【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、水素プラズマ処理時の水素による影響を低減する。
【解決手段】非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 （もっと読む）

【課題】銅を含む層とチタニウムを含む層とをエッチングする時に、非過水系のエッチング液を使用して工程の安定性を向上させる。
【解決手段】本発明は、薄膜トランジスタ表示板に対する発明であって、より詳細には、銅（Ｃｕ）とチタニウム（Ｔｉ）とをそれぞれ含む二重層配線に形成される薄膜トランジスタ表示板に関し、構造的にはチタニウムを含む層が銅を含む層より幅が広くて、チタニウムと銅とを共にエッチングする段階と、別にエッチングする段階とを含めて製造することを特徴とする。また、ゲート絶縁膜に段差が形成されている。 （もっと読む）

【課題】モリブデン系金属膜上の絶縁膜をドライエッチングする際に、選択比を比較的大きくする事ができる方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングにより、レジスト膜４５の開口部４６に対応する部分つまりソース電極９上におけるオーバーコート膜１３にコンタクトホール１４を形成し、また同時に、レジスト膜４５の開口部４７に対応する部分つまり金属膜２１ａ上におけるオーバーコート膜１３およびゲート絶縁膜４にコンタクトホール２２を形成し、さらに同時に、レジスト膜４５の開口部４８に対応する部分つまり金属膜３１ａ上におけるオーバーコート膜１３にコンタクトホール３２も形成する場合、エッチングガスとしてフッ素系ガス（ＳＦ_６、ＣＦ_４）、酸素ガスおよび窒素ガスからなる混合ガスを用いる事で窒化シリコン等からなるオーバーコート膜１３とモリブデン系金属からなる金属膜３１ａとの選択比を大きくする。 （もっと読む）

【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、前記第１配線を覆う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上の一部に接して第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜上に第２配線とを有し、前記第１配線と前記第２配線とが重なっている領域には、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とが積層された半導体装置である。第１配線と第２配線間に層間絶縁膜が積層されていることで寄生容量の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】耐湿性に優れ、信頼性に優れた低誘電率膜を用いて、高性能なパッシベーション膜を備えた表示装置を提供する。このようなパッシベーション膜を用いることにより、表示装置の薄膜化、軽量化、製造コスト削減が可能となる。
【解決手段】ボラジン骨格を有する重合体を含むことを特徴とする表示装置用パッシベーション膜とする、もしくはボラジン骨格を有する化合物及び／または重合体から得られる表示装置用パッシベーション膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置であって、上記腐食防止用塗料の塗布や剥離といった更なる工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止することのできる表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置であって、前記Ａｌ合金膜が、Ｎｉおよび／またはＣｏを０．１５原子％以下（０原子％を含まない）、Ｇｅを０．２原子％以上２．０原子％以下、およびＬａ、Ｇｄ、ＮｄおよびＹよりなる群から選択される１種以上の元素を０．０５原子％以上１．０原子％以下含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜の表面において観察される腐食孔のアスペクト比（腐食深さ／腐食直径）が０．１２以下であることを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】長期間貯蔵された古い金属ナノ粒子を含有する組成物を用いた場合であっても、高い導電性を有する電子デバイスの導電性フィーチャを提供することである。
【解決手段】電子デバイスの導電性フィーチャは、有機系安定剤が表面上に存在する金属ナノ粒子を含有する組成物を、基材上に成膜して成膜組成物を形成し、前記成膜組成物を加熱し、前記成膜組成物をアルカリ組成物に接触させて導電性フィーチャを形成する、ことを含む方法により形成される。前記アルカリ組成物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、アンモニア、炭酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、有機アミン、イミダゾール、ピリジン、又はその混合物を含むことが好ましく、有機安定剤としては、チオール、アミン、カルボン酸、カルボン酸塩、ポリエチレングリコール、又はピリジンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた、表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化と製造コストの高価格化を招くことなく、多層電極間の接続を容易に行うことが可能な電極基板の製造方法、電極基板、及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下地層の上に、下層電極、層間絶縁膜、上層電極がこの順番で積層され、下層電極と上層電極とが層間絶縁膜に形成された開口部を介して電気的に接続された電極基板の製造方法であって、下地層の上に、電極材料を含有する溶液を塗布した後、乾燥させて下層電極を形成する工程と、下層電極が形成された下地層の上に、開口部を有する層間絶縁膜を形成する工程と、開口部に溶液の溶媒を滴下し、開口部に位置する下層電極を溶解した後、乾燥させることにより、電極材料を開口部の内壁に沿ってコーヒーステイン形状に形成する工程と、電極材料が開口部の内壁に沿ってコーヒーステイン形状に形成された層間絶縁膜の上に上層電極を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム−ランタニウム系合金膜及びチタニウム系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、過酸化水素１重量％〜１５重量％、無機酸０．１重量％〜１０重量％、含フッ素化合物０．０１重量％〜５重量％、及び水残部を含むことを特徴とする、 （もっと読む）

【課題】オフ電流および漏れ電流が抑制された薄膜トランジスタ、および前記薄膜トランジスタを歩留り良く製造することのできる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極１２上にゲート絶縁膜１２を介して順次形成されるＳｉ（ｉ）膜１３およびＳｉ（ｎ）膜１４上に金属膜を形成し、フォトレジストパターン２２をマスクとしてエッチングし、ソース電極１５およびドレイン電極１６を形成する。酸素を含むプラズマで処理して、フォトレジストパターン２２の側面を後退させるとともに、ソース電極１５およびドレイン電極１６の側面および露出した上面にＡｌ酸化皮膜１７を形成する。残存するフォトレジストパターン２２およびＡｌ酸化皮膜１７をマスクとして、チャネル部１８のＳｉ（ｎ）膜１４およびＳｉ（ｉ）膜１３の表面の一部をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】銅配線層の接着性を改善するとともに、銅配線層の抵抗値が大きくなることを抑制する配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造１０では、ガラス基板１１上に、チタンからなる接着層１２と、酸化銅からなるバリア層１３と、純銅からなる銅配線層１４とが順に積層されている。接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。このため、銅配線層１４は、熱処理された後も、比抵抗を小さな値に保つことができるので、信号の遅延を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、Ｃ_２Ｆ_６等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、レジスト膜を良好にアッシングするレジスト膜の除去方法、およびそれを用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。 （もっと読む）

【課題】高密度で微細なパターンの断線を低温プロセスによって修正可能な回路基板の欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された配線３の断線箇所Ｄを含む基板１の露出面領域に、光照射によって濡れ性が変化する物質を用いた濡れ性調整層５を成膜する。次の第２工程では、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する部分、またはそれ以外の部分に光を照射する。これにより濡れ性調整層５における断線個所に対応する部分の電極形成液に対する濡れ性を、それ以外の部分よりも高くする。その後断線個所Ｄに対応する濡れ性調整層５部分上に電極形成液を供給して乾燥させる。これにより、断線個所Ｄに電極形成液を乾燥させた修正電極パターン７を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、耐酸化性に優れる薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板２上に、ゲート電極３、ゲート絶縁層４、半導体層５、ソース電極６およびドレイン電極７を形成してなる薄膜トランジスタであって、アルカリ可溶性フェノール樹脂（Ａ）と感放射線化合物（Ｂ）とを含有する感放射線性樹脂組成物からなる保護膜８が、前記ゲート絶縁層４、前記半導体層５、前記ソース電極お６よび前記ドレイン電極７に接触して形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】半導体回路装置と外部機器との電気的接続を、簡易に安定させることができる半導体回路装置の製造方法などを提供する。
【解決手段】半導体回路形成工程と、半導体回路１６０を囲む絶縁層１４０の一部を除去し、絶縁層１４０を半導体回路１６０と接する第１の絶縁部１４０、及び第１の絶縁部１４０と分離した第２の絶縁部１４０ｂに分離し、第２の絶縁部１４０ｂの半導体回路１６０側の側面を傾斜面にする第１の除去工程と、パッシベーション層形成工程と、第２の絶縁部１４０ｂの一部及びパッシベーション層１８０の一部を転写元基板１００の基板面に対して垂直方向に除去する第２の除去工程と、転写元基板１００と転写先基板とを貼り合わせる接着剤硬化工程と、転写元基板１００及び第２の絶縁部１４０ｂを、転写先基板等から剥離させる剥離工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。
【解決手段】画素、メモリ部、又はＣＭＯＳ回路等に配置されたトランジスタのチャネル形成領域２１３、２１４と重なる第１の配線（ゲート電極）の一部または全部と第２の配線（ソース線またはドレイン線）１５４、１５７とを重ねる。また、ゲート電極と第２配線１５４、１５７の間には第１の層間絶縁膜１４９及び第２の層間絶縁膜１５０ｃを設け、寄生容量を低減した半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 レジスト材料の利用効率を向上させて、作製コストの削減を目的としたレジス
トパターンの作製方法、レジストパターンの除去方法、半導体装置の作製方法を提供する
ことを課題とする。
【解決手段】 本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジ
ストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。また、前記レジストパター
ンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパタ
ーンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レ
ジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上
の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 （もっと読む）