発光素子および発光素子の製造方法
【課題】本発明は、信頼性が向上し、発光構造物のクラック及びひび割れなどの損傷を防止し、発光効率を向上させる発光素子の製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子の製造方法は、多数のチップ領域及びアイソレーション領域を含む基板の上に多数の化合物半導体層を形成するステップと、前記各チップ領域に発光構造物を形成し、前記アイソレーション領域に緩衝構造物を形成するために前記化合物半導体層をエッチングするステップと、前記発光構造物及び前記緩衝構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、レーザリフトオフ工程を用いて前記基板を除去するステップと、前記発光構造物を分離するステップと、を含み、前記緩衝構造物は前記発光構造物から離隔する。
【解決手段】本発明に従う発光素子の製造方法は、多数のチップ領域及びアイソレーション領域を含む基板の上に多数の化合物半導体層を形成するステップと、前記各チップ領域に発光構造物を形成し、前記アイソレーション領域に緩衝構造物を形成するために前記化合物半導体層をエッチングするステップと、前記発光構造物及び前記緩衝構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、レーザリフトオフ工程を用いて前記基板を除去するステップと、前記発光構造物を分離するステップと、を含み、前記緩衝構造物は前記発光構造物から離隔する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子および発光素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は電気エネルギーを光に変換する半導体素子である。発光ダイオードは、蛍光灯、白熱灯など、既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、及び環境親和性の長所を有する。ここに、既存の光源を発光ダイオードに取り替えるための多くの研究が進められている。発光ダイオードは室内外で使われる各種ランプの光源、液晶表示装置の光源、電光板の光源、及び街灯の光源として使用できる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、信頼性が向上した発光素子および発光素子の製造方法を提供することにある。
【０００４】
本発明の他の目的は、発光構造物のクラック、ひび割れなどの損傷を防止する発光素子および発光素子の製造方法を提供することにある。
【０００５】
本発明の更に他の目的は、発光効率を向上させる発光素子および発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に従う発光素子の製造方法は、多数のチップ領域とアイソレーション領域とを含む基板の上に多数の化合物半導体層を形成するステップと、前記各チップ領域に発光構造物を形成し、前記アイソレーション領域に緩衝構造物を形成するために前記化合物半導体層をエッチングするステップと、前記発光構造物と前記緩衝構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、レーザリフトオフ工程を用いて前記基板を除去するステップと、前記発光構造物を分離するステップと、を含み、前記緩衝構造物は前記発光構造物から離隔される。
本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材上で各発光構造を定義する複数のチップ領域と、前記伝導性支持部材上で前記チップ領域の間を定義するアイソレーション領域と、前記アイソレーション領域に配置された少なくとも1つの緩衝構造物と、を含み、前記発光構造物および前記緩衝構造物は、第1導電型半導体層、活性層および第2 導電型半導体層を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、信頼性が向上した発光素子および発光素子の製造方法を得ることができる。
【０００８】
また、本発明によれば、発光構造物のクラック、ひび割れなどの損傷を防止する発光素子および発光素子の製造方法を得ることができる。
【０００９】
また、本発明によれば、発光効率を向上させる発光素子および発光素子の製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に従う発光素子の断面図である。
【図２Ａ】図１の発光素子の平面図である。
【図２Ｂ】図１の発光素子の平面図である。
【図２Ｃ】図１の発光素子の平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図５Ａ】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図（平面図）である。
【図５Ｂ】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図（平面図）である。
【図５Ｃ】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図（平面図）である。
【図６】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図７】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図８】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図９】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に従う発光素子の断面図である。
【図１２】本発明の実施形態に従う発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。
【図１３】本発明の実施形態に従う表示装置の分解斜視図である。
【図１４】本発明の実施形態に従う表示装置を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態に従う照明装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上（on）”に、または“下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上（on）”と“下（under）”は、“直接（directly）”または“他の層を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。
【００１２】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明すると、次の通りである。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。
【００１３】
図１は本発明の第１実施形態に従う発光素子の断面図で、図２Ａ〜図２Ｃは図１の発光素子の平面図である。
【００１４】
図１及び図２Ａ〜図２Ｃを参照すると、第１実施形態に従う発光素子１００は、伝導性支持部材１６０と、前記伝導性支持部材１６０の上に形成されて光を生成する発光構造物１２０と、前記伝導性支持部材１６０の上に前記発光構造物１２０から距離（ｄ）に離隔するように形成され、前記発光素子１００の製造工程で前記発光構造物１２０の損傷を防止する少なくとも１つの緩衝構造物１８０を含む。
【００１５】
前記発光構造物１２０は、第１接着層１５８、前記第１接着層１５８の上に反射層１５７、前記第１接着層１５８及び反射層１５７の側面に拡散防止層（Diffusion Barrier Layer）１５９、前記反射層１５７の上に形成されて光を放出する多数の化合物半導体層１４５、及び前記化合物半導体層１４５に形成されて前記伝導性支持部材１６０と共に前記発光構造物１２０に電源を提供する電極１７０を含むことができる。前記電極１７０は、少なくとも１つの電極パッドを含むことができ、またアーム（ARM）電極構造を有することができる。前記緩衝構造物１８０及び前記発光構造物１２０は、同一な層の積層構造または同一な高さで形成できる。
【００１６】
前記緩衝構造物１８０は、前記発光構造物１２０の側面から距離（ｄ）に離隔するように少なくとも１つが形成できる。
【００１７】
前記距離（ｄ）は、例えば５μｍ乃至５０μｍでありうる。また、前記緩衝構造物１８０の幅（Ｗ１）は５μｍ乃至３０μｍでありうる。但し、前記距離（ｄ）及び前記幅（Ｗ１）は、前記発光素子１００の設計に従って変わることができ、これに対して限定するのではない。
【００１８】
前記緩衝構造物１８０は光を生成しないことがあり、その代わり、実施形態に従う発光素子１００の製造工程で発生できる衝撃を吸収して前記発光構造物１２０の損傷を防止する役割をすることができる。即ち、前記緩衝構造物１８０を形成することによって、実施形態に従う発光素子１００及びその製造方法の信頼性が向上することができる。これに対しては詳細に後述する。
【００１９】
以下、実施形態に従う発光素子１００について構成要素及び作用を中心として詳細に説明する。
【００２０】
前記伝導性支持部材１６０は、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０を支持すると共に、前記電極１７０と一緒に前記発光構造物１２０に電源を提供することができる。
【００２１】
前記伝導性支持部材１６０は、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはキャリヤウエハ（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＧａＮ等）のうち、少なくともいずれか１つを含むことができる。
【００２２】
前記伝導性支持部材１６０の上面には第２接着層１６１が形成できる。前記第２接着層１６１は接着力の良好なＡｕＳｎ、ＡｕＩｎ、ＮｉＳｎなどの接合金属で形成されることができ、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０と前記伝導性支持部材１６０との間を強固に結合させることができる。
【００２３】
前記伝導性支持部材１６０の上には前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０が形成できる。前記緩衝構造物は、前記発光構造物１２０の側面から距離（ｄ）に離隔するように形成できる。前記緩衝構造物は、前記発光構造物と同一な層の積層構造及び同一な高さで形成できる。
【００２４】
図２Ａに示すように、前記緩衝構造物１８０は、前記発光構造物１２０のエッジ領域から前記距離（ｄ）に離隔するように形成できる。
【００２５】
または、図２Ｂ及び図２Ｃに示すように、前記緩衝構造物１８０は、前記発光構造物１２０のエッジ領域、そして前記発光構造物１２０の各側面から前記距離（ｄ）に離隔するように複数個または一体で配置されることもできる。即ち、ここで、一体ということは、前記緩衝構造物１８０が個別に形成されるのでなく、前記各側面に沿って連続して繋がるように形成されることを意味する。
【００２６】
前記距離（ｄ）は、前記緩衝構造物１８０の位置によって変わることができる。即ち、前記発光構造物１２０のエッジ領域から離隔した前記緩衝構造物１８０の距離（Ｄ１）が前記発光構造物１２０の各側面から離隔した前記緩衝構造物１８０の距離（Ｄ２）より大きいことがある。
【００２７】
前記距離（ｄ）は、例えば５μｍ乃至５０μｍでありうる。前記距離（ｄ）は、実施形態に従う発光素子１００の製造工程で複数個のチップを個別チップ単位で区分するために形成されるアイソレーション領域（Isolation area）の幅によって決定できるが、これに対しては詳細に後述する。
【００２８】
前記緩衝構造物１８０の幅（Ｗ１）は、例えば、５μｍ乃至３０μｍでありうる。但し、前記幅（Ｗ１）も前記発光素子１００の設計または製造工程などによって変わることができ、これに対して限定するのではない。
【００２９】
また、前記緩衝構造物１８０の上面の形状は、例えば、プラス（＋）形状、円形状、菱形状、扇形状、半円形状、多角形状、リング形状などを有することができ、これに対して限定するのではない。
【００３０】
前記緩衝構造物１８０は光を生成しないことがあり、その代わり、実施形態に従う発光素子１００の製造工程で発生できる衝撃を吸収して前記発光構造物１２０の損傷を防止する役割をすることができる。
【００３１】
詳細に説明すれば、前記緩衝構造物１８０は基板を除去するレーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）工程で使われるレーザエネルギーによる衝撃を前記発光構造物１２０の代わりに吸収することができる。
【００３２】
即ち、前記緩衝構造物１８０を形成していない一般的なレーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程で、ＬＬＯ工程に使われるレーザエネルギーによる衝撃により発光構造物の側面やエッジ（edge）領域に、クラック、ひび割れなどの損傷が発生するようになることに反して、実施形態に従う発光素子１００では前記レーザエネルギーによる衝撃を吸収する前記緩衝構造物１８０を形成して、前記発光構造物１２０にクラック、ひび割れなどの損傷が発生することを防止することができる。
【００３３】
前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０は、同一な製造工程により同時に形成されることができ、この場合、２つの構造物の積層構造は少なくとも一部が同一でありうる。
【００３４】
以下、実施形態では前記２つの構造物の積層構造の少なくとも一部が同一な場合を中心として説明する。但し、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０は互いに別途の製造工程により形成されて相異する材質で形成されることもでき、これに対して限定するのではない。
【００３５】
前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０は、第１接着層１５８、前記第１接着層１５８の上に反射層１５７、前記第１接着層１５８及び反射層１５７の側面に拡散防止層（Diffusion Barrier Layer）１５９、及び前記反射層１５７の上に化合物半導体層１４５を含むことができる。
【００３６】
前記第１接着層１５８は、前記第２接着層１６１と同一な材質で形成されることができ、例えば、接着力の良好なＡｕＳｎ、ＡｕＩｎ、ＮｉＳｎなどの接合金属で形成できる。前記第１接着層１５８は前記第２接着層１６１と接合されて、前記伝導性支持部材１６０と前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０との間を強固に結合させることができる。
【００３７】
前記反射層１５７は、前記化合物半導体層１４５及び前記伝導性支持部材１６０の間に形成されて、前記発光構造物１２０の化合物半導体層１４５で生成される光を反射させることによって、前記発光素子１００の発光効率を向上させることができる。
【００３８】
前記反射層１５７は、例えば、銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）を含む合金、アルミニウム（Ａｌ）、及びアルミニウム（Ａｌ）を含む合金のうち、いずれか１つで形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００３９】
前記反射層１５７が前記化合物半導体層１４５とオーミック接触を形成しない場合、前記反射層１５７及び前記化合物半導体層１４５の間にはオーミック層（図示せず）がさらに形成されることもできる。
【００４０】
前記第１接着層１５８及び前記反射層１５７の側面には前記拡散防止層（Diffusion Barrier Layer）１５９が形成できる。
【００４１】
前記拡散防止層１５９は、前記第１接着層１５８、反射層１５７、第２接着層１６１、及び伝導性支持部材１６０などが層間拡散（Inter-diffusion）により劣化することを防止することができる。前記拡散防止層１５９は、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、及びＰｔからなるグループから選択された少なくとも１つを含む単層または多層構造を有することができるが、これに対して限定するのではない。
【００４２】
前記反射層１５７の上には、前記化合物半導体層１４５が形成できる。前記化合物半導体層１４５は、例えば、３族乃至５族の化合物半導体、より具体的にはＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００４３】
前記発光構造物１２０に形成された前記化合物半導体層１４５の上面には前記電極１７０が形成できる。前記電極１７０及び前記伝導性支持部材１６０に電源が供給されて、前記化合物半導体層１４５から光が生成できる。
【００４４】
前記化合物半導体層１４５は、例えば、第２導電型半導体層１５０、前記第２導電型半導体層１５０の上に活性層１４０、及び前記活性層１４０の上に第１半導体層１３０を含むことができる。
【００４５】
前記第２導電型半導体層１５０は、例えば、ｐ型ドーパントを含むｐ型半導体層でありうる。前記ｐ型半導体層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されることができ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドーピングできる。
【００４６】
前記第２導電型半導体層１５０の上には前記活性層１４０が形成できる。前記活性層１４０は、前記第１半導体層１３０を通じて注入される電子（または、正孔）と前記第２導電型半導体層１５０を通じて注入される正孔（または、電子）とが互いに再結合して、前記活性層１４０の形成物質に従うエネルギーバンド（Energy Band）のバンドギャップ（Band Gap）差に相応する波長の光を放出することができる。
【００４７】
前記活性層１４０は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi Quantum Ｗell）、量子線構造、または量子点構造で形成できるが、これに限定されるのではない。
【００４８】
前記活性層１４０は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できる。前記活性層１４０が前記多重量子井戸構造（ＭＱＷ）で形成された場合、前記活性層１４０は複数の井戸層と複数の障壁層が積層されて形成されることができ、例えば、ＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮ障壁層の周期で形成できる。
【００４９】
前記活性層１４０の上及び／または下にはｎ型またはｐ型ドーパントがドーピングされたクラッド層（図示せず）が形成されることもでき、前記クラッド層（図示せず）はＡｌＧａＮ層またはＩｎＡｌＧａＮ層で具現できる。
【００５０】
前記活性層１４０の上には前記第１半導体層１３０が形成できる。前記第１半導体層１３０は第１導電型半導体層のみを含むか、前記第１導電型半導体層の上にアンドープド半導体層などをさらに含むこともできるが、これに対して限定するのではない。
【００５１】
前記第１導電型半導体層は、例えば、ｎ型ドーパントを含むｎ型半導体層を含むことができる。前記ｎ型半導体層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されることができ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどのｎ型ドーパントがドーピングできる。
【００５２】
前記アンドープド半導体層は、導電型ドーパントがドーピングされないので、前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層１５０に比べて格段に低い電気伝導性を有する層であって、前記第１導電型半導体層の結晶性の向上のために形成できる。
【００５３】
一方、前述の説明とは異なり、前記第１半導体層１３０がｐ型ドーパントを含むｐ型半導体層であり、前記第２導電型半導体層１５０がｎ型ドーパントを含むｎ型半導体層を含むこともできる。また、前記第１半導体層１３０の上にはｎ型またはｐ型ドーパントを含む第３導電型半導体層（図示せず）が形成されることもでき、これによって、前記発光素子１００はｎｐ、ｐｎ、ｎｐｎ、ｐｎｐ接合構造のうち、少なくともいずれか１つを有することができる。また、前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層１５０の内の導電型ドーパントのドーピング濃度は、均一または不均一に形成できる。即ち、前記化合物半導体層１４５の構造は多様に形成されることができ、これに対して限定するのではない。
【００５４】
前記化合物半導体層１４５の側面には第１保護層１５５が形成できる。前記第１保護層１５５は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、及びＭｇＦ２からなるグループから選択された少なくとも１つを含み、前記化合物半導体層１４５が前記伝導性支持部材１６０と電気的にショート（short）されることを防止することができる。
【００５５】
一方、図示したように、光を生成しない前記緩衝構造物１８０の化合物半導体層１４５の側面には前記第１保護層１５５が形成されないこともある。
【００５６】
前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の側面と、前記伝導性支持部材１６０の上には第２保護層１６５が形成できる。具体的に、前記第２保護層１６５は、前記第１保護層の側面、前記拡散防止層の側面、及び前記第２接触層１６１の上に形成できる。
【００５７】
前記第２保護層１６５は、前記発光素子１００の製造工程で前記第１保護層１５５が損傷される場合に備えて形成できる。即ち、前記第２保護層１６５は、前記第１保護層１５５にクラック、ひび割れなどが発生して、前記発光構造物１２０が前記伝導性支持部材１６０や前記緩衝構造物１２０と電気的にショートされることを防止することができる。
【００５８】
前記第２保護層１６５は、前記第１保護層１５５のような材質で形成されることができ、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、及びＭｇＦ２からなるグループから選択された少なくとも１つの材質で蒸着方式により形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００５９】
以下、実施形態に従う発光素子１００の製造工程について詳細に説明する。但し、前述した内容と重複する内容に対しては省略または簡略に説明する。
【００６０】
図３乃至図１０は、本発明の第１実施形態に従う発光素子１００の製造工程を示す図である。
【００６１】
図３を参照すると、基板１１０の上に前記化合物半導体層１４５を成長して形成することができる。前記化合物半導体層１４５は、例えば、第１半導体層１３０、前記第１半導体層１３０の上に活性層１４０、及び前記活性層１４０の上に第２導電型半導体層１５０を含むことができる。
【００６２】
前記化合物半導体層１４５は、例えば、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）、化学蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ：Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）、分子線成長法（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）、水素化物気相成長法（ＨＶＰＥ：Hydride Vapor Phase Epitaxy）などの方法を用いて形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００６３】
図４及び図５Ａ乃至図５Ｃを参照すると、前記化合物半導体層１４５を選択的に除去して複数の第１構造物１２０ａ及び複数の第２構造物１８０ａを形成することができる。前記化合物半導体層１４５は、例えば、エッチング工程により選択的に除去できるが、これに対して限定するのではない。なお、図図５Ａ乃至図５Ｃは、平面視で見た図である。
【００６４】
前記第１構造物１２０ａ及び第２構造物１８０ａは、製造工程を経て各々前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０で形成されるようになる。
【００６５】
この際、前記複数の第１構造物１２０ａの間の幅、即ち、複数個のチップを個別チップ（１ＣＨＩＰ）単位で区分するアイソレーション領域（Isolation area）（Ｍ）の幅（ｘ）は、例えば、５μｍ乃至１００μｍでありうる。前記アイソレーション領域（Ｍ）の幅（ｘ）は、隣接するチップの間の距離で定義できる。そして、前記複数の第２構造物１８０ａは、前記アイソレーション領域（Ｍ）の中間部分、言い換えると、前記アイソレーション領域（Ｍ）の幅（ｘ）の１／２に該当する部分に形成できる。
【００６６】
したがって、後続工程により形成される前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０は、互いに前記アイソレーション領域（Ｍ）の幅（ｘ）の略１／２の距離（ｄ）に離隔するように形成できる。
【００６７】
一方、前記複数の第２構造物１８０ａの上面の形状は図５の（ａ）及び（ｂ）のように円形、多角形などで形成されるか、図５の（ｃ）のように前記複数の第１構造物１２０ａの側面に沿って格子形態で形成できる。但し、前記複数の第２構造物１８０ａの形状に対して限定するのではない。
【００６８】
図６を参照すると、前記複数の第１構造物１２０ａ及び複数の第２構造物１８０ａの上に、前記反射層１５７、第１接着層１５８、及び拡散防止層１５９を形成することによって、実施形態に従う発光構造物１２０及び緩衝構造物１８０が提供できる。
【００６９】
前記反射層１５７を形成する前に、前記発光構造物１２０及び緩衝構造物１８０の側面には前記第１保護層１５５がさらに形成されることもできる。
【００７０】
図７を参照すると、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の上に前記伝導性支持部材１６０を形成することができる。
【００７１】
例えば、前記伝導性支持部材１６０は、シートプレート（sheet）形態で用意されて、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の上にボンディングできる。
【００７２】
この場合、前記伝導性支持部材１６０の下面には前記第２接着層１６１が形成できる。前記第２接着層１６１が前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の上面の前記第１接着層１５８とボンディングできる。
【００７３】
図８を参照すると、レーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）工程を実施して前記基板１１０を除去することができる。
【００７４】
前記レーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程は、前記基板１１０の下面に加えられるレーザエネルギーにより前記化合物半導体層１４５と前記基板１１０とを互いに分離させる工程である。
【００７５】
一般的なレーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程では、前記レーザエネルギーによる衝撃により発光構造物の側面やエッジ（edge）領域にクラック、ひび割れなどの損傷が発生するようになる。
【００７６】
しかしながら、実施形態に従う発光素子１００では、前記レーザエネルギーによる衝撃を吸収する前記緩衝構造物１８０を形成するので、前記発光構造物１２０の側面にエッジ（edge）領域に加えられる衝撃が前記緩衝構造物１８０により吸収されて、前記発光構造物１２０にクラック、ひび割れなどの損傷が防止される効果がある。
【００７７】
前記緩衝構造物１８０は、前記レーザエネルギーを吸収するので、ひび割れやクラックなどを含むことができる。
【００７８】
図９を参照すると、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の側面と、前記伝導性支持部材１６０の上には第２保護層１６５が形成できる。
【００７９】
例えば、前記第２保護層１６５は、前記基板１１０が除去されるにつれて、露出された面に沿って蒸着工程を実施して形成できる。
【００８０】
前記第２保護層１６５は、前記レーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程により損傷できる前記第１保護層１５５を補完するために形成できる。
【００８１】
前記発光構造物１２０の下面には前記電極１７０を形成することができる。前記電極１７０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及び金（Ａｕ）からなるグループから選択された少なくとも１つを含む単層または多層構造で形成できる。
【００８２】
図１０を参照すると、チップ分離工程を実施して複数個のチップを個別チップ（１ＣＨＩＰ）単位で分離することによって、実施形態に従う発光素子１００を提供することができる。
【００８３】
前記チップ分離工程は、例えば、カッター（cutter）を使用するブレーキング工程、乾式または湿式エッチングを用いるエッチング工程、レーザを用いるレーザスクライビング（Laser Scribing）工程のうち、少なくとも１つを含むことができるが、これに対して限定するのではない。
【００８４】
前記チップ分離工程により、前記緩衝構造物１８０はチップ境界に沿って分離及び除去できる。
【００８５】
図１１は、本発明の第２実施形態に従う発光素子の断面図である。
【００８６】
第２実施形態は、緩衝構造物１８０がツェナー（Zener）素子を含むことを除いては、第１実施形態と殆ど同一である。したがって、第２実施形態で第１実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を与えて、詳細な説明は省略する。
【００８７】
図１１を参考すると、第２実施形態に従う発光素子２００は、伝導性支持部材１６０、前記伝導性支持部材１６０の上に形成されて光を生成する発光構造物１２０、及び前記伝導性支持部材１６０の上に前記発光構造物１２０から距離（ｄ）に離隔するように形成され、前記発光素子１００の製造工程で前記発光構造物１２０の損傷を防止する少なくとも１つの緩衝構造物１８０を含む。
【００８８】
前記発光構造物１２０は、第１接着層１５８、前記第１接着層１５８の上に反射層１５７、前記第１接着層１５８及び反射層１５７の側面に拡散防止層（Diffusion Barrier Layer）１５９、前記反射層１５７の上に形成されて光を放出する多数の化合物半導体層１４５、及び前記化合物半導体層１４５に形成されて、前記伝導性支持部材１６０と一緒に前記発光構造物１２０に電源を提供する電極１７０を含むことができる。
【００８９】
前記緩衝構造物１８０及び前記発光構造物１２０は、同一な層の積層構造または同一な高さで形成できる。
【００９０】
例えば、前記緩衝構造物１８０は、前記第１接着層１５８及び多数の化合物半導体層１４５を含むことができる。
【００９１】
前記緩衝構造物１８０は、前記発光構造物１２０の側面から距離（ｄ）に離隔するように少なくとも１つが形成できる。
【００９２】
前記緩衝構造物１８０は光を生成しないことがあり、その代わり、実施形態に従う発光素子１００の製造工程で発生できる衝撃を吸収して前記発光構造物１２０の損傷を防止する役割をすることができる。即ち、前記緩衝構造物１８０を形成することによって、実施形態に従う発光素子１００及びその製造方法の信頼性が向上することができる。
【００９３】
前記伝導性支持部材１６０は、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０を支持すると共に、前記電極１７０と一緒に前記発光構造物１２０に電源を提供することができる。
【００９４】
前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０は、同一な製造工程により同時に形成されることができ、この場合、２つの構造物の積層構造は少なくとも一部が同一である。
【００９５】
前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の側面及び前記伝導性支持部材１６０の上には第２保護層１６５が形成できる。具体的に、前記第２保護層１６５は、前記第１保護層１５５の側面、前記拡散防止層の側面、及び前記第２接触層１６１の上に形成できる。
【００９６】
前記発光構造物１２０と前記緩衝構造物１８０との間の前記第２接着層１６１、または前記伝導性支持部材１６０の上に絶縁層２１０が形成できる。前記絶縁層２１０は、前記発光構造物１２０の第２保護層１６５の側面、前記第２接着層１６１または前記伝導性支持部材１６０の上面、そして前記緩衝構造物１８０の第１接着層１５８及び反射層１５７の側面に形成できる。
【００９７】
前記絶縁層２１０は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、及びＭｇＦ２からなるグループから選択された少なくとも１つを含むことができる。
【００９８】
前記緩衝構造物１８０はツェナー素子を含むことができる。このために、前記緩衝構造物に第１及び第２ツェナー電極２２０、２３０が電気的に連結できる。
【００９９】
前記第１ツェナー電極２２０は、緩衝構造物１８０の第２導電型半導体層１５０に電気的に連結できる。前記第１ツェナー電極２２０は、前記緩衝構造物１８０の前記第２導電型半導体層１５０の側面に接触形成できる。前記第２導電型半導体層１５０に連結された前記第１ツェナー電極２２０は、前記発光構造物１２０の第１導電型半導体層１３０に電気的に連結できる。
【０１００】
前記第１ツェナー電極２２０は、前記発光構造物１２０の第１導電型半導体層１３０と前記緩衝構造物１８０の第２導電型半導体層１５０との間で前記第２保護層１６５と前記絶縁層２１０の上に形成できる。
【０１０１】
前記絶縁層２１０及び前記第２保護層１６５は同一材質で形成できるが、これに対して限定するのではない。
【０１０２】
前記第２ツェナー電極２３０は、前記緩衝構造物１８０の第１導電型半導体層１３０に電気的に連結できる。
【０１０３】
前記第２ツェナー電極２３０は、前記緩衝構造物１８０の第１導電型半導体層１３０及び前記伝導性支持部材１６０に電気的に連結できる。
【０１０４】
前記第２ツェナー電極２３０は、前記第２保護層１６５の上に形成され、前記第２接着層１６１を貫通して前記伝導性支持部材１６０に電気的に連結できる。
【０１０５】
前記第２保護層１６５は、前記第２ツェナー電極２３０による前記第１導電型半導体層１３０と前記第２導電型半導体層１５０の電気的なショートを防止させることができる。
【０１０６】
前記第１及び第２ツェナー電極２２０、２３０は、前記発光構造物１２０の上に形成された電極１７０と同一な材質で形成されることもでき、そうでないこともある。前記第１及び第２ツェナー電極２２０、２３０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及び金（Ａｕ）からなるグループから選択された少なくとも１つを含む単層または多層構造で形成できる。
【０１０７】
このように、前記緩衝構造物１８０はツェナー素子を含むので、大きな逆方向電圧が印加される場合、電流が緩衝構造物１８０のツェナー素子に流れるようにして電流が発光構造物１２０に流れないようにして、発光構造物１２０の破損が防止できる。
【０１０８】
図１２は、本発明の実施形態に従う発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。
【０１０９】
図１２を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージ３０は、胴体部２０、前記胴体部２０に設置された第１リード電極３１及び第２リード電極３２、前記胴体部２０の上に前記第１リード電極３１及び第２リード電極３２と電気的に連結される前記発光素子１００、及び前記胴体部２０の上に前記発光素子１００を囲むモールディング部材４０を含む。
【０１１０】
前記胴体部２０は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成できる。前記胴体部２０は、上から見て、内部に傾斜面５３を有するキャビティ（cavity）５０を有する。
【０１１１】
前記第１リード電極３１及び前記第２リード電極３２は互いに電気的に分離され、前記胴体部２０の内部を貫通するように形成できる。即ち、前記第１リード電極３１及び前記第２リード電極３２の一側端部は前記キャビティ５０の内部に配置され、他側端部は前記胴体部２０の外部面に付着されて外部に露出されるようになる。
【０１１２】
前記第１リード電極３１及び第２リード電極３２は前記発光素子１００に電源を供給し、前記発光素子１００で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、前記発光素子１００で発生した熱を外部に排出させる機能をすることもできる。
【０１１３】
前記発光素子１００は、前記胴体部２０の上に設置されるか、前記第１リード電極３１または第２リード電極３２の上に設置できる。
【０１１４】
前記モールディング部材４０は、前記発光素子１００を囲んで前記発光素子１００を保護することができる。また、前記モールディング部材４０には蛍光体が含まれ、このような蛍光体により前記発光素子１００から放出された光の波長が変化できる。
【０１１５】
実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージは、ライトユニットに適用できる。前記ライトユニットは、複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、図１３及び図１４に図示された表示装置、及び図１５に図示された照明装置を含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれることができる。
【０１１６】
図１３は、本発明の実施形態に従う表示装置の分解斜視図である。
【０１１７】
図１３を参照すると、表示装置１０００は、導光板１０４１、前記導光板１０４１に光を提供する発光モジュール１０３１、前記導光板１０４１の下に反射部材１０２２、前記導光板１０４１の上に光学シート１０５１、前記光学シート１０５１の上に表示パネル１０６１、及び前記導光板１０４１と発光モジュール１０３１と反射部材１０２２とを収納するボトムカバー１０１１を含むことができるが、これに限定されるのではない。
【０１１８】
前記ボトムカバー１０１１、反射シート１０２２、導光板１０４１、及び光学シート１０５１は、ライトユニット１０５０と定義できる。
【０１１９】
前記導光板１０４１は、前記発光モジュール１０３１から提供された光を拡散させて面光源化させる役割をする。前記導光板１０４１は透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（polymethyl metaacrylate）のようなアクリル樹脂系列、ＰＥＴ（polyethylene terephthlate）、ＰＣ（poly carbonate）、ＣＯＣ（cycloolefin copolymer）、及びＰＥＮ（polyethylene naphthalate）樹脂のうちの１つを含むことができる。
【０１２０】
前記発光モジュール１０３１は、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に配置されて前記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には表示装置の光源として作用するようになる。
【０１２１】
前記発光モジュール１０３１は少なくとも１つを含み、前記導光板１０４１の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。前記発光モジュール１０３１は、基板１０３３及び前記に開示された実施形態に従う発光素子パッケージ３０を含み、前記発光素子パッケージ３０は、前記基板１０３３の上に所定の間隔でアレイできる。前記基板は印刷回路基板（printed circuit board）でありうるが、これに限定するのではない。また、前記基板１０３３は、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ：Metal Core PCB）、軟性ＰＣＢ（ＦＰＣＢ：Flexible PCB）などを含むこともでき、これに対して限定するのではない。前記発光素子パッケージ３０は、前記ボトムカバー１０１１の側面または放熱プレートの上に搭載される場合、前記基板１０３３は除去できる。前記放熱プレートの一部は前記ボトムカバー１０１１の上面に接触できる。したがって、発光素子パッケージ３０で発生した熱は放熱プレートを経由してボトムカバー１０１１に放出できる。
【０１２２】
前記複数の発光素子パッケージ３０は、前記基板１０３３の上に光が放出される出射面が前記導光板１０４１と所定距離離隔するように搭載されることができ、これに対して限定するのではない。前記発光素子パッケージ３０は、前記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに対して限定するのではない。
【０１２３】
前記導光板１０４１の下には前記反射部材１０２２が配置できる。前記反射部材１０２２は、前記導光板１０４１の下面に入射された光を反射させて前記表示パネル１０６１に供給することによって、前記表示パネル１０６１の輝度を向上させることができる。前記反射部材１０２２は、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。前記反射部材１０２２は、前記ボトムカバー１０１１の上面でありうるが、これに対して限定するのではない。
【０１２４】
前記ボトムカバー１０１１は、前記導光板１０４１、発光モジュール１０３１、及び反射部材１０２２などを収納することができる。このために、前記ボトムカバー１０１１は、上面が開口されたボックス（box）形状を有する収納部１０１２が備えられることができ、これに対して限定するのではない。前記ボトムカバー１０１１は、トップカバー（図示せず）と結合されることができ、これに対して限定するのではない。
【０１２５】
前記ボトムカバー１０１１は金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。また、前記ボトムカバー１０１１は熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができ、これに対して限定するのではない。
【０１２６】
前記表示パネル１０６１は、例えばＬＣＤパネルであって、互いに対向する透明な材質の第１及び第２基板、そして第１及び第２基板の間に介された液晶層を含む。前記表示パネル１０６１の少なくとも一面には偏光板が付着されることができ、このような偏光板の付着構造に限定するのではない。前記表示パネル１０６１は、前記発光モジュール１０３１から提供された光を透過または遮断させて情報を表示するようになる。このような表示装置１０００は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用できる。
【０１２７】
前記光学シート１０５１は、前記表示パネル１０６１と前記導光板１０４１との間に配置され、少なくとも一枚以上の透光性シートを含む。前記光学シート１０５１は、例えば拡散シート（diffusion sheet）、水平及び垂直プリズムシート（horizontal／vertical prism sheet）、及び輝度強化シート（brightness enhanced sheet）のようなシートのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記拡散シートは入射される光を拡散させ、前記水平または／及び垂直プリズムシートは入射される光を前記表示パネル１０６１に集光させ、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、前記表示パネル１０６１の上には保護シートが配置されることができ、これに対して限定するのではない。
【０１２８】
前記発光モジュール１０３１の光経路上には光学部材として、前記導光板１０４１及び光学シート１０５１を含むことができ、これに対して限定するのではない。
【０１２９】
図１４は、本発明の実施形態に従う表示装置を示す図である。
【０１３０】
図１４を参照すると、表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２、前記に開示された発光素子パッケージ３０がアレイ（配列）された基板１１２０、光学部材１１５４、及び表示パネル１１５５を含む。
【０１３１】
前記基板１１２０及び前記発光素子パッケージ３０は発光モジュール１１６０と定義できる。前記ボトムカバー１１５２、少なくとも１つの発光モジュール１１６０、及び光学部材１１５４は、ライトユニット（図示せず）と定義できる。
【０１３２】
前記ボトムカバー１１５２には収納部１１５３を具備することができ、これに対して限定するのではない。
【０１３３】
前記光学部材１１５４は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記導光板は、ＰＣ材質またはＰＭＭＡ（Polymethyl methacrylate）材質からなることができ、このような導光板は除去できる。前記拡散シートは入射される光を拡散させ、前記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を前記表示パネル１１５５に集光させ、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。
【０１３４】
前記光学部材１１５４は前記発光モジュール１１６０の上に配置され、前記発光モジュール１１６０から放出された光を面光源化するか、拡散、集光などを遂行するようになる。
【０１３５】
図１５は、本発明の実施形態に従う照明装置の斜視図である。
【０１３６】
図１５を参照すると、照明装置１５００は、ケース１５１０、前記ケース１５１０に設置された発光モジュール１５３０、及び前記ケース１５１０に設置されて外部電源から電源の提供を受ける連結端子１５２０を含むことができる。
【０１３７】
前記ケース１５１０は放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。
【０１３８】
前記発光モジュール１５３０は、基板１５３２、及び前記基板１５３２に搭載される実施形態に従う発光素子パッケージ３０を含むことができる。前記発光素子パッケージ３０は、複数個がマトリックス形態または所定の間隔で離隔してアレイできる。
【０１３９】
前記基板１５３２は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）、メタルコア（Metal Core）ＰＣＢ、軟性（Flexible）ＰＣＢ、セラミックＰＣＢ、及びＦＲ−４４基板などを含むことができる。
【０１４０】
また、前記基板１５３２は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層となることができる。
【０１４１】
前記基板１５３２の上には少なくとも１つの発光素子パッケージ３０が搭載できる。前記発光素子パッケージ３０の各々は少なくとも１つのＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップを含むことができる。前記ＬＥＤチップは、赤色、緑色、青色、または白色のような可視光線帯域の発光ダイオード、または紫外線（ＵＶ：Ultra Violet）を発光するＵＶ発光ダイオードを含むことができる。
【０１４２】
前記発光モジュール１５３０は、色感及び輝度を得るために、多様な発光素子パッケージ３０の組合を有するように配置できる。例えば、高演色性（ＣＲＩ）を確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。
【０１４３】
前記連結端子１５２０は、前記発光モジュール１５３０と電気的に連結されて電源を供給することができる。前記連結端子１５２０はソケット方式により外部電源に螺合して結合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、前記連結端子１５２０は、ピン（pin）形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。
【０１４４】
実施形態によれば、発光素子は発光構造物から離隔した少なくとも１つの緩衝構造物を含むことによって、レーザリフトオフ固定時に加えられる衝撃から発生する発光構造物のクラック、ひび割れなどの損傷を防止することができる。
【０１４５】
実施形態によれば、前記緩衝構造物は各エッジ領域と各側面から離隔して個別的に、または一体で配置できる。ここで、一体の意味は、前述した通りである。このように、緩衝構造物を十分に確保することによって、発光構造物のクラック、ひび割れなどの損傷を防止し、信頼性を向上させることができる。
【０１４６】
実施形態によれば、前記緩衝構造物は前記発光構造物と同一な層の積層構造を有することによって、製造工程を非常に容易に遂行することができる。
【０１４７】
実施形態によれば、化合物半導体層の側面に第１保護層が配置されることによって、前記化合物半導体層が前記伝導性支持部材と電気的にショート（short）されることを防止することができる。
【０１４８】
実施形態によれば、前記伝導性支持部材と前記化合物半導体層との間に第１及び第２接着層を形成することによって、前記化合物半導体層と前記伝導性支持部材との間の接着性能を最大限向上させることができる。
【０１４９】
実施形態によれば、前記第１及び第２接着層の上に反射層が配置されることによって、前記化合物半導体層から放出された光を上方に反射させて発光効率を向上させることができる。
【０１５０】
実施形態によれば、発光素子は緩衝構造物をアイソレーション領域の幅の略半分に該当する領域に配置することによって、レーザリフトオフ固定時に加えられる衝撃から発生する発光構造物のクラック、ひび割れなどの損傷を防止することができる。
【０１５１】
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
【０１５２】
以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子および発光素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は電気エネルギーを光に変換する半導体素子である。発光ダイオードは、蛍光灯、白熱灯など、既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、及び環境親和性の長所を有する。ここに、既存の光源を発光ダイオードに取り替えるための多くの研究が進められている。発光ダイオードは室内外で使われる各種ランプの光源、液晶表示装置の光源、電光板の光源、及び街灯の光源として使用できる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、信頼性が向上した発光素子および発光素子の製造方法を提供することにある。
【０００４】
本発明の他の目的は、発光構造物のクラック、ひび割れなどの損傷を防止する発光素子および発光素子の製造方法を提供することにある。
【０００５】
本発明の更に他の目的は、発光効率を向上させる発光素子および発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に従う発光素子の製造方法は、多数のチップ領域とアイソレーション領域とを含む基板の上に多数の化合物半導体層を形成するステップと、前記各チップ領域に発光構造物を形成し、前記アイソレーション領域に緩衝構造物を形成するために前記化合物半導体層をエッチングするステップと、前記発光構造物と前記緩衝構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、レーザリフトオフ工程を用いて前記基板を除去するステップと、前記発光構造物を分離するステップと、を含み、前記緩衝構造物は前記発光構造物から離隔される。
本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材上で各発光構造を定義する複数のチップ領域と、前記伝導性支持部材上で前記チップ領域の間を定義するアイソレーション領域と、前記アイソレーション領域に配置された少なくとも1つの緩衝構造物と、を含み、前記発光構造物および前記緩衝構造物は、第1導電型半導体層、活性層および第2 導電型半導体層を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、信頼性が向上した発光素子および発光素子の製造方法を得ることができる。
【０００８】
また、本発明によれば、発光構造物のクラック、ひび割れなどの損傷を防止する発光素子および発光素子の製造方法を得ることができる。
【０００９】
また、本発明によれば、発光効率を向上させる発光素子および発光素子の製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に従う発光素子の断面図である。
【図２Ａ】図１の発光素子の平面図である。
【図２Ｂ】図１の発光素子の平面図である。
【図２Ｃ】図１の発光素子の平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図５Ａ】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図（平面図）である。
【図５Ｂ】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図（平面図）である。
【図５Ｃ】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図（平面図）である。
【図６】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図７】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図８】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図９】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造工程を示す図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に従う発光素子の断面図である。
【図１２】本発明の実施形態に従う発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。
【図１３】本発明の実施形態に従う表示装置の分解斜視図である。
【図１４】本発明の実施形態に従う表示装置を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態に従う照明装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上（on）”に、または“下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上（on）”と“下（under）”は、“直接（directly）”または“他の層を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。
【００１２】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明すると、次の通りである。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。
【００１３】
図１は本発明の第１実施形態に従う発光素子の断面図で、図２Ａ〜図２Ｃは図１の発光素子の平面図である。
【００１４】
図１及び図２Ａ〜図２Ｃを参照すると、第１実施形態に従う発光素子１００は、伝導性支持部材１６０と、前記伝導性支持部材１６０の上に形成されて光を生成する発光構造物１２０と、前記伝導性支持部材１６０の上に前記発光構造物１２０から距離（ｄ）に離隔するように形成され、前記発光素子１００の製造工程で前記発光構造物１２０の損傷を防止する少なくとも１つの緩衝構造物１８０を含む。
【００１５】
前記発光構造物１２０は、第１接着層１５８、前記第１接着層１５８の上に反射層１５７、前記第１接着層１５８及び反射層１５７の側面に拡散防止層（Diffusion Barrier Layer）１５９、前記反射層１５７の上に形成されて光を放出する多数の化合物半導体層１４５、及び前記化合物半導体層１４５に形成されて前記伝導性支持部材１６０と共に前記発光構造物１２０に電源を提供する電極１７０を含むことができる。前記電極１７０は、少なくとも１つの電極パッドを含むことができ、またアーム（ARM）電極構造を有することができる。前記緩衝構造物１８０及び前記発光構造物１２０は、同一な層の積層構造または同一な高さで形成できる。
【００１６】
前記緩衝構造物１８０は、前記発光構造物１２０の側面から距離（ｄ）に離隔するように少なくとも１つが形成できる。
【００１７】
前記距離（ｄ）は、例えば５μｍ乃至５０μｍでありうる。また、前記緩衝構造物１８０の幅（Ｗ１）は５μｍ乃至３０μｍでありうる。但し、前記距離（ｄ）及び前記幅（Ｗ１）は、前記発光素子１００の設計に従って変わることができ、これに対して限定するのではない。
【００１８】
前記緩衝構造物１８０は光を生成しないことがあり、その代わり、実施形態に従う発光素子１００の製造工程で発生できる衝撃を吸収して前記発光構造物１２０の損傷を防止する役割をすることができる。即ち、前記緩衝構造物１８０を形成することによって、実施形態に従う発光素子１００及びその製造方法の信頼性が向上することができる。これに対しては詳細に後述する。
【００１９】
以下、実施形態に従う発光素子１００について構成要素及び作用を中心として詳細に説明する。
【００２０】
前記伝導性支持部材１６０は、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０を支持すると共に、前記電極１７０と一緒に前記発光構造物１２０に電源を提供することができる。
【００２１】
前記伝導性支持部材１６０は、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはキャリヤウエハ（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＧａＮ等）のうち、少なくともいずれか１つを含むことができる。
【００２２】
前記伝導性支持部材１６０の上面には第２接着層１６１が形成できる。前記第２接着層１６１は接着力の良好なＡｕＳｎ、ＡｕＩｎ、ＮｉＳｎなどの接合金属で形成されることができ、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０と前記伝導性支持部材１６０との間を強固に結合させることができる。
【００２３】
前記伝導性支持部材１６０の上には前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０が形成できる。前記緩衝構造物は、前記発光構造物１２０の側面から距離（ｄ）に離隔するように形成できる。前記緩衝構造物は、前記発光構造物と同一な層の積層構造及び同一な高さで形成できる。
【００２４】
図２Ａに示すように、前記緩衝構造物１８０は、前記発光構造物１２０のエッジ領域から前記距離（ｄ）に離隔するように形成できる。
【００２５】
または、図２Ｂ及び図２Ｃに示すように、前記緩衝構造物１８０は、前記発光構造物１２０のエッジ領域、そして前記発光構造物１２０の各側面から前記距離（ｄ）に離隔するように複数個または一体で配置されることもできる。即ち、ここで、一体ということは、前記緩衝構造物１８０が個別に形成されるのでなく、前記各側面に沿って連続して繋がるように形成されることを意味する。
【００２６】
前記距離（ｄ）は、前記緩衝構造物１８０の位置によって変わることができる。即ち、前記発光構造物１２０のエッジ領域から離隔した前記緩衝構造物１８０の距離（Ｄ１）が前記発光構造物１２０の各側面から離隔した前記緩衝構造物１８０の距離（Ｄ２）より大きいことがある。
【００２７】
前記距離（ｄ）は、例えば５μｍ乃至５０μｍでありうる。前記距離（ｄ）は、実施形態に従う発光素子１００の製造工程で複数個のチップを個別チップ単位で区分するために形成されるアイソレーション領域（Isolation area）の幅によって決定できるが、これに対しては詳細に後述する。
【００２８】
前記緩衝構造物１８０の幅（Ｗ１）は、例えば、５μｍ乃至３０μｍでありうる。但し、前記幅（Ｗ１）も前記発光素子１００の設計または製造工程などによって変わることができ、これに対して限定するのではない。
【００２９】
また、前記緩衝構造物１８０の上面の形状は、例えば、プラス（＋）形状、円形状、菱形状、扇形状、半円形状、多角形状、リング形状などを有することができ、これに対して限定するのではない。
【００３０】
前記緩衝構造物１８０は光を生成しないことがあり、その代わり、実施形態に従う発光素子１００の製造工程で発生できる衝撃を吸収して前記発光構造物１２０の損傷を防止する役割をすることができる。
【００３１】
詳細に説明すれば、前記緩衝構造物１８０は基板を除去するレーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）工程で使われるレーザエネルギーによる衝撃を前記発光構造物１２０の代わりに吸収することができる。
【００３２】
即ち、前記緩衝構造物１８０を形成していない一般的なレーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程で、ＬＬＯ工程に使われるレーザエネルギーによる衝撃により発光構造物の側面やエッジ（edge）領域に、クラック、ひび割れなどの損傷が発生するようになることに反して、実施形態に従う発光素子１００では前記レーザエネルギーによる衝撃を吸収する前記緩衝構造物１８０を形成して、前記発光構造物１２０にクラック、ひび割れなどの損傷が発生することを防止することができる。
【００３３】
前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０は、同一な製造工程により同時に形成されることができ、この場合、２つの構造物の積層構造は少なくとも一部が同一でありうる。
【００３４】
以下、実施形態では前記２つの構造物の積層構造の少なくとも一部が同一な場合を中心として説明する。但し、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０は互いに別途の製造工程により形成されて相異する材質で形成されることもでき、これに対して限定するのではない。
【００３５】
前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０は、第１接着層１５８、前記第１接着層１５８の上に反射層１５７、前記第１接着層１５８及び反射層１５７の側面に拡散防止層（Diffusion Barrier Layer）１５９、及び前記反射層１５７の上に化合物半導体層１４５を含むことができる。
【００３６】
前記第１接着層１５８は、前記第２接着層１６１と同一な材質で形成されることができ、例えば、接着力の良好なＡｕＳｎ、ＡｕＩｎ、ＮｉＳｎなどの接合金属で形成できる。前記第１接着層１５８は前記第２接着層１６１と接合されて、前記伝導性支持部材１６０と前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０との間を強固に結合させることができる。
【００３７】
前記反射層１５７は、前記化合物半導体層１４５及び前記伝導性支持部材１６０の間に形成されて、前記発光構造物１２０の化合物半導体層１４５で生成される光を反射させることによって、前記発光素子１００の発光効率を向上させることができる。
【００３８】
前記反射層１５７は、例えば、銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）を含む合金、アルミニウム（Ａｌ）、及びアルミニウム（Ａｌ）を含む合金のうち、いずれか１つで形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００３９】
前記反射層１５７が前記化合物半導体層１４５とオーミック接触を形成しない場合、前記反射層１５７及び前記化合物半導体層１４５の間にはオーミック層（図示せず）がさらに形成されることもできる。
【００４０】
前記第１接着層１５８及び前記反射層１５７の側面には前記拡散防止層（Diffusion Barrier Layer）１５９が形成できる。
【００４１】
前記拡散防止層１５９は、前記第１接着層１５８、反射層１５７、第２接着層１６１、及び伝導性支持部材１６０などが層間拡散（Inter-diffusion）により劣化することを防止することができる。前記拡散防止層１５９は、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、及びＰｔからなるグループから選択された少なくとも１つを含む単層または多層構造を有することができるが、これに対して限定するのではない。
【００４２】
前記反射層１５７の上には、前記化合物半導体層１４５が形成できる。前記化合物半導体層１４５は、例えば、３族乃至５族の化合物半導体、より具体的にはＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００４３】
前記発光構造物１２０に形成された前記化合物半導体層１４５の上面には前記電極１７０が形成できる。前記電極１７０及び前記伝導性支持部材１６０に電源が供給されて、前記化合物半導体層１４５から光が生成できる。
【００４４】
前記化合物半導体層１４５は、例えば、第２導電型半導体層１５０、前記第２導電型半導体層１５０の上に活性層１４０、及び前記活性層１４０の上に第１半導体層１３０を含むことができる。
【００４５】
前記第２導電型半導体層１５０は、例えば、ｐ型ドーパントを含むｐ型半導体層でありうる。前記ｐ型半導体層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されることができ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドーピングできる。
【００４６】
前記第２導電型半導体層１５０の上には前記活性層１４０が形成できる。前記活性層１４０は、前記第１半導体層１３０を通じて注入される電子（または、正孔）と前記第２導電型半導体層１５０を通じて注入される正孔（または、電子）とが互いに再結合して、前記活性層１４０の形成物質に従うエネルギーバンド（Energy Band）のバンドギャップ（Band Gap）差に相応する波長の光を放出することができる。
【００４７】
前記活性層１４０は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi Quantum Ｗell）、量子線構造、または量子点構造で形成できるが、これに限定されるのではない。
【００４８】
前記活性層１４０は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できる。前記活性層１４０が前記多重量子井戸構造（ＭＱＷ）で形成された場合、前記活性層１４０は複数の井戸層と複数の障壁層が積層されて形成されることができ、例えば、ＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮ障壁層の周期で形成できる。
【００４９】
前記活性層１４０の上及び／または下にはｎ型またはｐ型ドーパントがドーピングされたクラッド層（図示せず）が形成されることもでき、前記クラッド層（図示せず）はＡｌＧａＮ層またはＩｎＡｌＧａＮ層で具現できる。
【００５０】
前記活性層１４０の上には前記第１半導体層１３０が形成できる。前記第１半導体層１３０は第１導電型半導体層のみを含むか、前記第１導電型半導体層の上にアンドープド半導体層などをさらに含むこともできるが、これに対して限定するのではない。
【００５１】
前記第１導電型半導体層は、例えば、ｎ型ドーパントを含むｎ型半導体層を含むことができる。前記ｎ型半導体層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されることができ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどのｎ型ドーパントがドーピングできる。
【００５２】
前記アンドープド半導体層は、導電型ドーパントがドーピングされないので、前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層１５０に比べて格段に低い電気伝導性を有する層であって、前記第１導電型半導体層の結晶性の向上のために形成できる。
【００５３】
一方、前述の説明とは異なり、前記第１半導体層１３０がｐ型ドーパントを含むｐ型半導体層であり、前記第２導電型半導体層１５０がｎ型ドーパントを含むｎ型半導体層を含むこともできる。また、前記第１半導体層１３０の上にはｎ型またはｐ型ドーパントを含む第３導電型半導体層（図示せず）が形成されることもでき、これによって、前記発光素子１００はｎｐ、ｐｎ、ｎｐｎ、ｐｎｐ接合構造のうち、少なくともいずれか１つを有することができる。また、前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層１５０の内の導電型ドーパントのドーピング濃度は、均一または不均一に形成できる。即ち、前記化合物半導体層１４５の構造は多様に形成されることができ、これに対して限定するのではない。
【００５４】
前記化合物半導体層１４５の側面には第１保護層１５５が形成できる。前記第１保護層１５５は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、及びＭｇＦ２からなるグループから選択された少なくとも１つを含み、前記化合物半導体層１４５が前記伝導性支持部材１６０と電気的にショート（short）されることを防止することができる。
【００５５】
一方、図示したように、光を生成しない前記緩衝構造物１８０の化合物半導体層１４５の側面には前記第１保護層１５５が形成されないこともある。
【００５６】
前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の側面と、前記伝導性支持部材１６０の上には第２保護層１６５が形成できる。具体的に、前記第２保護層１６５は、前記第１保護層の側面、前記拡散防止層の側面、及び前記第２接触層１６１の上に形成できる。
【００５７】
前記第２保護層１６５は、前記発光素子１００の製造工程で前記第１保護層１５５が損傷される場合に備えて形成できる。即ち、前記第２保護層１６５は、前記第１保護層１５５にクラック、ひび割れなどが発生して、前記発光構造物１２０が前記伝導性支持部材１６０や前記緩衝構造物１２０と電気的にショートされることを防止することができる。
【００５８】
前記第２保護層１６５は、前記第１保護層１５５のような材質で形成されることができ、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、及びＭｇＦ２からなるグループから選択された少なくとも１つの材質で蒸着方式により形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００５９】
以下、実施形態に従う発光素子１００の製造工程について詳細に説明する。但し、前述した内容と重複する内容に対しては省略または簡略に説明する。
【００６０】
図３乃至図１０は、本発明の第１実施形態に従う発光素子１００の製造工程を示す図である。
【００６１】
図３を参照すると、基板１１０の上に前記化合物半導体層１４５を成長して形成することができる。前記化合物半導体層１４５は、例えば、第１半導体層１３０、前記第１半導体層１３０の上に活性層１４０、及び前記活性層１４０の上に第２導電型半導体層１５０を含むことができる。
【００６２】
前記化合物半導体層１４５は、例えば、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）、化学蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ：Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）、分子線成長法（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）、水素化物気相成長法（ＨＶＰＥ：Hydride Vapor Phase Epitaxy）などの方法を用いて形成できるが、これに対して限定するのではない。
【００６３】
図４及び図５Ａ乃至図５Ｃを参照すると、前記化合物半導体層１４５を選択的に除去して複数の第１構造物１２０ａ及び複数の第２構造物１８０ａを形成することができる。前記化合物半導体層１４５は、例えば、エッチング工程により選択的に除去できるが、これに対して限定するのではない。なお、図図５Ａ乃至図５Ｃは、平面視で見た図である。
【００６４】
前記第１構造物１２０ａ及び第２構造物１８０ａは、製造工程を経て各々前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０で形成されるようになる。
【００６５】
この際、前記複数の第１構造物１２０ａの間の幅、即ち、複数個のチップを個別チップ（１ＣＨＩＰ）単位で区分するアイソレーション領域（Isolation area）（Ｍ）の幅（ｘ）は、例えば、５μｍ乃至１００μｍでありうる。前記アイソレーション領域（Ｍ）の幅（ｘ）は、隣接するチップの間の距離で定義できる。そして、前記複数の第２構造物１８０ａは、前記アイソレーション領域（Ｍ）の中間部分、言い換えると、前記アイソレーション領域（Ｍ）の幅（ｘ）の１／２に該当する部分に形成できる。
【００６６】
したがって、後続工程により形成される前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０は、互いに前記アイソレーション領域（Ｍ）の幅（ｘ）の略１／２の距離（ｄ）に離隔するように形成できる。
【００６７】
一方、前記複数の第２構造物１８０ａの上面の形状は図５の（ａ）及び（ｂ）のように円形、多角形などで形成されるか、図５の（ｃ）のように前記複数の第１構造物１２０ａの側面に沿って格子形態で形成できる。但し、前記複数の第２構造物１８０ａの形状に対して限定するのではない。
【００６８】
図６を参照すると、前記複数の第１構造物１２０ａ及び複数の第２構造物１８０ａの上に、前記反射層１５７、第１接着層１５８、及び拡散防止層１５９を形成することによって、実施形態に従う発光構造物１２０及び緩衝構造物１８０が提供できる。
【００６９】
前記反射層１５７を形成する前に、前記発光構造物１２０及び緩衝構造物１８０の側面には前記第１保護層１５５がさらに形成されることもできる。
【００７０】
図７を参照すると、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の上に前記伝導性支持部材１６０を形成することができる。
【００７１】
例えば、前記伝導性支持部材１６０は、シートプレート（sheet）形態で用意されて、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の上にボンディングできる。
【００７２】
この場合、前記伝導性支持部材１６０の下面には前記第２接着層１６１が形成できる。前記第２接着層１６１が前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の上面の前記第１接着層１５８とボンディングできる。
【００７３】
図８を参照すると、レーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）工程を実施して前記基板１１０を除去することができる。
【００７４】
前記レーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程は、前記基板１１０の下面に加えられるレーザエネルギーにより前記化合物半導体層１４５と前記基板１１０とを互いに分離させる工程である。
【００７５】
一般的なレーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程では、前記レーザエネルギーによる衝撃により発光構造物の側面やエッジ（edge）領域にクラック、ひび割れなどの損傷が発生するようになる。
【００７６】
しかしながら、実施形態に従う発光素子１００では、前記レーザエネルギーによる衝撃を吸収する前記緩衝構造物１８０を形成するので、前記発光構造物１２０の側面にエッジ（edge）領域に加えられる衝撃が前記緩衝構造物１８０により吸収されて、前記発光構造物１２０にクラック、ひび割れなどの損傷が防止される効果がある。
【００７７】
前記緩衝構造物１８０は、前記レーザエネルギーを吸収するので、ひび割れやクラックなどを含むことができる。
【００７８】
図９を参照すると、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の側面と、前記伝導性支持部材１６０の上には第２保護層１６５が形成できる。
【００７９】
例えば、前記第２保護層１６５は、前記基板１１０が除去されるにつれて、露出された面に沿って蒸着工程を実施して形成できる。
【００８０】
前記第２保護層１６５は、前記レーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程により損傷できる前記第１保護層１５５を補完するために形成できる。
【００８１】
前記発光構造物１２０の下面には前記電極１７０を形成することができる。前記電極１７０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及び金（Ａｕ）からなるグループから選択された少なくとも１つを含む単層または多層構造で形成できる。
【００８２】
図１０を参照すると、チップ分離工程を実施して複数個のチップを個別チップ（１ＣＨＩＰ）単位で分離することによって、実施形態に従う発光素子１００を提供することができる。
【００８３】
前記チップ分離工程は、例えば、カッター（cutter）を使用するブレーキング工程、乾式または湿式エッチングを用いるエッチング工程、レーザを用いるレーザスクライビング（Laser Scribing）工程のうち、少なくとも１つを含むことができるが、これに対して限定するのではない。
【００８４】
前記チップ分離工程により、前記緩衝構造物１８０はチップ境界に沿って分離及び除去できる。
【００８５】
図１１は、本発明の第２実施形態に従う発光素子の断面図である。
【００８６】
第２実施形態は、緩衝構造物１８０がツェナー（Zener）素子を含むことを除いては、第１実施形態と殆ど同一である。したがって、第２実施形態で第１実施形態と同一な構成要素に対しては同一な図面番号を与えて、詳細な説明は省略する。
【００８７】
図１１を参考すると、第２実施形態に従う発光素子２００は、伝導性支持部材１６０、前記伝導性支持部材１６０の上に形成されて光を生成する発光構造物１２０、及び前記伝導性支持部材１６０の上に前記発光構造物１２０から距離（ｄ）に離隔するように形成され、前記発光素子１００の製造工程で前記発光構造物１２０の損傷を防止する少なくとも１つの緩衝構造物１８０を含む。
【００８８】
前記発光構造物１２０は、第１接着層１５８、前記第１接着層１５８の上に反射層１５７、前記第１接着層１５８及び反射層１５７の側面に拡散防止層（Diffusion Barrier Layer）１５９、前記反射層１５７の上に形成されて光を放出する多数の化合物半導体層１４５、及び前記化合物半導体層１４５に形成されて、前記伝導性支持部材１６０と一緒に前記発光構造物１２０に電源を提供する電極１７０を含むことができる。
【００８９】
前記緩衝構造物１８０及び前記発光構造物１２０は、同一な層の積層構造または同一な高さで形成できる。
【００９０】
例えば、前記緩衝構造物１８０は、前記第１接着層１５８及び多数の化合物半導体層１４５を含むことができる。
【００９１】
前記緩衝構造物１８０は、前記発光構造物１２０の側面から距離（ｄ）に離隔するように少なくとも１つが形成できる。
【００９２】
前記緩衝構造物１８０は光を生成しないことがあり、その代わり、実施形態に従う発光素子１００の製造工程で発生できる衝撃を吸収して前記発光構造物１２０の損傷を防止する役割をすることができる。即ち、前記緩衝構造物１８０を形成することによって、実施形態に従う発光素子１００及びその製造方法の信頼性が向上することができる。
【００９３】
前記伝導性支持部材１６０は、前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０を支持すると共に、前記電極１７０と一緒に前記発光構造物１２０に電源を提供することができる。
【００９４】
前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０は、同一な製造工程により同時に形成されることができ、この場合、２つの構造物の積層構造は少なくとも一部が同一である。
【００９５】
前記発光構造物１２０及び前記緩衝構造物１８０の側面及び前記伝導性支持部材１６０の上には第２保護層１６５が形成できる。具体的に、前記第２保護層１６５は、前記第１保護層１５５の側面、前記拡散防止層の側面、及び前記第２接触層１６１の上に形成できる。
【００９６】
前記発光構造物１２０と前記緩衝構造物１８０との間の前記第２接着層１６１、または前記伝導性支持部材１６０の上に絶縁層２１０が形成できる。前記絶縁層２１０は、前記発光構造物１２０の第２保護層１６５の側面、前記第２接着層１６１または前記伝導性支持部材１６０の上面、そして前記緩衝構造物１８０の第１接着層１５８及び反射層１５７の側面に形成できる。
【００９７】
前記絶縁層２１０は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、及びＭｇＦ２からなるグループから選択された少なくとも１つを含むことができる。
【００９８】
前記緩衝構造物１８０はツェナー素子を含むことができる。このために、前記緩衝構造物に第１及び第２ツェナー電極２２０、２３０が電気的に連結できる。
【００９９】
前記第１ツェナー電極２２０は、緩衝構造物１８０の第２導電型半導体層１５０に電気的に連結できる。前記第１ツェナー電極２２０は、前記緩衝構造物１８０の前記第２導電型半導体層１５０の側面に接触形成できる。前記第２導電型半導体層１５０に連結された前記第１ツェナー電極２２０は、前記発光構造物１２０の第１導電型半導体層１３０に電気的に連結できる。
【０１００】
前記第１ツェナー電極２２０は、前記発光構造物１２０の第１導電型半導体層１３０と前記緩衝構造物１８０の第２導電型半導体層１５０との間で前記第２保護層１６５と前記絶縁層２１０の上に形成できる。
【０１０１】
前記絶縁層２１０及び前記第２保護層１６５は同一材質で形成できるが、これに対して限定するのではない。
【０１０２】
前記第２ツェナー電極２３０は、前記緩衝構造物１８０の第１導電型半導体層１３０に電気的に連結できる。
【０１０３】
前記第２ツェナー電極２３０は、前記緩衝構造物１８０の第１導電型半導体層１３０及び前記伝導性支持部材１６０に電気的に連結できる。
【０１０４】
前記第２ツェナー電極２３０は、前記第２保護層１６５の上に形成され、前記第２接着層１６１を貫通して前記伝導性支持部材１６０に電気的に連結できる。
【０１０５】
前記第２保護層１６５は、前記第２ツェナー電極２３０による前記第１導電型半導体層１３０と前記第２導電型半導体層１５０の電気的なショートを防止させることができる。
【０１０６】
前記第１及び第２ツェナー電極２２０、２３０は、前記発光構造物１２０の上に形成された電極１７０と同一な材質で形成されることもでき、そうでないこともある。前記第１及び第２ツェナー電極２２０、２３０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及び金（Ａｕ）からなるグループから選択された少なくとも１つを含む単層または多層構造で形成できる。
【０１０７】
このように、前記緩衝構造物１８０はツェナー素子を含むので、大きな逆方向電圧が印加される場合、電流が緩衝構造物１８０のツェナー素子に流れるようにして電流が発光構造物１２０に流れないようにして、発光構造物１２０の破損が防止できる。
【０１０８】
図１２は、本発明の実施形態に従う発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。
【０１０９】
図１２を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージ３０は、胴体部２０、前記胴体部２０に設置された第１リード電極３１及び第２リード電極３２、前記胴体部２０の上に前記第１リード電極３１及び第２リード電極３２と電気的に連結される前記発光素子１００、及び前記胴体部２０の上に前記発光素子１００を囲むモールディング部材４０を含む。
【０１１０】
前記胴体部２０は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成できる。前記胴体部２０は、上から見て、内部に傾斜面５３を有するキャビティ（cavity）５０を有する。
【０１１１】
前記第１リード電極３１及び前記第２リード電極３２は互いに電気的に分離され、前記胴体部２０の内部を貫通するように形成できる。即ち、前記第１リード電極３１及び前記第２リード電極３２の一側端部は前記キャビティ５０の内部に配置され、他側端部は前記胴体部２０の外部面に付着されて外部に露出されるようになる。
【０１１２】
前記第１リード電極３１及び第２リード電極３２は前記発光素子１００に電源を供給し、前記発光素子１００で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、前記発光素子１００で発生した熱を外部に排出させる機能をすることもできる。
【０１１３】
前記発光素子１００は、前記胴体部２０の上に設置されるか、前記第１リード電極３１または第２リード電極３２の上に設置できる。
【０１１４】
前記モールディング部材４０は、前記発光素子１００を囲んで前記発光素子１００を保護することができる。また、前記モールディング部材４０には蛍光体が含まれ、このような蛍光体により前記発光素子１００から放出された光の波長が変化できる。
【０１１５】
実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージは、ライトユニットに適用できる。前記ライトユニットは、複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、図１３及び図１４に図示された表示装置、及び図１５に図示された照明装置を含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれることができる。
【０１１６】
図１３は、本発明の実施形態に従う表示装置の分解斜視図である。
【０１１７】
図１３を参照すると、表示装置１０００は、導光板１０４１、前記導光板１０４１に光を提供する発光モジュール１０３１、前記導光板１０４１の下に反射部材１０２２、前記導光板１０４１の上に光学シート１０５１、前記光学シート１０５１の上に表示パネル１０６１、及び前記導光板１０４１と発光モジュール１０３１と反射部材１０２２とを収納するボトムカバー１０１１を含むことができるが、これに限定されるのではない。
【０１１８】
前記ボトムカバー１０１１、反射シート１０２２、導光板１０４１、及び光学シート１０５１は、ライトユニット１０５０と定義できる。
【０１１９】
前記導光板１０４１は、前記発光モジュール１０３１から提供された光を拡散させて面光源化させる役割をする。前記導光板１０４１は透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（polymethyl metaacrylate）のようなアクリル樹脂系列、ＰＥＴ（polyethylene terephthlate）、ＰＣ（poly carbonate）、ＣＯＣ（cycloolefin copolymer）、及びＰＥＮ（polyethylene naphthalate）樹脂のうちの１つを含むことができる。
【０１２０】
前記発光モジュール１０３１は、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に配置されて前記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には表示装置の光源として作用するようになる。
【０１２１】
前記発光モジュール１０３１は少なくとも１つを含み、前記導光板１０４１の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。前記発光モジュール１０３１は、基板１０３３及び前記に開示された実施形態に従う発光素子パッケージ３０を含み、前記発光素子パッケージ３０は、前記基板１０３３の上に所定の間隔でアレイできる。前記基板は印刷回路基板（printed circuit board）でありうるが、これに限定するのではない。また、前記基板１０３３は、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ：Metal Core PCB）、軟性ＰＣＢ（ＦＰＣＢ：Flexible PCB）などを含むこともでき、これに対して限定するのではない。前記発光素子パッケージ３０は、前記ボトムカバー１０１１の側面または放熱プレートの上に搭載される場合、前記基板１０３３は除去できる。前記放熱プレートの一部は前記ボトムカバー１０１１の上面に接触できる。したがって、発光素子パッケージ３０で発生した熱は放熱プレートを経由してボトムカバー１０１１に放出できる。
【０１２２】
前記複数の発光素子パッケージ３０は、前記基板１０３３の上に光が放出される出射面が前記導光板１０４１と所定距離離隔するように搭載されることができ、これに対して限定するのではない。前記発光素子パッケージ３０は、前記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに対して限定するのではない。
【０１２３】
前記導光板１０４１の下には前記反射部材１０２２が配置できる。前記反射部材１０２２は、前記導光板１０４１の下面に入射された光を反射させて前記表示パネル１０６１に供給することによって、前記表示パネル１０６１の輝度を向上させることができる。前記反射部材１０２２は、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。前記反射部材１０２２は、前記ボトムカバー１０１１の上面でありうるが、これに対して限定するのではない。
【０１２４】
前記ボトムカバー１０１１は、前記導光板１０４１、発光モジュール１０３１、及び反射部材１０２２などを収納することができる。このために、前記ボトムカバー１０１１は、上面が開口されたボックス（box）形状を有する収納部１０１２が備えられることができ、これに対して限定するのではない。前記ボトムカバー１０１１は、トップカバー（図示せず）と結合されることができ、これに対して限定するのではない。
【０１２５】
前記ボトムカバー１０１１は金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。また、前記ボトムカバー１０１１は熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができ、これに対して限定するのではない。
【０１２６】
前記表示パネル１０６１は、例えばＬＣＤパネルであって、互いに対向する透明な材質の第１及び第２基板、そして第１及び第２基板の間に介された液晶層を含む。前記表示パネル１０６１の少なくとも一面には偏光板が付着されることができ、このような偏光板の付着構造に限定するのではない。前記表示パネル１０６１は、前記発光モジュール１０３１から提供された光を透過または遮断させて情報を表示するようになる。このような表示装置１０００は、各種の携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用できる。
【０１２７】
前記光学シート１０５１は、前記表示パネル１０６１と前記導光板１０４１との間に配置され、少なくとも一枚以上の透光性シートを含む。前記光学シート１０５１は、例えば拡散シート（diffusion sheet）、水平及び垂直プリズムシート（horizontal／vertical prism sheet）、及び輝度強化シート（brightness enhanced sheet）のようなシートのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記拡散シートは入射される光を拡散させ、前記水平または／及び垂直プリズムシートは入射される光を前記表示パネル１０６１に集光させ、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、前記表示パネル１０６１の上には保護シートが配置されることができ、これに対して限定するのではない。
【０１２８】
前記発光モジュール１０３１の光経路上には光学部材として、前記導光板１０４１及び光学シート１０５１を含むことができ、これに対して限定するのではない。
【０１２９】
図１４は、本発明の実施形態に従う表示装置を示す図である。
【０１３０】
図１４を参照すると、表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２、前記に開示された発光素子パッケージ３０がアレイ（配列）された基板１１２０、光学部材１１５４、及び表示パネル１１５５を含む。
【０１３１】
前記基板１１２０及び前記発光素子パッケージ３０は発光モジュール１１６０と定義できる。前記ボトムカバー１１５２、少なくとも１つの発光モジュール１１６０、及び光学部材１１５４は、ライトユニット（図示せず）と定義できる。
【０１３２】
前記ボトムカバー１１５２には収納部１１５３を具備することができ、これに対して限定するのではない。
【０１３３】
前記光学部材１１５４は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記導光板は、ＰＣ材質またはＰＭＭＡ（Polymethyl methacrylate）材質からなることができ、このような導光板は除去できる。前記拡散シートは入射される光を拡散させ、前記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を前記表示パネル１１５５に集光させ、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。
【０１３４】
前記光学部材１１５４は前記発光モジュール１１６０の上に配置され、前記発光モジュール１１６０から放出された光を面光源化するか、拡散、集光などを遂行するようになる。
【０１３５】
図１５は、本発明の実施形態に従う照明装置の斜視図である。
【０１３６】
図１５を参照すると、照明装置１５００は、ケース１５１０、前記ケース１５１０に設置された発光モジュール１５３０、及び前記ケース１５１０に設置されて外部電源から電源の提供を受ける連結端子１５２０を含むことができる。
【０１３７】
前記ケース１５１０は放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成できる。
【０１３８】
前記発光モジュール１５３０は、基板１５３２、及び前記基板１５３２に搭載される実施形態に従う発光素子パッケージ３０を含むことができる。前記発光素子パッケージ３０は、複数個がマトリックス形態または所定の間隔で離隔してアレイできる。
【０１３９】
前記基板１５３２は絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般印刷回路基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）、メタルコア（Metal Core）ＰＣＢ、軟性（Flexible）ＰＣＢ、セラミックＰＣＢ、及びＦＲ−４４基板などを含むことができる。
【０１４０】
また、前記基板１５３２は光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面が光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層となることができる。
【０１４１】
前記基板１５３２の上には少なくとも１つの発光素子パッケージ３０が搭載できる。前記発光素子パッケージ３０の各々は少なくとも１つのＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップを含むことができる。前記ＬＥＤチップは、赤色、緑色、青色、または白色のような可視光線帯域の発光ダイオード、または紫外線（ＵＶ：Ultra Violet）を発光するＵＶ発光ダイオードを含むことができる。
【０１４２】
前記発光モジュール１５３０は、色感及び輝度を得るために、多様な発光素子パッケージ３０の組合を有するように配置できる。例えば、高演色性（ＣＲＩ）を確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置できる。
【０１４３】
前記連結端子１５２０は、前記発光モジュール１５３０と電気的に連結されて電源を供給することができる。前記連結端子１５２０はソケット方式により外部電源に螺合して結合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、前記連結端子１５２０は、ピン（pin）形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。
【０１４４】
実施形態によれば、発光素子は発光構造物から離隔した少なくとも１つの緩衝構造物を含むことによって、レーザリフトオフ固定時に加えられる衝撃から発生する発光構造物のクラック、ひび割れなどの損傷を防止することができる。
【０１４５】
実施形態によれば、前記緩衝構造物は各エッジ領域と各側面から離隔して個別的に、または一体で配置できる。ここで、一体の意味は、前述した通りである。このように、緩衝構造物を十分に確保することによって、発光構造物のクラック、ひび割れなどの損傷を防止し、信頼性を向上させることができる。
【０１４６】
実施形態によれば、前記緩衝構造物は前記発光構造物と同一な層の積層構造を有することによって、製造工程を非常に容易に遂行することができる。
【０１４７】
実施形態によれば、化合物半導体層の側面に第１保護層が配置されることによって、前記化合物半導体層が前記伝導性支持部材と電気的にショート（short）されることを防止することができる。
【０１４８】
実施形態によれば、前記伝導性支持部材と前記化合物半導体層との間に第１及び第２接着層を形成することによって、前記化合物半導体層と前記伝導性支持部材との間の接着性能を最大限向上させることができる。
【０１４９】
実施形態によれば、前記第１及び第２接着層の上に反射層が配置されることによって、前記化合物半導体層から放出された光を上方に反射させて発光効率を向上させることができる。
【０１５０】
実施形態によれば、発光素子は緩衝構造物をアイソレーション領域の幅の略半分に該当する領域に配置することによって、レーザリフトオフ固定時に加えられる衝撃から発生する発光構造物のクラック、ひび割れなどの損傷を防止することができる。
【０１５１】
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
【０１５２】
以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数のチップ領域及びアイソレーション領域を含む基板の上に多数の化合物半導体層を形成するステップと、
前記各チップ領域に発光構造物を形成し、前記アイソレーション領域に緩衝構造物を形成するために前記化合物半導体層をエッチングするステップと、
前記発光構造物及び前記緩衝構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、
レーザリフトオフ工程を用いて前記基板を除去するステップと、
前記発光構造物を分離するステップと、を含み、
前記緩衝構造物は前記発光構造物から離隔することを特徴とする、発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物のエッジ領域から離隔した少なくとも１つの構造物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物のエッジ領域と側面から離隔した多数の構造物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物の側面に沿って平行に連続して形成された１つの構造物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記発光構造物及び前記緩衝構造物は同一な層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記発光構造物の側面に保護層を形成するステップと、
前記発光構造物の上に電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記緩衝構造物は、前記アイソレーション領域の幅の半分に該当する領域に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
伝導性支持部材上で各発光構造を定義する複数のチップ領域と、
前記伝導性支持部材上で前記チップ領域の間を定義するアイソレーション領域と、
前記アイソレーション領域に配置された少なくとも１つの緩衝構造物と、を含み、
前記発光構造物および前記緩衝構造物は、第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層を含む発光素子。
【請求項９】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物のエッジ領域と側面から離して、個別に配置される請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物の各エッジ領域と各側面から離して、前記各側面に沿って連続的につながるように配置される請求項８に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記発光構造物および前記緩衝構造物の間の距離は５μｍないし５０μｍである請求項８に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記緩衝構造物の幅は５μｍないし３０μｍである請求項８に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記発光構造物は、
前記第１導電型半導体層、前記活性層および前記第２ 導電型半導体層の側面に第１保護層をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記発光構造物と前記緩衝構造物は、
前記伝導性支持部材上に第１接着層と、
前記第１接着層上に第２接着層と、
前記第２接着層上に反射層と、
前記第２接着層の側面および前記反射層の面に拡散防止層と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記発光構造物の側面および前記緩衝構造物の側面に形成された第２保護層をさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記緩衝構造物は、前記アイソレーション領域の幅の半分に該当する領域に配置されている請求項８に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記アイソレーション領域の幅は５μｍないし１００μｍである請求項１６に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物のエッジ領域と側面から離して、一体に配置される請求項８に記載の発光素子。
【請求項１】
多数のチップ領域及びアイソレーション領域を含む基板の上に多数の化合物半導体層を形成するステップと、
前記各チップ領域に発光構造物を形成し、前記アイソレーション領域に緩衝構造物を形成するために前記化合物半導体層をエッチングするステップと、
前記発光構造物及び前記緩衝構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、
レーザリフトオフ工程を用いて前記基板を除去するステップと、
前記発光構造物を分離するステップと、を含み、
前記緩衝構造物は前記発光構造物から離隔することを特徴とする、発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物のエッジ領域から離隔した少なくとも１つの構造物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物のエッジ領域と側面から離隔した多数の構造物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物の側面に沿って平行に連続して形成された１つの構造物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記発光構造物及び前記緩衝構造物は同一な層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記発光構造物の側面に保護層を形成するステップと、
前記発光構造物の上に電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記緩衝構造物は、前記アイソレーション領域の幅の半分に該当する領域に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
伝導性支持部材上で各発光構造を定義する複数のチップ領域と、
前記伝導性支持部材上で前記チップ領域の間を定義するアイソレーション領域と、
前記アイソレーション領域に配置された少なくとも１つの緩衝構造物と、を含み、
前記発光構造物および前記緩衝構造物は、第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層を含む発光素子。
【請求項９】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物のエッジ領域と側面から離して、個別に配置される請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物の各エッジ領域と各側面から離して、前記各側面に沿って連続的につながるように配置される請求項８に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記発光構造物および前記緩衝構造物の間の距離は５μｍないし５０μｍである請求項８に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記緩衝構造物の幅は５μｍないし３０μｍである請求項８に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記発光構造物は、
前記第１導電型半導体層、前記活性層および前記第２ 導電型半導体層の側面に第１保護層をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記発光構造物と前記緩衝構造物は、
前記伝導性支持部材上に第１接着層と、
前記第１接着層上に第２接着層と、
前記第２接着層上に反射層と、
前記第２接着層の側面および前記反射層の面に拡散防止層と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記発光構造物の側面および前記緩衝構造物の側面に形成された第２保護層をさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記緩衝構造物は、前記アイソレーション領域の幅の半分に該当する領域に配置されている請求項８に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記アイソレーション領域の幅は５μｍないし１００μｍである請求項１６に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記緩衝構造物は、前記発光構造物のエッジ領域と側面から離して、一体に配置される請求項８に記載の発光素子。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１１−１８７９５７（Ｐ２０１１−１８７９５７Ａ）
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４９８９７（Ｐ２０１１−４９８９７）
【出願日】平成２３年３月８日（２０１１．３．８）
【出願人】（５１０１１０３０１）エルジー イノテック カンパニー リミテッド (101)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月８日（２０１１．３．８）
【出願人】（５１０１１０３０１）エルジー イノテック カンパニー リミテッド (101)
【Ｆターム（参考）】
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