【課題】マルチチップ実装する際に、アライメントずれを生じさせることなく、良好な接続信頼性を確保できるようにする。
【解決手段】マルチチップ実装用緩衝フィルムは、８０ｐｐｍ／℃以下の線膨張係数を有する耐熱性樹脂層と、ＪＩＳ−Ｋ６２５３によるショアＡ硬度が１０〜８０である樹脂材料から形成された柔軟性樹脂層とが積層された構造を有する。マルチチップモジュールは、複数のチップ素子を、接着剤を介して基板にアライメントし、仮貼りした後、チップ素子とボンディングヘッドとの間に、マルチチップ実装用緩衝フィルムを、その耐熱性樹脂層がチップ素子側になるように配置し、複数のチップ素子をボンディングヘッドで基板に対し加熱加圧して接続することにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｂ含有層を備えながら、結晶性に優れたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャルウエハ、半導体素子、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、気相成長法によって、基板１の上に、ＧａＡｓＳｂ層３ａとＩｎＧａＡｓ層３ｂとを交互に繰り返し成長する工程を備え、ＧａＡｓＳｂ層の成長の際、該ＧａＡｓＳｂ層のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_１と、供給している原料ガス（気相）のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_２とが、０．７５≦（ｘ_１／ｘ_２）≦１．２０、を満たすように、基板温度を設定し、かつ原料ガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】糸曳きの抑制と滲みの抑制との双方を両立できる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、ヒドロシリル化反応可能なシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化ケイ素粒子とを含む。上記シリコーン樹脂のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度は、１０００ｍＰａ・ｓ以上、６０００ｍＰａ・ｓ以下である。上記ダイボンド材のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃及び１０ｒｐｍでの粘度が８０００ｍＰａ・ｓ以上、３００００ｍＰａ・ｓ以下である。さらに、上記ダイボンド材のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１ｒｐｍでの粘度のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度に対する比は、１．５以上、３．０以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、半導体層の組成の均一性を向上させ製造歩留りを改善できる半導体成長装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体成長装置は、基板の上に半導体層を成長する半導体成長装置であって、前記基板の載置部を第１主面に有するサセプタと、前記サセプタの第２主面側を加熱するヒータと、前記第１主面に沿って流れる前記半導体層の原料ガスを供給する原料供給部と、前記載置部における前記原料ガスの上流側に隣接した前記サセプタの表面を覆う補助サセプタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 光源基板に実装された点状光源が、外部から応力を受けた場合であっても、点状光源が破損または配置位置がずれることを防止し、組み立てのための作業などが発生することがない面状光源装置および表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 光源基板４の点状光源１の実装面４ａであって、点状光源１に電源を供給する配線パターン１２上には、金属で形成された金属部材５が形成されている。金属部材５は、点状光源１の実装面４ａからの高さｈよりも金属部材５の高さＨが高くなるよう実装されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性や発光特性が良く、しかも高い生産性・歩留まりを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、配線層３１と配線層３１上の半導体発光素子１０を有し、半導体発光素子１０は、半導体発光層６と、透明導電層８と、金属反射層９と、透明絶縁膜１１と、透明絶縁膜１１の配線層３１側に離間領域１８，１９を介して設けられ、配線層３１と電気的に接続される第１電極部２１及び第２電極部２２とを有し、第１電極部２１は、第１コンタク卜部１４により透明導電層８を介して第１半導体層５と電気的に接続され、第２電極部１５は、透明絶縁膜１１を貫通し且つ透明導電層８、第１半導体層５、及び活性層４に対して絶縁されつつ貫通して設けられる第２コンタクト部１５により第２半導体層３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】従来の発光ダイオードのパッケージの短所である厚いＭＣＰＣＢ厚さを解決できる発光ダイオードの表面実装型パッケージを提供し、スリム化への要求を満たすことができる発光ダイオードパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属板３１と、金属板に表面実装された発光ダイオードチップ３５と、発光ダイオードチップ３５に対し離間して金属板の上に形成された絶縁層３２と、絶縁層上に設けられたリードフレーム３３と、リードフレームの上に形成された反射コーティング膜３４と、発光ダイオードチップ３５を所定形状にモールディングしたモールディング材質３７を含む。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板へスパッタ法によりバッファ層を形成し、その後ＭＯＣＶＤ法によりIII族窒化物系化合物半導体層を形成するIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法において、III族窒化物系化合物半導体層に異常成長部が発生することを抑制する。
【解決手段】バッファ層の形成されたサファイア基板をスパッタ装置から取り出してバッファ層表面の電荷を中和し、その後そのサファイア基板をＭＯＣＶＤ装置にセットしてIII族窒化物系化合物半導体層を形成する。バッファ層表面の電荷を中和するのにはイオナイザーを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】微小な樹脂量の調整を可能とすることで、封止樹脂部の厚みのばらつきを抑止して、色度のばらつきを抑えることができる発光装置の封止樹脂調整装置および発光装置の封止樹脂調整方法を提供する。
【解決手段】ポッティング装置は、発光素子Ｌが配置された反射体Ｒに充填された液状樹脂を先端部に付着させるニードル部と、ニードル部の先端部を、反射体内の液状樹脂に漬浸した後に上昇させる制御装置とを備えている。ニードル４１の先端部を、反射体Ｒ内の液状樹脂（封止樹脂Ｍ）に漬浸し、ニードル４１の先端に余分な液状樹脂を付着させて除去することで、反射体Ｒ内の液状樹脂の量を微調整することで、封止樹脂Ｍの厚みの均一化を図る。そうすることで色度のばらつきを抑止することができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の実装基板への搭載工程を簡略化し、発光素子と実装基板との接合性を良好にする発光素子の搭載方法を提供すること。
【解決手段】接合層が形成された発光素子を実装基板に搭載する発光素子の搭載する際、実装基板に金属ナノ粒子ペーストを塗布し、発光素子の接合層を金属ナノ粒子ペースト上に配置した後、接合層と前記金属ナノ粒子ペーストを加熱して合金化させて発光素子と実装基板を接合する。このような発光素子の搭載方法により、残渣となるフラックスを用いることなく、発光素子と実装基板とを結合させることができる。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンが表面に形成された成長用基板をレーザリフトオフ法によって除去の際に、金属材料等の異物の付着を防止しつつ、半導体成長層におけるクラックの発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】成長用基板の表面に複数の素子形成領域と、複数の素子形成領域を囲む素子区画領域と、素子形成領域の内側に設けられた凹凸面形成領域と、凹凸面形成領域を囲み平坦形状を有する凹凸面区画領域とを区画し、凹凸面形成領域内に複数の凸部又は凹部を形成する工程と、成長用基板の表面上に半導体成長層を形成する工程と、凹凸面区画領域及び素子区画領域上の半導体成長層をエッチングし、成長用基板に向かって開口が徐々に小さくなるとともに成長用基板の表面に達する素子分割溝を形成する工程と、支持体を複数の素子部に接合する工程と、成長用基板を剥離する工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加や製造歩留まりの低下を招くことなく、コアに所望の特性を持たせることができるダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード５は、ＳｉＣで作製された棒状コア１と、ｎ型のＧａＮで作製された第１のシェル２と、ｐ型のＧａＮで作製された第２のシェル３とを備える。ダイオードの２極の役割は、ｎ型の第１のシェル２とｐ型の第２のシェル３とが担うので、コア１の材質として第１,第２のシェル２,３とは異なるＳｉＣを選択できる。棒状コア１の屈折率(３〜３.５)が第１のシェル２の屈折率(２.５)よりも大きいので、第１,第２のシェル２,３のｐｎ接合面で発生した光が第１のシェル２から棒状コア１内へ入射し易いと共に棒状コア１内へ入射した光は、棒状コア１と第１のシェル２との界面で全反射し易い。よって、発生した光をコア１へ導波してコア１で強く発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあっても、ＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるＬＥＤパッケージ製造システムを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子の発光特性を予め個別に測定して得られた素子特性情報１２、規定の発光特性を具備したＬＥＤパッケージを得るための樹脂の適正塗布量と素子特性情報１２とを対応させた樹脂塗布情報１４を予め準備し、部品実装装置Ｍ１によって実装されたＬＥＤ素子の基板における位置を示す実装位置情報７１ａと素子特性情報１２とを関連付けたマップデータ１８をマップ作成処理部７４によって基板毎に作成し、樹脂が塗布された完成品を対象として発光特性検査装置Ｍ７によって検査され樹脂塗布装置Ｍ４にフィードバックされた検査結果に基づいて樹脂塗布情報１４を更新する。 （もっと読む）

【課題】個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあっても、ＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるＬＥＤパッケージ製造システムを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子の発光特性を予め個別に測定して得られた素子特性情報１２、規定の発光特性を具備したＬＥＤパッケージを得るための樹脂の適正塗布量と素子特性情報１２とを対応させた樹脂塗布情報１４を予め準備し、部品実装装置Ｍ１によって実装されたＬＥＤ素子の基板における位置を示す実装位置情報７１ａと素子特性情報１２とを関連付けたマップデータ１８をマップ作成処理部７４によって基板毎に作成し、樹脂が塗布された完成品を対象として発光特性検査装置Ｍ７によって検査され樹脂塗布装置Ｍ４にフィードバックされた検査結果に基づいて樹脂塗布情報１４を更新する。 （もっと読む）

【課題】発光装置の品質および製造歩留まりをより向上させる。
【解決手段】筐体と、前記筐体内に設けられた発光素子と、前記発光素子の上に設けられた、第１の蛍光体を有する第１の蛍光体層と、前記第１の蛍光体層の上に設けられた、第２の蛍光体を有する第２の蛍光体層と、を備え、前記第１の蛍光体の発光効率は、前記第２の蛍光体の発光効率よりも高く、前記第１の蛍光体層に含まれる前記第１の蛍光体の総重量と、前記第２の蛍光体層に含まれる前記第２の蛍光体の総重量と、のそれぞれは、前記発光素子から放出される光の波長および強度に基づいて調整されたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあっても、ＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるＬＥＤパッケージ製造システムにおける樹脂塗布装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子の発光特性を予め個別に測定して得られた素子特性情報１２、規定の発光特性を具備したＬＥＤパッケージを得るための樹脂の適正塗布量と素子特性情報とを対応させた樹脂塗布情報１４を予め準備し、部品実装装置Ｍ１によって実装されたＬＥＤ素子の基板における位置を示す実装位置情報７１ａと素子特性情報１２とを関連付けたマップデータ１８をマップ作成処理部７４によって基板毎に作成し、樹脂塗布装置Ｍ４において、マップデータ１８と樹脂塗布情報１４に基づき適正塗布量の樹脂を基板に実装された各ＬＥＤ素子に塗布する。 （もっと読む）

【課題】個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあっても、ＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるＬＥＤパッケージ製造システムを提供することを目的とする。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子の発光特性を予め個別に測定して得られた素子特性情報１２、規定の発光特性を具備したＬＥＤパッケージを得るための樹脂の適正塗布量と素子特性情報とを対応させた樹脂塗布情報１４を予め準備し、部品実装装置Ｍ１によって実装されたＬＥＤ素子の基板における位置を示す実装位置情報７１ａと素子特性情報１２とを関連付けたマップデータ１８をマップ作成処理部７４によって基板毎に作成し、樹脂塗布装置Ｍ４において、マップデータ１８と樹脂塗布情報１４に基づき適正塗布量の樹脂を基板に実装された各ＬＥＤ素子に塗布する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に凹凸を形成する際、パターニングの精度の低下を防止する。
【解決手段】半導体発光素子基板として用いるウェーハ１０であって、円弧状の外周部１１と、前記外周部１１の一部に形成された直線状の第１のフラット部１２と、前記第１のフラット部１２の端部と接合する直線状の第２のフラット部１３と、を有することを特徴とするウェーハ１０。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面にレジストパターンを形成する際、パターニングの精度の低下を防止し、光取り出し効率に優れた半導体発光素子を得る。
【解決手段】半導体発光素子基板として用いるウェーハ１０であって、薄円板状の本体における円弧状の外周部１１と、前記外周部１１の一部に形成された直線状のフラット部１２と、を有し、前記外周部１１と前記フラット部１２との接合部Ａにおける接線１３と直線状の当該フラット部１２との成す角度αが１６４度以上であることを特徴とするウェーハ。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層間の接合強度を向上させ、気密性が高く小型化が可能な発光素子搭載用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の絶縁層が積層されてなり、上面の中央部に凹部を有するとともに凹部の底面に発光素子７が搭載される搭載部１ａを有する絶縁基板１と、絶縁基板１の搭載部１ａおよび凹部の内側面の少なくとも一方に被着された金属層２と、金属層２を被覆するガラス層３とを備え、ガラス層３が凹部の内側面に接する部位から絶縁層の層間にかけて延在している発光素子搭載用基板９である。絶縁層間の密着性をガラス層３の延在させた部分３ａによって向上させ、絶縁層間の接合強度を向上させることができる。 （もっと読む）