【課題】絶縁膜を改質可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】照射装置に、絶縁膜に対して第１の波長の光を照射する第１照射手段と、前記絶縁膜に対して第２の波長の光を照射する第２照射手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線をダマシン法で形成する半導体装置及びその製造方法において、いわゆる電池効果による影響を無くし、低抵抗で信頼性の高いＣｕ配線を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜は、第１の層間絶縁膜２０１と、第１の層間絶縁膜２０１上に形成され銅の拡散を防止する性質を有する第２の層間絶縁膜２０２とから構成される。配線溝Ｔ１の内壁の上端部を除く部分に、Ｃｕ配線を形成する銅が層間絶縁膜へ拡散することを防止するバリアメタル膜が形成される。Ｃｕ配線は、第２の層間絶縁膜２０２とその上端部において接し、これよりも下部においてはバリアメタル膜２０３により覆われている。 （もっと読む）

【課題】制御された二軸応力を有する超低誘電率層と、該低誘電率層を形成するための方法を提供する。
【解決手段】ＰＥＣＶＤとスピン・コーティングとの一方によってＳｉ、Ｃ、ＯおよびＨを含む層を形成する工程と、それぞれ１０ｐｐｍ未満の非常に低い濃度の酸素および水を含む環境中で膜を硬化する工程とを組み込んだ、制御された二軸応力を有する超低誘電率層を形成するための方法を含む。この方法を用いて形成された２．８以下の誘電率を有する材料も含む。本発明は、４６ＭＰａ未満の低い二軸応力を有する膜を形成するための問題を克服する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上の電極または配線などの導電路を構成する金属層例えば銅層の表面に生成された金属酸化物を蟻酸などの有機酸の蒸気により還元するにあたって、金属層のエッチングを抑えること。
【解決手段】ウエハ上の銅層に対して接離自在に第１の電極を設け、前記銅層に対して離れた位置に第２の電極を設け、直流電源の負極側及び正極側に夫々第１、第２の電極を接続し、蟻酸の蒸気により還元処理を行いながら銅層に防食電流を流す。あるいは銅層に対して接離自在に銅よりはイオン化傾向が大きい金属を主成分とする電極を設け、この電極を銅層に接触させて当該電極と銅層とのイオン化傾向の差を利用して両者の間に防食電流を流す。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子の機能確保と、層間絶縁膜およびＣｕ配線の形成条件との間のトレードオフ関係を解決して、信頼性の高いＭＲＡＭを提供する。
【解決手段】層間絶縁膜４〜６は、プラズマＣＶＤ法で形成された比誘電率３．０以下のＳｉＯＣ膜で構成され、３００℃以上（上限は４５０℃程度）の温度で形成される。層間絶縁膜１３〜１５および１７は、比誘電率が３．０より大きな絶縁膜で構成され、３００℃以下（下限は２００℃程度）の温度で形成される。 （もっと読む）

【課題】 ストッパー窒化膜肩部の形状が垂直化され、コンタクトホールエッチングでの窒化膜の後退を低減することができる窒化膜サイドウォール付きゲートを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 自己整合プロセスによりコンタクトを形成する窒化膜サイドウォール付きゲートを有する半導体装置の製造方法において、オフセット窒化膜３２付きゲート３１を生成後、ストッパー窒化膜を堆積させ、サイドウォールエッチング後、絶縁膜３４を生成しＣＭＰ処理を施し、更に平坦化された前記ゲート３１上に層間絶縁膜３６を生成し、この層間絶縁膜３６生成後のＣＭＰ処理を省くようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】マンガンの拡散を防止する層を形成することで、銅マンガン合金層からのマンガンの拡散を抑えて銅配線の低抵抗化を可能とする。
【解決手段】酸化シリコン系絶縁膜１１に設けられた凹部１２内面に形成された銅マンガン合金層１５と該酸化シリコン系絶縁膜１１とを反応させて形成されたマンガンシリケート層１８と、前記凹部１２を埋め込む銅もしくは銅を主体とした材料からなる導電層１７とを備えた半導体装置１において、前記銅マンガン合金層１５と前記導電層１９との間にマンガンの拡散を防止する拡散防止層１７を備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やすことなく、段切れ不良、及びコンタクト不良を防ぐ方法を提供し、それにより動作性能および信頼性の高い集積回路を作製することを課題とする。
【解決手段】配線の乗り越え部分において、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを配線形成用のフォトリソグラフィ工程に適用し、２層構造の下層配線となる導電層を形成し、下層配線が下層配線１層目と、１層目の幅より短い２層目の幅を有するようにレジストパターンを形成し、急峻な段差を緩和することを目的とした下層配線を形成する。 （もっと読む）

銅相互接続線（１４）上にキャッピング層を形成する方法。その方法は、相互接続線（１４）およびそれが埋め込まれた誘電体層を覆うアルミニウム層（２０）を供給する工程からなる。これは、堆積および化学的暴露によって達成され得る。ついで構造は、アニーリング、あるいは、例えば窒素原子を含む雰囲気下での、さらなる化学的暴露のような処理に供され、Ａｌの銅線（１４）への内部拡散および金属間化合物ＣｕＡｌＮの拡散バリヤを形成する窒化を生じさせる。
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【課題】動作特性が向上した半導体装置の製造方法及びそれによって製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上にNMOSトランジスタを形成し、NMOSトランジスタ上に第1層間絶縁膜を形成し、第1層間絶縁膜を脱水素化することを含む半導体装置の製造方法。脱水素化することは、第1層間絶縁膜のストレスを変化させうる。特に、第1層間絶縁膜は脱水素化の後、200MPa以上の引張ストレスを有しうる。脱水素化された層間絶縁膜を含む半導体装置も提供される。 （もっと読む）

デバイスは、細孔シーリングライナーを有するダマシン層を使用し、半導体ボディを含んでいる。金属相互接続（３０２）からなる金属相互接続層が、半導体ボディ上に形成される。誘電層（３０８）が、金属相互接続層上に形成される。導電性トレンチフィーチャ（３１６）及び導電性バイアフィーチャ（３１４）が、誘電層内に形成される。細孔シーリングライナー（３１８）が、導電性バイアフィーチャの側壁に沿ってのみ、及び導電性トレンチフィーチャの側壁及び底面に沿って形成される。細孔シーリングライナーは、導電性バイアフィーチャの底面に沿っては実質的に存在しない。
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【課題】高精度なパターン形成を行なうことが可能となる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の主表面上に絶縁膜７を形成する。絶縁膜７上に導電膜８を形成し、該導電膜８上に下層レジスト膜９、中間層１０、反射防止膜１１および上層レジスト膜を形成する。この上層レジスト膜の高さを検出することで露光時の焦点位置を検出する。露光時の焦点位置を検出するに際し、焦点検出光を上層レジスト膜に照射する。焦点位置を検出した後、上層レジスト膜を露光、現像し、レジストパターン１２ａを形成する。レジストパターン１２ａをマスクとして中間層１０と反射防止膜１１をパターニングし、下層レジスト膜９を現像する。これらのパターンをマスクとして導電膜８をエッチングし、ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面上に特徴画成部を形成する改良された方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面にネガティブマスク材料を堆積し、そのネガティブマスク材料を基板表面へとエッチングしてネガティブマスク特徴画成部を形成し、ネガティブマスク特徴画成部に耐エッチング材料を堆積し、その耐エッチング材料を研磨してネガティブマスク材料を露出させ、ネガティブマスク材料をエッチングして耐エッチング材料に特徴画成部を形成することにより、基板を処理する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】配線間または配線とプラグとの間の抵抗を低減しつつストレスマイグレーション耐性、エレクトロマイグレーション耐性を確保できる配線構造を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１０１及びＣｕ膜１０４を有する配線１０５上に層間絶縁膜１０７を形成し、層間絶縁膜１０７にビア１０９及びトレンチ１０８を形成し、Ｃｕ膜１０４を露出させる。次に、Ｃｕ膜１０４にビア１０９よりも内径の大きい凹部１１０を形成した後、バリア金属膜１１１を形成する。次いで、バリア金属膜１１１をリスパッタすることで凹部１１０にバリアメタル金属膜１１１を埋め込むとともに、角に丸みを帯びた下凸な形状を有するビア１１２を形成する。次に、ビア１１２及びトレンチ１０８にバリア金属膜１１３、Ｃｕ膜１１４を順次形成する。次いで、Ｃｕ膜１１４、バリア金属膜１１３及びバリア金属膜１１１を除去する。 （もっと読む）

【課題】素子が微細化された場合においても、強誘電体キャパシタの特性劣化を抑制し、あるいは、その特性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上方に設けられた強誘電体キャパシタと、強誘電体キャパシタの側面を被覆する絶縁性の保護膜と、保護膜を介して強誘電体キャパシタの側面に設けられ、強誘電体キャパシタにかかる電界方向へ該強誘電体キャパシタに引張応力を与える側壁膜とを備え、側壁膜はシリコン窒化膜からなる。 （もっと読む）

引張応力を有する緻密化されたシリコン酸窒化膜を形成する方法、及び緻密化されたシリコン酸窒化膜を含む半導体デバイスが開示される。緻密化されたシリコン酸窒化膜は、ＬＰＣＶＤプロセスにて基板上に多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜を堆積すること、及びＳｉＮＣ：Ｈ膜に酸素を混入し、それにより、多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜より高い密度を有する緻密化されたＳｉＯＮＣ：Ｈ膜を形成するために、多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜を酸素含有ガスに曝すことによって形成されることができる。緻密化されたシリコン酸窒化膜は、半導体デバイスを含んだ基板上に含められ得る。
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本発明は、半導体デバイス用デュアルダマシン構造を製造する方法に関する。基板中に形成されたトレンチまたはバイア内の、拡散バリア層の堆積の間中、ハロゲン系前駆物質が使用される。前記堆積からの残留ハロゲンは、前記バリア層上に残ることができ、前記トレンチまたはバイアを充填するために、前記バリア層上に位置する金属層の成長を触媒するのに用いられる。
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【課題】 切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板（不図示）上に形成されるとともに凹部が形成された第１の絶縁膜１０２と、導電体２０６、ならびに導電体２０６の一端と他端にそれぞれ設けられた第１の端子２０２および第２の端子２０４を有し、第１の絶縁膜１０２上に設けられた電気ヒューズ２００とを含む。導電体２０６は、第１の絶縁膜１０２の凹部を埋め込むように形成されるとともに、導電体２０６を構成する材料が凹部外に流出した流出領域２１２を有し、流出領域２１２とは異なる箇所が切断される。 （もっと読む）

【課題】温度が上昇するほど電子又はホールの移動度を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板中のＰウェル上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を挟むように前記Ｐウェル中に隔離して設けられたソースまたはドレインと、前記ソースまたはドレイン上から前記ゲート電極上に亙って設けられ負の膨張係数を有しチャネル領域に引っ張り応力を加える第１絶縁層２０を備えたＮ型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタＮ１と、半導体基板中のＮウェル上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を挟むように前記Ｎウェル中に隔離して設けられたソースまたはドレインと、前記ソースまたはドレイン上から前記ゲート電極上に亙って設けられ正の膨張係数を有しチャネル領域に圧縮応力を加える第２絶縁層３０を備えたＰ型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタＰ１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ウェハのエッジ部からの膜剥がれを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ配線工程において、有機系低誘電率層間膜３２形成後に、ウェハベベルの側面上および裏面上、ウェハエッジの裏面上に保護膜３３を堆積させる。その後、リソグラフィ工程およびエッチング工程を経て銅膜を形成した後に保護膜３３を除去する。 （もっと読む）