【課題】光半導体装置リードフレームとパッケージ樹脂部との間に隙間が生じたとしても、光半導体装置の外部に透光性樹脂が漏れ出すことを防止することを目的とする。
【解決手段】パッケージ樹脂１４と接触するリードフレーム１３に凹部１９を有し、リードフレーム１３の凹部１９とパッケージ樹脂１４で空隙２０が形成されることにより、透光性樹脂１８の充填時にリードフレーム１３とパッケージ樹脂１４との間に隙間が発生した場合でも、透光性樹脂１８はリードフレーム１３の凹部１９の空隙２０に収容され、そのまま硬化してしまうため、毛細管現象の影響を受けやすい構成であっても、光半導体装置１０の外部に透光性樹脂１８が漏れ出さない構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子の、光学系による外観認識率を向上させる。
【解決手段】発光部を含む半導体積層部と、半導体積層部の第１の主表面側を光取り出し面とし、半導体積層部の第２の主表面側に形成され、発光部で発生した光を第１の主表面側へと反射させる金属反射層と、半導体積層部と金属反射層との間の一部分に配置され、半導体積層部にオーミックコンタクト接合するオーミックコンタクト接合部と、光取り出し面に形成され、外部からの照射光の反射を防止する反射防止膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 成長用基板の上に形成する半導体層が薄くても、再現性よく半導体層から成長用基板を分離する方法が望まれる。
【解決手段】 凹部の面積比が、内奥部よりも周辺部において高くなるように表面に凹凸が形成された成長用基板を準備する。この成長用基板の上に、凸部で支持され、かつ凹部には空洞が残るように化合物半導体からなる半導体層を形成する。半導体層の上に、支持基板を接着する。その後、成長用基板を半導体層から分離する。 （もっと読む）

【課題】第２接合層の露出面における絶縁性保護膜との密着性を向上させることにより、半導体発光素子の耐久性および製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】成長基板上に、ｐ側電極層および第１接合層を有する独立した発光構造体を形成する工程と、支持部材の表面全体に、Ｐｔ基合金バリア層ならびにＡｕおよびＳｎを含有する第２接合層を形成する工程と、上記第１接合層と上記第２接合層とを熱接合する接合工程と、上記成長基板を、上記発光構造体からリフトオフにより剥離する剥離工程と、上記支持部材の表面の、上記第１接合層が接合されていない非接合領域における上記第２接合層のＡｕ含有層をエッチングにより除去する第１除去工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気的に隔離された発光ダイオードを提供する。
【解決手段】半導体発光ダイオードは、半導体基板５１と、基板上にあるｎ型ＩＩＩ群窒化物のエピタキシャル層５２と、ｎ型エピタキシャル層上にあり当該ｎ型層と共にｐ−ｎ接合部を形成する、ＩＩＩ群窒化物のｐ型エピタキシャル層５３と、ｎ型エピタキシャル層上にありｐ型エピタキシャル層に隣接し、ｐ−ｎ接合部５８の一部を電気的に隔離する抵抗性窒化ガリウム領域５４とを含む。ｐ型エピタキシャル層上に金属接点層５５を形成する。方法の実施形態では、ｐ型エピタキシャル領域上に打ち込みマスクを形成し、ｐ型エピタキシャル領域の部分にイオンを打ち込んでｐ型エピタキシャル領域の部分を半絶縁性にすることによって、抵抗性窒化ガリウム境界を形成する。フォトレジスト・マスク又は十分に厚い金属層を、打ち込みマスクとして用いることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性が向上し、発光構造物のクラック及びひび割れなどの損傷を防止し、発光効率を向上させる発光素子の製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子の製造方法は、多数のチップ領域及びアイソレーション領域を含む基板の上に多数の化合物半導体層を形成するステップと、前記各チップ領域に発光構造物を形成し、前記アイソレーション領域に緩衝構造物を形成するために前記化合物半導体層をエッチングするステップと、前記発光構造物及び前記緩衝構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、レーザリフトオフ工程を用いて前記基板を除去するステップと、前記発光構造物を分離するステップと、を含み、前記緩衝構造物は前記発光構造物から離隔する。 （もっと読む）

【課題】工程数と製造コストを削減でき、かつ製造時に化合物半導体が物理的な損傷や電気的特性の劣化を招くおそれも少なくする。
【解決手段】サファイア基板２０上に形成された化合物半導体層１に、ストライプ状に分離溝２１を形成した後、化合物半導体層１の全面にメッキ層６を形成するため、このメッキ層６をサファイア基板２０の剥離後の支持基板として用いることができる。従って、別個の支持基板を化合物半導体層１に熱圧着する必要がなくなり、熱圧着の際の熱の影響で、支持基板に反りが生じて、この反りによって支持基板に応力がかかり、支持基板が割れる等の不具合が起きなくなる。また、メッキ層６の形成は、電解メッキ法で行えるため、熱圧着するよりも製造工程数が少なくて済み、製造コスト削減が図れる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤランプ組立て後もＬＥＤの交換を行うことができ、また正常な部品の再利用も可能なＬＥＤランプを提供する。
【解決手段】ＬＥＤランプは、ＬＥＤモジュール２０７と、ホルダ２０５と、ガラス管３と、口金２０９、点灯回路を備える。ＬＥＤモジュール２０７は独立可搬な構成で複数個ある。ホルダ２０５は、長尺状の筒構造をし、少なくとも一端から挿抜自在に内部に挿入された複数のＬＥＤモジュール２０７を保持する。このホルダ２０５は透光性材料により構成され、ＬＥＤモジュール２０７を保持するホルダ２０５を当該ホルダの長尺方向から見たときに、複数のＬＥＤモジュール２０７から出射される光の出射方向が複数ある。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤマスクとして用いられるＳｉＯ２層は熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けると、その構成要素であるＳｉやＯが窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、発光効率の低下と発光効率という問題があった。この、ＳｉＯ2層を用いたマスクパターンの熱的損傷に依る問題点を解決する構造，方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体構造は、第１の基板、第１の窒化物半導体膜及び第２の窒化物半導体膜を備えた窒化物半導体構造であって、前記第１の基板は、前記第１の窒化物半導体膜とは異なる材料からなり、前記第１の窒化物半導体膜は前記第１の基板上に成長され、前記第１の窒化物半導体膜上面は、凹部及び凸部が同一材料で形成されており、前記第２の窒化物半導体膜は、前記第１の窒化物半導体膜上面の前記凹部及び凸部上に成長する構造、及びその構造の製造方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】ＭＱＷ構造の発光層におけるキャップ層でのキャリアロスを低減することで発光効率を向上させること。
【解決手段】発光層１３は、ＩｎＧａＮからなる井戸層１３１、ＡｌＧａＮからなるキャップ層１３２、ＡｌＧａＮからなる障壁層１３３が順に３〜５回繰り返し積層されたＭＱＷ構造である。井戸層１３１、キャップ層１３２は同温度で成長させ、障壁層１３３は井戸層１３１、キャップ層１３２よりも高い温度で成長させた。キャップ層１３２のＡｌ組成比は、０よりも大きく、障壁層１３３のＡｌ組成比以下とし、キャップ層１３２の厚さは１〜８分子層とした。このようにキャップ層１３２を構成すると、発光効率を向上させることができ、発光効率のキャップ層１３２の厚さ依存性が低減されるので、再現性、生産性、歩留まりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 小型かつ軽量で、発光素子が脱落し難い発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 同一面側に正電極及び負電極を有する発光素子と、互いに離間する第１導電部材及び第２導電部材と、発光素子と導電部材とを接続する接着部材と、を備えた発光装置において、接着部材は、絶縁領域と導電領域とを有するものであり、第１導電部材及び第２導電部材の上面及び側面に接続されており、発光素子の正電極及び負電極は、接着部材の導電領域上に接続されている発光装置に関する。 （もっと読む）

【課題】反射層の腐食を防止し、５００〜７００℃程度の温度で焼成可能な発光素子搭載用基板を提供する。また、この発光素子搭載用基板を用いた発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子が搭載される搭載面を有する基板本体と、この基板本体の搭載面の一部に形成される銀を含む反射層と、この反射層上に形成されるガラス質絶縁層とを有し、前記ガラス質絶縁層は、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ_２ １〜６５％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜４５％、ＺｎＯ ０〜４０％、ＰｂＯ＋Ｂｉ_２Ｏ_３ １０〜４０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜６％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０〜５％を含有する低融点ガラスで形成されていることを特徴とする発光素子搭載用基板。 （もっと読む）

【課題】スリット基板を用いた発光装置（ＬＥＤパッケージ）において、製造工数を増加させることなく、品質を維持し、製品歩留まりを向上させる。
【解決手段】ＬＥＤ素子が搭載される基板の裏面側のスリットの両側に、スリットを囲むように突起構造を設ける。製造時は真空チャックにより基板を把持し、圧縮成型により透光性樹脂による封止を行うことにより、スリットと突起とにより形成される空間に透光性樹脂を充填するとともに、突起より外側への透光性樹脂の漏出を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】発光装置の品質および製造歩留まりをより向上させる。
【解決手段】筐体と、前記筐体内に設けられた発光素子と、前記発光素子の上に設けられた、第１の蛍光体を有する第１の蛍光体層と、前記第１の蛍光体層の上に設けられた、第２の蛍光体を有する第２の蛍光体層と、を備え、前記第１の蛍光体の発光効率は、前記第２の蛍光体の発光効率よりも高いことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体結晶膜を均一成長させることが出来る窒化物半導体結晶膜成長装置を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体結晶膜成長装置は、内部の温度及び圧力を制御可能なチャンバと、前記チャンバ内において回転軸で支持され、成長基板を設置するためのサセプターと、前記サセプター上の成長基板に対して、前記成長基板表面と水平方向に原材料ガスを噴射する原材料ガス供給手段と、前記サセプター上の成長基板の上方から、前記成長基板表面に対して三次元方向４５°〜９０°の傾斜角度で、前記原材料ガスの噴射方向と同一面内方向に向けて、前記原材料ガスを押圧する第１の押圧ガスを噴射する第１の押圧ガス供給手段と、前記サセプター上の成長基板の上方から、前記成長基板表面に対して三次元方向４５°〜９０°の傾斜角度で、前記成長基板端部における前記原材料ガスを除去する第２の押圧ガスを噴射する第２の押圧ガス供給手段と、前記チャンバ内から排気ガスを搬出する排気手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光装置の周壁体による光の反射量を向上させることで、発光装置のＬＥＤ搭載表面に対向する方向の発光量を増加させることができるとともに色温度特性を向上でき、小型化及び加工が容易な発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極１２を有する基板１１と、前記基板上に搭載された発光素子１３と、基板の発光素子搭載面上に設けられ、発光素子を収容するキャビティを基板とともに画定する周壁体１４Ａと、を有し、前記周壁体は、光反射性を有する粒子を内部に分散させた樹脂で形成されている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりよく窒化物半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体素子の製造方法は、第１の基板１０の表面に、けがき線を入れることにより第１の溝１５を形成する工程と、第１の基板１０の第１の溝１５が形成された表面上に、第１の溝１５上に形成される第２の溝２５を有する窒化物半導体層２０を形成する工程と、窒化物半導体層２０上に電極を形成する工程と、を含み、第１の溝１５を形成する工程において、第１の溝１５を窒化物半導体素子チップの１個の１辺の長さの１以上の整数倍のピッチで形成し、窒化物半導体層２０を形成する工程において、少なくとも、バッファ層１１と、ｎ型窒化物半導体層１２と、発光層１３と、ｐ型窒化物半導体層１４とをこの順に形成し、電極を形成する工程において、電極のパターンのピッチが第１の溝１５の間に収まるように電極を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電流拡散層の組成が均一な発光素子用ウェーハ、電流拡散層と電極との間のオーミックコンタクトを均一にすることが容易な発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられた第１クラッド層と、前記第１クラッド層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２クラッド層と、前記第２クラッド層の上に設けられ、前記発光層からの放出光を透過可能であり、ＧａＰからなる電流拡散層と、前記電流拡散層の上に設けられ、前記電流拡散層の側はＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ（０＜ｚ≦１）からなる表面保護層と、を備えたことを特徴とする発光素子用ウェーハが提供される。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置製造時における樹脂クラックの発生が抑制され、耐熱変色性および耐光性に優れた光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する光半導体装置用エポキシ樹脂組成物からなる。
（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂。
（Ｂ）酸無水物系硬化剤。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）ポリラクトンポリオール。
（Ｅ）ポリオルガノシロキサン。 （もっと読む）