【課題】発光ダイオードの損傷を防止しつつ、発光ダイオードを封止層によって確実に封止することのできる発光ダイオード装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】封止材によって発光ダイオード１を封止することにより、封止層７を用意し、また、蛍光体およびシリコーン樹脂を含有する蛍光体含有樹脂組成物をＢステージ状態とすることにより、蛍光体層８を用意し、その後、蛍光体層８を封止層７の上面に貼り合わせることにより、発光ダイオード装置１１を製造する。

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【課題】生産性、及び、放熱性に優れる半導体発光素子取付用モジュール、該半導体発光素子取付用モジュールを利用した半導体発光素子照明器具、及び、半導体発光素子取付用モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】第１導通部２８及び第２導通部３２、並びに、一端が第１導通部及び第２導通部とそれぞれ接触すると共に他端が半導体発光素子の陽極及び陰極とそれぞれ導通可能な第１接触部３９及び第２接触部４３を備えた複数の半導体発光素子固定部３６を並べて形成し、かつ両端部に位置する第１導通部及び第２導通部とそれぞれ導通する第１給電部２５と第２給電部２６とを有する金属からなる導通板１７と、第１接触部及び第２接触部の上記他端、並びに、第１給電部及び第２給電部を露出させた状態で、導通板の表面を覆う樹脂材からなる表面絶縁部４８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フールプルーフ機能を備える発光ダイオードランプを提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードランプは、互いに反対側に位置する第一端部及び第二端部を有するランプ本体と、前記第一端部に設置されている第一コネクタ及び第二コネクタと、前記第二端部に設置されている第三コネクタ及び第四コネクタと、を備え、前記第一コネクタと前記第四コネクタは、前記ランプ本体の同じ側に設置され且つ極性が相反し、前記第二コネクタと前記第三コネクタは、前記ランプ本体の同じ側に設置され且つ極性が相反し、前記第一コネクタと前記第三コネクタは、極性が同じであり且つそれぞれフールプルーフ構造が設置される。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶を成長させる基板表面の温度分布及び平均波長の狙い値からのズレを抑制する。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、保持体の上面の中心から被形成体の外周部よりも内側で被形成体の下面と接し、保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、ＬＥＤを構成するIII−Ｖ族半導体結晶と線熱膨張率の差が小さく、かつ熱伝導性に優れ、更に製造時に使用される酸及びアルカリ溶液に対する耐薬品性に優れた高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用保持基板を提供することである。
【解決手段】炭化珪素からなる多孔体に、溶湯鍛造法にてアルミニウム合金を含浸し、板厚０．０５〜１．０ｍｍ、表面粗さ０．０１〜０．５μｍに加工した後、蒸着法又はスパッタリング法により基板表面に厚み０．０５〜２μｍのアルミニウム層を形成し、不活性ガス又は真空雰囲気中、温度４６０〜６５０℃で１分間以上加熱処理した後、めっき処理により、厚み０．５〜５μｍのＮｉめっき層、および厚み０．０５〜２μｍの金めっき層を形成、又は蒸着法又はスパッタリング法により０．１〜２μｍの金属層を形成する。
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【課題】 分割端面の平滑性に優れ歩留まりの優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記窒化物半導体の一部を除去して、前記半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い分離部を形成する工程と、前記分離部内にレーザーを照射して、前記基板の内部にブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の取得歩留りを向上させ、かつ、コストを低減可能な貼り合わせウエハを提供する。
【解決手段】外周部にベベリング部２ａ，３ａを有する半導体ウエハ２，３を、接合層４を介して接合した貼り合わせウエハにおいて、半導体ウエハ２，３は、接合面が同じ大きさに形成され、半導体ウエハ２，３の接合面側のベベリング部２ａ，３ａの曲率半径を１５０μｍ以下とし、かつ、接合層４の厚さを９００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満とするか、あるいは、２枚の半導体ウエハ２，３の接合面側のベベリング部２ａ，３ａの曲率半径を１２５μｍ以下とし、かつ、接合層４の厚さを８００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満としたものである。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体層接合基板の製造方法は、第１基板２の上面２Ａに、第１基板２と異なる熱膨張係数を有する第１半導体層３を成長させる準備工程と、第１半導体層３の上面３Ａに、第１基板２よりも第１半導体層３に近い熱膨張係数を有する第２基板４を接合した後、第１基板２を除去して第２基板４および第１半導体層３が接合された接合体６を形成する接合体形成工程と、第１基板２が除去された側の第１半導体層３の露出面７に、第１半導体層３と同じ組成系の第２半導体層５をさらに成長させる成長工程とを有している。そのため、第１半導体層３上に第２半導体層５を成長させる際に、第２基板４と第１半導体層３の界面において、第１半導体層３に発生するクラックを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】発光装置の製造コストの低減を図ることができる発光装置用部品、および、その発光装置用部品が用いられる発光装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】
蛍光を発光できる蛍光層２にレンズ３を接合し、発光装置用部品１を得る。また、外部から電力が供給される回路基板１２の上に、発光ダイオード１３を電気的に接合し、回路基板１２の上において、発光ダイオード１３を囲むように、かつ、上端部が、発光ダイオード１３の上端部よりも上側に配置されるように、ハウジング１４を設け、ハウジング１４の上に、発光装置用部品１を仮固定し、光学特性を検査することにより、良品または不良品を選別し、その選別された良品において、発光装置用部品１を固定することにより、発光装置１１を製造する。 （もっと読む）

【課題】オフ角ばらつきの小さい、窒化物半導体基板を製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板（１）上に窒化物半導体層（２）を形成し、前記サファイア基板（１）から分離した前記窒化物半導体層（２）を用いて自立した窒化物半導体基板（３）を作製する窒化物半導体基板の製造方法において、分離された前記窒化物半導体層（２）の表裏面の欠陥密度差に起因する反りによる前記窒化物半導体層（２）のＣ軸の半径方向内方への傾きを相殺するように、予め前記サファイア基板（１）表面のＣ軸には半径方向外方に傾きを持たせた。 （もっと読む）

【課題】発光装置を簡便に製造することができるとともに、発光装置の製造コストの低減を図ることができる発光装置用部品、および、その発光装置用部品が用いられる発光装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】
蛍光を発光できる蛍光層２に、発光ダイオードを収容するためのハウジング３を接合し、発光装置用部品１を得る。また、外部から電力が供給される回路基板１２の上に、発光ダイオード１３を電気的に接合し、回路基板１２の上において、発光装置用部品１を、発光ダイオード１３を収容するように、かつ、ハウジング３の上端部が、発光ダイオード１３の上端部よりも上側に配置されるように、仮固定し、光学特性を検査することにより、良品または不良品を選別し、その選別された良品において、発光装置用部品１を固定することにより、発光装置１１を製造する。 （もっと読む）

【課題】発光素子や基板等の使用材料の無駄が少ない発光装置の製法を提供する。
【解決手段】複数の発光素子（Ｄ）が直列になった状態で複数列配置され実装されている大形リードフレーム１に対し、各列ごとに切り離しを行い、列ごとにリードフレームＬを作製し、これらのリードフレームＬに通電して発光試験を行い、合格したリードフレームＦ１に対し樹脂封止を施し、発光装置を製造する。これにより、従来の無駄な材料をなくすことができ、省資源を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】金属基板のレーザー切断時に生成するデブリによる悪影響を低減できると共に、切断時に発生する熱に起因したダイシングラインのずれ等の不都合を防止できる発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の金属層からなる金属基板と、該金属基板上に形成された発光層を含む化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、前記化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、前記複数の金属層のうちレーザー照射面側の少なくとも一層の、前記切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、平面視して前記金属層の前記除去された部分に沿って、レーザーを照射して前記金属基板を切断する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射による加工を窒化物材料に施す際に生じる可能性のある種々の問題を解決することによって、高歩留りと高スループットを両立させる。
【解決手段】半導体発光素子は、バンドギャップがＥ_ｇｓ（ｅＶ）である窒化物基板２１上に薄膜結晶層を形成する薄膜結晶層形成工程と、薄膜結晶層に接して電極部を形成する電極部形成工程と、分離位置１０ａでレーザ光を照射することによって変性部を形成する変性部形成工程と、変性部が形成された窒化物基板２１、薄膜結晶層および電極部を含む加工対象物を分離位置１０ａで分離して複数の半導体発光素子とする素子分離工程と、を経て製造される。変性部形成工程では、波長λ_ｉ（ｎｍ）が１２４０／λ_ｉ＜Ｅ_ｇｓであり、かつ、偏光がランダム偏光または円偏光であるレーザ光を、スクライブ痕４０ａが窒化物基板２１の内部にのみ形成されるように照射する。 （もっと読む）

【課題】金属基板のレーザー切断時に発生する熱に起因したダイシングラインのずれ等の不都合を防止できると共に、切断時に生成するデブリによる悪影響を低減できる発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の金属層からなる金属基板と、該金属基板上に形成された発光層を含む化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、前記化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、前記複数の金属層のうちレーザー照射面の反対側の少なくとも一層の、前記切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、平面視して前記金属層の前記除去された部分に沿って、レーザーを照射して前記金属基板を切断する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピーク発光波長が６５５ｎｍ以上で、かつ信頼性を向上させることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に設けられたｐｎ接合型の発光部２と、を備えた発光ダイオード用エピタキシャルウェーハであって、発光部２は、歪発光層と、バリア層とが交互に積層された積層構造とされており、バリア層の組成式を（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０．３≦Ｘ≦０．７、０．５１≦Ｙ≦０．５４）とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減でき、特性ばらつきを小さくして歩留まりを向上できる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】同一絶縁性基板４００上に複数の発光素子を配置する配置工程と、絶縁性基板４００上に配置された複数の発光素子の一部または全部を一括して配線する配線工程と、配置工程と配線工程の後、絶縁性基板４００を複数の分割基板４３０Ａ,４３０Ｂ,４３０Ｃ,４３０Ｄ,４３０Ｅに分割する基板分割工程とを有する。これによって、分割基板４３０Ａ,４３０Ｂ,４３０Ｃ,４３０Ｄ,４３０Ｅ上に複数の発光素子が配置された発光装置を複数形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性の半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の第１主面上に、発光層を含む半導体層を結晶成長させる工程（ステップＳ１１０）と、半導体層の少なくとも上面及び側面を第１絶縁膜で覆う工程（ステップＳ１２０）と、半導体層と導通する第１電極部及び第２電極部を形成する工程（ステップＳ１３０）と、第１絶縁膜を第２絶縁膜で覆う工程（ステップＳ１４０）と、基板の第１主面とは反対側の第２主面の側から半導体層にレーザ光を照射して、基板を半導体層から剥離する工程（ステップＳ１５０）と、を備え、第１絶縁膜は、レーザ光のエネルギーよりもバンドギャップエネルギーの小さい材料であり、第２絶縁膜は、レーザ光を吸収する材料であり、半導体層のバンドギャップエネルギーは、レーザ光のエネルギーよりも小さく、第１絶縁膜のうちで半導体層の側面を覆う部分において、レーザ光は発光層の深さまで達しない。 （もっと読む）

【課題】リードフレームの曲げ時に発光素子パッケージの損傷を容易に防止できる発光素子パッケージを提供する。
【達成手段】実施例は、発光ダイオードを含む発光素子と、前記発光素子が配置された第１リードフレーム及び前記第１リードフレームと離隔された第２リードフレームを含むボディーと、を含み、前記第１及び第２リードフレームのうちの少なくとも一方は、前記ボディーの外側面を基準に、第１方向に所定長さだけ延びた曲げ領域で前記第１方向と交差する第２方向に曲げられる発光素子パッケージを提供する。 （もっと読む）

【課題】封止用の樹脂材料と基板表面との親和性や密着性の不足に起因する、発光効率のバラツキや、樹脂硬化物層の剥離等の問題が解消されたＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】基板１４０上にＬＥＤチップ１１０を実装し、更に蛍光体１５０を含有する樹脂材料１６０で封止するＬＥＤパッケージにおいて、前記基板の前記樹脂材料と接触する表面に、アルコキシル基、エポキシ基、フェニル基、アルキル基、および（メタ）アクリル基からなる群から選択される少なくとも一種類以上の官能基を含む層を予め設ける。 （もっと読む）