【課題】 高輝度化を図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供すること。
【解決手段】 光源としてのＬＥＤチップ２００を備えたＬＥＤモジュール１０１であって、ＬＥＤチップ２００は、Ｓｉからなるサブマウント基板２１０、およびサブマウント基板２１０上に積層された半導体層２２０を有しており、サブマウント基板２１０のうち半導体層２２０が積層された面につながる側面２１０の少なくとも一部を覆い、半導体層２２０からの光を透過しない白色樹脂７００を備え、白色樹脂７００に覆われた側面２１１は、半導体層２２０の積層方向である第１方向において半導体層２２０寄りに位置し、第１方向視において半導体層２２０から遠ざかる方向に突出する突出部２１１ａを有する。 （もっと読む）

【課題】白色部材被覆型の半導体発光装置においては、白色部材充填や硬化時に発光素子の発光面にコーティング材の付着が発生して接着力が低下したり演色性を向上させる蛍光材の混入が困難であったり、また白色部材による発光素子の被覆が不十分で信頼性が高められないなどの課題があった。
【解決手段】下面に突起電極を有する半導体発光素子の発光面に接着された蛍光体板と前記半導体発光素子の側面を被覆する反射性の白色樹脂とを有する半導体発光装置において、前記蛍光体板の前記半導体発光素子に接着する面に凹部形状を形成する。 （もっと読む）

【課題】生成した光を効率よく外部に導くことができる薄型の光電子部品を、安価に製造する。
【解決手段】基板本体１の複数の領域２に対応する光電子部品１５に、単位基板１６と、複数個の小型光素子４と、封止樹脂１２からなる平板部１７と、封止樹脂１２からなる複数個の凸状の小型レンズ部１８とを備える。光電子部品１５は、側面として、封止済基板１３から複数の領域２単位に分離されたことによって形成された分離面（分割面）ＤＦを有する。各小型レンズ部１８の光軸と各小型光素子４の光軸とが、中心線ＣＬとして一致する。 （もっと読む）

【課題】透光性樹脂の上面に反射部材を有するＬＥＤ発光装置において、横方向に出射される側面光を効率よく取り出す。
【解決手段】ＬＥＤ１とＬＥＤ１の側面及び上面を被覆する透光性樹脂４、透光性樹脂２の上部に設けられた第１の反射部材６とを有するＬＥＤ発光装置１０において、透光性樹脂４の上面と第１の反射部材６との間に透明性樹脂４より屈折率の低い低屈折率層５を設ける。 （もっと読む）

【課題】高性能で高信頼性の、銀を用いた電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、反射電極と、酸化物層と、窒素含有層と、を含む半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられる。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、第２導電形である。反射電極は、第２半導体層の上に設けられ、Ａｇを含む。酸化物層は、反射電極の上に設けられ、開口部を有し、絶縁性である。窒素含有層は、酸化物層の上に設けられ、開口部に繋がる開口部を有し、絶縁性である。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、交互に積層された、複数の障壁層と、複数の井戸層と、を含む。前記複数の障壁層のうちで最も前記ｐ形半導体層に近いｐ側障壁層は、III族元素を含む第１層と、前記第１層と積層されIII族元素を含む第２層であって、前記第２層のIII族元素中におけるＩｎ組成比が、前記第１層のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも高い、第２層と、を含む。前記ｐ側障壁層の平均Ｉｎ組成比は、前記複数の障壁層のうちで最もｎ形半導体層に近いｎ側障壁層の平均Ｉｎ組成比よりも高い。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で電極面の周辺部から漏れ出す光を減少させたフリップチップ実装用の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１７の周囲に存在し、ＬＥＤ素子１０をウェハー３１から切り出す際の切りしろとなったストリートライン２３の上に、遮光部材として金属膜１１，１２を配置した。金属膜１１，１２はスリット１８で４分割している。また金属膜１１，１２は、ｐ側及びｎ側の突起電極１３，１４のアンダーバンプメタル層である金属膜２２と等しい材料からなっている。 （もっと読む）

【課題】平坦な表面を有し、結晶性の高い窒化物半導体下地層を、反りを抑えて、大きな成長速度で成長させることができる窒化物半導体構造の製造方法を提供する。
【解決手段】第３の窒化物半導体下地層を形成する工程において、第３の窒化物半導体下地層の成長時に単位時間当たりに供給されるＶ族原料ガスのモル量と単位時間当たりに供給されるＩＩＩ族原料ガスのモル量との比であるＶ／ＩＩＩ比を７００以下とし、第３の窒化物半導体下地層の成長時の圧力を２６．６ｋＰａ以上とし、第３の窒化物半導体下地層の成長速度を２．５μｍ／時以上とする、窒化物半導体構造の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】欠陥を抑制した高効率の半導体発光素子及び半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、４４０ナノメートル以上のピーク波長の光を放出する発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層には、引っ張り歪が印加されている。前記第１半導体層における刃状転位密度は、５×１０^９／ｃｍ^２以下である。前記第１半導体層と前記発光層との間の格子不整合率は、０．１１パーセント以下である。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、III族元素を含む障壁層と、前記ｎ形半導体層から前記ｐ形半導体層に向けた方向に前記障壁層と積層されIII族元素を含む井戸層と、を有する。前記障壁層を、前記ｎ形半導体層側の第１部分と、前記ｐ形半導体層側の第２部分と、に分けた場合、前記第２部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比は、前記第１部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも低い。前記井戸層を、前記ｎ形半導体層側の第３部分と、前記ｐ形半導体層側の第４部分と、に分けた場合、前記第４部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比は、前記第３部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも高い。 （もっと読む）

【課題】反射率が高く、しかも経時的に安定な反射率を有する白色反射膜を提供すると共に、そのような白色反射膜を有するＬＥＤ光源を提供すること。
【解決手段】配線パターンが形成された基板上に、アルカリ可溶感光性樹脂及び白色顔料を含有する白色反射膜形成材料から成る白色反射膜とＬＥＤチップ又はＬＥＤパッケージとを有するＬＥＤ光源に用いられるアルカリ可溶感光性樹脂の製造方法であって、カルボキシル基（ａ１）及び水酸基（ａ２）を有する（メタ）アクリル系重合体（Ａ）と、グリシジル基（ｂ１）及び（メタ）アクリル基（ｂ２）を有する化合物（Ｂ）とを、四級ホスホニウム塩（Ｃ）の存在下にエステル化反応させることを特徴とする側鎖に（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリル系重合体（Ｄ）からなるアルカリ可溶感光性樹脂の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フリップチップタイプの発光素子の発光効率を向上させながら、発光素子パッケージに実装したときの安定性及び信頼性が確保される発光素子を提供すること。
【解決手段】支持部材と、支持部材上に配置された第１の半導体層、第２の半導体層、及び第１の半導体層と第２の半導体層との間に介在する活性層を有する発光構造物と、第１の半導体層の第１の領域が露出し、第１の領域の第１の半導体層上に配置された第１の電極と、第２の半導体層上に配置された第２の電極と、少なくとも第１の電極と発光構造物との間に配置された絶縁層とを備え、第１の半導体層と第２の半導体層は互いに異なる導電性半導体層であって、活性層は、少なくとも一対の井戸層及び障壁層を有し、井戸層は障壁層より小さいバンドギャップを有し、第１の電極は、上面の面積が第２の半導体層の面積に対比して４０％〜９９％の面積を有する発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率を向上させるとともに、単位面積当たりの発光強度を高くする。
【解決手段】発光装置１は、基体部３ａ、及び基体部３ａ上に形成され、複数の開口部３ｃを備えた光反射部３ｂを有する支持基板３と、複数の開口部３ｃ内に配置され、アノード電極１３及びカソード電極１５を有する発光素子５と、基体部３ａと光反射部３ｂとの間に帯状に延び、発光素子５に電流を供給するための複数の電極配線７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 光の輝度を高めつつ、かつ、部品数の削減を図ることが可能なＬＥＤ光源装置を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤ光源装置Ａ１は、複数のＬＥＤチップ４０と、複数のＬＥＤチップ４０を支持する基板１０および絶縁部材２０を備えている。基板１０は、ｚ方向における一方側を向く主面１１を有しており、基板１０には、ｚ方向における他方側へ凹む複数の凹部１２が形成されており、複数のＬＥＤチップ４０のいずれかである第１のＬＥＤチップ４０が、上記複数の凹部１２のいずれかである第１の凹部１２に設置されている。ＬＥＤ光源装置Ａ１は、絶縁部材２０の主面２１に設けられ、第１のＬＥＤチップ４０と導通する金属膜３０と、第１のＬＥＤチップ４０を覆うように第１の凹部１２に充填された第１の透光樹脂５１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子５０１は、基板としてのサファイア基板１と、この基板の表面において、互いに異なる導電型を有する２つの半導体層としてのｎ型半導体層２およびｐ型半導体層４によって厚み方向に挟まれる状態で配置された発光層３と、前記２つの半導体層のうちの前記基板から遠い側の一方の半導体層であるｐ型半導体層４に重なるように配置された透明電極層５と、透明電極層５の上面の少なくとも一部を覆うように、透明電極層５よりも高い屈折率を有する透明材料で設けられた平坦層８と、平坦層８の上側に配置された凹凸層９とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低い線膨張係数を有し、かつ反射率が高く透過率が低い硬化物を与える硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の硬化性樹脂組成物は、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも１個含有するシリコーン化合物、（Ｅ）無機充填材、（Ｆ）白色顔料を必須成分とし、４６０ｎｍ及び４８０ｎｍでの分光反射率が９０％以上で、硬化物の厚みが０．２ｍｍ以下のときの分光透過率が０．４％未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】
位置精度が高く、光の損失が小さく、光結合効率及び光取り出し効率の高い発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上に搭載された発光素子と、発光素子上に配された光透過層と、光透過層上に配された透光性プレートと、透光性プレート上に形成されたレンズと、を有している。上記光透過層は、透光性プレートの下面端部と発光素子の下面端部とを接続するように発光素子の側面を覆い、レンズの外縁は、レンズが接する透光性プレートの上面の外縁によって画定されている。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置を得たときに、得られた光半導体装置において成形体に接触している封止剤の変色を抑制し、光半導体装置から発せられる光度の低下を抑制できる半導体装置用白色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置用白色硬化性組成物は白色である。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、フェノール系酸化防止剤とを含む。該フェノール系酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満であり、かつ融点は５０℃以上、３００℃未満である。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２上に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム２上に配置された成形体４とを備える。成形体４が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られている。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含む。該酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満である。上記酸化防止剤を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。 （もっと読む）

【課題】 小型形状で且つ上方向への放射効率が良く、さらにイエローリング発生の問題を生じないＬＥＤ発光装置及びその製造方法が求められていた。
【解決手段】 下面に突起電極を有する半導体発光素子の発光面に接着された蛍光体板と、前記半導体発光素子の側面を被覆する白色樹脂とを有する半導体発光装置であって、前記蛍光体板は片面側に蛍光粒子が凝縮して構成され、前記蛍光体板の蛍光粒子が凝縮している面側を,前記半導体発光素子の発光面側に透明接着剤を介して接着する。 （もっと読む）