【課題】単結晶の半導体層を支持基板上に転写し、転写された層がもはや脆化注入によって生成される可能性のある結晶欠陥を含まない方法を提供する。
【解決手段】単結晶の半導体層３を支持基板上に転写する方法に関し、（ａ）ドナー基板３１に注入種を注入するステップと、（ｂ）ドナー基板３１を支持基板に接合するステップと、（ｃ）層３を支持基板上に転写するためにドナー基板３１を破壊するステップと、前記単結晶の層３の第２の部分３５の結晶格子の秩序を乱すことなしに、転写されるべき単結晶の層３の部分３４が非晶質にされるステップであり、部分３４、３５が、それぞれ、単結晶の層３の表面部分および埋め込み部分であるステップと、非晶質の部分３４が５００℃未満の温度で再結晶化されるステップであり、第２の部分３５の結晶格子が再結晶化のための種結晶として働くステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを効率よく製造するために、基体の種類の如何を問わずに効率よく半導体ウエハを製造することができる半導体ウエハの製造方法、ならびにかかる製造方法に好適に用いられる複合基体および複合基板を提供する。
【解決手段】本半導体ウエハの製造方法は、基体１０上に、表面のＲＭＳ粗さが１０ｎｍ以下の基体表面平坦化層１２を形成して複合基体１を得る工程と、複合基体１の基体表面平坦化層１２側に半導体結晶層２０ａを貼り合わせて複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃを得る工程と、複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃの半導体結晶層２０ａ上に少なくとも１層の半導体層３０を成長させる工程と、基体表面平坦化層１２をウェットエッチングで除去することにより、基体１０から半導体結晶層２０ａを分離して、半導体結晶層２０ａおよび半導体層３０を含む半導体ウエハ５を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製
方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を
有する基材に貼りつけられたＯＬＥＤを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけら
れた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとし
て機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向
に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向
と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面
を有するディスプレイを実現するものである。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】１３族窒化物からなる第１の基板と、セラミックスからなる第２の基板とを貼り合わせた複合基板につき、放熱性をよくすると共に製造時の製造時のプロセスを簡単にする。
【解決手段】セラミックスからなる第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３を形成し（ｃ）、この金属膜２３を介して１３族窒化物からなる第１の基板２１と第２の基板１２とを接合する（ｄ）。金属膜２３は一般に酸化膜と比べて熱伝導率が高いため、こうすることで酸化膜を介して第１の基板２１と第２の基板１２とを接合した場合と比べて放熱性のよい複合基板１０を得ることができる。また、酸化膜を用いないため外方拡散の工程が不要となり、プロセスが簡単になる。 （もっと読む）

【課題】マーキングにかかる時間を短縮でき、かつ下地基板の製造履歴を簡便に追跡できる識別符号を有する自立した窒化物半導体ウェハを提供する。
【解決手段】識別符号１２が付された下地基板１１上に窒化物半導体層１３を成長させ、その窒化物半導体層１３を下地基板１１から分離して得られる自立した窒化物半導体ウェハにおいて、窒化物半導体層１３は、その成長時に識別符号１１が転写された転写識別符号１６を有する窒化物半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】 基板と半導体膜を分離する技術に関し、汎用性の高い分離技術を提供する。
【解決手段】 半導体膜の製造方法であり、成膜工程と照射工程と剥離工程を有する。成膜工程では、基板２０と半導体膜４の界面に空間２４が散在している状態で半導体膜４を成長させる。照射工程では、基板と半導体膜の双方を透過する波長のレーザ光４０を界面に向けて照射する。このレーザ照射によって、半導体膜を加熱せずに基板と半導体膜の接着力を低下させることができる。基板から半導体膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】 低コストで、優れた性能をもつシリコン系薄膜を提供するために、タクトタイムが短くて、高速の成膜速度で特性のすぐれたシリコン系薄膜と、それを含む半導体素子。さらにこのシリコン系薄膜を用いた密着性、耐環境性などに優れた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｉ型半導体層と前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面領域であって前記ｉ型半導体層と前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面から１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の界面領域の微結晶が（１００）面に優先配向しており、前記ｉ型半導体層の層厚方向における前記微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合である（２２０）面の配向性が前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層又は前記ｎ型半導体層側では小さく、前記下地層から離れるに伴って大きくなるように変化する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１は、炭化珪素からなるベース層１０と、単結晶炭化珪素からなり、ベース層１０上に配置され、ベース層１０よりも不可避不純物の濃度が低いＳｉＣ層２０と、炭化珪素からなり、ベース層１０の、ＳｉＣ層２０とは反対側の主面１０Ｄ上に形成され、ベース層１０よりも不可避不純物の濃度が低い被覆層９０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体からなる第１の基板と、第２の基板との接合強度が高い複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の複合基板の製造方法は、窒化物系化合物半導体からなるバルク基板の表面からイオン注入を行なうステップと、該バルク基板と第２の基板とを貼り合わせることにより貼り合わせ基板を得るステップと、貼り合わせ基板を第１温度まで昇温するステップと、該第１温度を一定時間保持するステップと、該バルク基板の一部である第１の基板が第２の基板上に残るように、バルク基板の他の部分を前記貼り合わせ基板から分離することにより複合基板を生成するステップとを含み、第１温度をＴ₁℃とし、第１の基板の熱膨張係数をＡ×１０^-6／℃とし、第２の基板の熱膨張係数をＢ×１０^-6／℃とすると、下記式（Ｉ）を満たすことを特徴とする。
２１５≦１０（Ａ−Ｂ）²−１０（Ａ−Ｂ）＋Ｔ₁≦４１０ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】本発明は、信頼性が向上し、発光構造物のクラック及びひび割れなどの損傷を防止し、発光効率を向上させる発光素子の製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子の製造方法は、多数のチップ領域及びアイソレーション領域を含む基板の上に多数の化合物半導体層を形成するステップと、前記各チップ領域に発光構造物を形成し、前記アイソレーション領域に緩衝構造物を形成するために前記化合物半導体層をエッチングするステップと、前記発光構造物及び前記緩衝構造物の上に伝導性支持部材を形成するステップと、レーザリフトオフ工程を用いて前記基板を除去するステップと、前記発光構造物を分離するステップと、を含み、前記緩衝構造物は前記発光構造物から離隔する。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド薄膜構造は、基板と、基板の主方位面の一部を覆うマスク材と、基板の主方位面の表面からエピタキシャル成長するダイヤモンド薄膜とで構成されるダイヤモンド薄膜構造であって、ダイヤモンド薄膜は、マスク材の上に形成され、ダイヤモンド薄膜の結晶方位は基板の結晶方位とそろっており、基板の主方位面の一部にストライプ状の溝が形成され、マスク材は、ストライプ状の溝を覆うように配置されている。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板に光センサ、光電変換素子、太陽電池素子を有する半導体装置を作成する。
【解決手段】第１の基板上１０１に金属膜１０２、絶縁膜１０３及び非晶質半導体膜を順に形成し、前記金属酸化物膜１００及び前記非晶質半導体膜を結晶化し、該結晶化された半導体膜を活性領域に用いて第１の半導体素子を形成した後、前記第１の半導体素子上に粘着材を用いて支持体を接着し、前記金属膜と前記絶縁膜との間で剥離し、前記剥離された絶縁膜に第２の基板１１５を接着したのち、前記第１の粘着材１１６を除去して前記支持体を剥離し、前記第１の半導体素子上に非晶質半導体膜を形成し、該非晶質半導体膜を活性領域に用いる第２の半導体素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】反りが小さいイオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板、ならびにかかる基板を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本イオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板２は、両主面２０ａ，２０ｂ側に両主面２０ａ，２０ｂからそれぞれ所定の深さＤａ，Ｄｂで形成されているイオン注入領域２０ｉａ，２０ｉｂを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。
【解決手段】 金属層または窒化物層からなる第１の材料層と酸化物層からなる第２の材料層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現する。 （もっと読む）

【課題】セレン含有半導体物質及び相変化合金の製造に使用するためのヒドラジンを含まず、ヒドラジニウムを含まないセレン含有インクを提供する。
【解決手段】液体媒体中に安定に分散されたセレンを含むセレンインクであり、当該セレンインクはヒドラジンを含まず、ヒドラジニウムを含まない。このセレンインクを製造する方法、およびこのセレンインクを使用して、様々なカルコゲナイド含有半導体物質、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）；および、光応答デバイス（例えば、エレクトロフォトグラフィ（例えば、レーザープリンタおよびコピー機）、整流器、写真用露出計および太陽電池）、並びに、カルコゲナイド含有相変化メモリデバイスの製造に使用するための基体上にセレンを堆積する方法。 （もっと読む）

本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層（ＴＣＣ）としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス（例えば、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₄などといった）からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗（例えば、１５０オーム／スクウェア未満でかつドープされているときより低い）および高い透過係数（transmission value）（例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて）を示してもよい。
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【課題】格子不整合系基板を使用しながら、高品質な単結晶窒化物半導体の結晶成長を実現する半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の表面にグラフェン層１１０を設ける工程と、グラフェン層１１０の炭素原子の配列を示すハニカム構造の中心に、単結晶半導体層の結晶を構成する一の元素を吸着させる工程と、この一の元素に前記結晶を構成する当該元素とは異なる他の元素を結合させ、前記結晶の第１層１１４を形成する工程と、前記第１層の表面にさらに所定の層数の前記結晶半導体層を結晶成長する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】熱を効率的に外部に放出することができるとともに、製造コストを抑えることができる半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層と、半導体層上に設置されたヒートシンクとを備え、ヒートシンクは、高熱伝導率層と低熱膨張率層と高熱伝導率層とがこの順序で積層された積層構造体、または低熱膨張率層と高熱伝導率層と低熱膨張率層とがこの順序で積層された積層構造体を含み、積層構造体の厚み方向の中央部から上方の部分と積層構造体の厚み方向の中央部から下方の部分とが積層構造体の厚み方向の中央部に関して対称となっている半導体デバイスとその製造方法である。 （もっと読む）