半導体装置の製造方法
【課題】配線構造における強度の向上と層間絶縁膜の低誘電率化との両立を図れるようにする。
【解決手段】半導体基板１００の上に絶縁膜１０４を形成し、該絶縁膜１０４の上に金属からなる犠牲膜１０５を形成する。その後、犠牲膜１０５を選択的にエッチングすることにより犠牲膜１０５にトレンチパターン１０５ａを形成する。続いて、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に対して紫外線又は電子線を照射する。その後、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に配線形成溝１０４ａを形成し、該配線形成溝１０４ａに金属膜１０６ｂを形成する。
【解決手段】半導体基板１００の上に絶縁膜１０４を形成し、該絶縁膜１０４の上に金属からなる犠牲膜１０５を形成する。その後、犠牲膜１０５を選択的にエッチングすることにより犠牲膜１０５にトレンチパターン１０５ａを形成する。続いて、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に対して紫外線又は電子線を照射する。その後、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に配線形成溝１０４ａを形成し、該配線形成溝１０４ａに金属膜１０６ｂを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、配線の形成方法を含む半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化及び高集積化が著しく進んでいる。しかし、微細化を進めていくに従ってトランジスタの遅延時間は短縮できるものの、配線抵抗と寄生容量とが増大することにより、配線の遅延時間の短縮は困難となる。
【０００３】
そこで、配線抵抗を低減する対策として、配線材料に従来のアルミニウム（Ａｌ）に代わってより抵抗率が低い銅（Ｃｕ）が採用され、また、寄生容量を低減する対策として、酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりも誘電率が低い、いわゆる低誘電率の層間絶縁膜が採用されている。銅はエッチングが困難であるため、象嵌（ダマシン）法により層間絶縁膜にトレンチパターンを形成し、形成したトレンチパターンに銅を埋め込む方法が用いられている。
【０００４】
ところが、層間絶縁膜の低誘電率化に伴って、層間絶縁膜の膜強度が低下する。このため、低誘電率の層間絶縁膜は、化学機械研磨（ＣＭＰ）工程、配線ボンディング工程及びパッケージ工程等の後工程で受けるストレスに耐えることが難しい。このため、特許文献１に記載されているように、低誘電率の層間絶縁膜に電子線又は紫外線を照射することにより、膜強度の向上を図る手法も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１６５５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記従来の半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜に対して電子線又は紫外線を照射すると、層間絶縁膜の比誘電率が増大するという問題がある。これは、電子線又は紫外線の照射による低誘電率膜の強度の増大と比誘電率の低減とはトレードオフの関係にあるためである。
【０００７】
本発明は、前記従来の問題を解決し、配線構造における強度の向上と層間絶縁膜の低誘電率化との両立を図れるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、半導体装置の製造方法を、低誘電率膜を用いた層間絶縁膜における配線又はコンタクトプラグを形成する領域に対して選択的に膜強度を向上する構成とする。
【０００９】
具体的に、本発明に係る第１の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程（ａ）と、絶縁膜の上に金属からなる犠牲膜を形成する工程（ｂ）と、犠牲膜を選択的にエッチングすることにより、犠牲膜に開口パターンを形成する工程（ｃ）と、開口パターンが形成された犠牲膜をマスクとして、絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する工程（ｄ）と、工程（ｄ）よりも後に、開口パターンが形成された犠牲膜をマスクとして、絶縁膜に孔部又は溝部を形成する工程（ｅ）と、孔部又は溝部に導電膜を形成する工程（ｆ）とを備えていることを特徴とする。
【００１０】
第１の半導体装置の製造方法によると、開口パターンが形成された金属からなる犠牲膜をマスクとして、絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する。これにより、絶縁膜の孔部又は溝部を形成する、強度が必要な領域のみを選択的にキュア（硬化）することができる。一方、半導体装置の性能を決定する孔部又は溝部を形成する領域同士の間はキュアされないため、絶縁膜の比誘電率の値は上昇することがない。従って、配線間容量の増大が生じないので、半導体装置の性能を劣化させることがない。
【００１１】
第１の半導体装置の製造方法において、導電膜は金属により構成されていてもよい。
【００１２】
第１の半導体装置の製造方法において、絶縁膜には、シリコン及び酸素を主成分とし、且つその組成に少なくとも炭素若しくは窒素を含む単層膜又は該単層膜を少なくとも１層含む積層膜を用いることができる。
【００１３】
本発明に係る第２の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、第１の絶縁膜の上部に配線を形成する工程（ｂ）と、配線を含む第１の絶縁膜の上に、第２の絶縁膜を形成する工程（ｃ）と、第２の絶縁膜の上に、金属からなる犠牲膜を形成する工程（ｄ）と、犠牲膜を選択的にエッチングすることにより、犠牲膜に開口パターンを形成する工程（ｅ）と、開口パターンが形成された犠牲膜をマスクとして、第２の絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する工程（ｆ）と、工程（ｆ）よりも後に、開口パターンが形成された犠牲膜をマスクとして、第２の絶縁膜に孔部又は溝部を形成する工程（ｇ）と、孔部又は溝部に導電膜を形成する工程（ｈ）とを備えていることを特徴とする。
【００１４】
第２の半導体装置の製造方法によると、開口パターンが形成された金属からなる犠牲膜をマスクとして、第２の絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する。これにより、第２の絶縁膜の孔部又は溝部を形成する、強度が必要な領域のみを選択的にキュア（硬化）することができる。一方、半導体装置の性能を決定する孔部又は溝部を形成する領域同士の間はキュアされないため、第２の絶縁膜の比誘電率の値は上昇することがない。従って、配線間容量の増大が生じないので、半導体装置の性能を劣化させることがない。
【００１５】
第２の半導体装置の製造方法において、配線及び導電膜のうち少なくとも一方は、金属により構成されていてもよい。
【００１６】
第２の半導体装置の製造方法において、第２の絶縁膜には、シリコン及び酸素を主成分とし、且つその組成に少なくとも炭素若しくは窒素を含む単層膜又は該単層膜を少なくとも１層含む積層膜を用いることができる。
【００１７】
第１又は第２の半導体装置の製造方法において、犠牲膜には、チタン、窒化チタン、タンタル又は窒化タンタルを用いることができる。
【００１８】
第２の半導体装置の製造方法は、工程（ｅ）において、開口パターンは犠牲膜における配線の上方に位置する部分に形成してもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る半導体装置の製造方法によると、配線構造における強度の向上と層間絶縁膜の低誘電率化との両立を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法における層間絶縁膜の膜強度分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図１を参照しながら説明する。なお、本発明で使用している、材料、数値は好ましい例を例示しているだけであり、この形態に限定されることはない。また、本発明の思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。さらに、加えるならば、第２の実施形態と組み合わせることも可能である。
【００２２】
まず、図１（ａ）に示すように、例えば、化学的気相堆積（ＣＶＤ）法により、シリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板１００の上に、膜厚が約３００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる第１の絶縁膜１０１を形成する。続いて、リソグラフィグラフィ法により、第１の絶縁膜１０１の上に、第１の金属配線パターン（第１のトレンチ（溝）パターン）を有する第１のレジストパターン（図示せず）を形成する。その後、ドライエッチングにより、第１のレジストパターンをマスクとして第１の絶縁膜１０１をエッチングすることにより、第１の絶縁膜１０１の上部に複数の第１の配線形成溝を形成する。その後、第１のレジストパターンをアッシングにより除去し、続いて、ＣＶＤ法又はスパッタ法等により、第１の絶縁膜１０１の上に第１の配線形成溝が埋まるように、タンタルナイトライド（ＴａＮ）及びタンタル（Ｔａ）を積層してなる第１のバリアメタル膜１０２ａ、並びに銅（Ｃｕ）からなる第１の金属膜１０２ｂを順次堆積する。その後、化学機械研磨（ＣＭＰ）法により、第１の絶縁膜１０１の上面に堆積した余剰の第１の金属膜１０２ｂ及び第１のバリアメタル膜１０２ａを研磨して、第１のバリアメタル膜１０２ａ及び第１の金属膜１０２ｂにより構成された第１の金属配線１０２を形成する。
【００２３】
次に、図１（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により、第１の金属配線１０２を含む第１の絶縁膜１０１の上に全面にわたって 膜厚が約３０ｎｍの窒化炭化シリコン（ＳｉＣＮ）からなる第２の絶縁膜１０３を堆積する。続いて、第２の絶縁膜１０３の上に、膜厚が約３００ｎｍの炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ）からなる第３の絶縁膜１０４を堆積する。ここで、第３の絶縁膜１０４は、ＳｉＯＣに代えて、窒素含有酸化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いてもよい。
続いて、ＣＶＤ法又はスパッタ法により、第３の絶縁膜１０４の上に、膜厚が約３０ｎｍのチタン（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（ＴｉＮ）からなる犠牲膜１０５を形成する。なお、犠牲膜１０５には、Ｔｉ及びＴｉＮに代えて、タンタル（Ｔａ）又はタンタルナイトライド（ＴａＮ）等を用いることができる。また、第２の絶縁膜１０３は必ずしも設ける必要はない。
【００２４】
次に、図１（ｃ）に示すように、リソグラフィ法により、犠牲膜１０５の上に、第２の金属配線パターン（第２のトレンチパターン）を有する第２のレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、ドライエッチングにより、第２のレジストパターンをマスクとして犠牲膜１０５をエッチングする。続いて、アッシングにより第２のレジストパターンを除去し、さらにウエットエッチングにより、エッチング時のレジスト残渣（ポリマー等）を除去することにより、犠牲膜１０５に第２のトレンチパターン１０５ａを形成する。
【００２５】
次に、図１（ｄ）に示すように、第２のトレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、第３の絶縁膜１０４に対して、電子線（ＥＢ）及び紫外線（ＵＶ）の少なくとも一方を照射して、第３の絶縁膜１０４における第２のトレンチパターン形成部分のみをキュアする。
【００２６】
次に、図１（ｅ）に示すように、ドライエッチングにより、犠牲膜１０５をマスクとして第３の絶縁膜１０４をエッチングすることにより、第３の絶縁膜１０４の上部に複数の第２の配線形成溝１０４ａを形成する。
【００２７】
次に、図１（ｆ）に示すように、ドライエッチングにより犠牲膜１０５を除去した後、ＣＶＤ法又はスパッタ法等により、第３の絶縁膜１０４の上に第２の配線形成溝１０４ａが埋まるように、タンタルナイトライド（ＴａＮ）及びタンタル（Ｔａ）を積層膜してなる第２のバリアメタル膜１０６ａ、並びに銅（Ｃｕ）からなる第２の金属膜１０６ｂを順次堆積する。その後、ＣＭＰ法により、第３の絶縁膜１０４の上面に堆積した余剰の金属膜及びバリアメタル膜を研磨して、第２のバリアメタル膜１０６ａ及び第２の金属膜１０６ｂにより構成された第２の金属配線１０６を形成する。
【００２８】
このように、第１の実施形態によると、炭素含有酸化シリコンからなる第３の絶縁膜１０４に対して、第２のトレンチパターン１０５ａを形成する領域のみを選択的にキュアする。これにより、第３の絶縁膜１０４は、第２のトレンチパターン１０５ａの形成領域のみの膜強度が向上する。これに対し、半導体装置の性能を決定する第３の絶縁膜１０４における第２のトレンチパターン１０５ａを除く領域はキュアされないため、キュアされない領域の比誘電率の値は上昇することがない。その結果、配線間容量の増大が生じないので、半導体装置の性能を劣化させることがない。但し、第２のトレンチパターン１０５ａの形成領域とは、第２のトレンチパターン１０５ａの直下のみを指すのではなく、第２のトレンチパターン１０５ａの直下の近傍領域をも指している。第３の絶縁膜１０４に対して、電子線（ＥＢ）及び紫外線（ＵＶ）の少なくとも一方を照射すると、第３の絶縁膜１０４中で電子線又は紫外線が散乱し、第２のトレンチパターン１０５ａの直下の近傍領域もキュアされることになる。ここで、近傍とは、電子線又は紫外線が散乱し得る程度の距離を指している。この近傍領域は距離が短いため、配線間容量の増大に対する影響は、非常に小さい。
【００２９】
また、第３の絶縁膜１０４に対する選択的なキュア処理に紫外線を用いた場合は、紫外線の波長として約２００ｎｍ〜約４００ｎｍの帯域を使用すれば、配線幅が約２００ｎｍ以下の配線密度が高い密集配線部において、各配線からの回折効果により、第３の絶縁膜１０４における第２のトレンチパターン１０５ａの形成領域に対して効率良くキュアすることができる。
【００３０】
なお、第１の金属配線１０２及び第２の金属配線１０６における各バリアメタル膜１０２ａ、１０６ａを除く配線本体には金属を用いることが好ましく、なかでも銅が好ましいが、本実施形態に係る配線本体は必ずしも金属に限られない。
【００３１】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図２を参照しながら説明する。
【００３２】
まず、図２（ａ）に示すように、例えば、ＣＶＤ法により、シリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板２００の上に、膜厚が約３００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる第１の絶縁膜２０１を形成する。続いて、リソグラフィグラフィ法により、第１の絶縁膜２０１の上に、金属配線パターン（トレンチパターン）を有する第１のレジストパターン（図示せず）を形成する。その後、ドライエッチングにより、第１のレジストパターンをマスクとして第１の絶縁膜２０１をエッチングすることにより、第１の絶縁膜２０１の上部に複数の第１の配線形成溝を形成する。その後、第１のレジストパターンをアッシングにより除去し、続いて、ＣＶＤ法又はスパッタ法等により、第１の絶縁膜２０１の上に第１の配線形成溝が埋まるように、タンタルナイトライド（ＴａＮ）及びタンタル（Ｔａ）を積層してなる第１のバリアメタル膜２０２ａ、並びに銅（Ｃｕ）からなる第１の金属膜２０２ｂを順次堆積する。その後、ＣＭＰ法により、第１の絶縁膜２０１の上面に堆積した余剰の第１の金属膜２０２ｂ及び第１のバリアメタル膜２０２ａを研磨して、第１のバリアメタル膜２０２ａ及び第１の金属膜２０２ｂにより構成された金属配線２０２を形成する。
【００３３】
次に、図２（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により、第１の金属配線２０２を含む第１の絶縁膜２０１の上に全面にわたって 膜厚が約３０ｎｍの窒化炭化シリコン（ＳｉＣＮ）からなる第２の絶縁膜２０３を堆積する。続いて、第２の絶縁膜２０３の上に、膜厚が約３００ｎｍの炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ）からなる第３の絶縁膜２０４を堆積する。ここで、第３の絶縁膜２０４は、ＳｉＯＣに代えて、窒素含有酸化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いてもよい。続いて、ＣＶＤ法又はスパッタ法により、第３の絶縁膜２０４の上に、膜厚が約３０ｎｍのチタン（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（ＴｉＮ）からなる犠牲膜２０５を形成する。なお、犠牲膜２０５には、Ｔｉ及びＴｉＮに代えて、タンタル（Ｔａ）又はタンタルナイトライド（ＴａＮ）等を用いることができる。
【００３４】
次に、図２（ｃ）に示すように、リソグラフィ法により、犠牲膜２０５の上に、ホールパターンを有する第２のレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、ドライエッチングにより、第２のレジストパターンをマスクとして犠牲膜２０５をエッチングする。続いて、アッシングにより第２のレジストパターンを除去し、さらにウエットエッチングにより、エッチング時のレジスト残渣（ポリマー等）を除去することにより、犠牲膜２０５にホールパターン２０５ａを形成する。
【００３５】
次に、図２（ｄ）に示すように、ホールパターン２０５ａが形成された犠牲膜２０５をマスクとして、第３の絶縁膜２０４に対して、電子線（ＥＢ）及び紫外線（ＵＶ）の少なくとも一方を照射して、第３の絶縁膜２０４におけるホールパターン形成部分のみをキュアする。
【００３６】
次に、図２（ｅ）に示すように、ドライエッチングにより、犠牲膜２０５をマスクとして第３の絶縁膜２０４をエッチングすることにより、第３の絶縁膜２０４の上部に複数のコンタクトホール２０４ａを形成する。
【００３７】
次に、図２（ｆ）に示すように、ドライエッチングにより犠牲膜２０５を除去した後、ＣＶＤ法又はスパッタ法等により、第３の絶縁膜２０４の上に各コンタクトホール２０４ａが埋まるように、タンタルナイトライド（ＴａＮ）及びタンタル（Ｔａ）を積層膜してなる第２のバリアメタル膜２０６ａ、並びに銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）からなる第２の金属膜２０６ｂを順次堆積する。その後、ＣＭＰ法により、第３の絶縁膜２０４の上面に堆積した余剰の第２の金属膜２０６ｂ及び第２のバリアメタル膜２０６ａを研磨して、第２のバリアメタル膜２０６ａ及び第２の金属膜２０６ｂにより構成されたコンタクトプラグ２０６を形成する。
【００３８】
このように、第２の実施形態によると、炭素含有酸化シリコンからなる第３の絶縁膜２０４に対して、ホールパターン２０５ａを形成する領域のみを選択的にキュアする。これにより、第３の絶縁膜２０４は、ホールパターン２０５ａの形成領域のみの膜強度が向上する。これに対し、半導体装置の性能を決定する第３の絶縁膜２０４におけるホールパターン２０５ａを除く領域はキュアされないため、キュアされない領域の比誘電率の値が上昇することがない。その結果、配線間容量の増大が生じないので、半導体装置の性能を劣化させることがない。但し、ホールパターン２０５ａの形成領域とは、ホールパターン２０５ａの直下のみを指すのではなく、ホールパターン２０５ａの直下の近傍領域をも指している。第３の絶縁膜２０４に対して、電子線（ＥＢ）及び紫外線（ＵＶ）の少なくとも一方を照射すると、第３の絶縁膜２０４中で電子線又は紫外線が散乱し、ホールパターン２０５ａの直下の近傍領域もキュアされることになる。ここで、近傍とは、電子線又は紫外線が散乱し得る程度の距離を指している。
【００３９】
さらに、図３に示すように、電子線又は紫外線は、金属配線２０２によって反射されるため、スルーホールの信頼性に大きく影響するコンタクトホール２０４ａの下部の強度をさらに向上することができる。その結果、コンタクトプラグ２０６の信頼性（ストレスマイグレーション耐性及びエレクトロマイグレーション耐性）を向上することができる。ここで、図３に示す破線は、電子線又は紫外線を照射しないために、金属配線２０２からの反射がない場合の膜厚と膜強度との関係を表しており、実線は、電子線又は紫外線を照射することによる金属配線２０２からの反射がある場合の膜厚と膜強度の関係を表している。
【００４０】
また、第３の絶縁膜２０４に対する選択的なキュア処理に紫外線を用いた場合は、紫外線の波長として約２００ｎｍ〜約４００ｎｍの帯域を使用すれば、配線幅が２００ｎｍ以下の配線密度が高い密集配線部において、各配線からの回折効果により、第３の絶縁膜２０４におけるホールパターン２０５ａの形成領域に対して効率良くキュアすることができる。
【００４１】
なお、金属配線２０２における第１のバリアメタル膜２０２ａを除く配線本体には金属を用いることが好ましく、なかでも銅が好ましいが、本実施形態に係る配線本体は必ずしも金属に限られない。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、配線構造における強度の向上と層間絶縁膜の低誘電率化との両立を図ることができ、配線の形成方法を含む半導体装置の製造方法等に有用である。
【符号の説明】
【００４３】
１００ 半導体基板
１０１ 第１の絶縁膜
１０２ 第１の金属配線
１０２ａ 第１のバリアメタル膜
１０２ｂ 第１の金属膜
１０３ 第２の絶縁膜
１０４ 第３の絶縁膜
１０４ａ 第２の配線形成溝
１０５ 犠牲膜
１０５ａ 第２のトレンチパターン
１０６ 第２の金属配線
１０６ａ 第２のバリアメタル膜
１０６ｂ 第２の金属膜
２００ 半導体基板
２０１ 第１の絶縁膜
２０２ 金属配線
２０２ａ 第１のバリアメタル膜
２０２ｂ 第１の金属膜
２０３ 第２の絶縁膜
２０４ 第３の絶縁膜
２０４ａ コンタクトホール
２０５ 犠牲膜
２０５ａ ホールパターン
２０６ コンタクトプラグ
２０６ａ 第２のバリアメタル膜
２０６ｂ 第２の金属膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、配線の形成方法を含む半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化及び高集積化が著しく進んでいる。しかし、微細化を進めていくに従ってトランジスタの遅延時間は短縮できるものの、配線抵抗と寄生容量とが増大することにより、配線の遅延時間の短縮は困難となる。
【０００３】
そこで、配線抵抗を低減する対策として、配線材料に従来のアルミニウム（Ａｌ）に代わってより抵抗率が低い銅（Ｃｕ）が採用され、また、寄生容量を低減する対策として、酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりも誘電率が低い、いわゆる低誘電率の層間絶縁膜が採用されている。銅はエッチングが困難であるため、象嵌（ダマシン）法により層間絶縁膜にトレンチパターンを形成し、形成したトレンチパターンに銅を埋め込む方法が用いられている。
【０００４】
ところが、層間絶縁膜の低誘電率化に伴って、層間絶縁膜の膜強度が低下する。このため、低誘電率の層間絶縁膜は、化学機械研磨（ＣＭＰ）工程、配線ボンディング工程及びパッケージ工程等の後工程で受けるストレスに耐えることが難しい。このため、特許文献１に記載されているように、低誘電率の層間絶縁膜に電子線又は紫外線を照射することにより、膜強度の向上を図る手法も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１６５５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記従来の半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜に対して電子線又は紫外線を照射すると、層間絶縁膜の比誘電率が増大するという問題がある。これは、電子線又は紫外線の照射による低誘電率膜の強度の増大と比誘電率の低減とはトレードオフの関係にあるためである。
【０００７】
本発明は、前記従来の問題を解決し、配線構造における強度の向上と層間絶縁膜の低誘電率化との両立を図れるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、半導体装置の製造方法を、低誘電率膜を用いた層間絶縁膜における配線又はコンタクトプラグを形成する領域に対して選択的に膜強度を向上する構成とする。
【０００９】
具体的に、本発明に係る第１の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程（ａ）と、絶縁膜の上に金属からなる犠牲膜を形成する工程（ｂ）と、犠牲膜を選択的にエッチングすることにより、犠牲膜に開口パターンを形成する工程（ｃ）と、開口パターンが形成された犠牲膜をマスクとして、絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する工程（ｄ）と、工程（ｄ）よりも後に、開口パターンが形成された犠牲膜をマスクとして、絶縁膜に孔部又は溝部を形成する工程（ｅ）と、孔部又は溝部に導電膜を形成する工程（ｆ）とを備えていることを特徴とする。
【００１０】
第１の半導体装置の製造方法によると、開口パターンが形成された金属からなる犠牲膜をマスクとして、絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する。これにより、絶縁膜の孔部又は溝部を形成する、強度が必要な領域のみを選択的にキュア（硬化）することができる。一方、半導体装置の性能を決定する孔部又は溝部を形成する領域同士の間はキュアされないため、絶縁膜の比誘電率の値は上昇することがない。従って、配線間容量の増大が生じないので、半導体装置の性能を劣化させることがない。
【００１１】
第１の半導体装置の製造方法において、導電膜は金属により構成されていてもよい。
【００１２】
第１の半導体装置の製造方法において、絶縁膜には、シリコン及び酸素を主成分とし、且つその組成に少なくとも炭素若しくは窒素を含む単層膜又は該単層膜を少なくとも１層含む積層膜を用いることができる。
【００１３】
本発明に係る第２の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、第１の絶縁膜の上部に配線を形成する工程（ｂ）と、配線を含む第１の絶縁膜の上に、第２の絶縁膜を形成する工程（ｃ）と、第２の絶縁膜の上に、金属からなる犠牲膜を形成する工程（ｄ）と、犠牲膜を選択的にエッチングすることにより、犠牲膜に開口パターンを形成する工程（ｅ）と、開口パターンが形成された犠牲膜をマスクとして、第２の絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する工程（ｆ）と、工程（ｆ）よりも後に、開口パターンが形成された犠牲膜をマスクとして、第２の絶縁膜に孔部又は溝部を形成する工程（ｇ）と、孔部又は溝部に導電膜を形成する工程（ｈ）とを備えていることを特徴とする。
【００１４】
第２の半導体装置の製造方法によると、開口パターンが形成された金属からなる犠牲膜をマスクとして、第２の絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する。これにより、第２の絶縁膜の孔部又は溝部を形成する、強度が必要な領域のみを選択的にキュア（硬化）することができる。一方、半導体装置の性能を決定する孔部又は溝部を形成する領域同士の間はキュアされないため、第２の絶縁膜の比誘電率の値は上昇することがない。従って、配線間容量の増大が生じないので、半導体装置の性能を劣化させることがない。
【００１５】
第２の半導体装置の製造方法において、配線及び導電膜のうち少なくとも一方は、金属により構成されていてもよい。
【００１６】
第２の半導体装置の製造方法において、第２の絶縁膜には、シリコン及び酸素を主成分とし、且つその組成に少なくとも炭素若しくは窒素を含む単層膜又は該単層膜を少なくとも１層含む積層膜を用いることができる。
【００１７】
第１又は第２の半導体装置の製造方法において、犠牲膜には、チタン、窒化チタン、タンタル又は窒化タンタルを用いることができる。
【００１８】
第２の半導体装置の製造方法は、工程（ｅ）において、開口パターンは犠牲膜における配線の上方に位置する部分に形成してもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る半導体装置の製造方法によると、配線構造における強度の向上と層間絶縁膜の低誘電率化との両立を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法における層間絶縁膜の膜強度分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図１を参照しながら説明する。なお、本発明で使用している、材料、数値は好ましい例を例示しているだけであり、この形態に限定されることはない。また、本発明の思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。さらに、加えるならば、第２の実施形態と組み合わせることも可能である。
【００２２】
まず、図１（ａ）に示すように、例えば、化学的気相堆積（ＣＶＤ）法により、シリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板１００の上に、膜厚が約３００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる第１の絶縁膜１０１を形成する。続いて、リソグラフィグラフィ法により、第１の絶縁膜１０１の上に、第１の金属配線パターン（第１のトレンチ（溝）パターン）を有する第１のレジストパターン（図示せず）を形成する。その後、ドライエッチングにより、第１のレジストパターンをマスクとして第１の絶縁膜１０１をエッチングすることにより、第１の絶縁膜１０１の上部に複数の第１の配線形成溝を形成する。その後、第１のレジストパターンをアッシングにより除去し、続いて、ＣＶＤ法又はスパッタ法等により、第１の絶縁膜１０１の上に第１の配線形成溝が埋まるように、タンタルナイトライド（ＴａＮ）及びタンタル（Ｔａ）を積層してなる第１のバリアメタル膜１０２ａ、並びに銅（Ｃｕ）からなる第１の金属膜１０２ｂを順次堆積する。その後、化学機械研磨（ＣＭＰ）法により、第１の絶縁膜１０１の上面に堆積した余剰の第１の金属膜１０２ｂ及び第１のバリアメタル膜１０２ａを研磨して、第１のバリアメタル膜１０２ａ及び第１の金属膜１０２ｂにより構成された第１の金属配線１０２を形成する。
【００２３】
次に、図１（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により、第１の金属配線１０２を含む第１の絶縁膜１０１の上に全面にわたって 膜厚が約３０ｎｍの窒化炭化シリコン（ＳｉＣＮ）からなる第２の絶縁膜１０３を堆積する。続いて、第２の絶縁膜１０３の上に、膜厚が約３００ｎｍの炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ）からなる第３の絶縁膜１０４を堆積する。ここで、第３の絶縁膜１０４は、ＳｉＯＣに代えて、窒素含有酸化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いてもよい。
続いて、ＣＶＤ法又はスパッタ法により、第３の絶縁膜１０４の上に、膜厚が約３０ｎｍのチタン（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（ＴｉＮ）からなる犠牲膜１０５を形成する。なお、犠牲膜１０５には、Ｔｉ及びＴｉＮに代えて、タンタル（Ｔａ）又はタンタルナイトライド（ＴａＮ）等を用いることができる。また、第２の絶縁膜１０３は必ずしも設ける必要はない。
【００２４】
次に、図１（ｃ）に示すように、リソグラフィ法により、犠牲膜１０５の上に、第２の金属配線パターン（第２のトレンチパターン）を有する第２のレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、ドライエッチングにより、第２のレジストパターンをマスクとして犠牲膜１０５をエッチングする。続いて、アッシングにより第２のレジストパターンを除去し、さらにウエットエッチングにより、エッチング時のレジスト残渣（ポリマー等）を除去することにより、犠牲膜１０５に第２のトレンチパターン１０５ａを形成する。
【００２５】
次に、図１（ｄ）に示すように、第２のトレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、第３の絶縁膜１０４に対して、電子線（ＥＢ）及び紫外線（ＵＶ）の少なくとも一方を照射して、第３の絶縁膜１０４における第２のトレンチパターン形成部分のみをキュアする。
【００２６】
次に、図１（ｅ）に示すように、ドライエッチングにより、犠牲膜１０５をマスクとして第３の絶縁膜１０４をエッチングすることにより、第３の絶縁膜１０４の上部に複数の第２の配線形成溝１０４ａを形成する。
【００２７】
次に、図１（ｆ）に示すように、ドライエッチングにより犠牲膜１０５を除去した後、ＣＶＤ法又はスパッタ法等により、第３の絶縁膜１０４の上に第２の配線形成溝１０４ａが埋まるように、タンタルナイトライド（ＴａＮ）及びタンタル（Ｔａ）を積層膜してなる第２のバリアメタル膜１０６ａ、並びに銅（Ｃｕ）からなる第２の金属膜１０６ｂを順次堆積する。その後、ＣＭＰ法により、第３の絶縁膜１０４の上面に堆積した余剰の金属膜及びバリアメタル膜を研磨して、第２のバリアメタル膜１０６ａ及び第２の金属膜１０６ｂにより構成された第２の金属配線１０６を形成する。
【００２８】
このように、第１の実施形態によると、炭素含有酸化シリコンからなる第３の絶縁膜１０４に対して、第２のトレンチパターン１０５ａを形成する領域のみを選択的にキュアする。これにより、第３の絶縁膜１０４は、第２のトレンチパターン１０５ａの形成領域のみの膜強度が向上する。これに対し、半導体装置の性能を決定する第３の絶縁膜１０４における第２のトレンチパターン１０５ａを除く領域はキュアされないため、キュアされない領域の比誘電率の値は上昇することがない。その結果、配線間容量の増大が生じないので、半導体装置の性能を劣化させることがない。但し、第２のトレンチパターン１０５ａの形成領域とは、第２のトレンチパターン１０５ａの直下のみを指すのではなく、第２のトレンチパターン１０５ａの直下の近傍領域をも指している。第３の絶縁膜１０４に対して、電子線（ＥＢ）及び紫外線（ＵＶ）の少なくとも一方を照射すると、第３の絶縁膜１０４中で電子線又は紫外線が散乱し、第２のトレンチパターン１０５ａの直下の近傍領域もキュアされることになる。ここで、近傍とは、電子線又は紫外線が散乱し得る程度の距離を指している。この近傍領域は距離が短いため、配線間容量の増大に対する影響は、非常に小さい。
【００２９】
また、第３の絶縁膜１０４に対する選択的なキュア処理に紫外線を用いた場合は、紫外線の波長として約２００ｎｍ〜約４００ｎｍの帯域を使用すれば、配線幅が約２００ｎｍ以下の配線密度が高い密集配線部において、各配線からの回折効果により、第３の絶縁膜１０４における第２のトレンチパターン１０５ａの形成領域に対して効率良くキュアすることができる。
【００３０】
なお、第１の金属配線１０２及び第２の金属配線１０６における各バリアメタル膜１０２ａ、１０６ａを除く配線本体には金属を用いることが好ましく、なかでも銅が好ましいが、本実施形態に係る配線本体は必ずしも金属に限られない。
【００３１】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図２を参照しながら説明する。
【００３２】
まず、図２（ａ）に示すように、例えば、ＣＶＤ法により、シリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板２００の上に、膜厚が約３００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる第１の絶縁膜２０１を形成する。続いて、リソグラフィグラフィ法により、第１の絶縁膜２０１の上に、金属配線パターン（トレンチパターン）を有する第１のレジストパターン（図示せず）を形成する。その後、ドライエッチングにより、第１のレジストパターンをマスクとして第１の絶縁膜２０１をエッチングすることにより、第１の絶縁膜２０１の上部に複数の第１の配線形成溝を形成する。その後、第１のレジストパターンをアッシングにより除去し、続いて、ＣＶＤ法又はスパッタ法等により、第１の絶縁膜２０１の上に第１の配線形成溝が埋まるように、タンタルナイトライド（ＴａＮ）及びタンタル（Ｔａ）を積層してなる第１のバリアメタル膜２０２ａ、並びに銅（Ｃｕ）からなる第１の金属膜２０２ｂを順次堆積する。その後、ＣＭＰ法により、第１の絶縁膜２０１の上面に堆積した余剰の第１の金属膜２０２ｂ及び第１のバリアメタル膜２０２ａを研磨して、第１のバリアメタル膜２０２ａ及び第１の金属膜２０２ｂにより構成された金属配線２０２を形成する。
【００３３】
次に、図２（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により、第１の金属配線２０２を含む第１の絶縁膜２０１の上に全面にわたって 膜厚が約３０ｎｍの窒化炭化シリコン（ＳｉＣＮ）からなる第２の絶縁膜２０３を堆積する。続いて、第２の絶縁膜２０３の上に、膜厚が約３００ｎｍの炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ）からなる第３の絶縁膜２０４を堆積する。ここで、第３の絶縁膜２０４は、ＳｉＯＣに代えて、窒素含有酸化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いてもよい。続いて、ＣＶＤ法又はスパッタ法により、第３の絶縁膜２０４の上に、膜厚が約３０ｎｍのチタン（Ｔｉ）又はチタンナイトライド（ＴｉＮ）からなる犠牲膜２０５を形成する。なお、犠牲膜２０５には、Ｔｉ及びＴｉＮに代えて、タンタル（Ｔａ）又はタンタルナイトライド（ＴａＮ）等を用いることができる。
【００３４】
次に、図２（ｃ）に示すように、リソグラフィ法により、犠牲膜２０５の上に、ホールパターンを有する第２のレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、ドライエッチングにより、第２のレジストパターンをマスクとして犠牲膜２０５をエッチングする。続いて、アッシングにより第２のレジストパターンを除去し、さらにウエットエッチングにより、エッチング時のレジスト残渣（ポリマー等）を除去することにより、犠牲膜２０５にホールパターン２０５ａを形成する。
【００３５】
次に、図２（ｄ）に示すように、ホールパターン２０５ａが形成された犠牲膜２０５をマスクとして、第３の絶縁膜２０４に対して、電子線（ＥＢ）及び紫外線（ＵＶ）の少なくとも一方を照射して、第３の絶縁膜２０４におけるホールパターン形成部分のみをキュアする。
【００３６】
次に、図２（ｅ）に示すように、ドライエッチングにより、犠牲膜２０５をマスクとして第３の絶縁膜２０４をエッチングすることにより、第３の絶縁膜２０４の上部に複数のコンタクトホール２０４ａを形成する。
【００３７】
次に、図２（ｆ）に示すように、ドライエッチングにより犠牲膜２０５を除去した後、ＣＶＤ法又はスパッタ法等により、第３の絶縁膜２０４の上に各コンタクトホール２０４ａが埋まるように、タンタルナイトライド（ＴａＮ）及びタンタル（Ｔａ）を積層膜してなる第２のバリアメタル膜２０６ａ、並びに銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）からなる第２の金属膜２０６ｂを順次堆積する。その後、ＣＭＰ法により、第３の絶縁膜２０４の上面に堆積した余剰の第２の金属膜２０６ｂ及び第２のバリアメタル膜２０６ａを研磨して、第２のバリアメタル膜２０６ａ及び第２の金属膜２０６ｂにより構成されたコンタクトプラグ２０６を形成する。
【００３８】
このように、第２の実施形態によると、炭素含有酸化シリコンからなる第３の絶縁膜２０４に対して、ホールパターン２０５ａを形成する領域のみを選択的にキュアする。これにより、第３の絶縁膜２０４は、ホールパターン２０５ａの形成領域のみの膜強度が向上する。これに対し、半導体装置の性能を決定する第３の絶縁膜２０４におけるホールパターン２０５ａを除く領域はキュアされないため、キュアされない領域の比誘電率の値が上昇することがない。その結果、配線間容量の増大が生じないので、半導体装置の性能を劣化させることがない。但し、ホールパターン２０５ａの形成領域とは、ホールパターン２０５ａの直下のみを指すのではなく、ホールパターン２０５ａの直下の近傍領域をも指している。第３の絶縁膜２０４に対して、電子線（ＥＢ）及び紫外線（ＵＶ）の少なくとも一方を照射すると、第３の絶縁膜２０４中で電子線又は紫外線が散乱し、ホールパターン２０５ａの直下の近傍領域もキュアされることになる。ここで、近傍とは、電子線又は紫外線が散乱し得る程度の距離を指している。
【００３９】
さらに、図３に示すように、電子線又は紫外線は、金属配線２０２によって反射されるため、スルーホールの信頼性に大きく影響するコンタクトホール２０４ａの下部の強度をさらに向上することができる。その結果、コンタクトプラグ２０６の信頼性（ストレスマイグレーション耐性及びエレクトロマイグレーション耐性）を向上することができる。ここで、図３に示す破線は、電子線又は紫外線を照射しないために、金属配線２０２からの反射がない場合の膜厚と膜強度との関係を表しており、実線は、電子線又は紫外線を照射することによる金属配線２０２からの反射がある場合の膜厚と膜強度の関係を表している。
【００４０】
また、第３の絶縁膜２０４に対する選択的なキュア処理に紫外線を用いた場合は、紫外線の波長として約２００ｎｍ〜約４００ｎｍの帯域を使用すれば、配線幅が２００ｎｍ以下の配線密度が高い密集配線部において、各配線からの回折効果により、第３の絶縁膜２０４におけるホールパターン２０５ａの形成領域に対して効率良くキュアすることができる。
【００４１】
なお、金属配線２０２における第１のバリアメタル膜２０２ａを除く配線本体には金属を用いることが好ましく、なかでも銅が好ましいが、本実施形態に係る配線本体は必ずしも金属に限られない。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、配線構造における強度の向上と層間絶縁膜の低誘電率化との両立を図ることができ、配線の形成方法を含む半導体装置の製造方法等に有用である。
【符号の説明】
【００４３】
１００ 半導体基板
１０１ 第１の絶縁膜
１０２ 第１の金属配線
１０２ａ 第１のバリアメタル膜
１０２ｂ 第１の金属膜
１０３ 第２の絶縁膜
１０４ 第３の絶縁膜
１０４ａ 第２の配線形成溝
１０５ 犠牲膜
１０５ａ 第２のトレンチパターン
１０６ 第２の金属配線
１０６ａ 第２のバリアメタル膜
１０６ｂ 第２の金属膜
２００ 半導体基板
２０１ 第１の絶縁膜
２０２ 金属配線
２０２ａ 第１のバリアメタル膜
２０２ｂ 第１の金属膜
２０３ 第２の絶縁膜
２０４ 第３の絶縁膜
２０４ａ コンタクトホール
２０５ 犠牲膜
２０５ａ ホールパターン
２０６ コンタクトプラグ
２０６ａ 第２のバリアメタル膜
２０６ｂ 第２の金属膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程（ａ）と、
前記絶縁膜の上に、金属からなる犠牲膜を形成する工程（ｂ）と、
前記犠牲膜を選択的にエッチングすることにより、前記犠牲膜に開口パターンを形成する工程（ｃ）と、
前記開口パターンが形成された前記犠牲膜をマスクとして、前記絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する工程（ｄ）と、
前記工程（ｄ）よりも後に、前記開口パターンが形成された前記犠牲膜をマスクとして、前記絶縁膜に孔部又は溝部を形成する工程（ｅ）と、
前記孔部又は溝部に導電膜を形成する工程（ｆ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記導電膜は、金属からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜は、シリコン及び酸素を主成分とし、且つその組成に少なくとも炭素若しくは窒素を含む単層膜、又は前記単層膜を少なくとも１層含む積層膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板の上に第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、
前記第１の絶縁膜の上部に配線を形成する工程（ｂ）と、
前記配線を含む前記第１の絶縁膜の上に、第２の絶縁膜を形成する工程（ｃ）と、
前記第２の絶縁膜の上に、金属からなる犠牲膜を形成する工程（ｄ）と、
前記犠牲膜を選択的にエッチングすることにより、前記金属膜に開口パターンを形成する工程（ｅ）と、
前記開口パターンが形成された前記犠牲膜をマスクとして、前記第２の絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する工程（ｆ）と、
前記工程（ｆ）よりも後に、前記開口パターンが形成された前記犠牲膜をマスクとして、前記第２の絶縁膜に孔部又は溝部を形成する工程（ｇ）と、
前記孔部又は溝部に導電膜を形成する工程（ｈ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記配線及び導電膜のうち少なくとも一方は、金属からなることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、シリコン及び酸素を主成分とし、且つその組成に少なくとも炭素若しくは窒素を含む単層膜、又は前記単層膜を少なくとも１層含む積層膜であることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記犠牲膜は、チタン、窒化チタン、タンタル又は窒化タンタルからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｅ）において、前記開口パターンは、前記犠牲膜における前記配線の上方に位置する部分に形成することを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程（ａ）と、
前記絶縁膜の上に、金属からなる犠牲膜を形成する工程（ｂ）と、
前記犠牲膜を選択的にエッチングすることにより、前記犠牲膜に開口パターンを形成する工程（ｃ）と、
前記開口パターンが形成された前記犠牲膜をマスクとして、前記絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する工程（ｄ）と、
前記工程（ｄ）よりも後に、前記開口パターンが形成された前記犠牲膜をマスクとして、前記絶縁膜に孔部又は溝部を形成する工程（ｅ）と、
前記孔部又は溝部に導電膜を形成する工程（ｆ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記導電膜は、金属からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜は、シリコン及び酸素を主成分とし、且つその組成に少なくとも炭素若しくは窒素を含む単層膜、又は前記単層膜を少なくとも１層含む積層膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板の上に第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、
前記第１の絶縁膜の上部に配線を形成する工程（ｂ）と、
前記配線を含む前記第１の絶縁膜の上に、第２の絶縁膜を形成する工程（ｃ）と、
前記第２の絶縁膜の上に、金属からなる犠牲膜を形成する工程（ｄ）と、
前記犠牲膜を選択的にエッチングすることにより、前記金属膜に開口パターンを形成する工程（ｅ）と、
前記開口パターンが形成された前記犠牲膜をマスクとして、前記第２の絶縁膜に対して紫外線又は電子線を照射する工程（ｆ）と、
前記工程（ｆ）よりも後に、前記開口パターンが形成された前記犠牲膜をマスクとして、前記第２の絶縁膜に孔部又は溝部を形成する工程（ｇ）と、
前記孔部又は溝部に導電膜を形成する工程（ｈ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記配線及び導電膜のうち少なくとも一方は、金属からなることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、シリコン及び酸素を主成分とし、且つその組成に少なくとも炭素若しくは窒素を含む単層膜、又は前記単層膜を少なくとも１層含む積層膜であることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記犠牲膜は、チタン、窒化チタン、タンタル又は窒化タンタルからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｅ）において、前記開口パターンは、前記犠牲膜における前記配線の上方に位置する部分に形成することを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１０−２４５１５６（Ｐ２０１０−２４５１５６Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−８９９７８（Ｐ２００９−８９９７８）
【出願日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月２日（２００９．４．２）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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