【課題】発光層の内部量子効率を向上できて高出力化が可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用の単結晶基板１の一表面側に第１のバッファ層２が形成され、第１のバッファ層２の表面側にｎ形窒化物半導体層３が形成され、ｎ形窒化物半導体層３の表面側に第２のバッファ層４を介して第３のバッファ層５が形成され、第３のバッファ層５の表面側に発光層６が形成され、発光層６の表面側にｐ形窒化物半導体層７が形成されている。第３のバッファ層５は、発光層６の貫通転位および残留歪みを低減するとともに発光層３の下地の平坦性を向上させ、さらには当該第３のバッファ層５で生成されたキャリアを利用して発光層６のピエゾ電界を緩和するために設けたものであり、ドナーとなる不純物としてＳｉを添加してある。 （もっと読む）

【課題】実用レベルの発光素子を与えるに十分な低い抵抗率で且つｎ型ＺｎＯと接合したとき優れたダイオード特性を示すｐ型ＺｎＯ単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】ドーパントとして窒素とＩＢ族元素とを含有し，ＩＢ族元素がＣｕ及びＡｇより選ばれる少なくとも１種であり，温度２０℃における抵抗率が０．１〜２０Ω・ｃｍである，ｐ型単結晶ＺｎＯ，並びに，化学気相成長法によるｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法であって，（ａ）（０００１）面を表面とする単結晶ＺｎＯ基板を加熱しつつ，基板の表面にＺｎ源ガス，Ｏ源ガス，アンモニア並びに，Ｃｕ及びＡｇより選ばれるＩＢ族元素源ガスを供給して基板上に，窒素及びＩＢ族元素をｐ型ドーパントとして含んだ単結晶ＺｎＯを成長させるステップと，（ｂ）ｐ型ドーパントを含んだ単結晶ＺｎＯをＯ源ガスの存在下にアニールするステップを含んでなる，ｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に作製され良好な発光特性の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａの支持基体１３は、六方晶系ＧａＮからなる。支持基体１３は、半極性面の主面１３ａを有しており、この主面は、該六方晶系ＧａＮのｃ面から１０度〜４０度の範囲内のオフ角度で所定のオフ方向に傾斜している。窒化ガリウム系半導体積層１５ａは支持基体１３の主面１３ａ上に設けられている。窒化ガリウム系半導体積層１５ａは、第１の窒化ガリウム系半導体領域２１ａ、第２の窒化ガリウム系半導体領域２３ａ、及び活性層２５ａを含む。窒化ガリウム系半導体積層１５ａの表面Ｓ_１５ａは、オフ方向に交差する方向に延びる複数の突起を有する。これらの突起は、支持基体１３上に成長された活性層の結晶品質を反映している。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減させるとともに出力を向上させることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、積層半導体層と、透明電極層１７と、ｐ型電極パッド１８と、ｎ型電極パッド１９とを具備してなり、平面視形状が四辺形であり、透明電極層１７がＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｎｉのいずれか一種以上を含む透明導電性酸化物から構成され、ｐ型電極パッド１８とｎ型電極パッド１９の端間距離ｍが０．７Ｌ＜ｍ（Ｌはｐ型電極パッド１８とｎ型電極パッド１９の重心Ｏ_１、Ｏ_２同士を結ぶ直線ｎ上における透明電極層１７の長さからｐ型電極パッド１８の外径ｄを引いた長さ）を満たすとともに、長辺の長さをＸとし、短辺の長さをＹとしたときに、１．５≦Ｘ／Ｙを満たすＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１を採用する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いLED構造の作製可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用基板2は、凹凸形状の主表面3aを有する単結晶基板3と、単結晶基板3上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第１表面4aを有する第１のIII族窒化物結晶からなる下地層4と、下地層4上に、エピタキシャル成長により形成された、第２のIII族窒化物結晶からなる中間層5とを少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダブルへテロ構造とは異なる、光閉じ込め係数Γの大きい、新規な素子構造を有する半導体発光素子を提供することを提供すること。
【解決手段】絶縁膜上に光共振器、該光共振器の両側にそれぞれ配置されたｐ電極及びｎ電極を具備する半導体発光素子であって、前記光共振器は、発光波長よりも狭い間隔を隔てて並置された第１及び第２の半導体細線、これら半導体細線の両端部にそれぞれ設けられた光共振器ミラー、及び前記第１及び第２の半導体細線間に配置され、それぞれた前記第１及び第２の半導体細線に電気的に接続された複数の半導体超薄膜を備え、前記第１の細線は前記ｐ電極に、前記第２の細線は前記ｎ電極にそれぞれ電気的に接続され、電流注入により前記半導体超薄膜からレーザ発振を生ずることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造プロセスにおいて、あるいは又、発光素子の動作時、安定した挙動を示す第２電極を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層１１、第１化合物半導体層１１上に形成され化合物半導体から成る活性層１２、活性層１２の上に形成された、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層１３、第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１５、及び、第２化合物半導体層１３上に形成された第２電極１４を備えており、第２電極１４は、チタン酸化物から成り、４×１０²¹／ｃｍ³以上の電子濃度を有し、活性層で発光した光を反射する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐圧を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体層からなる井戸層２１を形成する工程と、井戸層２１上に窒素および全キャリアガス流量に対して２％以上の割合の水素を含有するキャリアガスを用いてバリア層２３を形成する工程と、を含むＭＱＷ活性層２４を形成する工程を有する発光素子の製造方法である。本発明によれば、ＭＱＷ活性層２４内のバリア層２３を窒素および全キャリアガス流量に対して２％以上の割合の水素を含有するキャリアガスを用いて成長するため、ＥＳＤ耐圧を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】表示装置としての発光効率の向上および表示ムラの低下。
【解決手段】マトリクス（行列）状に形成された複数の画素を有する表示装置であって、前記表示装置は、基板３０、複数の画素電極３２、および対向電極３７を有し、各画素は、１つの画素電極３２と、対向電極３７と、複数の粒子状発光ダイオード２２とを備え、複数の粒子状発光ダイオード２２は、前記１つの画素電極３２の上にランダムに散布されており、複数の粒子状発光ダイオード２２の各々は、III族−Ｖ族窒化物からなる結晶性半導体からなり、この結晶性半導体が、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体からなる。 （もっと読む）

【課題】ハイパワーでの安定した発光が可能であり、照明用途にも適した半導体発光素子および半導体発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子１０は、第一導電型クラッド層２４を含む第一導電型半導体層２７、活性層構造２５、および第二導電型クラッド層２６を含む第二導電型半導体層２８を有する薄膜結晶層と、第一導電型半導体層２７にキャリアを注入する第一導電型側電極５６と、第二導電型半導体層２８にキャリアを注入する第二導電型側電極５１とを有する。薄膜結晶層の第一導電型半導体層側から第二導電型半導体層側へ向かう方向を正方向としたとき、第一導電型側電極５６の正方向側端を基準とした第二導電型側電極５１の正方向側端との高低差がＨ_Dが−１．０μｍ以上＋１．０μｍ以下であり、かつ、第二導電型側電極５１の厚みＴ_2tが１．４μｍ以上５．０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なｐ型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と該第１ｐ型層より上に第２ｐ型層とを有し、前記第１ｐ型層のキャリア濃度は５×１０^１６〜３×１０^１７／ｃｍ^３、前記第２ｐ型層のキャリア濃度は７×１０^１８〜３×１０^１９／ｃｍ^３であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。このため、アクセプタドープ層にアクセプタ元素を十分取り込むことができるとともに、アクセプタドープ層の表面平坦性は良くなる。 （もっと読む）

【課題】オフ角ばらつきの小さい、窒化物半導体基板を製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上に窒化物半導体層２を形成し、前記サファイア基板１から分離した前記窒化物半導体層２を用いて自立した窒化物半導体基板３を作製する窒化物半導体基板の製造方法において、前記サファイア基板１表面の各点におけるＣ軸の半径方向外方への傾きの最大値と最小値との差であるＣ軸の傾きのばらつきが、０.３°以上１°以下である。 （もっと読む）

【課題】従来のエピタキシャルウェーハに比べて、結晶性が良好であり、また発光輝度を向上させることができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、エピタキシャル成長によってｎ型層１２と、該ｎ型層１２上にｐ型層１３とを形成し、該エピタキシャル成長の際に、少なくとも前記ｎ型層１２および前記ｐ型層１３形成時に窒素ドープ用ガスを、前記ｐ型層１３形成時にｐ型ドーパントドープ用ガスを導入するエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記ｎ型層１２および前記ｐ型層１３として、ＧａＡｓＰまたはＧａＰを形成し、前記ｐ型層１３を、少なくとも第１ｐ型層１３ａ形成後に、該第１ｐ型層１３ａよりキャリア濃度の高い第２ｐ型層１３ｂを形成し、前記第１ｐ型層１３の成長途中から少なくとも前記第２ｐ型層１３ｂの成長終了までの間に、前記窒素ドープ用ガスの導入量を０ｓｃｃｍまで徐々に減少させる。 （もっと読む）

【課題】直流低電圧での高輝度発光が可能で、フルカラー方式を適用した際に色純度の高いＲ、Ｇ、Ｂ光を得ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子１０は、発光層１３と、発光層１３に電流を注入する一対の電極１２、１４と、を備えている。発光層１３は、ＧａＮ系半導体粒子２１を含んでおり、ＧａＮ系半導体粒子２１の表面の少なくとも一部に、波長４７０ｎｍ〜８００ｎｍの光の少なくとも一部を吸収する光吸収膜２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】良好な品質のエピタキシャル成長層を備えるエピタキシャル層付き基板、半導体素子およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】この発明に従ったエピタキシャル層付き基板１０は、ＩＩＩ族窒化物からなるベース基板（ＩＩＩ族窒化物基板）としてのＧａＮ基板１と、ＧａＮ基板１の表面上に形成されたエピタキシャル成長層５とを備える。ＧａＮ基板１とエピタキシャル成長層５との界面における１ｃｍ³当りのシリコン（Ｓｉ）原子の個数は１×１０²⁰以下である。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ安価に形成することのできる構造を用いて光取り出し効率を高めたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１０は、結晶成長面側にウェットエッチングによりＶ溝を形成した単結晶基板１１上に、ｎ型層１２−１とｐ型層１２−２とを含む複数のＧａＮ系半導体結晶層をｐ型層が最上層となるようにエピタキシャル成長させて積層することにより形成された半導体膜１２を有し、半導体膜１２は、前記Ｖ溝の近傍に形成された、部分的に増加した膜厚と粗化された表面とを有する異常成長部１２ａを有しており、半導体膜１２の表面には、異常成長部１２ａから離れた部位に、ｐ型層１２−２に対するオーミック電極１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めたＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造に好適に用いられる単結晶基板と、その単結晶基板を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子製造用の単結晶基板は、結晶成長面側に、ウェットエッチングにより形成され、割り溝として利用可能なＶ溝が形成された領域であるＷＳラインと、ＧａＮ系半導体結晶のエピタキシャル成長層により平坦に埋め込むことが可能な凹凸面に加工された領域であるＰＳＳ領域と、前記ＷＳラインと前記ＰＳＳ領域とに挟まれた未加工領域であるＷＳスペースと、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子を並列接続させた場合における、複数の発光素子間に生じる光量のばらつきを抑制することができる光源等を提供する。
【解決手段】本実施の形態が適用される光源は、複数のＬＥＤチップ１０を電気的に並列接続したものである。複数のＬＥＤチップ１０を構成する各々のＬＥＤチップ１０は、基板１１、シード層１２、ｎ型半導体層１４、発光層１５およびｐ型半導体層１６を備えている。さらに、ｎ型半導体層１４には、シード層１２の上に直接積層される下地層１４ａが含まれている。そして、シード層１２は、III族窒化物化合物半導体であり、その膜厚が２１ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、スパッタ法によって成膜されている。さらに、下地層１４ａは、（０００２）面のロッキングカーブ半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり（１０−１０）面のロッキングカーブ半値幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下であるIII族窒化物化合物半導体である。 （もっと読む）