する。
【００６７】
図１２Ａから図１２Ｃを参照すると、図９Ａから図９Ｃの第１の例示的なナノスケール構造から、反応性イオン・エッチング等の異方性エッチングによって、第１の層２０、第２の主要層状構造９０、および第１の主要層状構造４０に対して選択的に、充填部２２および基層１２を除去することによって、本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造を得ている。第２の主要層状構造９０および第１の主要層状構造４０のパターンによってパターニングされた基層１２は、本明細書において、パターン含有層１２’と称する。
【００６８】
第２の実施形態によれば、第１の開口（図１Ｂを参照）の領域内の第２の主要層状構造９０のパターンの部分がパターン含有層１２’内に転写される。なぜなら、第１の層２０が第２の主要層状構造９０および第１の主要層状構造４０と組み合ってエッチ・マスクとして機能するからである。
【００６９】
図１３Ａから図１３Ｃを参照すると、第１の層２０、第１の主要層状構造４０、および第２の主要層状構造９０、ならびに、第２の主要層状構造９０の直接下に配置された第２の層６０、充填部２２、第１の層２０の残りの部分が、パターン含有層１２’および基板１０に対して選択的に除去されている。
【００７０】
パターン含有層１２’は、典型的にサブリソグラフィ・レベルであるナノスケール寸法を有する複数のナノスケール・トレンチを含む。トレンチのパターンは、２つの異なる方向に周期性を有する２つのパターンの並置によって形成される。第１のパターンは、第１の組のサブリソグラフィ幅の線を含む第１の主要層状構造４０のパターンを含み、これらは、第１の層状間隔であるサブリソグラフィ間隔だけ離れて、本明細書において第１の方向と称する第１の開口Ｏ１（図１Ｂを参照）の長さ方向の縁部に対して垂直な方向に反復している。第２のパターンは、第２の組のサブリソグラフィ幅の線を含む第２の主要層状構造９０のパターンを含み、これらは、第２の層状間隔である別のサブリソグラフィ間隔だけ離れて、本明細書において第２の方向と称する第２の開口Ｏ２（図６Ｃを参照）の長さ方向の縁部に対して垂直な方向に反復している。
【００７１】
パターン含有層１２’におけるナノスケール・トレンチは、二次元矩形アレイまたは二次元平行四辺形格子アレイに配列されている。ナノスケール・トレンチは、二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復している。ナノスケール・トレンチは各々、ナノスケール寸法すなわち約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍまでの寸法を有する２対の側壁を有する。ナノスケール・トレンチは、矩形の水平横断面領域を有する場合がある。
【００７２】
図１４Ａから図１４Ｃを参照すると、第２の例示的なナノスケール構造の一般化された変形は、ナノスケール・トレンチの二次元平行四辺形格子アレイを含む。ナノスケール・トレンチは各々、第１の幅Ｗ１だけ離れた１組の第１のトレンチ壁ＴＷ１を有する。第１の方向すなわち第１のナノスケール幅Ｗ１の方向における隣接するナノスケール・トレンチ対に属する１対の第１のトレンチ壁ＴＷ１は、第１の間隔Ｓ１だけ離れている。第１の幅Ｗ１および第１の間隔Ｓ１は各々、例えば約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍまでのナノスケール寸法である。同様に、ナノスケール・トレンチは各々、第２の幅Ｗ２だけ離れた１組の第２のトレンチ壁ＴＷ２を有する。第２の方向すなわち第２のナノスケール幅Ｗ２の方向における隣接するナノスケール・トレンチ対に属する１対の第２のトレンチ壁ＴＷ１は、第２の間隔Ｓ２だけ離れている。第２の幅Ｗ２および第２の間隔Ｓ２は各々、例えば約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍまでのナノスケール寸法である。
【００７３】
第１の方向と第２の方向との間の角度αは、ゼロ以外のいずれかの任意の角度とすることができる。例えば、角度αは、０度と６０度との間、６０度、６０度と９０度との間、または９０度とすることができる。第１の方向と第２の方向との間の角度αは、平行四辺形であるナノスケール・トレンチの１つの水平横断面領域のかどの角度と同じである。従って、本発明は、基板１０上にサブリソグラフィ寸法を有するナノスケール・トレンチのアレイを可能とする。
【００７４】
本発明について、具体的な実施形態に関連付けて説明したが、前述の説明に鑑み、当業者には多数の代替、変更、および変形が明らかであることは明白である。従って、本発明は、本発明の範囲および精神ならびに特許請求の範囲内に該当するそのような代替、変更、および変形を全て包含することが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、多種多様な電子および電気装置において用いられる集積回路チップに特に適したボトムアップ製造プロセスを用いて、半導体基板上における二次元自己組織化サブリソグラフィ・ナノスケール構造の設計および製造に産業上の適用性がある。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にナノスケール構造に関し、更に具体的には、規則的な周期アレイにおける二次元自己組織化（self-assembled）サブリソグラフィ・ナノスケール構造およびこれを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体業界において、半導体製造のためのボトムアップ手法の使用に関心が高まっている。かかる１つの手法は、サブリソグラフィ基本原則ナノメートル・スケール・パターンを発生するための自己組織化ブロック・コポリマーを利用する。
【０００３】
ナノメートル・スケールのパターンに自己編成することができる自己組織化コポリマー材料を、テンプレート層のくぼんだ領域内に塗布して、ナノスケール構造を形成することができる。適切な条件のもとで、２つ以上の不混和性ポリマー・ブロック・コンポーネントは、ナノメートル・スケールの２つ以上の異なる相に分離し、これによって、分離されたナノサイズ構造ユニットの配列パターンを形成する。このような、自己組織化ブロック・コポリマーによって形成された分離ナノサイズ構造ユニットの配列パターンは、半導体、光学、および磁気デバイスにおいてナノスケール構造ユニットを製造するために用いることができる。このように形成された構造ユニットの寸法は、典型的に５から４０ｎｍの範囲であり、これはサブリソグラフィ・レベル（sublithographic）（すなわちリソグラフィ・ツールの解像度未満）である。
【０００４】
自己組織化ブロック・コポリマーは、まず、適切な溶剤系に溶解させてブロック・コポリマー溶液を形成し、次いでこれを基層の表面上に塗布してブロック・コポリマー層を形成する。自己組織化ブロック・コポリマーを、高温でアニーリングして、２つの異なるポリマー・ブロック・コンポーネントを含む２組のポリマー・ブロック構造を形成する。ポリマー・ブロック構造は、線形または円筒形とすることができる。１組のポリマー・ブロック構造を他の組のポリマー・ブロック構造内に埋め込むことができ、または、異なる組に属するポリマー・ブロック構造は交互にすることができる。自己組織化ブロック・コポリマーは非感光性レジストであり、そのパターニングは、光子すなわち光放射によってではなく、アニーリング等の適切な条件のもとでの自己組織化によって生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願番号第１１／４２４，９６３号
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Nealeyらの「Self-assembling resists for nanolithography」（IEDM Technical Digest、２００５年１２月、Digital Object Identifier 10.1109/IEDM. 2005.1609349）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
当技術分野において、六角形アレイの自己組織化自己整合ナノスケール構造は既知であるが、かかる構成では、デバイス・コンポーネントの配置に形状上の制限が加わる。ほとんどの半導体デバイス・アレイおよびナノスケール・アレイは、典型的に六角形アレイでなく矩形アレイで設計されるので、特にこれが当てはまる。
【０００８】
上述のことに鑑み、矩形アレイにおける自己整合および自己組織化構造の二次元アレイであって、構造の周期性が６０度以外の角度を有する２つの方向に沿って伝搬するものに対する要望が存在する。
【０００９】
特に、２つの直交する方向におけるサブリソグラフィ空間および幅を有する構造の二次元矩形アレイに対する要望が存在する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、２つの異なる方向にサブリソグラフィ幅および間隔を有するナノスケール構造の矩形アレイおよびこれを製造する方法を提供することによって、上述の要望に対応する。
【００１１】
サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第１の方向に沿って延在する半導体基板上の第１のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第１の層内の第１の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１の層に充填材料を充填し、第１のナノスケール・ネスト線構造を含む第１の層の上に、第２の層を堆積する。サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第２の方向に沿って延在する第２のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第２の層内の第２の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第２の方向は第１の方向とは異なり、第１の方向に対して直交する場合もあるし直交しない場合もある。第１のナノスケール・ネスト線構造および第２のナノスケール・ネスト線構造の複合パターンを、第１の層の下の基層に転写して、２つの方向に周期性を有する構造のアレイを形成する。
【００１２】
本発明の第１の態様によれば、基板上にナノスケール・パターンを形成する方法が提供される。この方法は、
基板上の第１の層上に２つの平行な第１の長さ方向の縁部を有する第１のくぼんだ領域を形成するステップと、
第１のサブリソグラフィ幅を有し、第１のくぼんだ領域の２つの平行な第１の長さ方向の縁部に対して平行な第１の線の縁部を有する少なくとも１つの第１の線を含む第１のナノスケール自己組織化自己整合構造を形成するステップと、
第１のナノスケール自己組織化自己整合構造および第１の層の上に第２の層を形成するステップと、
第２の層上に２つの平行な第２の長さ方向の縁部を有する第２のくぼんだ領域を形成するステップであって、２つの平行な第１の長さ方向の縁部と２つの平行な第２の長さ方向の縁部との間の角度がゼロよりも大きい、ステップと、
第２のサブリソグラフィ幅を有し、前記第２のくぼんだ領域の２つの平行な第２の長さ方向の縁部に対して平行な第２の線の縁部を有する少なくとも１つの第２の線を含む第２のナノスケール自己組織化自己整合構造を形成するステップと、
を含む。
【００１３】
一実施形態において、第１のナノスケール自己組織化自己整合構造は、第１の層の上面に、または上面の下に配置されている。
【００１４】
別の実施形態において、第１のナノスケール自己組織化自己整合構造は、第２の層の上面に、または上面の下に配置されている。
【００１５】
更に別の実施形態において、この方法は、第１のポリマー・コンポーネントおよび第２のポリマー・コンポーネントを含む第１の非感光性ポリマー・レジストを第１のくぼんだ領域に塗布するステップを含み、少なくとも１つの第１の線が第１のポリマー・コンポーネントを含む。
【００１６】
更に別の実施形態において、この方法は、
第３のサブリソグラフィ幅を有し、第２のポリマー・コンポーネントを含み、第１のくぼんだ領域において少なくとも１つの第１の線に横方向に当接する少なくとも１つの第３の線を形成するステップと、
少なくとも１つの第１の線および第１の層に対して選択的に少なくとも１つの第３の線を除去するステップと、
を更に含む。
【００１７】
更に別の実施形態において、この方法は、少なくとも１つの第３の線の除去によって形成された空間を、第１の非感光性ポリマー・レジストとは異なる充填材料によって充填するステップを更に含む。
【００１８】
更に別の実施形態において、この方法は、第３のポリマー・コンポーネントおよび第４のポリマー・コンポーネントを含む第２の非感光性ポリマー・レジストを第２のくぼんだ領域に塗布するステップを更に含み、少なくとも１つの第２の線が第３のポリマー・コンポーネントを含む。
【００１９】
更に別の実施形態において、この方法は、
第４のサブリソグラフィ幅を有し、第４のポリマー・コンポーネントを含み、第２のくぼんだ領域において少なくとも１つの第２の線に横方向に当接する少なくとも１つの第４の線を形成するステップと、
少なくとも１つの第２の線および第２の層に対して選択的に少なくとも１つの第４の線を除去するステップと、
を更に含む。
【００２０】
更に別の実施形態において、少なくとも１つの第１の線は第１の非感光性ポリマー・レジストのポリマー・コンポーネントを含み、少なくとも１つの第２の線は第２の非感光性ポリマー・レジストのポリマー・コンポーネントを含み、この方法は、少なくとも１つの第２の線に対して選択的に第２の層を除去するステップを更に含む。
【００２１】
更に別の実施形態において、この方法は、少なくとも１つの第１の線および少なくとも１つの第２の線に対して選択的に第１の層を除去するステップを更に含む。
【００２２】
更に別の実施形態において、この方法は、第１の層の下および基板の上の基層にナノスケール・トレンチの二次元アレイを含む構造を形成するステップを更に含み、ナノスケール・トレンチが二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復し、ナノスケール・トレンチの各々が、第１のサブリソグラフィ距離だけ離れた第１の対の側壁および第２のサブリソグラフィ距離だけ離れた第２の対の側壁を有する。
【００２３】
更に別の実施形態において、第１の方向は２つの平行な第１の長さ方向の縁部に対して垂直であり、第２の方向は２つの平行な第２の長さ方向の縁部に対して垂直である。
【００２４】
更に別の実施形態において、ナノスケール・トレンチの水平横断面領域は平行四辺形である。
【００２５】
更に別の実施形態において、ナノスケール・トレンチの水平横断面領域は矩形である。
【００２６】
本発明の別の態様によれば、パターン含有層に配置されたナノスケール・トレンチの二次元アレイを含む構造が提供される。ナノスケール・トレンチは、二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復し、ナノスケール・トレンチの各々は、第１のサブリソグラフィ距離だけ離れた第１の対の平行側壁および第２のサブリソグラフィ距離だけ離れた第２の対の平行側壁を有する。
【００２７】
一実施形態において、第１の方向と第２の方向との間の角度は、第１の対の平行側壁の１つおよび第２の対の平行側壁の１つとの間の角度と同じである。
【００２８】
別の実施形態において、この角度は０度と６０度との間または６０度と９０度との間である。
【００２９】
更に別の実施形態において、ナノスケール・トレンチの水平横断面領域は平行四辺形である。
【００３０】
更に別の実施形態において、ナノスケール・トレンチの水平横断面領域は矩形である。
【００３１】
更に別の実施形態において、第１の方向における隣接するナノスケール・トレンチの対の間の第１の間隔はサブリソグラフィ・レベルであり、第２の方向における隣接するナノスケール・トレンチの対の間の第２の間隔はサブリソグラフィ・レベルである。
【００３２】
同一の参照番号を有する図は同一の製造段階に対応する。最後に「Ａ」が付いた図は上から下に見た図である。最後に「Ｂ」、「Ｃ」、または「Ｄ」が付いた図は、それぞれ、同一の参照番号を有し最後に「Ａ」が付いた対応する図の平面Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’、Ｄ−Ｄ’に沿った垂直断面図である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図２Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図３Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図３Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図４Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図４Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図５Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図５Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図６Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図６Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図６Ｃ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図７Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図７Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図８Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図８Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図８Ｃ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図８Ｄ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図９Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図９Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図９Ｃ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１０Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１０Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１０Ｃ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１１Ａ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１１Ｂ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１１Ｃ】本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１２Ａ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１２Ｂ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１２Ｃ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１３Ａ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１３Ｂ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１３Ｃ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１４Ａ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１４Ｂ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【図１４Ｃ】本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造の連続図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
上述のように、本発明は、規則的な周期アレイにおける二次元自己組織化サブリソグラフィ・ナノスケール構造、およびこれを製造する方法に関する。これらについて、添付図面を参照して詳細に説明する。同様のおよび対応する要素は、同様の参照番号によって示すことに留意すべきである。
【００３５】
図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、本発明の第１の実施形態による第１の例示的なナノスケール構造は、基板１０上に配置された基層１２および第１の層２０を含む。基板１０は、半導体基板、絶縁体基板、金属製基板、またはそれらの組み合わせとすることができる。半導体基板は、シリコン基板、他のＩＶ群元素半導体基板、または化合物半導体基板とすることができる。また、半導体基板は、バルク基板、絶縁体上半導体（ＳＯＩ）基板、またはバルク部分およびＳＯＩ部分を有するハイブリッド基板とすれば良い。
【００３６】
基層１２は、半導体材料、絶縁体材料、または金属を含むことができる。半導体材料の例示的な材料は、純粋な材料としてまたは合金としてのＩＶ群元素、ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料、およびＩＩ−ＶＩ化合物半導体材料を含む。半導体材料は、ドーパントをドーピングすることができ、または実質的にドーピングなしとすることができる。例示的な絶縁体材料は、当技術分野において既知の、誘電体酸化物、誘電体窒化物、および多孔性または非多孔性の低誘電率誘電体材料（酸化シリコンの誘電率未満すなわち３．９未満の誘電率を有する）を含む。金属は、純粋な金属、元素金属の合金、金属半導体合金、または他のいずれかの導電性金属化合物とすることができる。
【００３７】
第１の層２０は、半導体材料または絶縁体材料を含むことができる。例示的な半導体材料は、ポリシリコン、アモルファス・シリコン、ゲルマニウムもしくは炭素を含む合金を含む多結晶シリコン、またはゲルマニウムもしくはシリコンを含む合金を含むアモルファス・シリコンを含む。例示的な絶縁体材料は、誘電体酸化物、誘電体酸窒化物、誘電体窒化物、および多孔性または非多孔性の低誘電率絶縁体材料（酸化シリコンの誘電率未満すなわち３．９未満の誘電率を有する）を含む。更に、自己組織化ブロック・コポリマーのためのテンプレートである第１の層２０は、無水素アモルファス炭素等のアモルファス炭素またはダイヤモンド様炭素、四面体無水素アモルファス炭素、金属含有無水素アモルファス炭素、金属含有水素添加アモルファス炭素、および変更された（modified）水素添加アモルファス炭素を含むことができる。第１の層２０の厚さは、変動する場合があるが、典型的には約３ｎｍから約３００ｎｍであり、典型的には約１０ｎｍから約１００ｎｍである。
【００３８】
第１の層２０は、まず、基層１２の上面全体を覆うブランケット層として形成し、続いて、フォトレジスト（図示せず）の塗布、フォトレジストのパターニング、およびフォトレジストのパターンを第１の層２０に転写する異方性エッチングを用いるリソグラフィ方法によってパターニングされる。パターンは、第１の層２０における第１の開口Ｏ１を含み、この下に基層１２の上面が露出される。第１の開口Ｏ１の第１の横方向の幅ＬＷ１はリソグラフィ・レベル（lithographic）である。更に、隣接する第１の開口Ｏ間の空間もリソグラフィ・レベルである。第１の開口Ｏ１の各々は矩形または平行四辺形であり、このため、２つの長さ方向の縁部が幅方向の縁部よりも大きい。好ましくは、第１の開口Ｏ１の長さ方向の縁部の長さである第１の開口Ｏ１の長さは、第１の開口Ｏ１の幅方向の縁部の長さおよび第１の開口Ｏ１のかどの１つの角度のサインの積である第１の開口Ｏ１の幅と同じかまたはこれより長い。
【００３９】
第１の開口Ｏ１はリソグラフィ方法によって形成されるので、第１の開口Ｏ１の各々の長さおよび幅はリソグラフィ寸法である。寸法がリソグラフィ寸法であるかサブリソグラフィ寸法であるかは、寸法がリソグラフィ・パターニング方法によって形成可能であるか否かに応じて決まる。リソグラフィ・パターニング方法によって形成可能な最小寸法を、本明細書においては、「リソグラフィ最小寸法」または「臨界寸法」と称する。リソグラフィ最小寸法は、所与のリソグラフィ・ツールとの関連によってのみ規定され、通常は半導体技術の世代ごとに異なるが、リソグラフィ最小寸法およびサブリソグラフィ寸法は、半導体製造の時期に利用可能なリソグラフィ・ツールの最良の性能との関連によって規定されることになる。２００７年現在、リソグラフィ最小寸法は約４５ｎｍであり、将来は更に小さくなることが予想される。リソグラフィ最小寸法未満の寸法はサブリソグラフィ寸法であり、リソグラフィ最小寸法以上の寸法はリソグラフィ寸法である。
【００４０】
図２Ａおよび図２Ｂを参照すると、スピン・コーティング等の当技術分野において周知の方法で、第１の開口Ｏ１の各々内に第１の非感光性ポリマー・レジストを塗布して、第１の非感光性ポリマー・レジスト部分３０が形成されている。第１の非感光性ポリマー・レジスト部分３０の上面は、第１の層２０の上面と同一平面とすることができ、または、第１の層２０の上面よりも下にくぼませることができる。第１の非感光性ポリマー・レジストは、ナノメートル・スケールのパターンに自己編成することができる自己組織化ブロック・コポリマーを含む。
【００４１】
第１の非感光性ポリマー・レジストは、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントおよび第２のポリマー・ブロック・コンポーネントを含み、これらは相互に不混和性である。非感光性ポリマー・レジストは自己平坦化するものとすることができる。あるいは、非感光性ポリマー・レジストは、化学機械平坦化、くぼみエッチング、またはそれらの組み合わせによって平坦化することができる。
【００４２】
第１のポリマー・ブロック・コンポーネントおよび第２のポリマー・ブロック・コンポーネントの例示的な材料については、２００６年６月１９日に出願された、本願と同一の譲受人に譲渡された同時係属中の米国特許出願番号第１１／４２４，９６３号に記載されている。本発明の構造ユニットを形成するために使用可能な非感光性ポリマー・レジストのための自己組織化ブロック・コポリマーの具体的な例は、限定ではないが、ポリスチレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ブロック−ポリイソプレン（ＰＳ−ｂ−ＰＩ）、ポリスチレン−ブロック−ポリブタジエン（ＰＳ−ｂ−ＰＢＤ）、ポリスチレン−ブロック−ポリビニルピリジン（ＰＳ−ｂ−ＰＶＰ）、ポリスチレン−ブロック−ポリエチレンオキシド（ＰＳ−ｂ−ＰＥＯ）、ポリスチレン−ブロック−ポリエチレン（ＰＳ−ｂ−ＰＥ）、ポリスチレン−ブロック−オルガノシリケート（ＰＳ−ｂ−ＰＯＳ）、ポリスチレン−ブロック−ポリフェロセニルジメチルシラン（ＰＳ−ｂ−ＰＦＳ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリイソプレン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＩ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリブタジエン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＢＤ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＥＯ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリエチレンオキシド−ブロック−ポリエチルエチレン（ＰＥＯ−ｂ−ＰＥＥ）、ポリブタジエン−ブロック−ポリビニルピリジン（ＰＢＤ−ｂ−ＰＶＤ）、およびポリイソプレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＩ−ｂ−ＰＭＭＡ）を含むことができる。
【００４３】
自己組織化ブロック・コポリマーは、まず、適切な溶剤系に溶解させてブロック・コポリマー溶液を形成し、次いでこれを第１の例示的な構造の表面上に塗布して非感光性ポリマー・レジストを形成する。ブロック・コポリマーを溶解しブロック・コポリマー溶液を形成するために用いられる溶剤系は、限定ではないが、トルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、およびアセトンを含むいずれかの適切な溶剤を含むことができる。非感光性ポリマー・レジストは、紫外線光または光学光に露光されると現像することができる従来のフォトレジストではない。また、非感光性ポリマー・レジストは、従来の低ｋ誘電材料ではない。
【００４４】
図３Ａおよび図３Ｂを参照すると、アニーリングによって自己組織化ブロック・コポリマーの架橋を形成することによって、第１の開口Ｏ（図１Ｂを参照）の各々内に、第１のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ１が形成されている。具体的には、紫外線処理または高温での熱アニーリングによって第１の非感光性ポリマー・レジストをアニーリングして、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントを含む第１の主要層状構造４０および第２のポリマー・ブロック・コンポーネントを含む第１の補足層状構造５０を形成する。第１の主要層状構造４０および第１の補足層状構造５０は、第１の開口Ｏ１の長さ方向に対して垂直な方向に周期性をもって交互になっている。
【００４５】
ブロック・コポリマー層における自己組織化ブロック・コポリマーにアニーリングを行って２組のポリマー・ブロックを形成する例示的なプロセスは、Nealeyらの「Self-assembling resists for nanolithography」（IEDM Technical Digest、２００５年１２月、Digital Object Identifier 10.1109/IEDM. 2005.1609349）に記載されている。米国特許出願番号第１１／４２４，９６３号に記載されたアニーリングの方法を用いることができる。アニーリングは、例えば、約２００℃から約３００℃までの温度で、約１時間未満から約１００時間までの時間、行うことができる。
【００４６】
第１の非感光性ポリマー・レジストの組成および濡れ特性を調整して、第１の主要層状構造４０の一部が第１の層２０の側壁に当接し、第１の補足層状構造５０が第１の層２０の側壁から離れているようにする。第１のポリマー・ブロック・コンポーネントの濡れ特性の調整は、第１の主要層状構造４０の幅が、第１の主要層状構造４０が第１の層２０の側壁に接触しているか否かに応じて決まるように行えば良い。例えば、第１の層２０に側壁に接触していない第１の主要層状構造４０の幅は、第１の層２０の側壁に接触している第１の主要層状構造４０の幅と同じか、またはこれとは異なるようにすることができる。第１の主要層状構造４０の幅は、サブリソグラフィ・レベルであり、約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍの範囲とすることができる。本明細書において第１の層状間隔と称する第１の補足層状構造５０の幅は、サブリソグラフィ・レベルとすることができる。また、第１の主要層状構造４０の１つの幅および第１の層状間隔の和も、サブリソグラフィ・レベルとすることができる。
【００４７】
第１のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ１は、「自己組織化」される。第１の非感光性ポリマー・レジストの化学的組成は、第１および第２のポリマー・ブロック・コンポーネントの不混和性によって、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントが第１の主要層状構造４０へと自己組織化することができ、第２のポリマー・ブロック・コンポーネントが第１の補足層状構造５０へと組織化するようになっている。
【００４８】
第１のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ１は、第１の開口Ｏ１を画定する第１の層２０の壁に対して「自己整合」する。第１の主要層状構造４０および第１の補足層状構造５０は、第１の層２０における第１の開口Ｏ１の長さ方向に沿って延在する。
【００４９】
図４Ａおよび図４Ｂを参照すると、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントに対して選択的に第２のポリマー・ブロック・コンポーネントを除去する異方性エッチングによって、第１の主要層状構造４０および第１の層２０に対して選択的に第１の補足層状構造５０が除去されている。１組の第１の主要層状構造４０は、第１の開口Ｏ１（図１Ｂを参照）の各々内に構成され、サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有する第１の平行線の一次元アレイを構成する。本明細書において、第２のポリマー・ブロック・コンポーネントに対して選択的に第１のポリマー・ブロック・コンポーネントを除去する異方性エッチングによって第１の補足層状構造５０および第１の層２０に対して選択的に第１の主要層状構造５０を除去する本発明の変形は、明示的に想定される。
【００５０】
図５Ａおよび図５Ｂを参照すると、第１の主要層状構造４０間に、充填部２２が形成されている。充填部２２は、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントを含む第１の主要層状構造４０に対して選択的に除去可能な材料を含む。例えば、充填部は、誘電体酸化物、誘電体窒化物、または、多孔性または非多孔性の低誘電率材料（酸化シリコンの誘電率すなわち３．９未満の誘電率を有する）を含むことができる。充填部２２は、スピンオン・コーティング、堆積およびくぼみエッチング、堆積および化学機械平坦化（ＣＭＰ）、またはそれらの組み合わせによって形成することができる。
【００５１】
図６Ａから図６Ｃを参照すると、第１の層２０、第１の主要層状構造４０、および充填部２２の上に直接、ブランケット層として第２の層６０が形成されている。第２の層６０は、第１の層２０として使用可能な材料のいずれかを含むことができる。具体的には、第２の層６０は、半導体材料、絶縁体材料、アモルファス炭素、またはダイヤモンド様炭素を含むことができる。第２の層６０を形成するために、スピンオン・コーティングまたは化学気相堆積を用いることができる。第２の層６０の厚さは、約３ｎｍから約６００ｎｍまで、典型的には約１０ｎｍから約２００ｎｍまでとすることができる。
【００５２】
第１の実施形態の変形においては、充填部２２および第２の層６０は、同一の材料を含むことができ、第１の主要層状構造４０の間に第２の層６０を形成することによって同一の処理ステップで形成することができる。この場合、充填部２２および第２の層６０は、それらの間に明らかな物理的界面なしで一体的に形成される。
【００５３】
第２の層６０は、フォトレジスト（図示せず）の塗布、フォトレジストのパターニング、およびフォトレジストのパターンを第２の層６０に転写する異方性エッチングを用いるリソグラフィ方法によってパターニングされる。パターンは、第２の層６０における第２の開口Ｏ２を含む。第２の開口Ｏ２は、第２の層６０を貫通して、第１の層２０の上面、第１の主要層状構造４０、および充填部２２を露出させるように形成することができ、あるいは、第１の層２０の上面を露出させることなく、第２の層６０内に部分的にのみ形成することも可能である。
【００５４】
第２の開口Ｏ２の横方向の幅である第２の横方向の幅ＬＷ２は、リソグラフィ・レベルである。２つ以上の第２の開口Ｏ２を形成することも可能である。かかる場合、隣接する第２の開口Ｏ２間の間隔もリソグラフィ・レベルである。第２の開口Ｏ２は、矩形または平行四辺形であり、このため、２つの長さ方向の縁部が幅方向の縁部よりも大きい。好ましくは、第２の開口Ｏ２の長さ方向の縁部の長さである第２の開口Ｏ２の長さは、第２の開口Ｏ２の幅方向の縁部の長さおよび第２の開口Ｏ２のかどの１つの角度のサインの積である第２の開口Ｏ２の幅と同じかまたはこれより長い。第２の開口Ｏ２はリソグラフィ方法によって形成されるので、第２の開口の長さおよび幅はリソグラフィ寸法である。
【００５５】
図７Ａおよび図７Ｂを参照すると、スピン・コーティング等の当技術分野において周知の方法によって、第２の開口Ｏ２内に第２の非感光性ポリマー・レジストを塗布して、第２の非感光性ポリマー・レジスト部分８０が形成されている。好ましくは、第２の非感光性ポリマー・レジスト部分８０の上面は、第２の開口Ｏ２の外側の第２の層６０の上面よりも下にくぼませるか、またはこれと実質的に同じ高さとすることができる。第２の非感光性ポリマー・レジストは、第２の層６０と同一平面に、またはこれよりも上になるように塗布し、次いで、くぼみエッチングによって、または希薄溶液を用い、その後に溶剤を蒸発させて第２の開口Ｏ２内で体積を収縮させることによって、最終的な高さまでくぼませることができる。
【００５６】
第２の非感光性ポリマー・レジストは、ナノメートル・スケールのパターンに自己編成することができる自己組織化ブロック・コポリマーを含む。このため、第１の非感光性ポリマー・レジストについて先に列挙した材料のいずれかを、第２の非感光性ポリマー・レジストのために用いることができる。第２の非感光性ポリマー・レジストは、第１の非感光性ポリマー・レジストと同じ材料か、またはこれとは異なる材料を含むことができる。本発明を例示する目的のために、第２の非感光性ポリマー・レジストのポリマー・ブロック・コンポーネントを、第３のポリマー・ブロック・コンポーネントおよび第４のポリマー・ブロック・コンポーネントと称する。第３のポリマー・ブロック・コンポーネントは、第１のポリマー・ブロック・コンポーネントと同じか、またはこれとは異なるものとすることができる。同様に、第４のポリマー・ブロック・コンポーネントは、第２のポリマー・ブロック・コンポーネントと同じか、またはこれとは異なるものとすることができる。
【００５７】
図８Ａから図８Ｄを参照すると、アニーリングによって自己組織化ブロック・コポリマーの架橋を形成することによって、第２の開口Ｏ内に第２のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ２が形成されている。第２のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ２を形成するためには、第１のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ１を形成するために用いたものと同じ方法を使用することができる。
【００５８】
具体的には、紫外線処理または高温での熱アニーリングによって第２の非感光性ポリマー・レジストをアニーリングして、第２のポリマー・ブロック・コンポーネントを含む第２の主要層状構造９０および第４のポリマー・ブロック・コンポーネントを含む第２の補足層状構造１００を形成する。第２の主要層状構造９０および第２の補足層状構造１００は、第２の横方向の幅ＬＷ２の方向すなわち第２の開口Ｏ２の長さ方向に対して垂直な方向に周期性をもって交互になっている。
【００５９】
第２の非感光性ポリマー・レジストの組成および濡れ特性を調整して、第２の主要層状構造９０の一部が第２の層６０の第２の開口Ｏ２の側壁に当接し、第２の補足層状構造１００が第２の層６０の第２の開口Ｏ２の側壁から離れているようにする。第３のポリマー・ブロック・コンポーネントの濡れ特性の調整は、第２の層６０の第２の開口Ｏ２の側壁に当接している第２の主要層状構造９０の幅が、第２の層６０の第２の開口Ｏ２の側壁から離れている別の第２の主要層状構造９０の幅と同じとなるか、またはこれとは異なるように行えば良い。
【００６０】
第２の主要層状構造９０の幅は、サブリソグラフィ・レベルであり、約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍの範囲とすることができる。本明細書において第２の層状間隔と称する第２の補足層状構造１００の幅は、サブリソグラフィ・レベルとすることができる。また、第２の主要層状構造９０の１つの幅および第２の層状間隔の和も、サブリソグラフィ・レベルとすることができる。
【００６１】
第２のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ２は、第１のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ１が自己組織化され自己整合するのと同じいみで、自己組織化され、自己整合される。なぜなら、第２のナノスケール自己組織化自己整合構造ＮＳ２の様々なコンポーネントの自己組織化および自己整合のために同じ機構を用いているからである。
【００６２】
図９Ａから図９Ｃを参照すると、反応性イオン・エッチング等の異方性エッチングによって、第２の主要層状構造９０に対して選択的に第２の補足層状構造１００および第２の層６０の露出部分が除去されている。異方性エッチングの後、第１の層２０、充填部２２、および第１の主要層状構造４０の上面が露出する。このため、第１の主要層状構造９０は、サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有する線の一次元アレイを含むエッチ・マスクとして用いられる。本明細書において、反応性イオン・エッチング等の異方性エッチングによって第２の補足層状構造１００に対して選択的に第２の主要層状構造９０および第２の層６０の露出部分を除去する本発明の変形は、明示的に想定される。
【００６３】
図１０Ａから図１０Ｃを参照すると、反応性イオン・エッチング等の異方性エッチングによって、第２の主要層状構造９０および第１の主要層状構造４０に対して選択的に、充填部２２、第１の層２０、および基層１２がエッチングされている。第２の主要層状構造９０および第１の主要層状構造４０のパターンによってパターニングされた基層１２は、本明細書において、パターン含有層１２’と称する。
【００６４】
図１１Ａから図１１Ｃを参照すると、第２の主要層状構造９０および第１の主要層状構造４０、ならびに、第２の主要層状構造９０の直接下に配置された第２の層６０、充填部２２、第１の層２０の残りの部分が、パターン含有層１２’および基板１０に対して選択的に除去されている。
【００６５】
パターン含有層１２’は、典型的にサブリソグラフィ・レベルであるナノスケール寸法を有する複数のナノスケール・トレンチを含む。トレンチのパターンは、２つの異なる方向に周期性を有する２つのパターンの並置によって形成される。第１のパターンは、第１の組のサブリソグラフィ幅の線を含む第１の主要層状構造４０のパターンを含み、これらは、第１の層状間隔であるサブリソグラフィ間隔だけ離れて、本明細書において第１の方向と称する第１の開口Ｏ１（図１Ｂを参照）の長さ方向の縁部に対して垂直な方向に反復している。第２のパターンは、第２の組のサブリソグラフィ幅の線を含む第２の主要層状構造９０のパターンを含み、これらは、第２の層状間隔である別のサブリソグラフィ間隔だけ離れて、本明細書において第２の方向と称する第２の開口Ｏ２（図６Ｃを参照）の長さ方向の縁部に対して垂直な方向に反復している。
【００６６】
パターン含有層１２’におけるナノスケール・トレンチは、二次元矩形アレイまたは二次元平行四辺形格子アレイに配列されている。ナノスケール・トレンチは、二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復している。ナノスケール・トレンチは各々、ナノスケール寸法すなわち約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍまでの寸法を有する２対の側壁を有する。
【００６７】
図１２Ａから図１２Ｃを参照すると、図９Ａから図９Ｃの第１の例示的なナノスケール構造から、反応性イオン・エッチング等の異方性エッチングによって、第１の層２０、第２の主要層状構造９０、および第１の主要層状構造４０に対して選択的に、充填部２２および基層１２を除去することによって、本発明の第２の実施形態による第２の例示的なナノスケール構造を得ている。第２の主要層状構造９０および第１の主要層状構造４０のパターンによってパターニングされた基層１２は、本明細書において、パターン含有層１２’と称する。
【００６８】
第２の実施形態によれば、第１の開口（図１Ｂを参照）の領域内の第２の主要層状構造９０のパターンの部分がパターン含有層１２’内に転写される。なぜなら、第１の層２０が第２の主要層状構造９０および第１の主要層状構造４０と組み合ってエッチ・マスクとして機能するからである。
【００６９】
図１３Ａから図１３Ｃを参照すると、第１の層２０、第１の主要層状構造４０、および第２の主要層状構造９０、ならびに、第２の主要層状構造９０の直接下に配置された第２の層６０、充填部２２、第１の層２０の残りの部分が、パターン含有層１２’および基板１０に対して選択的に除去されている。
【００７０】
パターン含有層１２’は、典型的にサブリソグラフィ・レベルであるナノスケール寸法を有する複数のナノスケール・トレンチを含む。トレンチのパターンは、２つの異なる方向に周期性を有する２つのパターンの並置によって形成される。第１のパターンは、第１の組のサブリソグラフィ幅の線を含む第１の主要層状構造４０のパターンを含み、これらは、第１の層状間隔であるサブリソグラフィ間隔だけ離れて、本明細書において第１の方向と称する第１の開口Ｏ１（図１Ｂを参照）の長さ方向の縁部に対して垂直な方向に反復している。第２のパターンは、第２の組のサブリソグラフィ幅の線を含む第２の主要層状構造９０のパターンを含み、これらは、第２の層状間隔である別のサブリソグラフィ間隔だけ離れて、本明細書において第２の方向と称する第２の開口Ｏ２（図６Ｃを参照）の長さ方向の縁部に対して垂直な方向に反復している。
【００７１】
パターン含有層１２’におけるナノスケール・トレンチは、二次元矩形アレイまたは二次元平行四辺形格子アレイに配列されている。ナノスケール・トレンチは、二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復している。ナノスケール・トレンチは各々、ナノスケール寸法すなわち約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍまでの寸法を有する２対の側壁を有する。ナノスケール・トレンチは、矩形の水平横断面領域を有する場合がある。
【００７２】
図１４Ａから図１４Ｃを参照すると、第２の例示的なナノスケール構造の一般化された変形は、ナノスケール・トレンチの二次元平行四辺形格子アレイを含む。ナノスケール・トレンチは各々、第１の幅Ｗ１だけ離れた１組の第１のトレンチ壁ＴＷ１を有する。第１の方向すなわち第１のナノスケール幅Ｗ１の方向における隣接するナノスケール・トレンチ対に属する１対の第１のトレンチ壁ＴＷ１は、第１の間隔Ｓ１だけ離れている。第１の幅Ｗ１および第１の間隔Ｓ１は各々、例えば約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍまでのナノスケール寸法である。同様に、ナノスケール・トレンチは各々、第２の幅Ｗ２だけ離れた１組の第２のトレンチ壁ＴＷ２を有する。第２の方向すなわち第２のナノスケール幅Ｗ２の方向における隣接するナノスケール・トレンチ対に属する１対の第２のトレンチ壁ＴＷ１は、第２の間隔Ｓ２だけ離れている。第２の幅Ｗ２および第２の間隔Ｓ２は各々、例えば約１ｎｍから約４０ｎｍまで、典型的には約５ｎｍから約３０ｎｍまでのナノスケール寸法である。
【００７３】
第１の方向と第２の方向との間の角度αは、ゼロ以外のいずれかの任意の角度とすることができる。例えば、角度αは、０度と６０度との間、６０度、６０度と９０度との間、または９０度とすることができる。第１の方向と第２の方向との間の角度αは、平行四辺形であるナノスケール・トレンチの１つの水平横断面領域のかどの角度と同じである。従って、本発明は、基板１０上にサブリソグラフィ寸法を有するナノスケール・トレンチのアレイを可能とする。
【００７４】
本発明について、具体的な実施形態に関連付けて説明したが、前述の説明に鑑み、当業者には多数の代替、変更、および変形が明らかであることは明白である。従って、本発明は、本発明の範囲および精神ならびに特許請求の範囲内に該当するそのような代替、変更、および変形を全て包含することが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、多種多様な電子および電気装置において用いられる集積回路チップに特に適したボトムアップ製造プロセスを用いて、半導体基板上における二次元自己組織化サブリソグラフィ・ナノスケール構造の設計および製造に産業上の適用性がある。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１０）上にナノスケール・パターンを形成する方法であって、
前記基板（１０）上の第１の層（１２）上に２つの平行な第１の長さ方向の縁部を有する第１のくぼんだ領域を形成するステップと、
第１のサブリソグラフィ幅を有し、前記第１のくぼんだ領域の前記２つの平行な第１の長さ方向の縁部に対して平行な第１の線の縁部を有する少なくとも１つの第１の線を含む第１のナノスケール自己組織化自己整合構造を形成するステップと、
前記第１のナノスケール自己組織化自己整合構造および前記第１の層（２０）の上に第２の層（６０）を形成するステップと、
前記第２の層上に２つの平行な第２の長さ方向の縁部を有する第２のくぼんだ領域を形成するステップであって、前記２つの平行な第１の長さ方向の縁部と前記２つの平行な第２の長さ方向の縁部との間の角度がゼロよりも大きい、ステップと、
第２のサブリソグラフィ幅を有し、前記第２のくぼんだ領域の前記２つの平行な第２の長さ方向の縁部に対して平行な第２の線の縁部を有する少なくとも１つの第２の線を含む第２のナノスケール自己組織化自己整合構造を形成するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記第１のナノスケール自己組織化自己整合構造が、前記第１の層（２０）の上面に、または前記上面の下に配置されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のナノスケール自己組織化自己整合構造が、前記第２の層（６０）の上面に、または前記上面の下に配置されている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記方法が、第１のポリマー・コンポーネントおよび第２のポリマー・コンポーネントを含む第１の非感光性ポリマー・レジストを前記第１のくぼんだ領域に塗布するステップを含み、前記少なくとも１つの第１の線が前記第１のポリマー・コンポーネントを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第３のサブリソグラフィ幅を有し、前記第２のポリマー・コンポーネントを含み、前記第１のくぼんだ領域において前記少なくとも１つの第１の線に横方向に当接する少なくとも１つの第３の線を形成するステップと、
前記少なくとも１つの第１の線および前記第１の層に対して選択的に前記少なくとも１つの第３の線を除去するステップと、
を更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第３の線の除去によって形成された空間を、前記第１の非感光性ポリマー・レジストとは異なる充填材料によって充填するステップを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第３のポリマー・コンポーネントおよび第４のポリマー・コンポーネントを含む第２の非感光性ポリマー・レジストを前記第２のくぼんだ領域に塗布するステップを更に含み、前記少なくとも１つの第２の線が前記第３のポリマー・コンポーネントを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第４のサブリソグラフィ幅を有し、前記第４のポリマー・コンポーネントを含み、前記第２のくぼんだ領域において前記少なくとも１つの第２の線に横方向に当接する少なくとも１つの第４の線を形成するステップと、
前記少なくとも１つの第２の線および前記第２の層に対して選択的に前記少なくとも１つの第４の線を除去するステップと、
を更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの第１の線が第１の非感光性ポリマー・レジストのポリマー・コンポーネントを含み、前記少なくとも１つの第２の線が第２の非感光性ポリマー・レジストのポリマー・コンポーネントを含み、前記方法が、前記少なくとも１つの第２の線に対して選択的に前記第２の層を除去するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの第１の線および前記少なくとも１つの第２の線に対して選択的に前記第１の層を除去するステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の層の下および前記基板の上の基層にナノスケール・トレンチの二次元アレイを含む構造を形成するステップを更に含み、前記ナノスケール・トレンチが前記二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復し、前記ナノスケール・トレンチの各々が、第１のサブリソグラフィ距離だけ離れた第１の対の側壁および第２のサブリソグラフィ距離だけ離れた第２の対の側壁を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の方向が前記２つの平行な第１の長さ方向の縁部に対して垂直であり、前記第２の方向が前記２つの平行な第２の長さ方向の縁部に対して垂直である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ナノスケール・トレンチの水平横断面領域が平行四辺形である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ナノスケール・トレンチの前記水平横断面領域が矩形である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
基板（１０）上のパターン含有層に配置されたナノスケール・トレンチの二次元アレイを含む構造であって、前記ナノスケール・トレンチが前記二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復し、前記ナノスケール・トレンチの各々が、第１のサブリソグラフィ距離だけ離れた第１の対の平行側壁および第２のサブリソグラフィ距離だけ離れた第２の対の平行側壁を有する、構造。
【請求項１６】
前記第１の方向と前記第２の方向との間の角度が、前記第１の対の平行側壁の１つおよび前記第２の対の平行側壁の１つとの間の角度と同じである、請求項１５に記載の構造。
【請求項１７】
前記角度が０度と６０度との間または６０度と９０度との間である、請求項１６に記載の構造。
【請求項１８】
前記ナノスケール・トレンチの水平横断面領域が平行四辺形である、請求項１５に記載の構造。
【請求項１９】
前記ナノスケール・トレンチの前記水平横断面領域が矩形である、請求項１８に記載の構造。
【請求項２０】
前記第１の方向における隣接する前記ナノスケール・トレンチの対の間の第１の間隔がサブリソグラフィ・レベルであり、前記第２の方向における隣接する前記ナノスケール・トレンチの対の間の第２の間隔がサブリソグラフィ・レベルである、請求項１５に記載の構造。
【請求項１】
基板（１０）上にナノスケール・パターンを形成する方法であって、
前記基板（１０）上の第１の層（１２）上に２つの平行な第１の長さ方向の縁部を有する第１のくぼんだ領域を形成するステップと、
第１のサブリソグラフィ幅を有し、前記第１のくぼんだ領域の前記２つの平行な第１の長さ方向の縁部に対して平行な第１の線の縁部を有する少なくとも１つの第１の線を含む第１のナノスケール自己組織化自己整合構造を形成するステップと、
前記第１のナノスケール自己組織化自己整合構造および前記第１の層（２０）の上に第２の層（６０）を形成するステップと、
前記第２の層上に２つの平行な第２の長さ方向の縁部を有する第２のくぼんだ領域を形成するステップであって、前記２つの平行な第１の長さ方向の縁部と前記２つの平行な第２の長さ方向の縁部との間の角度がゼロよりも大きい、ステップと、
第２のサブリソグラフィ幅を有し、前記第２のくぼんだ領域の前記２つの平行な第２の長さ方向の縁部に対して平行な第２の線の縁部を有する少なくとも１つの第２の線を含む第２のナノスケール自己組織化自己整合構造を形成するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記第１のナノスケール自己組織化自己整合構造が、前記第１の層（２０）の上面に、または前記上面の下に配置されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のナノスケール自己組織化自己整合構造が、前記第２の層（６０）の上面に、または前記上面の下に配置されている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記方法が、第１のポリマー・コンポーネントおよび第２のポリマー・コンポーネントを含む第１の非感光性ポリマー・レジストを前記第１のくぼんだ領域に塗布するステップを含み、前記少なくとも１つの第１の線が前記第１のポリマー・コンポーネントを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第３のサブリソグラフィ幅を有し、前記第２のポリマー・コンポーネントを含み、前記第１のくぼんだ領域において前記少なくとも１つの第１の線に横方向に当接する少なくとも１つの第３の線を形成するステップと、
前記少なくとも１つの第１の線および前記第１の層に対して選択的に前記少なくとも１つの第３の線を除去するステップと、
を更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第３の線の除去によって形成された空間を、前記第１の非感光性ポリマー・レジストとは異なる充填材料によって充填するステップを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第３のポリマー・コンポーネントおよび第４のポリマー・コンポーネントを含む第２の非感光性ポリマー・レジストを前記第２のくぼんだ領域に塗布するステップを更に含み、前記少なくとも１つの第２の線が前記第３のポリマー・コンポーネントを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第４のサブリソグラフィ幅を有し、前記第４のポリマー・コンポーネントを含み、前記第２のくぼんだ領域において前記少なくとも１つの第２の線に横方向に当接する少なくとも１つの第４の線を形成するステップと、
前記少なくとも１つの第２の線および前記第２の層に対して選択的に前記少なくとも１つの第４の線を除去するステップと、
を更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの第１の線が第１の非感光性ポリマー・レジストのポリマー・コンポーネントを含み、前記少なくとも１つの第２の線が第２の非感光性ポリマー・レジストのポリマー・コンポーネントを含み、前記方法が、前記少なくとも１つの第２の線に対して選択的に前記第２の層を除去するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの第１の線および前記少なくとも１つの第２の線に対して選択的に前記第１の層を除去するステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の層の下および前記基板の上の基層にナノスケール・トレンチの二次元アレイを含む構造を形成するステップを更に含み、前記ナノスケール・トレンチが前記二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復し、前記ナノスケール・トレンチの各々が、第１のサブリソグラフィ距離だけ離れた第１の対の側壁および第２のサブリソグラフィ距離だけ離れた第２の対の側壁を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の方向が前記２つの平行な第１の長さ方向の縁部に対して垂直であり、前記第２の方向が前記２つの平行な第２の長さ方向の縁部に対して垂直である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ナノスケール・トレンチの水平横断面領域が平行四辺形である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ナノスケール・トレンチの前記水平横断面領域が矩形である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
基板（１０）上のパターン含有層に配置されたナノスケール・トレンチの二次元アレイを含む構造であって、前記ナノスケール・トレンチが前記二次元アレイ内で第１の方向および第２の方向に沿って反復し、前記ナノスケール・トレンチの各々が、第１のサブリソグラフィ距離だけ離れた第１の対の平行側壁および第２のサブリソグラフィ距離だけ離れた第２の対の平行側壁を有する、構造。
【請求項１６】
前記第１の方向と前記第２の方向との間の角度が、前記第１の対の平行側壁の１つおよび前記第２の対の平行側壁の１つとの間の角度と同じである、請求項１５に記載の構造。
【請求項１７】
前記角度が０度と６０度との間または６０度と９０度との間である、請求項１６に記載の構造。
【請求項１８】
前記ナノスケール・トレンチの水平横断面領域が平行四辺形である、請求項１５に記載の構造。
【請求項１９】
前記ナノスケール・トレンチの前記水平横断面領域が矩形である、請求項１８に記載の構造。
【請求項２０】
前記第１の方向における隣接する前記ナノスケール・トレンチの対の間の第１の間隔がサブリソグラフィ・レベルであり、前記第２の方向における隣接する前記ナノスケール・トレンチの対の間の第２の間隔がサブリソグラフィ・レベルである、請求項１５に記載の構造。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１０Ｃ】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１４Ｃ】
【図１Ｂ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１０Ｃ】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１４Ｃ】
【公表番号】特表２０１１−５２３３７６（Ｐ２０１１−５２３３７６Ａ）
【公表日】平成２３年８月１１日（２０１１．８．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５４３２１８（Ｐ２０１０−５４３２１８）
【出願日】平成２１年１月１５日（２００９．１．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０３１０４４
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０９４２８２
【国際公開日】平成２１年７月３０日（２００９．７．３０）
【出願人】（３９０００９５３１）インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション (4,084)
【氏名又は名称原語表記】ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＢＵＳＩＮＥＳＳ ＭＡＳＣＨＩＮＥＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２３年８月１１日（２０１１．８．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月１５日（２００９．１．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０３１０４４
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０９４２８２
【国際公開日】平成２１年７月３０日（２００９．７．３０）
【出願人】（３９０００９５３１）インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション (4,084)
【氏名又は名称原語表記】ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＢＵＳＩＮＥＳＳ ＭＡＳＣＨＩＮＥＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
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