【課題】放熱性を高めて光取り出し効率を改善することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、誘電体部と、を備える。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第１半導体層の一部に対向する第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層の前記一部と第２半導体層とのあいだに設けられた発光層と、を含む。積層構造体は、第１半導体層側の第１主面と、第２半導体層側の第２主面と、を有する。第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する接触部を有する。第２電極は、第２主面で第２半導体層と接する第１部分と、第１部分と電気的に接続され、第１半導体層から第２半導体層へ向かう積層方向にみたときに、接触部と重なる部分を有する第２部分と、を有する。誘電体部は、接触部と、第２部分と、のあいだに設けられる。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有する発光ダイオード(LED)基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板を含む発光ダイオード(LED)基板を提供する。サファイア基板は、複数の上部三角・下部六角テーパー部からなる表面を有する。上部三角・下部六角テーパー部の各々は、六角テーパー部と、該六角テーパー部上の三角テーパー部とからなる。上部三角・下部六角テーパー部どうしの間隔幅は、10μｍ未満である。このLED基板は、高い発光効率を有する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記下地層は、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。前記第１半導体層は、前記下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。前記発光部は、前記第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層どうしの間に設けられ、前記複数の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、前記複数の障壁層の厚さよりも厚い井戸層と、を含む。前記第２半導体層は、前記発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】 光出力の低下を十分に抑制することができる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 底面及び壁面から構成される凹部２００を有し、凹部２００の底面が光半導体素子の搭載部であり、凹部２００の壁面の少なくとも一部が光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる光半導体素子搭載用基板１１０と、光半導体素子搭載用基板１１０に搭載された光半導体素子１００と、を備える光半導体装置であって、光反射用熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂成分と白色顔料とを含み、白色顔料は、Ｘ線光電子分光法により表面の構成元素を測定した場合に、ケイ素とチタンとの元素存在比（Ｓｉ／Ｔｉ）が１〜１４であり、ケイ素とアルミニウムとの元素存在比（Ｓｉ／Ａｌ）が１．３以上であり、且つ、ケイ素と炭素との元素存在比（Ｓｉ／Ｃ）が０．３以上である酸化チタンを含む、光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ウェハー加工の工程数を大幅に減らすことができ、製造に要する時間とコストを大幅に低減できると共に、半導体ウェハーに新たな機能を付与することもできる導電性半導体ウェハーの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性半導体からなるウェハブランク１を加工して半導体ウェハー２の形状に整形する導電性半導体ウェハーの製造方法において、加工電極１３，１４に、整形する半導体ウェハー２の形状に応じた座繰り部１５，１８を形成し、その加工電極１３，１４をウェハブランク１に近接させて放電加工し、ウェハブランク１を半導体ウェハー２の形状に整形する方法である。 （もっと読む）

【課題】広い電流密度範囲で高い発光効率が得られる半導体発光素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、Ｉｎ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）を含む複数の井戸層と、前記複数の井戸層どうしの間に設けられＧａＮを含む障壁層と、を含む。前記複数の井戸層のうちで前記ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層は、前記複数の井戸層のうちの前記ｐ側井戸層を除く全ての前記井戸層の厚さよりも厚い。前記ｐ側井戸層のＩｎ組成比は、前記ｐ側井戸層を除く全ての前記井戸層のＩｎ組成比よりも低い。前記障壁層の厚さは、前記ｐ側井戸層の厚さの２倍以下である。 （もっと読む）

【課題】耐熱・耐光性に優れ、広い波長範囲において薄肉でも高い反射率を有し、成形性、放熱性、量産性に優れた半導体発光装置用パッケージを提供する。
【解決手段】第１のリードと、第２のリードと、第１のリード及び第２のリードと一体的に成形されてなる樹脂成形体とを有してなる半導体発光装置用樹脂パッケージであって、該樹脂パッケージは底面と側面とを有する凹部が形成されており、その凹部の底面から第１のリード及び第２のリードが露出しているとともに、該樹脂パッケージが半導体発光素子を載置するための基台を有しており、
かつ前記樹脂成形体は、（Ａ）ポリオルガノシロキサン、（Ｂ）一次粒子のアスペクト比が１．２以上４．０以下、一次粒子径が０．１μｍ以上２．０μｍ以下の白色顔料、および（Ｃ）硬化触媒を含有する組成物から形成されている半導体発光装置用樹脂パッケージ。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＳｉＣ部が好適な条件で処理されている発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー及びアクセプタが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなり半導体発光部から発せられる光により励起されると可視光を発するポーラスＳｉＣ部１２４と、ポーラスＳｉＣ部１２４の表面を覆う保護膜と、を有し、ポーラスＳｉＣ部１２４は、８５０℃以下で保護膜を形成するための熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】大電流密度の電流を活性層に注入した場合における発光効率の低下を抑制する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設けられた活性層とを備え、活性層は、量子井戸層と、ｐ型窒化物半導体層に接する障壁層とを含む多重量子井戸構造を有し、障壁層は、ＡｌＧａＮ層と、ＧａＮ層との２層構造からなり、障壁層のＡｌＧａＮ層が量子井戸層のｐ型窒化物半導体層側に接している窒化物半導体発光ダイオード素子である。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層であって、前記第１半導体層の他の部分よりも層厚が薄い複数の薄層部を有する前記第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。そして、前記発光層とは反対側の前記第１半導体層の表面の上に設けられた透明電極と、前記透明電極の上に選択的に設けられた第１電極と、前記発光層とは反対側の前記第２半導体層の表面に接した第２電極と、前記透明電極と前記第２電極との間の電流経路の一部を遮断する電流ブロック層であって、前記第１半導体層の表面に平行な平面視において、前記薄層部に重ならない前記電流ブロック層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率および軸上光度の両方または少なくとも一方が改善された窒化物系ＬＥＤ等を提供する。
【解決手段】
本発明の一形態の窒化物系ＬＥＤは、窒化物半導体基板のおもて面上に窒化物半導体からなる発光構造を有し、該基板の裏面には粗化領域が設けられており、該粗化領域は複数の突起を有しており、該複数の突起の各々は頂点または頂面を有し、かつ、その水平断面が隣接する他の突起と接する部分を除いて円形であり、かつ、該水平断面の面積が該頂点または頂面に近づくにつれて減少しており、更に、該複数の突起は、いずれのひとつに対しても他の６つが接触するように配置されており、該発光構造で生じる光が該粗化領域を通して外部に出射される、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、横方向エピタキシャル成長方式によって半導体構造内の積層欠陥と転位密度の低下を抑制するのに有効であり、発光層の結晶品質を高め、漏れ電流を減少させ、同時に半導体構造表面に粗化構造を形成して外部量子効率を高めることができるナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のナノスケール横方向エピタキシャル成長の薄膜発光ダイオードは、基板と、基板上に位置する接合金属層と、接合金属層上に位置する第一電極と、第一電極上に位置し横方向エピタキシャル成長により形成される半導体構造と、半導体構造上に位置する第二電極であり、上述の半導体構造は第二電極によって被蓋していない上表面にナノスケール粗化構造を形成する第二電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光領域への電流注入密度、および発光効率が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、支持基板と、第１電極と、第１導電形層と、発光層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。前記第１導電形層は、第１コンタクト層、前記第１コンタクト層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する窓層、第１クラッド層、を有する。前記第２導電形層は、第２クラッド層、電流拡散層、第２コンタクト層、を有する。前記第２電極は、前記第２コンタクト層の上に延在する細線部と、前記第２コンタクト層の非形成領域に設けられ前記細線部と電気的に接続されたパッド部と、を有する。前記第１コンタクト層および前記窓層のバンドギャップエネルギーは、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりもそれぞれ大きい。前記第１コンタクト層は、前記窓層と前記第１電極との間に選択的に設けられ、上方からみて、前記第１コンタクト層と、前記第２コンタクト層と、は、重ならないように設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蛍光体粒子への励起光の入射効率のより一層の向上および蛍光体粒子の発光効率のより一層の向上を、簡易な構成により図ることができる被覆蛍光体粒子を提供する。
【解決手段】本発明に係る被覆蛍光体は、蛍光体粒子と、この蛍光体粒子の外側を覆う被覆層とを備える。前記被覆層が金属酸化物から形成されている母相と、前記母相中よりも屈折率の高い金属酸化物粒子とを備える。前記金属酸化物粒子が前記母相中に分散して存在すると共に、前記被覆層の前記金属酸化物粒子の濃度が、蛍光体粒子から離れるほど低くなっている。 （もっと読む）

【課題】熱劣化による変色が小さく耐熱変色性に優れ、長寿命で、バリ取りが非常に容易で、比較的安価でしかも材料の保存安定性、ハンドリング性、加工性に優れた表面実装型発光装置とその製造に用いられる乾式不飽和ポリエステル樹脂組成物、粒状物、ペレット、および粉砕加工物を提供する。
【解決手段】乾式不飽和ポリエステル樹脂成形体からなる第１の樹脂体４０と、発光素子１０を被覆する第２の樹脂体５０とを備え、第１の樹脂体４０の凹部４０ｃの底面部４０ａには、発光素子１０を載置した第１のリード２０が露出され、かつ第１のリード２０と第２のリード３０とを絶縁する樹脂絶縁部４５が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の無極性面または半極性面を機械的に加工する工程を含みながらも、該加工に起因する発光効率の低下が防止される、無極性または半極性の窒化物系ＬＥＤの製造方法を提供する。
【解決手段】無極性または半極性の窒化物半導体基板を含む窒化物半導体積層体を準備する第１工程と、該窒化物半導体積層体の底面を機械的に削ることによって該窒化物半導体積層体の厚さを減じる第２工程と、該第２工程で生じる着色部が除去されるように該窒化物半導体積層体の底面をドライエッチする第３工程と、を有し、該第３工程では、エッチバック法を用いることによって該窒化物半導体積層体の底面の平坦性を改善する、窒化物系ＬＥＤの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】発光効率を更に向上させることができる発光装置およびプリント配線基板を提供する。
【解決手段】発光装置１は、発光素子２１を樹脂封止部２３により封止したＬＥＤ２がプリント配線基板３に実装されている。プリント配線基板３には、ＬＥＤ２の周囲に複数の区画された半田ランド３１が設けられている。そして、半田ランド３１には、半田が塗布され固化した半田層６が形成されている。半田層６を形成すると、その表面は表面張力により球面状に固化するため、半田によってできる盛り上がり面は曲面となる。したがって、ＬＥＤ２から斜め下方に向かう光は、この盛り上がり面により反射させることができるので、発光効率を更に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に樹脂封止された複数のＬＥＤを備える線状光源の製造方法であって、より効率良くＬＥＤから光を取り出すことが可能な線状光源の製造方法を提供する。
【解決手段】線状光源の製造方法は、基板３１上に複数のＬＥＤ４０を実装した後、ＬＥＤ４０の上から液体樹脂５０Ｍを供給して基板３１を封止する工程を備える。液体樹脂５０Ｍは、液体樹脂５０Ｍに含まれる基材樹脂５０Ｒよりも比重が大きい蛍光体５０Ｆと、液体樹脂５０Ｍの粘度を変化させるシリカ微粒子５０Ｄとを含む。ＬＥＤ４０を封止する工程は、液体樹脂５０Ｍの温度が、ＬＥＤ４０に対して液体樹脂５０Ｍを供給した時の温度よりも高く、且つ液体樹脂５０Ｍが硬化する際の温度よりも低くなるように、液体樹脂５０Ｍの温度を調節する工程を含む。当該温度調節によって、蛍光体５０Ｆは基板３１側に沈降する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、半導体層と、前記半導体層の上面に配置された第１電極と、前記半導体層の下面に配置された第２電極と、を備える半導体発光素子であって、前記半導体層の上面は第１領域と、前記第１領域よりも前記半導体層の厚みが厚い第２領域とを有し、前記第１電極はパッド電極と、前記パッド電極から延伸する補助電極と、を備え、前記第１電極は前記第２領域上にあり、前記第２領域は、前記補助電極に沿ったものと、前記補助電極と異なる方向に延伸するものと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記積層体の前記第１半導体層側の第１主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第１の厚膜部と、前記薄膜部よりも厚く前記第１の厚膜部から前記第１主面に平行に延在するストライプ状の第２の厚膜部と、を有する前記透明電極と、前記第１の厚膜部の上に設けられた第１電極と、前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。 （もっと読む）