【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２上に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム２上に配置された成形体４とを備える。成形体４が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られている。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含む。該酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満である。上記酸化防止剤を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。 （もっと読む）

【課題】 小型形状で且つ上方向への放射効率が良く、さらにイエローリング発生の問題を生じないＬＥＤ発光装置及びその製造方法が求められていた。
【解決手段】 下面に突起電極を有する半導体発光素子の発光面に接着された蛍光体板と、前記半導体発光素子の側面を被覆する白色樹脂とを有する半導体発光装置であって、前記蛍光体板は片面側に蛍光粒子が凝縮して構成され、前記蛍光体板の蛍光粒子が凝縮している面側を,前記半導体発光素子の発光面側に透明接着剤を介して接着する。 （もっと読む）

【課題】 成形性が優れ、熱や光による機械的強度の低下や変色が少なく、光反射率が高く、さらには、寸法安定性に優れた硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）平均単位式で表されるオルガノポリシロキサン、（Ｂ）ケイ素原子結合全有機基の３０〜６０モル％が炭素原子数２〜６のアルケニル基であり、ケイ素原子数が１０以下のオルガノポリシロキサン、（Ｃ）一般式で表されるオルガノポリシロキサン、（Ｄ）一分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合全有機基の２０〜７０モル％がフェニル基であるオルガノポリシロキサン、（Ｅ）ヒドロシリル化反応用触媒、（Ｆ）白色顔料、（Ｇ）非球状シリカまたはガラスファイバー、および（Ｈ）球状シリカから少なくともなる硬化性シリコーン組成物。 （もっと読む）

【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成されたｎ側電極を有し、素子内を流れる電流の経路を制御することにより発光効率を改善したＧａＮ系発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードは、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板と、該基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層と、該基板の裏面に形成されたｎ側電極と、該エピ層の上面に形成された透光性のｐ側オーミック電極と、該ｐ側オーミック電極上の一部に形成されたｐ側電極パッドとを有する。前記基板の裏面のうち前記ｎ側電極に覆われた領域には、ポリッシング仕上げされた領域である低接触抵抗領域と、ドライエッチング仕上げされた領域である高接触抵抗領域とが含まれ、前記基板の裏面への前記ｐ側電極パッドの正射影の全部または一部が前記高接触抵抗領域に含まれる。 （もっと読む）

【課題】ガラス封止部の表面に凹みが生じるのを防止可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、搭載基板１１と、搭載基板１１にフリップチップボンディングされたＬＥＤチップ２０と、搭載基板１１上に形成されてＬＥＤチップ２０を封止する板状のガラス材料から成るガラス封止部３０とを備える。ガラス封止部３０は、ガラス材料の粉末体の間に微細な空隙が略均一に分散配置されて粉末体同士が連結した状態になっており、ガラス封止部３０の表面には微細な凹凸３０ａが略均一に分散配置されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、発光層と、電子ブロック層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む。前記電子ブロック層は、前記発光層と前記ｐ形半導体層との間に設けられ、前記発光層から前記ｐ形半導体層の方向に増加するアルミニウム組成比を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属製のリフレクターとリードフレームを用いる場合においても、リフレクターとリードフレームのリード部（電極部）との間の絶縁性を確保しつつ、反射率が高く、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 金属リードフレームのリード部（電極部）を段差構造とし、この段差に絶縁性樹脂を充填することで金属リフレクターとの絶縁性を確保し、一方、金属リードフレームのダイパッド部（素子載置部）と金属リフレクターとを、伝熱性を有する接着層を介して接合することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】搭載基板とＬＥＤチップとの間に形成された中空部内の封止雰囲気に含まれる不純物により構成部材が侵されて劣化するのを防止可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、搭載基板１１と、搭載基板１１にフリップチップボンディングされたＬＥＤチップ２０と、搭載基板１１上に形成され、ＬＥＤチップ２０を封止するガラス材料から成るガラス封止部３０と、搭載基板１１とＬＥＤチップ２０との間にガラス封止部３０のガラス材料が進入していない空隙である中空部３１と、中空部３１と連通するように搭載基板１１の板厚方向に貫通形成された注入孔３２と、中空部３１の内部に充填されたガラス層から成るガラス充填部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属等よりなる放熱基板の反射作用及び放熱作用が十分でないので、高輝度化できず、また、蛍光体層の蛍光体も高熱で温度消光によって蛍光強度が低下すると共に、蛍光体の劣化及び信頼性の低下を招いていた。
【解決手段】放熱基板２’は、金属含浸グラファイト基材２１、金属含浸グラファイト基材２１の表面に形成された金属反射層２２を備え、金属含浸グラファイト基材２１の裏面をナノメートルオーダからサブミクロメートルオーダの幅の凸部及び凹部を有する凹凸構造２１ａとした。金属反射層２２により高反射作用を維持すると共に、この凹凸構造２１ａにより放熱作用を著しく向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】出射する光の偏光方向を制御することで照射面での反射を制御し、照射面の眩しさを軽減する。
【解決手段】発光素子1bと、この発光素子1bを覆うとともに、発光素子1bから照射された光の波長を変換する蛍光体層1dを備える。蛍光体層1dの前面には、相互に平行に配列されて、偏光方向がこの配列方向と平行な光が入射したときは反射し、偏光方向が前記配列の幅方向と平行な光が入射したときは透過する金属製のナノワイヤ2aを有する偏光制御部2を有する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子、ウェーハ、半導体発光素子の製造方法及びウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形の第１層と、ｐ形の第２層と、第１層と第２層との間に設けられた発光部と、第１層と発光部との間に設けられた第１積層構造体と、第１層と第１積層構造体との間に設けられた第２積層構造体と、を含む半導体発光素子が提供される。発光部は、複数の障壁層と、複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。第１積層構造体は、窒化物半導体を含む複数の第３層と、複数の第３層と交互に積層され井戸層の厚さよりも薄いＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を含む。第２積層構造体は、第３層の組成とは異なる組成を有する窒化物半導体を含む複数の第５層と、複数の第５層と交互に積層され井戸層の厚さよりも薄いＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光装置において、製造が容易な構成で、基板と波長変換部材との間からの光漏れを抑制する。
【解決手段】発光ユニット１０において、軟性材料で形成された介在部材１４が、光源基板１２と波長変換部材１３との間に設置される。そして、介在部材１４の一端１４ａが波長変換部材１３に当接し、かつ、介在部材１４の他端１４ｂが光源基板１２に当接するように、筐体１５の固定部１５ａが波長変換部材１３を光源基板１２に近づく方向に押圧して、光源基板１２に対する波長変換部材１３の位置を固定する。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、発光効率などの光電変換効率に優れたｐｎ接合素子を提供すること。
【解決手段】ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの他方の無機成分が、柱状、ジャイロイド状および層状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有しているナノヘテロ構造体と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、を備えており、
前記ナノヘテロ構造体中の前記ｐ型半導体材料と前記ｎ型半導体材料とによって形成されているｐｎ接合面の端部が前記ｐ型半導体層および前記ｎ型半導体層のうちの少なくとも一方の半導体層の表面と接触するように、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層とが前記ナノヘテロ構造体を挟持していることを特徴とするナノヘテロ構造ｐｎ接合素子。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含むｎ形の第１層と、窒化物半導体を含むｐ形の第２層と、発光部と、第１積層体と、を含む半導体素子が提供される。発光部は。第１層と第２層との間に設けられる。発光部は、複数の障壁層と、複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。第１積層体は、第１層と発光部との間に設けられる。第１積層体は、ＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、複数の第３層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を含む。第１積層体は、第１積層体の発光部側の面に設けられた凹部を有する。凹部の少なくとも一部に発光部の一部及び第２層の一部が埋め込まれている。第２層の一部は、埋め込まれた発光部の一部の上にある。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、積層体と、第１電極と、第２電極と、反射層と、を含む半導体発光素子が提供される。前記基板は、主面を有する。前記積層体は、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を含む。前記第１半導体層は、前記主面上に設けられ、第１部分と、前記第１部分と並置された第２部分と、を有し、第１導電形である。前記発光部は、前記第２部分上に設けられる。前記第２半導体層は、前記発光部上に設けられ第２導電形である。前記第１電極は、前記第１半導体層の前記第１部分上に設けられる。前記第２電極は、前記第２半導体層上に設けられる。前記反射層は、前記基板の側面と前記積層体の側面とを覆い、前記発光部から放出される発光光に対して反射性である。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、導電性ペーストを用いて発光素子をリードフレームに固着する発光装置であって、発光効率および信頼度を向上させることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る発光装置は、凹部が設けられた第１のリードと、前記凹部の底面に固着された発光素子と、前記第１のリードから離間して配置され、金属ワイヤを介して前記発光素子に電気的に接続された第２のリードと、を備える。前記発光素子は、前記金属ワイヤがボンディングされた発光面側とは反対の裏面において、導電性のペーストを介して前記底面に固着される。そして、前記底面の面積は、前記発光面の面積よりも広く、前記ペーストは、前記凹部の内部において、前記発光素子の前記発光面と前記裏面とに交差する側面の少なくとも一部と、前記凹部の壁面の少なくとも一部と、を覆う厚さに充填される。 （もっと読む）

【課題】発光スペクトルの幅が広く、発光効率の高いIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。
【解決手段】実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０を有し、サファイア基板１０上にｎコンタクト層１１、ホールブロック層１２、発光層１３、ｐクラッド層１４、ｐコンタクト層１５が順に積層されている。ホールブロック層１２は、厚さ１００Åのｎ−ＡｌＧａＮからなる。発光層１３は、ＩｎＧａＮからなる井戸層１３０と、ＧａＮからなる障壁層１３１とを１ペアとして、４ペア繰り返し積層したＭＱＷ構造である。井戸層１３０は、ｎコンタクト層１１に近い側から順に井戸層１３０−１、１３０−２、１３０−３、１３０−４として、井戸層１３０−ｉ（１≦ｉ≦４）のＩｎ組成比をｘｉ（単位は％、以下も同様）とすれば、ｘ１＞ｘ２＞ｘ３＞ｘ４となるよう井戸層１３０−１〜１３０−４は構成されている。 （もっと読む）

【課題】発光特性のばらつきを抑制することができ、且つ、光の取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、基板と、前記基板の一方の主面の側に設けられた第１の電極と、前記第１の電極の上に設けられた第２の電極と、前記第２の電極の上に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２の半導体層と、を備えている。
そして、前記第２の電極は、前記第１の半導体層が設けられる側の面に複数の第１の凹部を有している。 （もっと読む）

【課題】光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低いβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板、そのβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を含むＬＥＤ素子、及びＬＥＤ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる低ドナー濃度層２ａと、低ドナー濃度層２ａ上に積層された、ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる、第１電極３を接続するための高ドナー濃度層２ｂとを含むβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板２を提供する。高ドナー濃度層２ｂは、厚さが１μｍ以下であり、低ドナー濃度層２ａよりも薄く、低ドナー濃度層２ａよりもドナー濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が良好で、パッド電極が剥がれにくく、さらに反射層とそれを挟む層との間の密着性を考慮せずに高い反射性を有する材料からなる反射層を選択できる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に形成された第１透明導電層１５ａと、第１透明導電層１５ａ上に部分的に形成された金属反射層２ａと、金属反射層２ａ上を覆うように形成された第２透明導電層１５ｂと、金属反射層２ａと平面視で重なる位置の第２透明導電層１５ｂ上に形成された正極１７とを備え、第１透明導電層１５ａおよび第２透明導電層１５ｂが、Ｉｎ_２Ｏ_３を８０質量％以上含む半導体発光素子１とする。 （もっと読む）