【課題】放熱効率の高い発光ダイオードを低コストで製造する。
【解決手段】半導体層２０等がチップ間で分離された状態で金属板７０のウェットエッチングを行う（金属板切断工程）。このエッチングに際しては、放熱板３０の材料に応じたエッチング液を用いることができる。また、このウェットエッチングの際にフォトレジスト層５０が残存するような設定とされる。これにより、ダイシングシート１００上で放熱板３０も発光ダイオードチップ毎に分離され、図４（ｊ）の形態が得られる。分離後にフォトレジスト層５０を剥離液で除去することにより、最終的に図４（ｋ）のように、分離された個々の発光ダイオード１０が得られる。この製造方法において、最終的なチップの分離は、図４（ｊ）に示されるウェットエッチングにより行われる。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法は、成長用基板と、前記成長用基板の上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された窒化物半導体層と、を有する構造体の、前記窒化物半導体層の側に支持基板を接合した後、第１の処理材を用いて前記成長用基板を除去する工程と、前記成長用基板を除去した後、前記第１の処理材とは異なる第２の処理材を用いて前記バッファ層及び前記窒化物半導体層の厚さを減少させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】その製造工程の歩留まり向上する事ができる電子回路モジュールを提供する。
【解決手段】基板部２と、基板部２の表面に形成された凹部５と、凹部５の内部に配置された発光素子１６と、凹部５の発光素子１６を覆うように充填された蛍光体塗料１７と、
を有する電子回路モジュールにおいて、基板部２の表面上に、基板部２の表面から凹部５に向かって形成された突起部１０を設けたこと、を特徴とする電子回路モジュール１５とした。このように構成することによって、電子回路モジュールの製造工程の歩留まり向上する事ができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の無極性面または半極性面を機械的に加工する工程を含みながらも、該加工に起因する発光効率の低下が防止される、無極性または半極性の窒化物系ＬＥＤの製造方法を提供する。
【解決手段】無極性または半極性の窒化物半導体基板を含む窒化物半導体積層体を準備する第１工程と、該窒化物半導体積層体の底面を機械的に削ることによって該窒化物半導体積層体の厚さを減じる第２工程と、該第２工程で生じる着色部が除去されるように該窒化物半導体積層体の底面をドライエッチする第３工程と、を有し、該第３工程では、エッチバック法を用いることによって該窒化物半導体積層体の底面の平坦性を改善する、窒化物系ＬＥＤの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】特性が高いＧａＮ系半導体デバイスを歩留まりよく製造することができるＧａＮ系半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ系半導体デバイス５の製造方法は、イオン注入分離法を用いて、ＧａＮの熱膨張係数に対する比が０．８以上１．２以下の熱膨張係数を有する支持基板１０と、支持基板１０に貼り合わされたＧａＮ層２１と、を含む複合基板１を準備する工程と、複合基板１のＧａＮ層２１上に少なくとも１層のＧａＮ系半導体層４０を成長させる工程と、複合基板１の支持基板１０を溶解することにより除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上、及び製造歩留まりの向上を図ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、シリコンを含む支持基板の主面上に複数の発光領域を形成する工程と、アルカリ性溶液による異方性エッチングによって、前記発光領域の表面に凹凸部を形成するとともに、前記支持基板の主面における前記複数の発光領域のあいだに、前記アルカリ性溶液による異方性エッチングによってＶ字状の溝を形成する工程と、前記溝の位置において前記支持基板を分割し、前記発光領域ごとに分ける工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップが搭載されるパッドを有するＬＥＤチップ搭載部と、該ＬＥＤチップ搭載部と離間して配置され前記ＬＥＤチップに電気的に接続されるリードを形成する電気的接続エリア部とが、タイバーによって複数連結された多面付けリードフレームと、前記ＬＥＤチップ搭載部および前記電気的接続エリア部の一部を除く前記多面付けリードフレームの部位を覆う樹脂部とを備え、該樹脂部とともに前記タイバーを切断により除去して個片基板を製造するためのＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、個片基板への切断時にリードフレーム基板が反ってしまい切断装置に入らないという問題があった。
【解決手段】この課題を解決するため、前記切断により除去される樹脂部に脆弱部を備えていることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレーム基板とする。 （もっと読む）

【課題】温和な条件で成型、硬化が可能であり、安定した物性が得られる光半導体装置リフレクター用シリコーン樹脂組成物を提供する。
【解決手段】シラノール基を有するポリシロキサン（ａ）、二酸化チタン（ｂ）、アルミナ（ｃ）、溶融球状シリカ（ｄ）、硬化触媒（ｅ）を含有し、
組成物全体に対して、二酸化チタン（ｂ）の含有量が５〜５０重量％であり、アルミナ（ｃ）の含有量が５０〜９０重量％であり、溶融球状シリカ（ｄ）の含有量が０．２〜１０重量％であることを特徴とする光半導体装置リフレクター用シリコーン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子におけるＡｇ電極の凝集による反射率低下を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、成長面がｍ面であるｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５を有する窒化物系半導体積層構造２０を形成する工程（ａ）と、ｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５の成長面１３に接するＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ）と、を含み、前記工程（ｂ）は、厚さが２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下のＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ１）と、Ａｇ電極３０を４００℃以上６００℃以下に加熱する工程（ｂ２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光効率及び歩留りを向上できる発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】セラミックシート１２を積層して形成されるとともに発光素子２が設置される設置面１１ａを有する基体１１と、設置面１１ａ上に形成して発光素子２に接続される端子部１３と、基体１１の設置面１１ａの対向面１１ｂに配される素子素子電極１７と、基体１１を貫通して端子部１３と素子素子電極１７とを導通する素子用ビア１９と、一部のセラミックシート１２を貫通してバリスタ２０の素材が充填されるバリスタ用ビア２１と、バリスタ用ビア２１の端面と素子用ビア１９とを接続するバリスタ電極２２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体に給電するための電極の接合性および電極の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１７０、透明導電層１７０、透明導電層１７０上に形成されるｐ電極３００、ｎ型半導体層１４０上に形成されるｎ電極４００を備える。ｐ電極３００は、Ａｕを含む金属材料で構成され、外部に露出するように設けられるｐ側第２金属層３３２と、Ａｕを含むとともにｐ側第２金属層３３２よりも硬度が高い金属材料で構成され、ｐ側第２金属層３３２よりも透明導電層１７０に近い側に、ｐ側第２金属層３３２に沿って設けられるｐ側第１金属層３３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶を基板とする半導体発光チップの製造において、得られる半導体発光チップにおける半導体発光素子の欠けを抑制する。
【解決手段】表面がサファイア単結晶のＣ面で構成された基板の表面に複数の半導体発光素子が形成された素子群形成基板に対して、基板表面側から、基板表面およびサファイア単結晶のＭ面に沿う第１方向に向かう割溝を基板表面に形成し（Ｓ１０３）、基板裏面側からレーザ光を照射することで、第１方向に向かう第１改質領域および基板表面に沿いかつ第１方向とは異なる第２方向に向かう第２改質領域を基板内部に形成し（Ｓ１０４、Ｓ１０５）、第１改質領域および第２改質領域を用いて素子群形成基板を分割し（Ｓ１０６）、半導体発光チップを得る。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】色度が調整された発光装置を効率的に生産する装置、方法を提供する。
【解決手段】塗布装置２０１は、基板と、基板に実装された発光素子と、発光素子を覆う蛍光体を含む封止樹脂とを備える発光装置の製造において封止樹脂を塗布する装置である。制御装置２５０は、発光素子の色度測定結果に基づき、目標色度を達成する蛍光体配合、蛍光体濃度を決定する。制御装置２５０は、決定した蛍光体配合、蛍光体濃度となるように、蛍光体を含む封止樹脂が入れられた吐出用容器３１１〜３１３及び蛍光体を含まない封止樹脂が入れられた吐出用容器３２０を対象として、使用すべき容器を選択すると共に使用すべき容器に入れられた封止樹脂の混合比を計算する。制御装置２５０は、計算した混合比に従って、選択した容器から所定量の封止樹脂を攪拌機２７０へ送出させ、攪拌された封止樹脂を、吐出装置２８０によって封止樹脂の塗布前の発光装置に塗布させる。 （もっと読む）

【課題】リードフレームのダイパッド間における樹脂未充填領域やボイドの発生などの成形不良を抑制し、樹脂成形性を向上させたＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】複数のＬＥＤチップを実装したリードフレーム１０を切断することにより形成され、少なくとも一つのＬＥＤチップを有するＬＥＤパッケージであって、リードフレーム１０を構成するベース側リード１０ａ及び端子側リード１０ｂの間に設けられたクリアランス部１４と、ＬＥＤチップを取り囲むようにリードフレーム１０の上、及び、クリアランス部１４の内部に成形されてパッケージを構成する樹脂２０とを有し、クリアランス部１４は、パッケージの側面に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】対象物の特性のバラツキを抑え歩留まりを向上させることができる吐出装置、吐出方法及びＬＥＤモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】液体材料を吐出するノズル３３、３５、ノズル３３、３５から液体材料を吐出するように制御する制御ユニット１０、液体材料が吐出されたＬＥＤモジュール５０の光学特性値を測定する光学特性測定部３６、測定した光学特性値と所定の目標値との差分が所定範囲内にあるか否かを判定する特性判定部１１などを備える。制御ユニット１０は、特性判定部１１で差分が所定範囲内にないと判定した場合、ノズル３３及び／又はノズル３５から液体材料を再度吐出する。 （もっと読む）

【課題】発光素子本固定工程で、接着剤又は半田のため汚染物を洗浄する表面工程をもつ半導体モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質基板１’を真空ステージ４上に載置し、真空ポンプによって多孔質基板１’の裏面から吸引しながら、発光素子５を多孔質基板１’の上面に載置する。この結果、発光素子５は多孔質基板１’の通気孔１’ａを介して吸着され仮固定される。発光素子５を多孔質基板１’に仮固定したままで、発光素子５のパッドをボンディングワイヤ８−１，８−２によってリード端子２−１、２−２に接合する。発光素子５を多孔質基板１’に仮固定したままで、シリコーン樹脂等を注入及び硬化して樹脂層９で封止する。このとき、樹脂層９は真空ステージ４中に設けられたヒータによって加熱されて硬化する。また、樹脂封止中も吸引による仮固定は継続するので、発光素子５は樹脂層９によって多孔質基板１’に本固定される。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに成形した樹脂の密着強度を向上させたＬＥＤパッケージ用基板を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージを製造するために用いられるＬＥＤパッケージ用基板であって、ＬＥＤチップ４０の第１の電極に電気的接続するためのダイパッド１２、及び、ＬＥＤチップ４０の第２の電極に電気的接続するためのリード１３を備えたリードフレーム１０と、トランスファ成形によりダイパッド１２とリード１３との間の抜き孔１６に充填され、かつ、リードフレーム１０の表面上に成形された樹脂７１とを有し、リードフレーム１０の表面上の端部には、樹脂７１により充填された凹溝２０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減された電極構造を有すると共に、耐薬品性に優れた金属基板を用いることにより収率が向上し、特性が安定した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、金属基板１は一体とされた複数の金属層１ｂ、１ａ、１ｂと上面１ｂａ及び下面１ｂｂを覆うエッチャントに対して耐性を有する金属保護膜２とからなり、金属基板と化合物半導体層間には接合層４と反射層６とオーミックコンタクト電極７とが設けられ、化合物半導体層１０の金属基板の反対側１０ａにはオーミック電極１１と、パッド部１２ａ及び線状部１２ｂからなる表面電極１２とが設けられ、オーミック電極１１の表面１１ａは線状部により覆われ、オーミックコンタクト電極７及びオーミック電極１１はパッド部１２ａに重ならない位置に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】二次成形時の成形不良を低減させるＬＥＤパッケージ用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームに実装されたＬＥＤチップを樹脂封止して得られるＬＥＤパッケージ用基板の製造方法であって、第一の幅を有する第一のランナを備えた一次成形用の金型を用いて、前記リードフレームのＬＥＤチップ実装領域を取り囲むように該リードフレームの上に第一の樹脂を成形するステップと、前記ＬＥＤチップ実装領域に前記ＬＥＤチップを実装するステップと、前記第一の幅よりも広い第二の幅を有する第二のランナを備えた二次成形用の金型を用いて、前記ＬＥＤチップを封止するように第二の樹脂を成形するステップとを有する。 （もっと読む）