【課題】転写時の歩留まりを低下させることなく、全体の厚さを薄くすることの可能なパッケージタイプの発光装置、ならびにそのような発光装置を備えた照明装置および表示装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、３つの発光素子１０と、各発光素子１０を覆う絶縁体２０と、配線３３，３４を介して各発光素子１０に電気的に接続された端子電極３１，３２を備える。発光素子１０の上面にある第２電極１５と、発光装置１の端子電極３２とを互いに電気的に接続する配線が、ワイヤボンディングではなく、めっきなどの成膜プロセスによって形成された配線３４となっている。 （もっと読む）

【課題】１列に直列接続された各発光ダイオード（LED）素子の各々にそれぞれ１つのアンチヒューズ素子が並列接続されているLEDユニットにおいて、電源を誤って逆方向に接続した場合にも、LEDユニットを保護する一方向性アンチヒューズ素子を提供する。
【解決手段】１はカソード電極端子Ｋに接続されたカソード電極層、２はｐ型不純物層２１及びｎ型不純物層２２よりなる半導体層、３は絶縁層、４はボンディングワイヤ５によってアノード電極端子Ａに接続されたアノード電極層、６は封止樹脂層である。カソード電極端子Ｋとアノード電極端子Ａとの間に順方向電圧が印加された場合のみ、一方向性アンチヒューズ素子はアンチヒューズとして作用する。カソード電極端子Ｋとアノード電極端子Ａとの間に逆方向電圧が印加された場合には、一方向性アンチヒューズ素子はアンチヒューズとして作用しない。 （もっと読む）

【課題】液状樹脂に含有される蛍光体の発光強度のばらつきを抑えることで、色度を均一に保つことができる充填装置および充填装置の検査方法を提供する。
【解決手段】ポッティング装置は、発光素子からの光に励起されて発光する蛍光体を含有した液状樹脂を封止樹脂として、発光素子が底部に配置された容器であるパッケージ部に充填する充填装置である。ポッティング装置は、封止樹脂が貯留されるシリンジ２と、シリンジ２に向けて蛍光体を発光させる光源部１０と、蛍光体が発光した光の強度を測定する測定部１１と、測定部１１により測定された発光強度が所定範囲を外れているときに異常と判断する制御部９とを備えている。光源部１０は、照光する照明装置１０ａと光を出射する照射用ファイバ１０ｂから構成され、測定部１１は、蛍光体からの光を入射させ伝送する測定用ファイバ１１ａと発光強度を測定して制御部９へ通知する光測定器１１ｂから構成されている。 （もっと読む）

【課題】液状樹脂に含有される蛍光体の発光強度のばらつきを抑えることで、色度を均一に保つことができる充填装置を提供する。
【解決手段】ポッティング装置は、発光素子からの光に励起されて発光する蛍光体を含有した液状樹脂を封止樹脂として、発光素子が底部に配置された容器であるパッケージ部に充填する充填装置である。ポッティング装置は、封止樹脂が貯留されるシリンジ２と、試料吐出面Ｓに吐出された封止樹脂に向けて光を照射して蛍光体を発光させる光源部１０と、蛍光体の発光強度を測定する測定部１１と、発光強度が所定範囲を外れているときに異常と判断する制御部９とを備えている。光源部１０は、照光する照明装置１０ａと光を出射する照射用ファイバ１０ｂから構成され、測定部１１は、蛍光体からの光を入射させ伝送する測定用ファイバ１１ａと発光強度を測定して制御部９へ通知する光測定器１１ｂから構成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の発光装置は、表面にめっき層を有し、樹脂成形体を介して設けられる少なくとも一対のリードフレームと、リードフレームと電気的に接続される発光素子と、を有する発光装置であって、めっき層は、下地層と、その下地層の上面の一部が露出するよう積層される表面層とを有し、下地層は、樹脂成形体から離間する位置で露出されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オープン不良のＬＥＤ素子に並列接続されている絶縁破壊したアンチヒューズ素子は自己修復せず、逆方向の大きな静電気またはサージ電圧で絶縁破壊したアンチヒューズ素子は自己修復することにより、輝度むらを抑止し、製造歩留りを向上したＬＥＤユニットを提供する。
【解決手段】アノード電極端子Ａとカソード電極端子Ｃとの間の逆方向電圧Ｖ_ｒが絶縁耐圧以上になると、酸化絶縁層３が絶縁破壊し、その絶縁破壊部分に酸化性金属層１がエレクトロマイグレーションによりしみ出して酸化性金属部１ａが形成され、酸化性金属層１と耐酸化性金属層２とは酸化性金属部１ａによって電気的に短絡する。次に、酸化性金属部１ａを流れる電流により酸化性金属部１ａが発熱すると、酸化絶縁層３の酸素成分によって酸化されて酸化絶縁部３ａとなり、自己修復が行われ、酸化性金属層１と耐酸化性金属層２との電気的短絡状態は酸化絶縁部３ａによって解除される。 （もっと読む）

【課題】切削中に被加工物の動きや剥離を低減し、被加工物を破損させることなく切削面を平坦化する切削方法を提供する。
【解決手段】被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブル３０で保持した被加工物をバイトホイール２５で切削する切削方法であって、被加工物の第１面側を第１粘着シート７４に貼着し、該第１粘着シート上に配設された被加工物の該第１粘着シート側をチャックテーブルで保持し、被加工物の側面に第２粘着シート８６を貼着するとともに、該第２粘着シートを該第１粘着シートに貼着して被加工物を該第１粘着シートと該第２粘着シートとで固定し、該保持面と平行な面で回転する切削刃５６を有するバイトホイールを回転させつつ被加工物の該第１面と反対側の第２面に当接させた状態で該チャックテーブルと該バイトホイールとを相対移動させて被加工物の該第２面側とともに被加工物の該側面に貼着された該第２粘着シートを切削する。 （もっと読む）

【課題】基板から剥離後の材料層におけるクラックの発生を極力防止することができるレーザリフトオフ方法および装置を提供すること。
【解決手段】基板上に材料層が形成されたワーク３に対し、基板を通してパルスレーザ光を照射領域を刻々と変えながら照射する。レーザ光は、前記ワーク３の移動方向と平行方向に伸びる２辺を有する四角形状に形成され、隣接する各照射領域が重畳するように照射される。基板１から順次に剥離される剥離領域において、基板からはじめて剥離される材料層の剥離辺が２辺になり、かつ、ワークの移動方向と交差する方向に伸びる剥離辺Ａと、剥離済みの領域のワークの移動方向と平行方向に伸びる辺Ｂ´のなす角（未分解領域側から見た角θ１）が鈍角となるように、ワークに対して照射する。これにより、材料層２に割れを生じさせることなく材料層２を基板１から剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されない光が半導体層に透過するのを防止する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層２１と第１の透明層２３とを含む中間層２０を有する積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合わせ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の光熱変換層２１で吸収され第１の透明層２３で全反射されるように光照射することによるデバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】工程システムの運用能力と生産性の向上とともに、半導体層の結晶性を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバにおいて、基板１０１上に第１導電型窒化物半導体層１０２及びアンドープの窒化物半導体層１０３を順次に成長させる段階と、前記第１導電型窒化物半導体層及びアンドープの窒化物半導体層が成長した状態の前記基板を第２反応チャンバに移送する段階と、前記第２反応チャンバにおいて、前記アンドープの窒化物半導体層上に追加の第１導電型窒化物半導体層を成長させる段階と、前記追加の第１導電型窒化物半導体層上に活性層１０５を成長させる段階と、前記活性層上に第２導電型窒化物半導体層１０６を成長させる段階とを含む発光ダイオードの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤのレンズ部を容易に成形可能なＬＥＤパッケージ用基板を提供する。
【解決手段】本発明のＬＥＤパッケージ用基板は、複数の発光チップを実装する前のＬＥＤパッケージ用基板であって、複数の発光チップを実装するためのリードフレーム１０と、発光チップの一対の電極間を絶縁するために、リードフレーム１０のリード形成孔２０に充填された樹脂７１とを有する。樹脂７１は熱硬化性樹脂であり、窒化アルミを主成分としたフィラーを含有する。リードフレーム１０には、発光チップの実装面に、樹脂７１で形成されたリフレクタが設けられており、発光チップの実装面とは反対側の面に、樹脂７１で形成された下パッケージが設けられている。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さが５０μｍ〜２００μｍの基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。ここで、基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射し、溶融処理領域を含み且つ切断の起点となる改質領域７を基板１の内部にのみ形成し、基板１の表面３及び裏面２１には溝及びスクライブラインを形成することなく改質領域７から発生させた割れを表面３及び裏面２１に到達させ、切断予定ラインに沿って、基板１と共に切断予定ライン上に存在する半導体層１７ａ，１７ｂを当該割れによって切断する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ装置の封止体との界面において、クラックや剥離を生じにくいシリコーンレンズを提供することを目的とする。
【解決手段】ＬＥＤ素子を封止する透明樹脂封止体を備えたＬＥＤ装置の、透明樹脂封止体に接着されるシリコーンレンズであって、レンズ部と透明樹脂封止体に接着される被接着面とを有し、被接着面に表面改質処理が施されているシリコーンレンズである。 （もっと読む）

【課題】 簡単な方法で発光色の調整、設定が可能で、光散乱の影響を緩和し、明るく、色再現性のよい発光装置を提供する。
【解決手段】 一次光を発光する発光素子と、前記一次光の一部を吸収して二次光を発光する波長変換部を備えた発光装置において、前記波長変換部は、少なくとも、第１の蛍光体を含む樹脂層からなる第１の波長変換部と第２の蛍光体を含む第２の波長変換部を含む複数の樹脂層からなり、前記第１の波長変換部は、前記第２の波長変換部より、前記発光素子に近い側に配置され、前記第２の波長変換部には、蛍光体を含まない光学的に透明な材料を配置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、サファイア基板にバッファ層として形成したＡｌＮ膜に含まれるこれらの不純物により、該ＡｌＮ膜上に形成されるＧａＮ層の結晶性が劣化するのを低減することができ、これにより歩留まりの向上を図る。
【解決手段】サファイア基板１１と、該サファイア基板１１上に格子不整合を緩和するバッファ層として形成されたＡｌＮ膜１２と、該ＡｌＮ膜１２上に形成されたノンドープＧａＮ層１３と、該ノンドープＧａＮ層１３上に形成され、発光領域を含む積層構造を有する半導体発光素子１０において、サファイア基板１１上にＡｌＮ膜１２をその炭素濃度が０．２ａｔ％以下になり、かつ塩素濃度が０．０１ａｔ％以下になるよう形成している。 （もっと読む）

【課題】脱泡性に優れた光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用封止剤は、アリール基及びアルケニル基を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第１のシリコーン樹脂（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く）と、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記第１のシリコーン樹脂は、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも１種を、塩基性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる第１のシリコーン樹脂である。上記第２のシリコーン樹脂は、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも１種を、酸性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる第２のシリコーン樹脂である。 （もっと読む）

【課題】上記問題を解決し、従来に無い発光パターンを有し、エッチング加工性が改善された、ラージチップ型のＧａＮ系発光素子を提供すること。
【解決手段】基板１上に、積層体Ｓを形成し、該積層体Ｓには上面から凹部ｈを複数形成し、各凹部内にｎ型層を露出させる。該積層体Ｓの上面の残された領域にはｐ電極Ｐ２を設け、第ｐ電極を絶縁体層ｍで覆う。各凹部内に露出したｎ型層にはｎ電極Ｐ１を設け、記絶縁体層ｍを越えて凹部内同士を結ぶ導体層Ｐ３によって、ｎ電極同士を互いに接続し、発光部が網目状に広がったラージチップ型の窒化物半導体発光素子とする。積層体Ｓは、窒化物半導体からなり、例えば、ｎ型層２とｐ型層４とが発光層３を挟んでいる積層構造を有し、ｎ型層は基板側に位置している。 （もっと読む）

【課題】硬化性、及び紫外部での透明性に優れる硬化物、並びに耐熱性を保持したまま、ボイドの発生を抑制でき、光学特性に優れる半導体発光デバイス及びその製造方法の提供。
【解決手段】半導体発光デバイスは、基体上の発光素子を封止する封止層と、前記封止層を覆う被覆層とを有する半導体発光デバイスであって、前記封止層及び被覆層が、シラノール基又はアルコキシシリル基を有するポリオルガノシロキサンと、アルキルシリケートとの硬化物からなり、前記封止層及び被覆層の触媒として、それぞれ異なる有機金属化合物を用い、前記封止層の平均厚みが、前記被覆層の平均厚みよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関し、金属保護膜層と金属支持層により水平型発光素子の特性を高めることのできる垂直型ＧａＮ発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、垂直型ＧａＮ−ＬＥＤの側面及び／または下面に１０ミクロン以上の厚い金属保護膜層を形成して外部の衝撃から素子を保護することができ、チップ分離を容易に行うことができる他、サファイア基板の代わりに金属基板を用いて素子動作時に生じる熱放出を容易に行うことができることから、高出力素子に用いて好適であり、しかも、光出力特性が向上した素子を製造することができ、金属支持層を形成してチップの分離時に素子が歪んだり衝撃により損傷されたりするような現象を防ぐことができ、ｐ型電極をｐ−ＧａＮ上に網目状に部分的に形成して活性層において形成した光子がｎ−ＧａＮ層に向かって放射されることを極大化させることができる。 （もっと読む）