【課題】小型化かつ光取り出し効率が高い光学素子並びにそれを用いた照明装置を提供する。
【解決手段】全反射面におけるＺ軸方向原点側の端部が、前記ＬＥＤ光源の発光面よりもＺ軸方向正側に位置していると、発光面から出射した一部の光は、全反射面に入射せず損失を招くが，それは光軸に対して大きな角度で傾いた出射角を持つ光であるため，ランバーシアンタイプの発光分布をもつＬＥＤであれば、かかる光量は非常に少なく無視できる （もっと読む）

【課題】光取出効率を高めることができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、素子搭載基板２０と、素子搭載基板２０に搭載されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１を封止する封止部材２２と、ＬＥＤ素子２１から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体層２３とを有する発光部２を備え、発光部２は、蛍光体層２３が封止部材２２の外部であって、ＬＥＤ素子２１の発光面に対向する面内に外部領域側の蛍光体層２３０として配置されている。 （もっと読む）

【課題】高輝度で発光品位が高く小型な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、基板１１上に形成された配線層１５から成る配線パターン３０と、配線パターン３０に接続されたＬＥＤチップ２４と、基板１１上にてＬＥＤチップ２４を取り囲むように形成された封止枠１９と、封止枠１９の内側に充填されてＬＥＤチップ２４を封止する透明な封止体２７と、封止枠１９の内側部分にて封止体２７が充填されている封止領域２８に形成された発光部２９と、基板１１上にて封止枠１９の外側に形成されている配線層１５から成る外部電極２２ａ，２２ｂと、基板１１上にて封止枠１９と外部電極２２ａ，２２ｂとの間に形成された壁部２１と、壁部２１と封止枠１９との間に形成されたスリット２０と、発光部２９にて配線層１５上に絶縁層１４を介して形成され、発光部２９にてＬＥＤチップ２４が配置されている部分を除く略全面を覆う反射層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン及びゲルマニウム発光素子として作成可能な、注入キャリアを発光領域に閉じ込めるための素子構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】電極と発光領域の間にキャリアにとって狭い通路、すなわち１次元的または２次元的量子閉じ込め領域を作成する。量子閉じ込めにより、その部分ではバンドギャップが開くため、電子にとっても正孔にとってもエネルギー障壁となり、通常のＩＩＩ−Ｖ族半導体レーザーのダブルへテロ構造と同様の効果が得られる。素子の形状を制御するだけで、通常のシリコンプロセスで使用する元素以外は使わないため、安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、下部発光層と、上部発光層と、ｐ型窒化物半導体層とをこの順に備える。下部発光層は、複数の下部井戸層と、下部井戸層に挟まれ下部井戸層よりバンドギャップの大きい下部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層は、複数の上部井戸層と、上部井戸層に挟まれ上部井戸層よりバンドギャップの大きい上部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層における上部バリア層の厚さは、下部発光層における下部バリア層の厚さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】
従来の白色部材被覆型のＬＥＤ発光装置では、回路基板上に実装したＬＥＤの発光面を露出させた状態で、ＬＥＤの側面側に白色部材を充填し、白色部材を硬化させた後にＬＥＤの発光面に透光性部材や蛍光体層を接着しているため、ＬＥＤの光取出面に対するコーティング材の付着が発生する危険性があり、研磨除去のような余分な工程が必要になる場合があり、生産上の問題であった。
【解決手段】
発光素子と該発光素子の発光面に透明接着剤にて接着された、前記発光素子の発光面より大きい蛍光体板と、前記発光素子をフリップチップ実装した回路基板と、前記発光素子の側面と蛍光体板の下面を充填被覆した第１白色部材と、前記発光素子の下面と回路基板間に第２白色部材を充填した。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブによる不良が無く、所望の形状を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる半導体素子１０は、以下の構成を備えている。基板１００上には、ｎ型の第１半導体層２００、活性層３００、ｐ型の第２半導体層４００が順に設けられている。また、２つの第１端面８４０は、平面視で対向するように劈開により形成されている。また、２つの溝部８２０は、平面視で第１端面８４０と直交する方向に、２つの第１端面８４０まで延在している。さらに、溝部８２０は、底部が少なくとも活性層３００の下面よりも下まで位置している。また、第２端面８６０は、第１端面８４０と直交する方向で、かつ、溝部８２０よりも外側に形成され、レーザによるスクライブによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】特に高い透明性を有し、かつ強度特性が良好で、光取出し効率等の光学素子性能に優れた硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物を提供すること、また、本来所望されるＬＥＤ等の光学素子性能を満足するべく、特に２５℃における波長４００ｎｍの光透過率を向上させた付加硬化型シリコーン組成物、該組成物の硬化物で封止された光学素子を提供することを目的とする。
【解決手段】付加硬化型シリコーン組成物であって、少なくとも、
（Ａ）一分子中に、２個以上の珪素原子結合脂肪族不飽和基及び１個以上の珪素原子結合ＣＦ_３−（ＣＦ_２）_ｍ−（ＣＨ_２）_ｎ−基を有する直鎖状であるオルガノポリシロキサン：１００質量部
（Ｂ）一分子中に、２個以上の珪素原子結合脂肪族不飽和基及び１個以上の珪素原子結合ＣＦ_３−（ＣＦ_２）_ｍ−（ＣＨ_２）_ｎ−基を有し、かつＳｉＯ_４／２及び／又はＲＳｉＯ_３／２で示されるシロキサン単位の分岐構造を有するオルガノポリシロキサン：１〜１００質量部
（Ｃ）一分子中に珪素原子結合水素原子を２個以上有する有機珪素化合物：前記（Ａ）、前記（Ｂ）成分の合計脂肪族不飽和基と（Ｃ）成分のＳｉＨ基とのモル比が、０．２≦ＳｉＨ基／脂肪族不飽和基≦５．０となる量
（Ｄ）白金族金属系触媒：有効量
を含むものであることを特徴とする付加硬化型シリコーン組成物。 （もっと読む）

【課題】発光素子の実装面側において、電極間からの光の漏れを防止し、光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】同一面側に一対の電極１６、１７を有する発光素子の該電極上に金属部材１８、１９を形成する工程と、電極１６、１７が形成されている側の発光素子上に無機部材からなる光反射層２０を形成する工程と、光反射層２０と金属部材１８、１９とを略同一面とする工程と、を有する発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層構造体と、透明電極と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を備えた半導体発光素子を提供する。積層構造体は、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間の発光部と、を含む。透明電極は、積層構造体のｐ形半導体層の側の第１主面においてｐ形半導体層に接続される。透明電極はｐ側電極の上に設けられる。ｎ側電極は、第１主面においてｎ形半導体層に接続される。透明電極は、おいてｎ側電極とｐ側電極との間に設けられ透明電極を貫通する孔を有する。ｐ側電極からｎ側電極に向かう第２軸に対して垂直な第３軸に沿った孔の幅は、ｎ側電極及びｐ側電極の第３軸に沿った幅よりも大きい。孔のｎ側電極側の端とｎ側電極との間の第２軸に沿った距離は、孔のｐ側電極側の端とｐ側電極との間の第２軸に沿う距離以下である。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体積層体１１は第１シート抵抗を有する第１半導体層１２、発光層１３、第２半導体層１４乃至１６が順に積層され、第１半導体層１２の一部を露出するように、一端側に形成された切り欠き部１８と、切り欠き部１８から−Ｘ方向に延在し、＋Ｙ方向に分岐または曲折し且つ−Ｙ方向に曲折または分岐した湾入部１９を備える。第１半導体層１２上であって、切り欠き部１８に形成された第１パッド電極２１から湾入部１９に沿って第１細線電極２２が形成されている。半導体積層体１１上に第１シート抵抗より低い第２シート抵抗を有する透明導電膜２０が形成されている。透明導電膜２０上であって、他端側に形成された第２パッド電極２３から±Ｙ方向に延在し、曲折して＋Ｘ方向に延在する第２細線電極２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光層の品質を高めるとともに、発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ中間バッファ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＮ層６、ｐ型ＧａＮ層７が順に積層されている。ＩｎＧａＮ／ＧａＮ中間バッファ層４は、複数のＩｎＧａＮ膜と複数のＧａＮ膜とが交互に積層された超格子構造を有し、ＩｎＧａＮ膜のＩｎ組成比率はｎ型ＧａＮ層３からＭＱＷ活性層５に向かって段階的に増加していくように構成される。 （もっと読む）

【課題】 指向性の広いライン状光源となる発光装置を提供することにある。
【解決手段】 この発光装置１０は、金属基板１１と、その表面上の中央且つ長手方向に配置された配線部１３を有する基板１２と、配線部１３によって長手方向に仕切られ且つ上方及び短手方向の端部が解放されている金属基板１１の素子実装面１１ａ，１１ｂ上に配列された複数の発光素子２０，２１と、を備えている。この発光装置１０では、上方及び短手方向が解放されている素子実装面１１ａ，１１ｂ上に発光素子２０，２１が実装されている。このため、発光素子２０，２１は、その上方だけでなく側方にも光を照射することになる。 （もっと読む）

【課題】発光素子チップが設けられた基板を簡単に取付可能であり、発光素子チップの放出光を遮光せず発光品位が高く、小型かつ低コストな発光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュール１０は、矩形状の絶縁基板１１ａ上に搭載された複数個のＬＥＤチップ１１ｅと、ＬＥＤチップ１１ｅを封止する透明な封止体１１ｄと、絶縁基板１１ａ上の対角部分に配置形成され、ＬＥＤチップ１１ｅに接続された外部電極１１ｆ，１１ｇと、絶縁基板１１ａを保持する保持基板１４と、絶縁基板１１ａの角を共有する二辺にそれぞれ交差し、両端部が保持基板１４に接続固定された保持接触端子１２と、保持接触端子１２から下向きに突出し、外部電極１１ｆ，１１ｇに接触して電気的に接続される凸部１２ａとを備え、保持接触端子１２における絶縁基板１１ａ上から最も高い部分が、封止体１１ｄにおける絶縁基板１１ａ上から最も高い部分よりも低く形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を実現する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、基板、導電性反射膜、活性領域、第１電極、透明導電膜、及び第２電極が設けられる。導電性反射膜は基板上に設けられる。活性領域は、第１導電型透明電極、第１導電型コンタクト層、発光層、第２導電型コンタクト層、及び第２導電型透明電極が導電性反射膜上に積層形成される。第１電極は活性領域と離間し、導電性反射膜上に設けられる。透明導電膜は、一端が第２導電型透明電極上部を覆うように設けられ、他端が絶縁膜を介して記導電性反射膜上に設けられ、活性領域の側面とは絶縁膜を介して接する。第２電極は、透明導電膜の他端上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 光の出射効率を高めながらも、耐食性に優れた半導体発光素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 電力を供給することで発光する発光層１２を有した半導体積層構造１１〜１４を形成し、さらにその上に、発光層１２が出射する光の少なくとも一部を反射する反射膜２ｂを有した電極２１，２２を形成する。そして、電極２１，２２の露出面を酸化することで、少なくとも反射膜２ｂの表面に酸化被膜２ｂｘを形成する。これにより、反射膜２ｂの耐食性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反射率の低下を防ぎ、密着性を向上させることが可能な光半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の光半導体装置は、樹脂パッケージに発光素子を搭載する光半導体装置において、樹脂パケージはリードフレームに成形された樹脂成形体を備え、樹脂成形体は酸化亜鉛を含有している。また、樹脂成形体は熱硬化樹脂であり、かつトランスファーモールド成形されている。また、樹脂パケージは外部端子を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性を有する放熱板を備えたＬＥＤユニットにおいて、波長変換部材の温度上昇を抑制し、かつ出射光の配光を広角に制御する。
【解決手段】ＬＥＤユニット１は、光源２と、光源２が実装される実装基板３と、ドーム状に構成され、光源２からの出射光の波長を異なる波長に変換する波長変換部材４と、波長変換部材４の熱を実装基板３へ放熱する放熱板５と、を備える。放熱板５は波長変換部材４の下部外周面と接しており、波長変換部材４の熱を、その下部外周面から放熱板５を通って、実装基板３へ移動させることができるので、波長変換部材４の温度上昇を抑制することができる。また、ドーム状に構成された波長変換部材４から光が出射されるので、出射光の配光を広角に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】配光角および光束の少なくとも一方が増加され、かつ生産性に優れる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、発光素子３と、前記発光素子３を覆う蛍光体層４と、前記蛍光体層４上に配置された光トランスファー層６とを有する。前記蛍光体層４の屈折率をｎ_１、前記光トランスファー層６の屈折率をｎ_２としたとき、ｎ_２／ｎ_１≦１．０７、かつ前記蛍光体層４の中心軸を通る少なくとも１つの平面において、前記蛍光体層４の中心軸から側面部までの長さをｄ、前記発光素子３の厚みを除いた蛍光体層４と前記光トランスファー層６との合計した厚みをｔとしたとき、ｔ／ｄ＞０．４である。 （もっと読む）

【課題】発光素子構造及びその製造方法である。
【解決手段】この発光素子構造は、基板と、発光構造と、を備える。この基板は、対向する上表面と下表面、及び対向する２つの傾斜側面を有し、傾斜側面のそれぞれの両側が、それぞれ上表面と下表面に接合される。発光構造は、上表面に設けられる。 （もっと読む）