【課題】半導体特性に影響を与えることなく、印刷法により形成される半導体の形状再現性に優れた電界効果型トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】基材上に、少なくともゲート電極、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層およびゲート絶縁膜とが形成されてなる電界効果型トランジスタの製造方法であって、少なくともゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程を有し、該ゲート絶縁膜は露光によりシランカップリング剤と反応可能な官能基を生成し得る材料で形成されており、該工程の前に、ゲート絶縁膜上の半導体を形成する領域の周囲を露光する工程及び露光部においてフッ化アルキル基を有するシランカップリング剤と該官能基とを反応させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板側面に付着した異物の効率的な除去が可能な、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０Ａの側面に保護材３を形成する工程と、基板１０Ａの少なくとも一方の主面に機能層４Ａを形成する工程と、保護材３を基板１０Ａから剥離する工程と、
を有することを特徴とする、デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ポリマーアロイに配向性の高い相分離構造のパターンを短時間で形成することのできるパターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料を提供する。
【解決手段】基板上に自己組織化単分子膜とポリマー膜を積層する工程と、エネルギー線を照射することにより前記ポリマー膜と前記自己組織化単分子膜を化学結合させ、ポリマー表面層を前記自己組織化単分子膜上に形成する工程と、相分離構造のパターンを有するポリマーアロイを前記ポリマー表面層上に形成する工程と、を含むパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に設けられた微細空間内に、充填不全などを回避して、絶縁物を確実に充填しえる方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板２に設けられた微細空間２１内に絶縁物を充填するにあたり、微細空間２１の開口する半導体基板２の一面側から、微細空間２１内に流動性絶縁物４を充填する。そして、流動性絶縁物４を、加圧したままで、硬化させる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの高い微細パターを有する半導体デバイスの製造方法等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスの製造方法は、回折格子層７及び絶縁層９を形成する工程と、シリコン非含有樹脂層１１を形成するシリコン含有樹脂層形成工程と、周期構造パターン１１ｐ１を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３を形成する工程と、シリコン含有樹脂層１３をエッチングする工程と、シリコン含有樹脂層１３をマスクとしてシリコン非含有樹脂層１１をエッチングする工程と、シリコン非含有樹脂層１１をマスクとして絶縁層９をエッチングする工程とを備える。シリコン含有樹脂層形成工程は、シリコン含有樹脂溶液を回転塗布する工程と、シリコン含有樹脂層１３を第１の温度まで加熱する工程と、シリコン含有樹脂層１３の外縁部１３ｅ１に揮発性成分を有するリンス液１４を回転塗布する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置において、貫通電極によって被覆された貫通孔の内部を充填する保護層にクラック等が発生する不具合を防止する。
【解決手段】
貫通電極９を被覆するとともに、貫通孔６内を充填する保護層１０を備える半導体装置１において、保護層１０が複数層１１、１２からなり、複数層の保護層のうち最も半導体基板２の一面２ａに近い層が、少なくとも貫通電極の底面９ａと側面９ｂの交差部を被覆し、かつ、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の固体撮像素子における光電変換部の実装に用いられる絶縁膜の形成に好適に用いられる感放射線性組成物、絶縁膜の形成方法、絶縁膜及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明の感放射線性樹脂組成物は、黒色剤と、フェノール性水酸基を有する重合体と、感放射線性酸発生剤と、酸の作用により架橋反応が進行する架橋剤と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】安価であって、高品質であり、かつ光取出し効率に優れた薄膜状の金属酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜状の金属酸化物の製造方法は、透明電極上に金属アルコキシドを含む金属溶液を塗布することにより、光重合材料膜を形成するステップと、該光重合材料膜を部分的に露光することにより、３μｍ²以上０．２ｍｍ²以下の上面の面積の露光部を２以上形成する第１露光ステップと、該光重合材料膜に対しアルコール系の現像液を用いて現像することにより、第１露光ステップで露光されていない部分を除去するステップと、露光部を露光することにより、露光部の重合反応を促進する第２露光ステップと、第２露光ステップの後に、露光部を５００℃以下の温度で焼成することにより、薄膜状の金属酸化物を形成するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の欠点及び制限を軽減する、パターン形成性誘電体材料を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成性誘電体材料は、シルセスキオキサン重合体であり、さらに、ネガ階調型光パターン形成性誘電体調合物中のシルセスキオキサン重合体、シルセスキオキサン重合体を含むネガ階調型光パターン形成性誘電体調合物を用いた構造体の形成方法、及びシルセスキオキサン重合体から作られる構造体を開示する。 （もっと読む）

【課題】粘度、表面張力、溶剤の沸点等の様々なパラメータをインクジェット用に制御しなければならない非水系インクジェット用インクにおいて、ジェッティング後、表面処理を行わずに平坦な基板ににじみあるいはぬれ広がりの少なく、良好なパターン膜が得られ、かつ低粘度のためインクジェットヘッドの加熱が不必要な非水系インクジェット用インクを提供すること。
【解決手段】界面活性剤（Ｂ）を含有する非水系インクジェット用インクであって、前記界面活性剤（Ｂ）の含有濃度が、０．００００１重量％以上、臨界ミセル濃度以下であることを特徴とする非水系インクジェット用インク。 （もっと読む）

【課題】水によるＴＦＴ特性の不安定性を改善し、且つＴＦＴの初期特性を向上させる。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された酸化物半導体からなる活性層と、前記活性層と前記ゲート絶縁層の間に又は前記活性層上に、互いに離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極で覆われていない前記活性層の上面を覆う疎水性を有する有機単分子膜と、前記活性層上の前記有機単分子膜上に形成された保護層と、を有した薄膜トランジスタを採用する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、耐酸化性に優れる薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板２上に、ゲート電極３、ゲート絶縁層４、半導体層５、ソース電極６およびドレイン電極７を形成してなる薄膜トランジスタであって、アルカリ可溶性フェノール樹脂（Ａ）と感放射線化合物（Ｂ）とを含有する感放射線性樹脂組成物からなる保護膜８が、前記ゲート絶縁層４、前記半導体層５、前記ソース電極お６よび前記ドレイン電極７に接触して形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電子グレードまで精製可能であり、所望の電気的特性を保持した状態で厚さを減少させた誘電体層の形成に用いることができる材料を提供する。
【解決手段】分子性ガラスと、架橋剤と、触媒と、を含む、液体組成物を用い、誘電体層を形成する。分子性ガラスとしては、アモルファス分子性材料であり、‐ＯＨ、‐ＮＨ２の何れかを含む、エステル分子、スピロ、ビスフェノールＡ、四面体アリールシラン、アダマンタン、環系、縮合環、トリアリールアミン、ベンゼン、ヘキサフェニルベンゼン、トリフェニルベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントラセン、ピレンを用いる。又、光を照射することで酸を発生させる化合物、ナノ粒子等の無機粒子、金属ナノ粒子、酸化金属ナノ粒子、その他の無機ナノ粒子を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】 テンプレートを用いることなく基板に凹凸状のパターンを形成することができるパターン形成装置を提供することを目的とする。
【解決装置】 パターン形成装置（１０）は、基板（ＦＢ）の表面に凹凸状のパターンを形成する。そして、パターン形成装置（１０）は所定のエネルギーに応じて硬化する硬化性材料（ＬＲ）を基板（ＦＢ）の表面に接触させる接触装置（１２）と、パターンに対応するパターン情報に基づいて基板（ＦＢ）の表面と接触した硬化性材料（ＬＲ）に所定のエネルギーを付与し該硬化性材料（ＬＲ）を硬化させる硬化装置（１１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】表面自由エネルギーを変化させる際に照射する紫外線による濡れ性変化層の絶縁性の低下を抑制することが可能な積層構造体並びに該積層構造体を有する電子素子、電子素子アレイ、画像表示媒体及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】積層構造体１０は、基板１１上に、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料を含む濡れ性変化層１２の紫外線照射領域１２ａに導電体層１３が形成されている積層構造を有し、紫外線を照射することにより表面自由エネルギーが変化する材料は、ポリアミド酸を脱水閉環反応させることにより得られる有機溶媒に可溶な特定ポリイミドである。 （もっと読む）

共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、追加機能性を備えた構造化有機薄膜を含む電子デバイスであって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。
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【課題】基板の裏面洗浄を確実に行うことができる洗浄方法、塗布方法、現像方法及び回転処理装置を提供する。
【解決手段】一方面に基板１を周縁部が突出した状態で保持すると共に、前記一方面３の面内方向で回転される回転部材２１と、前記回転部材２１に設けられて洗浄液１００を前記基板１の前記回転部材２１に保持された保持面２側に供給する洗浄ノズル２６と、前記洗浄ノズル２６に前記洗浄液１００を供給する洗浄液供給部２７と、を具備する回転保持治具２０を用いて、前記基板１を回転させながら前記洗浄ノズル２６から前記基板１の前記保持面２ａに前記洗浄液１００を供給して、前記基板１の前記保持面２ａを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】レジストの解像度を損うことなく、レジストの感度を向上させることができるレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のレジスト組成物は、金属塩、樹脂、及び溶剤を含むことを特徴とする。金属塩がアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩のいずれかである態様、金属塩がセシウム塩である態様、金属塩の含有量が、樹脂に対し、５質量％〜５０質量％である態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜を熱処理するときに、開口の断面形状が変形することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】膜形成工程（ステップＳ１０）では、溶媒にポリイミド前駆体を溶解させたポリイミド溶液を基板上に塗布することにより、基板上にポリイミド膜を形成する。開口形成工程（ステップＳ２０）では、ポリイミド膜に開口を形成する。第１熱処理工程（ステップＳ５０）では、ポリイミド膜を、溶媒の（沸点−５０℃）以上沸点未満の温度に加熱して保持するか、又は溶媒の（沸点−５０℃）以上沸点未満の範囲において１．５℃／秒以下（好ましくは１．０℃／秒以下）で昇温させる。第２熱処理工程（ステップＳ６０）では、ポリイミド膜を、ポリイミド膜の硬化温度以上の温度まで加熱する。 （もっと読む）

【課題】微細構造領域とフラット領域とに「表面が単平面となるコート層」を形成できるコーティング方法を提供する。
【解決手段】平面状領域に微細な周期的構造が形成された微細構造領域１０Ａと、この微細構造領域に隣接する平坦な表面を有するフラット領域１０Ｂとを形成された被コーティング体１０の、微細構造領域１０Ａとフラット領域１０Ｂとにわたりコーティング材料を液状態でコーティングして、コート層を形成するコーティング方法において、微細構造領域１０Ａとフラット領域１０Ｂとに所定の段差量：ΔＨを、微細構造領域１０Ａにおける微細な周期的構造の形態に応じて予め設定することにより、コーティングされたコート層の表面を、微細構造領域とフラット領域とにわたって実質的に平坦な単一面とする。 （もっと読む）