【課題】障壁層にドーピングされたＭｇの拡散を防ぐことができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板上にバッファ層、Ｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体発光素子において、上記活性層は、複数の障壁層と複数の井戸層が交互に配列された多重量子井戸構造を有し、上記複数の障壁層のうち少なくとも１つの層は、ｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型ドープ障壁層と上記ｐ型ＧａＮ層の少なくとも片側にアンドープ障壁層を有する第１障壁層を具備する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型のキャリア濃度を低減できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法である。まず、種基板を準備する準備工程（Ｓ１０）を実施する。そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物半導体のｃ軸に平行な面を主表面とした結晶基板を用い、より高い結晶品質のエピタキシャル成長薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】結晶基板１０１は、ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物より構成され、ｃ軸１１１に平行な結晶面に略平行な基板面（主表面）１０２を備え、基板面１０２は、全域にわたって、ｃ軸１１１に垂直で基板面１０２を通る軸を中心として同一方向に回転している。例えば、結晶基板１０１は、ＧａＮの結晶基板であり、基板面１０２は、ｃ軸１１１に平行な結晶面であるＭ面１０３に略平行とされ、全域にわたって、ｃ軸１１１に垂直な仮想のｓ軸１１２を中心として、同一方向に０．４°回転している。 （もっと読む）

【課題】色のばらつきに対する安定性に優れ、経時的変化に対する色の安定性が確保された照明装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子３と、白色樹脂からなり、半導体発光素子３を収納する凹部３１ｂが上面３１ａに開口されてなり、半導体発光素子３からの光を出射させるリフレクタ３１と、リフレクタ３１の凹部３１ｂに充填されて半導体発光素子３を覆うように形成され、半導体発光素子３が発する光を吸収してより長波長の光を発する蛍光体及び透明樹脂からなる蛍光体含有樹脂層２とを備え、蛍光体の真密度が３ｇ／ｃｍ^３以上４．７ｇ／ｃｍ^３以下の範囲とされるとともに質量平均粒径が７μｍ以上１５μｍ以下の範囲とされ、蛍光体含有樹脂層２は、その上面２ｃが上面３１ａよりも凹んでおり、その凹み量ｄが上面３１ａから−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定されている照明装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。また、ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ４）と井戸層３７ａの（０００１）面との傾斜角Ｂは０．０５度以上であり、傾斜角Ｂは２度以下である。傾斜角Ａ及び傾斜角Ｂは、ＧａＮ支持基体のｃ面に対して互いに逆方向に傾斜している。 （もっと読む）

ｎ型導電半導体層（２１）およびｐ型導電半導体層（２２）を備えている半導体ボディ（２）を開示する。ｐ型導電半導体層（２２）はｐ型ドーパントを含んでおり、ｎ型導電半導体層（２１）はｎ型ドーパントおよびさらなるドーパントを含んでいる。さらに、半導体ボディを製造する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る発光装置は、高い駆動電圧、低い駆動電流で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】複数の三角形状の発光ダイオード素子を直列に接続した第１の発光ダイオードアレイと、複数の三角形状の発光ダイオード素子を直列に接続した第２の発光ダイオードアレイと、前記第１の発光ダイオードアレイと前記第２の発光ダイオードアレイは、それぞれ、複数の発光ダイオード素子列に分割されて交互に並列に矩形状に配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を基板に貼り付けて製造する半導体複合装置の製造方法において、素子分離された個別半導体素子を上記基板上に高い位置精度でかつ容易に形成できるようにする。
【解決手段】半導体複合装置の製造方法は、薄膜の半導体薄膜１２０を、該半導体薄膜１２０の貼り付け面と基板３０１上に設けた導通層３０２の表面との間の分子間力により、該基板３０１に貼り付ける工程と、上記半導体薄膜１２０を上記基板３０１上で一括して個別の半導体素子（発光素子）５０１に素子分離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、入射光や出射光が電極間の配線に遮られないようにしたＧａＮ系半導体を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。各ＧａＮ系半導体素子Ｄのｐ側透明電極８及びｎ電極７が半導体素子Ｄの光の取り出し面又は受光面側に形成される。各電極を接続する配線１２、１３の一部は、ｐ側透明電極８と同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。
【解決手段】サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該サファイア基板表面にシード層としてスパッタ法で堆積されたＡｌＮ結晶膜を有し、そのＡｌＮ結晶膜は、結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。好適には、ＡｌＮ結晶膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が２Å以下であるのが好適である。さらに、ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量は５原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】0.9〜1.2μｍの中心波長の光を発光する、高出力化可能な光半導体素子を得る。
【解決手段】 GaAs基板1と、該GaAs基板1の上方に設けられた、InGaAsからなる２層以上の量子井戸層を有する多重量子井戸構造5とを備えてなる、発光ストライプ幅が４μｍ以下の光半導体素子において、レーザ発振を抑制するレーザ発振抑制機構を有し、多重量子井戸構造5に、少なくとも、1.05μｍ以上の第１の中心波長の光を発光する量子井戸層5a₁と、第１の中心波長とは異なる第２の中心波長の光を発光する量子井戸層5a₂と、該量子井戸層間に設けられた、30ｎｍ以上、50ｎｍ以下の厚みの、GaAs基板に格子整合する組成の障壁層5bとを備える構成とする。 （もっと読む）

平面酸化亜鉛系エピタキシャル層、付随ヘテロ構造、およびデバイスを形成する方法が提供される。本発明の一実施形態によると、酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法は、ｍ平面または微斜面ｍ平面ウルツ鉱基板を提供するステップと、金属有機化学蒸着を使用して、基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によると、本方法は、基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱するステップを含み得る。
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【課題】特に発光への寄与率の高い、最もｐ層側の井戸層のピエゾ電界を結晶性を悪化させることなく、効率的に低減し、発光効率の高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層を有する発光ダイオードにおいて、活性層とｐ型窒化物半導体層の間にＩｎを含む窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード構造に関する。 （もっと読む）

【課題】光度の高いＬＥＤランプを提供すること。
【解決手段】樹脂製リフレクタを備えるＬＥＤランプの製造方法において、樹脂製リフレクタが形成するキャビティの中に充填される熱硬化性封止樹脂の硬化工程を、不活性ガス雰囲気下、還元雰囲気下又は真空雰囲気下で実施する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型窒化物系半導体層を再現性よく高活性化することが可能な窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による窒化物系半導体素子の製造方法は、基板１上に、少なくとも一層の窒化物系半導体層（２，３）を形成する工程と、窒化物系半導体層（２，３）上に、マグネシウムをドープしたｐ型窒化物系半導体層４を形成する工程と、ｐ型窒化物系半導体層４を窒素雰囲気中において８００〜９２０℃でアニーリングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数のＧａＮ系発光ダイオード素子を形成してなる発光装置であって、前記複数の発光素子が前記絶縁基板上に一体として形成され、直列に接続されていることを特徴とする発光装置を提供する。また、複数の発光ダイオード素子は、前記絶縁基板上にニ次元配置されていてもよい。また、複数の発光ダイオード素子は２つの組に分けられ、前記２つの組は２個の電極に互いに反対極性となるように並列接続されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体の単結晶基板の両面に、III族極性の発光素子を作製することが可能な発光素子用基板、およびそれを具備し、１素子当たりの電流注入量を低下させ、また1素子のサイズを大きくすること無く高輝度化した発光装置を提供する。
【解決手段】 III族極性を示す第１の主面１ａと、Ｎ極性を示す第２の主面１ｂと、を有する窒化物半導体の単結晶基板１と、前記第２の主面１ｂ上に設けられ、化学式Ｇａ_1-x-yＡｌ_xＩｎ_yＮ（ただし、０＜ｘ≦１，０＜ｘ＋ｙ≦１，０≦ｙ＜０．１である）で表される極性反転層２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ドナー元素を含む半導体層を備えた半導体素子を形成する場合に、このドナー元素が上層に拡散することを抑制することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上にＧａドープＭｇＺｎＯ層、アンドープＭｇＺｎＯ層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層、アンドープ活性層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層と積層した積層体でＧａの拡散を分析した。アンドープＭｇＺｎＯ層の次の窒素ドープＭｇＺｎＯ層で、拡散してきたＧａの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープＭｇＺｎＯ層の上層にＧａは拡散していない。このように、ドナー元素を含む同一組成のドナー含有半導体層の一部に、アクセプタ元素を含み前記ドナー含有半導体層と同一組成のアクセプタ含有半導体層を形成することで、ドナー元素の拡散を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 フォトニック結晶構造を用いて外部量子効率を向上させるにあたって、凹凸の高さを低減して、結晶欠陥に起因する非発光準位の発生を抑制することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の半導体結晶層が積層されてなり、発光層１２を備える発光素子２と、発光素子２の一方の主面２１側に配置され、発光素子２を支持する支持基板３と、金属膜４とを備え、発光素子２の前記一方の主面部には、発光層１２からの光を他方の主面２２の側に反射するフォトニック結晶構造体２３が形成されており、発光素子２の一方の主面２１が、前記金属膜４によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】長波長の発光を提供でき小さなブルーシフトを示す構造の発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系発光ダイオード１１では、窒化ガリウム基板１３の主面１３ａは半極性を示しており、また該六方晶系窒化ガリウムの（０００−１）面に対して１８度以上２８度以下の角度θで所定の方向に傾斜している。活性層１９は量子井戸構造２３を有しており、量子井戸構造２３は、Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．２＜Ｘ＜１）からなる井戸層２５ａと窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２５ｂとを含む。活性層１９は、５１０ｎｍ以上の波長範囲にピーク波長を有する光を生成する。井戸層２５ａは、井戸層２５ａのＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮの（０００−１）面に対して傾斜した所定の平面（Ｘ軸及びＹ軸によって規定される平面）に沿って延びている。 （もっと読む）