【課題】本発明は、ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関し、金属保護膜層と金属支持層により水平型発光素子の特性を高めることのできる垂直型ＧａＮ発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、垂直型ＧａＮ−ＬＥＤの側面及び／または下面に１０ミクロン以上の厚い金属保護膜層を形成して外部の衝撃から素子を保護することができ、チップ分離を容易に行うことができる他、サファイア基板の代わりに金属基板を用いて素子動作時に生じる熱放出を容易に行うことができることから、高出力素子に用いて好適であり、しかも、光出力特性が向上した素子を製造することができ、金属支持層を形成してチップの分離時に素子が歪んだり衝撃により損傷されたりするような現象を防ぐことができ、ｐ型電極をｐ−ＧａＮ上に網目状に部分的に形成して活性層において形成した光子がｎ−ＧａＮ層に向かって放射されることを極大化させることができる。 （もっと読む）

【課題】白色発光素子チップの製造収率を向上させるように、半導体発光素子の発光特性によって蛍光体を塗布する方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ上に形成された多数の発光素子の発光特性を検査する段階、同じ発光特性を有する発光素子をキャリア基板上に配列する段階、配列された多数の発光素子に同じ蛍光体を塗布する段階、及び蛍光体を硬化させ、個別的な発光素子を分離する段階を含む蛍光体塗布方法である。これにより、白色発光素子チップの全体的な光品質の散布を減らすことができ、従って、該白色発光素子チップは、ほぼ同じ白色光を放出する。 （もっと読む）

【課題】パッケージの強度を確保して、取り扱い及び歩留まりの向上を図り、さらなる薄膜化及び小型化を実現し、かつ実装占有空間を最小限に抑えた発光装置を提供する。
【解決手段】複数の発光素子１１ａ、１１ｂ、１１ｃと、発光素子が電気的に接続された複数のリードフレーム１２ａ〜１２ｆと、リードフレームの一部を内部に含み一端を外部に突出させ、かつ発光素子からの光を取り出すための開口１４を備え、長手方向に延設されたパッケージ１３とを含んでなり、パッケージの壁の外表面に凹部１５ａ、１５ｂが形成され、この凹部が開口を構成するパッケージの短手方向に対向する壁において、発光素子に対向する第１の壁、第１の壁に対して段差を有する第２の壁、第１の壁と第２の壁との間で連結された一対の第３の壁を有し、第２の壁及び第３の壁とが第１の壁よりも肉厚に形成されており、パッケージの外部に突出したリードフレームが凹部内に収容されている。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能な高反射率の発光素子搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 互いに焼結温度が異なる絶縁層用ガラスセラミック材料および拘束層用ガラスセラミック材料を準備し、それぞれ平板状に形成するとともに積層して、絶縁層11と拘束層12とが交互に、最上層が拘束層12となるように積層された平板状積層体を作製する工程と、平板状積層体の上面に発光素子の搭載部となる領域17を設けるとともに、絶縁層用ガラスセラミック材料を平板状積層体の上面に、搭載部となる領域17を取り囲む枠状に積層して積層体を作製し焼成する工程とを備える発光素子搭載用基板の製造方法である。枠部３の上部と下部との収縮差を利用して枠部３の内側面を傾斜させることができるため、凹部の内側面を破断面とせずに傾斜させることができ、小型化が可能で高反射率の発光素子搭載用基板９の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子パッケージの樹脂塗布装置、及びこれを用いる発光素子パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】内部に液状樹脂が充填される樹脂貯蔵手段１１と、上記樹脂貯蔵手段１１下部に結合されて樹脂が吐出される樹脂吐出手段１２を含む樹脂塗布部１０と、樹脂塗布のとき上面に発光素子パッケージ５０が配置される領域を有し、上記配置される発光素子パッケージ５０と電気的に接続されるように構成された支持部２０と、上記樹脂塗布部１０と上記支持部２０には両端子が接続され、電圧を印加する電圧印加部４０と、上記樹脂塗布部１０及び上記支持部２０にそれぞれ電気的に接続され、上記樹脂塗布部１０と上記発光素子パッケージ５０の接触を電気信号で感知する感知部３０とを含む発光素子パッケージの樹脂塗布装置１００及びこれを用いる発光素子パッケージ５０の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】β型ＳｉＡｌＯＮを用いた高効率で安定した発光装置、ならびにそのための蛍光体粒子群を提供する。
【解決手段】ピーク波長が４３０〜４８０ｎｍの一次光を発する窒化ガリウム系半導体である発光素子と、上記一次光の一部を吸収して、一次光の波長よりも長い波長を有する二次光を発する波長変換部とを備えた発光装置であって、前記波長変換部は、一般式：Ｅｕ_ａＳｉ_ｂＡｌ_ｃＯ_ｄＮ_ｅ（式中、０．００５≦ａ≦０．４、ｂ＋ｃ＝１２、ｄ＋ｅ＝１６を満足する数である。）で実質的に表される柱状結晶体のβ型ＳｉＡｌＯＮである、２価のユーロピウム付活酸窒化物緑色系発光蛍光体粒子の粒子群であって、長径を短径で割った値が１．０を超えて３．０以下である蛍光体粒子１から６０％以上が構成されており、且つ、メディアン径が６〜２０μｍの範囲内である蛍光体粒子群を含む、発光装置。 （もっと読む）

【課題】良好なエッチングの制御性を提供できる化合物半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板上１０１にＧａを構成原子として含むコンタクト層１０５を形成し、コンタクト層１０５上にＧａを構成原子として含まないエッチングモニタ層１０６を形成し、エッチングモニタ層上にＧａを構成原子として含むカバー層１０７を形成する半導体層形成工程と、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、カバー層１０７及びエッチングモニタ層１０６を連続してエッチングするエッチング工程と、を含み、エッチング工程では、Ｇａの発光プラズマの波長成分の有無を観察することにより、ドライエッチングを停止するタイミングを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板にバリスタペーストを塗布し静電気による破壊に対する防御手段を持たせる際、塗布量や塗布配置に対し高い精度が要求されず製造し易くする。
【解決手段】回路基板４２は、導電性のポスト５７，５８を除く上面全体にバリスタ５６を備え、ポスト５７とバリスタ５６の上面が同じ高さになっている。つまりポスト５７，５８の形成後、バリスタ５６を塗布し研磨すれば良い。この回路基板４２にＬＥＤ素子４３をフリップチップ実装する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次成長させて発光構造物を形成する段階と、上記ｐ型窒化物半導体層の上にスパッタリング工程を用いて透明電極を形成する段階と、上記スパッタリング工程の前又は上記スパッタリング工程中に当該スパッタリング工程が行われる反応室内部を窒素ガス雰囲気にする段階と、を含む半導体発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
従来のテレビ画面の照明装置として側面照明を行うために、長尺の矩形型回路基板に多数のＬＥＤ発光素子を並べて実装していたが、側面全体に渡って照明効果が平均化されたＬＥＤ発光装置を実現するのが困難であった。
【解決手段】
基板上に、複数の樹脂封止された半導体発光素子を直列接続して構成した発光素子ブロックを複数個設け、前記複数の発光素子ブロックを接続して構成する半導体発光装置において、前記基板上に接続配置された各発光素子ブロックを構成する各発光素子の順方向電圧の合計値が所定の範囲に入り、かつ輝度、色度の値が所定値範囲になるよう、各発光素子が選択組合せさられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反射構造を形成するための光散乱材含有樹脂と波長変換部材としての蛍光体含有樹脂とを有する発光装置において、光散乱材含有樹脂の充填量の変動に伴う発光効率の低下や色度ばらつきの発生を回避することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
発光装置は、基板と、基板の上面に設けられて基板の上面と交差する方向に突出した素子搭載凸部と、素子搭載凸部の上面に搭載された発光素子と、素子搭載凸部の上面において発光素子を被覆する蛍光体含有樹脂部と、基板の上面および素子搭載凸部の側面を覆う光散乱材含有樹脂部と、を有する。素子搭載凸部は、上面を含む上部が基板に接続される下部に対して張り出しているオーバハング部を有し、蛍光体含有樹脂部と光散乱材含有樹脂部とは、オーバハング部を介して互いに隔てられている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージ製造システムにおいて、個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあってもＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができる樹脂塗布装置および樹脂塗布方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子を蛍光体を含む樹脂によって覆って成るＬＥＤパッケージの製造に用いられる樹脂塗布において、樹脂８を発光特性測定用として試し塗布した透光部材４３を光源部を備えた透光部材載置部４１に載置し、光源部から発光された励起光を透光部材４３に塗布された樹脂８に照射することによりこの樹脂８が発する光の発光特性を発光特性測定部３９によって測定した測定結果と予め規定された発光特性との偏差を求め、この偏差に基づいて実生産用としてＬＥＤ素子に塗布されるべき樹脂の適正樹脂塗布量を導出する。 （もっと読む）

【課題】基板表面内で半導体層の組成が均一な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、加熱手段の上に配置されたトレイ１の、前記加熱手段とは反対側の表面上にある基板搭載部３に搭載された基板４上に、ＩＩＩ族元素とＶ族元素とからなる化合物半導体の積層構造を有機金属気相成長法により成長する工程を含む。前記化合物半導体の積層構造を構成する少なくとも１つのＩＩＩ族元素と、前記化合物半導体層の積層構造を構成する少なくとも１つのＶ族元素と、を有する化合物半導体膜２が、前記積層構造の成長前に予め前記基板搭載部３の表面上に形成されている。前記基板４が、前記化合物半導体膜２を介して前記基板搭載部３に搭載されて、前記積層構造が前記基板４上に成長される。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージ製造システムにおいて、個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあってもＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができる樹脂塗布装置および樹脂塗布方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子を蛍光体を含む樹脂によって覆って成るＬＥＤパッケージの製造に用いられる樹脂塗布において、樹脂８を発光特性測定用として試し塗布した透光部材４３を光源部を備えた透光部材載置部４１に載置し、光源部から発光された励起光を透光部材４３に塗布された樹脂８に照射することによりこの樹脂８が発する光の発光特性を発光特性測定部３９によって測定した測定結果と予め規定された発光特性との偏差を求め、この偏差に基づいて実生産用としてＬＥＤ素子に塗布されるべき樹脂の適正樹脂塗布量を導出する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子の周囲だけに蛍光体層を備えるＬＥＤ装置の製造方法において、機械加工で蛍光体層の形状を精度良くしながら、ウェハーからの取り個数や蛍光体層のバインダを制限せず加工を容易にする。
【解決手段】複数の回路基板が連結した集合基板２１を準備する工程（ａ）と、集合基板２１にＬＥＤ素子２０をフリップチップ実装する工程（ｂ）と、集合基板２１に蛍光体層１１を形成する工程（ｃ）と、蛍光体層１１を研磨する工程（ｄ）と、ＬＥＤ素子２０の側面から所定の距離まで蛍光体層１１を研削除去する工程と、ＬＥＤ装置１０を個片化する個片化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】歩留まり良く、正確に切断する窒化物系化合物半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板上に窒化物系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に分離する方法であって、前記ＧａＮ基板を厚み１００μｍ以上２１０μｍ以下になるように研磨する工程と、前記ウエハーの窒化物系化合物半導体が積層された側に、前記ウエハーに対してカッターの中心軸の角度が６０°より大きく７５°より小さく、カッター押し込み深さが前記ＧａＮ基板の厚みの５％以下でカッターにより割り溝を形成する工程と、前記ウエハーを、窒化物系化合物半導体が積層された側から、またはＧａＮ基板側から、前記割り溝の位置に沿って、ブレード押し込み深さが前記ＧａＮ基板の厚みの２５％以上６０％以下でブレードにより荷重衝撃を与えて割断する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードのサイズが小さい場合や発光ダイオードの接続個数が多い場合にも製造が容易になり製造コストが抑えられる発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置では、第１の電極１にアノードが接続され、第２の電極２にカソードが接続された発光ダイオード５,７と、第１の電極１にカソードが接続され、第２の電極２にアノードが接続された発光ダイオード３,４,６とが混在して配置され、交流電源１０によって第１の電極１と第２の電極２との間に交流電圧を印加して複数の発光ダイオード３〜７を駆動する。第１,第２の電極１,２間に接続する複数の発光ダイオード３〜７を極性を揃えて配列する必要がないので、製造時に複数の発光ダイオードの極性(向き)を揃える工程が不要となり製造工程を簡略化できる。 （もっと読む）

【課題】歩留まり良く、正確に切断する窒化物系化合物半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板上に窒化物系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に分離する方法であって、前記ＧａＮ基板を厚み１００μｍ以上２１０μｍ以下になるように研磨する工程と、前記ウエハーを、窒化物系化合物半導体が積層された側から、前記ウエハーに対してカッターの中心軸の角度が６０°より大きく７５°より小さく、カッター押し込み深さが前記ＧａＮ基板の厚みの１５％以下でカッターにより切断する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法を提供する。
【解決手段】III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】マルチチップ実装する際に、アライメントずれを生じさせることなく、良好な接続信頼性を確保できるようにする。
【解決手段】マルチチップ実装用緩衝フィルムは、８０ｐｐｍ／℃以下の線膨張係数を有する耐熱性樹脂層と、ＪＩＳ−Ｋ６２５３によるショアＡ硬度が１０〜８０である樹脂材料から形成された柔軟性樹脂層とが積層された構造を有する。マルチチップモジュールは、複数のチップ素子を、接着剤を介して基板にアライメントし、仮貼りした後、チップ素子とボンディングヘッドとの間に、マルチチップ実装用緩衝フィルムを、その耐熱性樹脂層がチップ素子側になるように配置し、複数のチップ素子をボンディングヘッドで基板に対し加熱加圧して接続することにより製造できる。 （もっと読む）