半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
【課題】工程数と製造コストを削減でき、かつ製造時に化合物半導体が物理的な損傷や電気的特性の劣化を招くおそれも少なくする。
【解決手段】サファイア基板２０上に形成された化合物半導体層１に、ストライプ状に分離溝２１を形成した後、化合物半導体層１の全面にメッキ層６を形成するため、このメッキ層６をサファイア基板２０の剥離後の支持基板として用いることができる。従って、別個の支持基板を化合物半導体層１に熱圧着する必要がなくなり、熱圧着の際の熱の影響で、支持基板に反りが生じて、この反りによって支持基板に応力がかかり、支持基板が割れる等の不具合が起きなくなる。また、メッキ層６の形成は、電解メッキ法で行えるため、熱圧着するよりも製造工程数が少なくて済み、製造コスト削減が図れる。
【解決手段】サファイア基板２０上に形成された化合物半導体層１に、ストライプ状に分離溝２１を形成した後、化合物半導体層１の全面にメッキ層６を形成するため、このメッキ層６をサファイア基板２０の剥離後の支持基板として用いることができる。従って、別個の支持基板を化合物半導体層１に熱圧着する必要がなくなり、熱圧着の際の熱の影響で、支持基板に反りが生じて、この反りによって支持基板に応力がかかり、支持基板が割れる等の不具合が起きなくなる。また、メッキ層６の形成は、電解メッキ法で行えるため、熱圧着するよりも製造工程数が少なくて済み、製造コスト削減が図れる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物系III−Ｖ族化合物半導体をサファイア基板やＳｉＣ基板上に結晶成長させることで、レーザーダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光デバイスを作製することができる。この種の光デバイスが抱える技術上の課題として、放熱性と光取り出し効率の向上が挙げられている。
【０００３】
近年、サファイア基板やＳｉＣ基板よりも放熱性に優れた基板に窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を接合し、この基板をレーザリフトオフ法により剥離することによって、放熱性の問題を解決し、大電流動作も可能とした技術が提案されている。
【０００４】
サファイア基板上の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を、放熱性に優れた基板に接合するには、熱圧着による接合を行うのが一般的である（特許公報１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許公開公報ＵＳ２００７／０２９８５８７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、サファイア基板やＳｉＣ基板自体に反りがある場合もあり、また熱圧着時の熱と圧着力の強度により圧着面近傍にボイドが形成されたり、付着力が低下することがあり、これが原因で、レーザリフトオフ時にＧａＮ薄膜が割れたり剥離する等の不具合や、支持基板が割れる等の不具合が発生する場合がある。
【０００７】
支持基板を作製する技術として、上述した基板接合以外に、メッキ法を利用して金属厚膜を成長させる技術があり、工程数と製造コスト削減を実現できる。ところが、上述した化合物半導体上に、メッキ法により金属厚膜を形成すると、メッキした金属が拡散する等の不具合が発生するおそれもあり、レーザリフトオフ法とメッキ法を組み合わせて実施することは容易ではない。
【０００８】
本発明は、工程数と製造コストを削減でき、かつ製造時に化合物半導体が物理的な損傷や電気的特性の劣化を招くおそれも少ない半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様では、基板上に形成される窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなる発光素子と、
前記発光素子の一主面側に設けられる光取り出し面上に形成される第１電極層と、
前記発光素子の前記光取り出し面とは反対側の面上に形成される第２電極層と、
前記第２電極層の表面全体を覆うように形成されるシード電極層と、
前記シード電極層上に形成されるメッキ層と、を備え、
前記発光素子は、
発光層と、
前記発光層と前記第２電極層との間に配置される第２導電型半導体層と、
前記発光層と前記第１電極層との間に配置される第１導電型半導体層と、を有し、
前記発光素子は、前記第２導電型半導体層、前記発光素子および前記第１導電型半導体層の順に徐々に幅が小さくなる順テーパ状であることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【００１０】
また、本発明の一態様では、基板上に窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなる発光部を形成する工程と、
前記発光部に、所定の間隔で前記基板まで達するストライプ状の分離溝を複数形成する工程と、
前記分離溝で分離された前記発光部上に第２電極層を形成する工程と、
前記第２電極層の表面全体を覆うようにシード電極層を形成する工程と、
前記シード電極の表面全体をメッキしてメッキ層を形成する工程と、
前記分離溝に沿って、前記分離溝とは反対側の前記基板の面にレーザを照射して、レーザリフトオフ法により前記基板を剥離する工程と、
前記発光部をエッチングにより素子分離して順テーパ状の複数の発光素子を形成する工程と、
前記複数の発光素子の少なくとも側壁に絶縁膜を形成する工程と、
前記複数の発光素子の上面の少なくとも一部を粗面化して光取り出し面を形成する工程と、
前記複数の発光素子の上面の一部に第１電極層を形成する工程と、
前記複数の発光素子を個片化する工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、工程数と製造コストを削減でき、かつ製造時に化合物半導体が物理的な損傷や電気的特性の劣化を招くおそれも少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態による半導体発光装置の断面図。
【図２】図１の半導体発光装置の製造工程の一例を示す工程図。
【図３】図２に続く工程図。
【図４】分離溝２１の一例を示す平面図。
【図５】（ａ）は分離溝２１に平行にレーザを走査する例、図５（ｂ）は分離溝２１に垂直にレーザを走査する例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１４】
図１は本発明の一実施形態による半導体発光装置の断面図である。図１の半導体発光装置は、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１と、この化合物半導体層１の一主面側に設けられる光取り出し面２上に形成されるｎ電極層（第１電極層）３と、化合物半導体層１を挟んで光取り出し面２とは反対側の面上に形成されるｐ電極層（第２電極層）４と、ｐ電極層４の表面全体を覆うように形成されるシード電極層５と、シード電極層５上に形成されるメッキ層６と、メッキ層６上に形成される接地電極層７とを備えている。
【００１５】
このように、図１の半導体発光装置は、メッキ層６を支持基板として窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１を支持する。
【００１６】
化合物半導体層１は、光取り出し面２側から下方に向かって、ｎ型半導体層（第１導電型半導体層）１１と、発光層１２と、ｐ型半導体層（第２導電型半導体層）１３とを有する。これら３層は、順テーパ状に加工されており、ｎ型半導体層１１、発光層１２およびｐ型半導体層１３の順に、徐々に幅が広くなっている。
【００１７】
図２および図３は図１の半導体発光装置の製造工程の一例を示す工程図である。まず、サファイア基板２０上に化合物半導体層１を構成する各層を積層する。これらの各層は、例えば有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等により順次蒸着される。化合物半導体層１の材料としては、サファイア基板２０またはＳｉＣ基板上に高品質な結晶成長をすることが可能なＧａＮ系単結晶が望ましい。具体的な材料は、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）である。
【００１８】
このように、化合物半導体層１を結晶成長させる基板は、必ずしもサファイア基板２０でなくてもよく、例えばＳｉＣ基板を用いてもよい。
【００１９】
化合物半導体層１の積層構造は、サファイア基板２０に近い側から、バッファ層、ｎ型コンタクト層、ｎ型半導体層１１、発光層１２およびｐ型半導体層１３を有する。図１と図２では、ｎ型コンタクト層とバッファ層を省略している。
【００２０】
ｎ型コンタクト層は、ｎ型半導体層１１とバッファ層よりもｎ型不純物の添加量が多いＧａＮ系半導体層である。バッファ層は、ＧａＮ系半導体層に、シリコンやゲルマニウム等のｎ型不純物を約１〜２×１０１８ｃｍ−３の不純物濃度を添加した層である。バッファ層の成長温度は、約１０００〜１１００℃である。
【００２１】
ｎ型半導体層１１は、例えばＧａＮ系半導体層に、Ｓｉを不純物として添加した層である。Ｓｉの不純物濃度は約５×１０１８ｃｍ−３である。
【００２２】
発光層１２は、膜厚が数ｎｍのＩｎＧａＮからなる量子井戸層と、この量子井戸層を挟んで両側に配置されて膜厚が数ｎｍのアンドープＩｎＧａＮからなるバリア層とを、積層したＳＱＷ構造、あるいは量子井戸層とバリア層を交互に積層したＭＱＷ構造が用いられる。成長温度は約７００〜８００℃である。
【００２３】
ｐ型半導体層１３は、ＧａＮ系半導体層に、マグネシウムや亜鉛等のｐ型不純物を約４×１０１８ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３の不純物濃度で添加した層である。ｐ型半導体層１３の最上層に形成されるｐ型コンタクト層には、マグネシウム等のｐ型不純物が約１×１０１９ｃｍ−３の不純物濃度で添加される。成長温度は約１０００〜１１００℃である。
【００２４】
上述のように、サファイア基板２０上に化合物半導体層１を形成すると、次に、図２（ａ）に示すように、化合物半導体層１上に選択的にｐ電極層４を形成する。ｐ電極層４は、ｐ型オーミックコンタクト層４ａと高反射電極層４ｂとを積層した構造を有し、これら層を熱処理することで、オーミックコンタクトが得られ、かつ発光層１２で発光した光を光取り出し面２側か、または化合物半導体層１の側壁で反射させることができる。
【００２５】
ｐ型オーミックコンタクト層４ａは、ｐ型半導体層１３との接触抵抗が小さい必要があり、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ等の白金族、またはＡｇが望ましい。Ａｇを用いることは反射率の観点で望ましいが、ｐ型半導体との付着力と接触抵抗の観点ではＡｇはあまり望ましくない。このため、高反射電極層４ｂの材料としてＡｇを用いて、ｐ型オーミックコンタクト層４ａにはＡｇとの付着力と均一性を高める材料が望ましい。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、化合物半導体層１にドライエッチングにより、サファイア基板２０に達する深さの分離溝２１をストライプ状に形成する。図４は分離溝２１の平面図である。図示のように、分離溝２１は、ウエハ形状のサファイア基板２０の一方向に沿って、所定間隔で複数形成される。分離溝２１を設ける理由は、後の工程で行われる電解メッキ法で形成するメッキ層６と化合物半導体層１とが電気的に接続しないようにするためと、レーザリフトオフ法により用いるレーザ光端の跡が化合物半導体層１に残存しないようにするためである。
【００２７】
次に、図２（ｃ）に示すように、ｐ電極層４上にシード電極層５を形成する。図１に示すようにシード電極層５は二層構造であり、ｐ電極層４の表面全体を覆うように形成される層５ａと、この層５ａの上に形成される層５ｂとを有する。層５ａは、後の工程で形成されるメッキ層６中の金属がｐ電極層４まで拡散するのを防止するためのものであり、ＴｉやＮｉ等の単金属、もしくはＴｉＮやＴｉＷ等の合金が望ましい。この層５ａを単層膜ではなく、多層膜としてもよい。
【００２８】
層５ａは高反射電極層４ｂよりも厚く、かつ高反射電極の表面積よりも大きい。このため、メッキ層６からの金属が高反射電極層４ｂに熱拡散するおそれを確実に回避でき、高反射電極層４ｂの反射率低下を抑制できる。
【００２９】
層５ｂは、ＡｕやＣｕ等であり、メッキ層６の金属と混和する材料が望ましい。したがって、メッキ層６の金属がＣｕまたはＣｕ系合金の場合は、層５ｂは例えばＣｕのスパッタ膜にして、膜厚を約３０００オングストローム以上にするのが望ましい。
【００３０】
次に、図３（ａ）に示すように、電解メッキ法により、シード電極層５の表面全体にメッキ層６を形成する。メッキ層６は、膜厚が約５０〜２５０μｍの金属圧膜である。メッキ層６の厚さは、分離溝２１の幅とメッキ材料に応じて決定される。分離溝２１の内部にもメッキ層６は形成されるが、分離溝２１の幅が広いほど、分離溝２１内のメッキ層６の高さは低くなる。分離溝２１内のメッキ層６の高さが低くなるほど、メッキ層６の反対側の面に形成される凹部６ａが深くなる。したがって、分離溝２１の幅は、約５〜４０μｍが望ましい。メッキ層６の膜厚を、分離溝２１の幅の１０倍程度とすれば、どのような材料をメッキ層６の母材としても、支持基板として十分な機械的強度が得られる。
【００３１】
Ｃｕは熱伝導性が高いため、上下方向に電極を設けて通電させる半導体発光装置の台座として望ましい。Ｃｕを母材とするメッキ層６を形成することで、サファイア基板２０よりも放熱性が向上し、発光層１２の動作温度を下げられるため、急峻な電流・光出力特性が得られ、かつ熱飽和も生じにくくなる。この結果、化合物半導体層１の持つ品質を最大限に発揮することができる。
【００３２】
メッキ層６にＣｕやＣｕ系合金を用いた場合、半導体発光装置の製造後でも、メッキ層６中の金属マイグレーションが生じて品質低下が生じることが広く知られており、何らかの対策を講じる必要がある。このため、メッキ層６の表面に接地電極層７を設ける必要がある。この接地電極層７は、バリアメタル層７ａと接地電極７ｂを積層した構造を有する。バリアメタル層７ａの材料としては、上述したようにＴｉやＮｉが望ましく、接地電極７ｂの材料としてはＡｕが望ましい。接地電極７ｂ上にさらに電極層を形成してもよい。この場合の材料は、Ｎｉ／ＡｕやＴｉ／Ｐｔ／Ａｕが望ましい。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、レーザリフトオフ法によりサファイア基板２０を剥離する。ここでは、図４に示したように、レーザの光端が分離溝２１に重なるようにレーザの位置合わせをした状態で、レーザをサファイア基板２０の裏面側から照射する。レーザは、波長が約２４８ｎｍのＫｒＦレーザが望ましく、レーザ照射パワー密度は約０．６〜０．８Ｊ／ｃｍ２程度が望ましい。レーザの走査方向は二通りが考えられる。
【００３４】
図５（ａ）は分離溝２１に平行にレーザを走査する例、図５（ｂ）は分離溝２１に垂直にレーザを走査する例を示す図である。図５では、レーザの口径２２を四角形状で表している。図示のように、本実施形態では、分離溝２１のピッチ（隣接する分離溝２１の間隔）をレーザの口径２２に略一致させている。これにより、レーザの光端は常に分離溝２１と重なることになる。
【００３５】
レーザリフトオフ法でサファイア基板２０を剥離する場合、レーザ光端の跡が化合物半導体層１に残存して損傷してしまうという問題がある。このような跡が残る理由は、レーザ照射によって生じた窒素ガスの圧力が原因と考えられる。したがって、レーザ照射によって生じた窒素ガスを迅速に逃がすことができれば、窒素ガスの圧力を下げることができ、レーザ光端の跡が残らなくなる。
【００３６】
図５（ａ）の場合、分離溝２１に沿ってレーザを走査するため、窒素ガスを分離溝２１の内部を通って逃がすことができる。すなわち、レーザ口径２２の４辺のうち、分離溝２１と重なる２辺は分離溝２１の内部を通って窒素ガスを逃がすことができるため、この２辺がレーザ光端の跡を残すおそれはない。
【００３７】
また、図５（ａ）の矢印の方向にレーザを走査する場合、レーザ口径２２の上の辺は、レーザ照射により瞬時にサファイア基板２０が剥離されるため、この辺からも窒素ガスは逃げる。したがって、この辺がレーザ光端の跡を残すおそれはない。
【００３８】
以上より、レーザ口径２２の下の辺のみがレーザ光端の跡を残すおそれがあるが、大半の窒素ガスは上述した３辺に沿って逃げるため、窒素ガスの圧力が十分に低くなっており、レーザ口径２２の下の辺がレーザ光端の跡を残すおそれも少ない。
【００３９】
図５（ｂ）のように、レーザを分離溝２１に垂直に走査する場合も、レーザの光端が分離溝２１に重なるような位置に移動した後にレーザ照射を行うため、図５（ａ）と同様に、レーザ照射により生じた窒素ガスを分離溝２１等を通して逃がすことができ、レーザ光端の跡が化合物半導体に残るおそれは少ない。
【００４０】
レーザリフトオフ法によりサファイア基板２０を剥離した後、図３（ｃ）に示すように、化合物半導体層１に対してドライエッチングを行って、複数の発光素子を形成する。このとき、レーザリフトオフにより損傷を受けた層も除去される。
【００４１】
ドライエッチングを行って得られた各発光素子の側壁は、順テーパ形状になる。また、化合物半導体層１の表面には、ｎ型コンタクト層が露出される。ｎ型コンタクト層は、ｎ型半導体層１１の中で最もｎ型不純物の添加量が多い層である。
【００４２】
次に、ｎ型コンタクト層の表面全体を絶縁膜で覆った後、フォトレジストを用いたエッチングにより、発光素子に対応する化合物半導体層１の側壁部分のみに絶縁膜２３を形成する。絶縁膜２３の材料は、例えばＳｉＯ２またはＳｉＮである。この絶縁膜２３は、ｐ電極層４やシード電極層５の上にも形成されている。この絶縁膜２３を形成することで、その後の工程（例えば、光取り出し面２の粗面化処理や発光素子の個片化処理）での異物付着による短絡を防止できる。
【００４３】
また、本実施形態の発光素子は、順テーパ形状であり、絶縁膜２３が付着しやすい構造であり、特に工程上の工夫無しに、発光素子の側壁に絶縁膜２３を形成できる。
【００４４】
次に、化合物半導体層１の上面、すなわちｎ型半導体層１１の上面側に設けられる光取り出し面２の粗面化処理を行う。この粗面化処理では、アルカリ水溶液によるウェットエッチングやドライエッチングにより、全面にわたって、もしくは後の工程で形成されるｎ電極層３の形成箇所を除く部分について、光取り出し面２を粗面化する。この粗面化処理は、光取り出し効率を向上させるための措置である。
【００４５】
次に、光取り出し面２上の一部にｎ電極層３を形成する。ｎ電極層３は、ｎ型半導体層１１の光取り出し面２に接するＴｉ層３ａと、このＴｉ層３ａの上に形成されるＡｌ層３ｂと、このＡｌ層３ｂの上に形成されるＡｕ層３ｃとを有する積層構造である。なお、ｎ電極層３は、必ずしも３層構造に限らず、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕの４層構造でもよいし、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔａ／Ｐｔ／Ａｕの５層構造でもよい。
【００４６】
このように、本実施形態では、サファイア基板２０上に形成された化合物半導体層１に、ストライプ状に分離溝２１を形成した後、化合物半導体層１の全面にメッキ層６を形成するため、このメッキ層６をサファイア基板２０の剥離後の支持基板として用いることができる。従って、別個の支持基板を化合物半導体層１に熱圧着する必要がなくなり、熱圧着時の熱の影響、すなわち熱応力で、支持基板に反りが生じ、この反りによってレーザリフトオフ工程で支持基板が割れる等の不具合が起きなくなる。また、メッキ層６の形成は、電解メッキ法で行えるため、熱圧着するよりも製造工程数が少なくて済み、製造コスト削減が図れる。さらに、電解メッキ工程におけるメッキ浴の温度は、熱圧着時の温度よりも低いため、金属拡散による電気特性や光学特性の劣化を抑制することも期待できる。
【００４７】
また、本実施形態では、メッキ層６中の金属（例えばＣｕ）がｐ電極層４内に熱拡散しないように、ｐ電極層４の表面を覆うようにシード電極層５を形成するため、ｐ電極層４にメッキ層６中の金属が熱拡散するおそれはなく、高反射電極層４ｂの反射率低下を抑制できる。
【００４８】
さらに、本実施形態では、サファイア基板２０の一方向に沿って、所定間隔でストライプ状に分離溝２１を形成し、分離溝２１のピッチをレーザ口径２２に略一致させて、レーザの光端が分離溝２１に重なるようにして、レーザを分離溝２１に沿って走査するため、レーザの光端の跡が化合物半導体層１に残存するおそれがない。また、レーザ照射により発生した窒素ガスが分離溝２１を通って逃げるため、窒素ガスの圧力を弱めることができ、よりいっそうレーザ光端の跡をなくすことができる。
【００４９】
さらに、本実施形態では、レーザリフトオフ法によりサファイア基板２０を剥離した後に、化合物半導体層１の表面をドライエッチングして複数の発光素子を形成するため、個々の発光素子の側壁を順テーパ状に加工できる。したがって、その後の工程で発光素子の側壁部分に絶縁膜２３を形成するのが容易になり、簡易な工程で発光素子の側壁を保護できる。
【００５０】
上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれない。したがって、本発明の態様は、上述した個々の実施形態には限定されない。特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１ 窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層
２ 光取り出し面
３ ｎ電極層
４ ｐ電極層
５ シード電極層
６ メッキ層
７ 接地電極層
１１ ｎ型半導体層
１２ 発光層
１３ ｐ型半導体層
２０ サファイア基板
２１ 分離溝
２２ レーザ口径
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物系III−Ｖ族化合物半導体をサファイア基板やＳｉＣ基板上に結晶成長させることで、レーザーダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光デバイスを作製することができる。この種の光デバイスが抱える技術上の課題として、放熱性と光取り出し効率の向上が挙げられている。
【０００３】
近年、サファイア基板やＳｉＣ基板よりも放熱性に優れた基板に窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を接合し、この基板をレーザリフトオフ法により剥離することによって、放熱性の問題を解決し、大電流動作も可能とした技術が提案されている。
【０００４】
サファイア基板上の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を、放熱性に優れた基板に接合するには、熱圧着による接合を行うのが一般的である（特許公報１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許公開公報ＵＳ２００７／０２９８５８７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、サファイア基板やＳｉＣ基板自体に反りがある場合もあり、また熱圧着時の熱と圧着力の強度により圧着面近傍にボイドが形成されたり、付着力が低下することがあり、これが原因で、レーザリフトオフ時にＧａＮ薄膜が割れたり剥離する等の不具合や、支持基板が割れる等の不具合が発生する場合がある。
【０００７】
支持基板を作製する技術として、上述した基板接合以外に、メッキ法を利用して金属厚膜を成長させる技術があり、工程数と製造コスト削減を実現できる。ところが、上述した化合物半導体上に、メッキ法により金属厚膜を形成すると、メッキした金属が拡散する等の不具合が発生するおそれもあり、レーザリフトオフ法とメッキ法を組み合わせて実施することは容易ではない。
【０００８】
本発明は、工程数と製造コストを削減でき、かつ製造時に化合物半導体が物理的な損傷や電気的特性の劣化を招くおそれも少ない半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様では、基板上に形成される窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなる発光素子と、
前記発光素子の一主面側に設けられる光取り出し面上に形成される第１電極層と、
前記発光素子の前記光取り出し面とは反対側の面上に形成される第２電極層と、
前記第２電極層の表面全体を覆うように形成されるシード電極層と、
前記シード電極層上に形成されるメッキ層と、を備え、
前記発光素子は、
発光層と、
前記発光層と前記第２電極層との間に配置される第２導電型半導体層と、
前記発光層と前記第１電極層との間に配置される第１導電型半導体層と、を有し、
前記発光素子は、前記第２導電型半導体層、前記発光素子および前記第１導電型半導体層の順に徐々に幅が小さくなる順テーパ状であることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【００１０】
また、本発明の一態様では、基板上に窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなる発光部を形成する工程と、
前記発光部に、所定の間隔で前記基板まで達するストライプ状の分離溝を複数形成する工程と、
前記分離溝で分離された前記発光部上に第２電極層を形成する工程と、
前記第２電極層の表面全体を覆うようにシード電極層を形成する工程と、
前記シード電極の表面全体をメッキしてメッキ層を形成する工程と、
前記分離溝に沿って、前記分離溝とは反対側の前記基板の面にレーザを照射して、レーザリフトオフ法により前記基板を剥離する工程と、
前記発光部をエッチングにより素子分離して順テーパ状の複数の発光素子を形成する工程と、
前記複数の発光素子の少なくとも側壁に絶縁膜を形成する工程と、
前記複数の発光素子の上面の少なくとも一部を粗面化して光取り出し面を形成する工程と、
前記複数の発光素子の上面の一部に第１電極層を形成する工程と、
前記複数の発光素子を個片化する工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、工程数と製造コストを削減でき、かつ製造時に化合物半導体が物理的な損傷や電気的特性の劣化を招くおそれも少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態による半導体発光装置の断面図。
【図２】図１の半導体発光装置の製造工程の一例を示す工程図。
【図３】図２に続く工程図。
【図４】分離溝２１の一例を示す平面図。
【図５】（ａ）は分離溝２１に平行にレーザを走査する例、図５（ｂ）は分離溝２１に垂直にレーザを走査する例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１４】
図１は本発明の一実施形態による半導体発光装置の断面図である。図１の半導体発光装置は、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１と、この化合物半導体層１の一主面側に設けられる光取り出し面２上に形成されるｎ電極層（第１電極層）３と、化合物半導体層１を挟んで光取り出し面２とは反対側の面上に形成されるｐ電極層（第２電極層）４と、ｐ電極層４の表面全体を覆うように形成されるシード電極層５と、シード電極層５上に形成されるメッキ層６と、メッキ層６上に形成される接地電極層７とを備えている。
【００１５】
このように、図１の半導体発光装置は、メッキ層６を支持基板として窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１を支持する。
【００１６】
化合物半導体層１は、光取り出し面２側から下方に向かって、ｎ型半導体層（第１導電型半導体層）１１と、発光層１２と、ｐ型半導体層（第２導電型半導体層）１３とを有する。これら３層は、順テーパ状に加工されており、ｎ型半導体層１１、発光層１２およびｐ型半導体層１３の順に、徐々に幅が広くなっている。
【００１７】
図２および図３は図１の半導体発光装置の製造工程の一例を示す工程図である。まず、サファイア基板２０上に化合物半導体層１を構成する各層を積層する。これらの各層は、例えば有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等により順次蒸着される。化合物半導体層１の材料としては、サファイア基板２０またはＳｉＣ基板上に高品質な結晶成長をすることが可能なＧａＮ系単結晶が望ましい。具体的な材料は、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）である。
【００１８】
このように、化合物半導体層１を結晶成長させる基板は、必ずしもサファイア基板２０でなくてもよく、例えばＳｉＣ基板を用いてもよい。
【００１９】
化合物半導体層１の積層構造は、サファイア基板２０に近い側から、バッファ層、ｎ型コンタクト層、ｎ型半導体層１１、発光層１２およびｐ型半導体層１３を有する。図１と図２では、ｎ型コンタクト層とバッファ層を省略している。
【００２０】
ｎ型コンタクト層は、ｎ型半導体層１１とバッファ層よりもｎ型不純物の添加量が多いＧａＮ系半導体層である。バッファ層は、ＧａＮ系半導体層に、シリコンやゲルマニウム等のｎ型不純物を約１〜２×１０１８ｃｍ−３の不純物濃度を添加した層である。バッファ層の成長温度は、約１０００〜１１００℃である。
【００２１】
ｎ型半導体層１１は、例えばＧａＮ系半導体層に、Ｓｉを不純物として添加した層である。Ｓｉの不純物濃度は約５×１０１８ｃｍ−３である。
【００２２】
発光層１２は、膜厚が数ｎｍのＩｎＧａＮからなる量子井戸層と、この量子井戸層を挟んで両側に配置されて膜厚が数ｎｍのアンドープＩｎＧａＮからなるバリア層とを、積層したＳＱＷ構造、あるいは量子井戸層とバリア層を交互に積層したＭＱＷ構造が用いられる。成長温度は約７００〜８００℃である。
【００２３】
ｐ型半導体層１３は、ＧａＮ系半導体層に、マグネシウムや亜鉛等のｐ型不純物を約４×１０１８ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３の不純物濃度で添加した層である。ｐ型半導体層１３の最上層に形成されるｐ型コンタクト層には、マグネシウム等のｐ型不純物が約１×１０１９ｃｍ−３の不純物濃度で添加される。成長温度は約１０００〜１１００℃である。
【００２４】
上述のように、サファイア基板２０上に化合物半導体層１を形成すると、次に、図２（ａ）に示すように、化合物半導体層１上に選択的にｐ電極層４を形成する。ｐ電極層４は、ｐ型オーミックコンタクト層４ａと高反射電極層４ｂとを積層した構造を有し、これら層を熱処理することで、オーミックコンタクトが得られ、かつ発光層１２で発光した光を光取り出し面２側か、または化合物半導体層１の側壁で反射させることができる。
【００２５】
ｐ型オーミックコンタクト層４ａは、ｐ型半導体層１３との接触抵抗が小さい必要があり、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ等の白金族、またはＡｇが望ましい。Ａｇを用いることは反射率の観点で望ましいが、ｐ型半導体との付着力と接触抵抗の観点ではＡｇはあまり望ましくない。このため、高反射電極層４ｂの材料としてＡｇを用いて、ｐ型オーミックコンタクト層４ａにはＡｇとの付着力と均一性を高める材料が望ましい。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、化合物半導体層１にドライエッチングにより、サファイア基板２０に達する深さの分離溝２１をストライプ状に形成する。図４は分離溝２１の平面図である。図示のように、分離溝２１は、ウエハ形状のサファイア基板２０の一方向に沿って、所定間隔で複数形成される。分離溝２１を設ける理由は、後の工程で行われる電解メッキ法で形成するメッキ層６と化合物半導体層１とが電気的に接続しないようにするためと、レーザリフトオフ法により用いるレーザ光端の跡が化合物半導体層１に残存しないようにするためである。
【００２７】
次に、図２（ｃ）に示すように、ｐ電極層４上にシード電極層５を形成する。図１に示すようにシード電極層５は二層構造であり、ｐ電極層４の表面全体を覆うように形成される層５ａと、この層５ａの上に形成される層５ｂとを有する。層５ａは、後の工程で形成されるメッキ層６中の金属がｐ電極層４まで拡散するのを防止するためのものであり、ＴｉやＮｉ等の単金属、もしくはＴｉＮやＴｉＷ等の合金が望ましい。この層５ａを単層膜ではなく、多層膜としてもよい。
【００２８】
層５ａは高反射電極層４ｂよりも厚く、かつ高反射電極の表面積よりも大きい。このため、メッキ層６からの金属が高反射電極層４ｂに熱拡散するおそれを確実に回避でき、高反射電極層４ｂの反射率低下を抑制できる。
【００２９】
層５ｂは、ＡｕやＣｕ等であり、メッキ層６の金属と混和する材料が望ましい。したがって、メッキ層６の金属がＣｕまたはＣｕ系合金の場合は、層５ｂは例えばＣｕのスパッタ膜にして、膜厚を約３０００オングストローム以上にするのが望ましい。
【００３０】
次に、図３（ａ）に示すように、電解メッキ法により、シード電極層５の表面全体にメッキ層６を形成する。メッキ層６は、膜厚が約５０〜２５０μｍの金属圧膜である。メッキ層６の厚さは、分離溝２１の幅とメッキ材料に応じて決定される。分離溝２１の内部にもメッキ層６は形成されるが、分離溝２１の幅が広いほど、分離溝２１内のメッキ層６の高さは低くなる。分離溝２１内のメッキ層６の高さが低くなるほど、メッキ層６の反対側の面に形成される凹部６ａが深くなる。したがって、分離溝２１の幅は、約５〜４０μｍが望ましい。メッキ層６の膜厚を、分離溝２１の幅の１０倍程度とすれば、どのような材料をメッキ層６の母材としても、支持基板として十分な機械的強度が得られる。
【００３１】
Ｃｕは熱伝導性が高いため、上下方向に電極を設けて通電させる半導体発光装置の台座として望ましい。Ｃｕを母材とするメッキ層６を形成することで、サファイア基板２０よりも放熱性が向上し、発光層１２の動作温度を下げられるため、急峻な電流・光出力特性が得られ、かつ熱飽和も生じにくくなる。この結果、化合物半導体層１の持つ品質を最大限に発揮することができる。
【００３２】
メッキ層６にＣｕやＣｕ系合金を用いた場合、半導体発光装置の製造後でも、メッキ層６中の金属マイグレーションが生じて品質低下が生じることが広く知られており、何らかの対策を講じる必要がある。このため、メッキ層６の表面に接地電極層７を設ける必要がある。この接地電極層７は、バリアメタル層７ａと接地電極７ｂを積層した構造を有する。バリアメタル層７ａの材料としては、上述したようにＴｉやＮｉが望ましく、接地電極７ｂの材料としてはＡｕが望ましい。接地電極７ｂ上にさらに電極層を形成してもよい。この場合の材料は、Ｎｉ／ＡｕやＴｉ／Ｐｔ／Ａｕが望ましい。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すように、レーザリフトオフ法によりサファイア基板２０を剥離する。ここでは、図４に示したように、レーザの光端が分離溝２１に重なるようにレーザの位置合わせをした状態で、レーザをサファイア基板２０の裏面側から照射する。レーザは、波長が約２４８ｎｍのＫｒＦレーザが望ましく、レーザ照射パワー密度は約０．６〜０．８Ｊ／ｃｍ２程度が望ましい。レーザの走査方向は二通りが考えられる。
【００３４】
図５（ａ）は分離溝２１に平行にレーザを走査する例、図５（ｂ）は分離溝２１に垂直にレーザを走査する例を示す図である。図５では、レーザの口径２２を四角形状で表している。図示のように、本実施形態では、分離溝２１のピッチ（隣接する分離溝２１の間隔）をレーザの口径２２に略一致させている。これにより、レーザの光端は常に分離溝２１と重なることになる。
【００３５】
レーザリフトオフ法でサファイア基板２０を剥離する場合、レーザ光端の跡が化合物半導体層１に残存して損傷してしまうという問題がある。このような跡が残る理由は、レーザ照射によって生じた窒素ガスの圧力が原因と考えられる。したがって、レーザ照射によって生じた窒素ガスを迅速に逃がすことができれば、窒素ガスの圧力を下げることができ、レーザ光端の跡が残らなくなる。
【００３６】
図５（ａ）の場合、分離溝２１に沿ってレーザを走査するため、窒素ガスを分離溝２１の内部を通って逃がすことができる。すなわち、レーザ口径２２の４辺のうち、分離溝２１と重なる２辺は分離溝２１の内部を通って窒素ガスを逃がすことができるため、この２辺がレーザ光端の跡を残すおそれはない。
【００３７】
また、図５（ａ）の矢印の方向にレーザを走査する場合、レーザ口径２２の上の辺は、レーザ照射により瞬時にサファイア基板２０が剥離されるため、この辺からも窒素ガスは逃げる。したがって、この辺がレーザ光端の跡を残すおそれはない。
【００３８】
以上より、レーザ口径２２の下の辺のみがレーザ光端の跡を残すおそれがあるが、大半の窒素ガスは上述した３辺に沿って逃げるため、窒素ガスの圧力が十分に低くなっており、レーザ口径２２の下の辺がレーザ光端の跡を残すおそれも少ない。
【００３９】
図５（ｂ）のように、レーザを分離溝２１に垂直に走査する場合も、レーザの光端が分離溝２１に重なるような位置に移動した後にレーザ照射を行うため、図５（ａ）と同様に、レーザ照射により生じた窒素ガスを分離溝２１等を通して逃がすことができ、レーザ光端の跡が化合物半導体に残るおそれは少ない。
【００４０】
レーザリフトオフ法によりサファイア基板２０を剥離した後、図３（ｃ）に示すように、化合物半導体層１に対してドライエッチングを行って、複数の発光素子を形成する。このとき、レーザリフトオフにより損傷を受けた層も除去される。
【００４１】
ドライエッチングを行って得られた各発光素子の側壁は、順テーパ形状になる。また、化合物半導体層１の表面には、ｎ型コンタクト層が露出される。ｎ型コンタクト層は、ｎ型半導体層１１の中で最もｎ型不純物の添加量が多い層である。
【００４２】
次に、ｎ型コンタクト層の表面全体を絶縁膜で覆った後、フォトレジストを用いたエッチングにより、発光素子に対応する化合物半導体層１の側壁部分のみに絶縁膜２３を形成する。絶縁膜２３の材料は、例えばＳｉＯ２またはＳｉＮである。この絶縁膜２３は、ｐ電極層４やシード電極層５の上にも形成されている。この絶縁膜２３を形成することで、その後の工程（例えば、光取り出し面２の粗面化処理や発光素子の個片化処理）での異物付着による短絡を防止できる。
【００４３】
また、本実施形態の発光素子は、順テーパ形状であり、絶縁膜２３が付着しやすい構造であり、特に工程上の工夫無しに、発光素子の側壁に絶縁膜２３を形成できる。
【００４４】
次に、化合物半導体層１の上面、すなわちｎ型半導体層１１の上面側に設けられる光取り出し面２の粗面化処理を行う。この粗面化処理では、アルカリ水溶液によるウェットエッチングやドライエッチングにより、全面にわたって、もしくは後の工程で形成されるｎ電極層３の形成箇所を除く部分について、光取り出し面２を粗面化する。この粗面化処理は、光取り出し効率を向上させるための措置である。
【００４５】
次に、光取り出し面２上の一部にｎ電極層３を形成する。ｎ電極層３は、ｎ型半導体層１１の光取り出し面２に接するＴｉ層３ａと、このＴｉ層３ａの上に形成されるＡｌ層３ｂと、このＡｌ層３ｂの上に形成されるＡｕ層３ｃとを有する積層構造である。なお、ｎ電極層３は、必ずしも３層構造に限らず、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕの４層構造でもよいし、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔａ／Ｐｔ／Ａｕの５層構造でもよい。
【００４６】
このように、本実施形態では、サファイア基板２０上に形成された化合物半導体層１に、ストライプ状に分離溝２１を形成した後、化合物半導体層１の全面にメッキ層６を形成するため、このメッキ層６をサファイア基板２０の剥離後の支持基板として用いることができる。従って、別個の支持基板を化合物半導体層１に熱圧着する必要がなくなり、熱圧着時の熱の影響、すなわち熱応力で、支持基板に反りが生じ、この反りによってレーザリフトオフ工程で支持基板が割れる等の不具合が起きなくなる。また、メッキ層６の形成は、電解メッキ法で行えるため、熱圧着するよりも製造工程数が少なくて済み、製造コスト削減が図れる。さらに、電解メッキ工程におけるメッキ浴の温度は、熱圧着時の温度よりも低いため、金属拡散による電気特性や光学特性の劣化を抑制することも期待できる。
【００４７】
また、本実施形態では、メッキ層６中の金属（例えばＣｕ）がｐ電極層４内に熱拡散しないように、ｐ電極層４の表面を覆うようにシード電極層５を形成するため、ｐ電極層４にメッキ層６中の金属が熱拡散するおそれはなく、高反射電極層４ｂの反射率低下を抑制できる。
【００４８】
さらに、本実施形態では、サファイア基板２０の一方向に沿って、所定間隔でストライプ状に分離溝２１を形成し、分離溝２１のピッチをレーザ口径２２に略一致させて、レーザの光端が分離溝２１に重なるようにして、レーザを分離溝２１に沿って走査するため、レーザの光端の跡が化合物半導体層１に残存するおそれがない。また、レーザ照射により発生した窒素ガスが分離溝２１を通って逃げるため、窒素ガスの圧力を弱めることができ、よりいっそうレーザ光端の跡をなくすことができる。
【００４９】
さらに、本実施形態では、レーザリフトオフ法によりサファイア基板２０を剥離した後に、化合物半導体層１の表面をドライエッチングして複数の発光素子を形成するため、個々の発光素子の側壁を順テーパ状に加工できる。したがって、その後の工程で発光素子の側壁部分に絶縁膜２３を形成するのが容易になり、簡易な工程で発光素子の側壁を保護できる。
【００５０】
上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれない。したがって、本発明の態様は、上述した個々の実施形態には限定されない。特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１ 窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層
２ 光取り出し面
３ ｎ電極層
４ ｐ電極層
５ シード電極層
６ メッキ層
７ 接地電極層
１１ ｎ型半導体層
１２ 発光層
１３ ｐ型半導体層
２０ サファイア基板
２１ 分離溝
２２ レーザ口径
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を備える発光素子と、
前記発光素子の一主面側に設けられる光取り出し面上に形成される第１電極層と、
前記発光素子の前記光取り出し面とは反対側の面上に形成される第２電極層と、
前記第２電極層の表面全体を覆うように形成されるシード電極層と、
前記シード電極層上に形成されるメッキ層と、を備え、
前記発光素子は、
発光層と、
前記発光層と前記第２電極層との間に配置される第２導電型半導体層と、
前記発光層と前記第１電極層との間に配置される第１導電型半導体層と、を有し、
前記発光素子は、前記第２導電型半導体層、前記発光素子および前記第１導電型半導体層の順に徐々に幅が小さくなる順テーパ状であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記シード電極層は、
前記第２電極層の表面全体を覆うように形成され、前記メッキ層中の金属が前記第２電極層に拡散するのを防止可能な金属材料を含む第１層と、
前記第１層および前記メッキ層に接するように形成され、前記メッキ層中の金属と混和する第２層と、を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第２電極層は、前記第１層と接するように形成され、前記発光層で発光された光を反射する高反射電極層を有し、
前記第１層は、前記高反射電極層より表面積が大きく、かつ前記高反射電極層より厚いことを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
基板上に窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を備える発光部を形成する工程と、
前記発光部に、所定の間隔で前記基板まで達するストライプ状の分離溝を複数形成する工程と、
前記分離溝で分離された前記発光部上に第２電極層を形成する工程と、
前記第２電極層の表面全体を覆うようにシード電極層を形成する工程と、
前記シード電極の表面全体をメッキしてメッキ層を形成する工程と、
前記分離溝に沿って、前記分離溝とは反対側の前記基板の面にレーザを照射して、レーザリフトオフ法により前記基板を剥離する工程と、
前記発光部をエッチングにより素子分離して順テーパ状の複数の発光素子を形成する工程と、
前記複数の発光素子の少なくとも側壁に絶縁膜を形成する工程と、
前記複数の発光素子の上面の少なくとも一部を粗面化して光取り出し面を形成する工程と、
前記複数の発光素子の上面の一部に第１電極層を形成する工程と、
前記複数の発光素子を個片化する工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記レーザリフトオフ法では、レーザの光端が前記分離溝に重なるようにレーザの位置合わせをした後にレーザを照射および走査することを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１】
基板上に形成される窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を備える発光素子と、
前記発光素子の一主面側に設けられる光取り出し面上に形成される第１電極層と、
前記発光素子の前記光取り出し面とは反対側の面上に形成される第２電極層と、
前記第２電極層の表面全体を覆うように形成されるシード電極層と、
前記シード電極層上に形成されるメッキ層と、を備え、
前記発光素子は、
発光層と、
前記発光層と前記第２電極層との間に配置される第２導電型半導体層と、
前記発光層と前記第１電極層との間に配置される第１導電型半導体層と、を有し、
前記発光素子は、前記第２導電型半導体層、前記発光素子および前記第１導電型半導体層の順に徐々に幅が小さくなる順テーパ状であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記シード電極層は、
前記第２電極層の表面全体を覆うように形成され、前記メッキ層中の金属が前記第２電極層に拡散するのを防止可能な金属材料を含む第１層と、
前記第１層および前記メッキ層に接するように形成され、前記メッキ層中の金属と混和する第２層と、を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第２電極層は、前記第１層と接するように形成され、前記発光層で発光された光を反射する高反射電極層を有し、
前記第１層は、前記高反射電極層より表面積が大きく、かつ前記高反射電極層より厚いことを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
基板上に窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を備える発光部を形成する工程と、
前記発光部に、所定の間隔で前記基板まで達するストライプ状の分離溝を複数形成する工程と、
前記分離溝で分離された前記発光部上に第２電極層を形成する工程と、
前記第２電極層の表面全体を覆うようにシード電極層を形成する工程と、
前記シード電極の表面全体をメッキしてメッキ層を形成する工程と、
前記分離溝に沿って、前記分離溝とは反対側の前記基板の面にレーザを照射して、レーザリフトオフ法により前記基板を剥離する工程と、
前記発光部をエッチングにより素子分離して順テーパ状の複数の発光素子を形成する工程と、
前記複数の発光素子の少なくとも側壁に絶縁膜を形成する工程と、
前記複数の発光素子の上面の少なくとも一部を粗面化して光取り出し面を形成する工程と、
前記複数の発光素子の上面の一部に第１電極層を形成する工程と、
前記複数の発光素子を個片化する工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記レーザリフトオフ法では、レーザの光端が前記分離溝に重なるようにレーザの位置合わせをした後にレーザを照射および走査することを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−１８７７３７（Ｐ２０１１−１８７７３７Ａ）
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５２２２０（Ｐ２０１０−５２２２０）
【出願日】平成２２年３月９日（２０１０．３．９）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月９日（２０１０．３．９）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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