【課題】ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置を提供する。
【解決手段】基板側からＮ型半導体層、活性層、Ｐ型半導体層およびＩＴＯ層が順次積層した少なくとも一つの発光セルを有する発光ダイオードであって、前記ＩＴＯ層は、底部が前記Ｐ型半導体層に達する接点溝と、前記接点溝に充填された接点接続部と、を有し、前記Ｐ型半導体層は前記接点部の底部に、前記Ｐ型半導体層と前記接点接続部との間の電流の流れを遮断する電流遮断層を有することを特徴とするＩＴＯ層を有する発光ダイオードを提供する。 （もっと読む）

【課題】第二ｎ型半導体層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ｃを積層する第一工程と、前記第一ｎ型半導体層１２ｃ上に前記第一ｎ型半導体層１２ｃの再成長層１２ｄと第二ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二ｎ型半導体層１２ｂを積層する工程において、前記再成長層１２ｄ形成時よりも少量の前記Ｓｉをドーパントとして供給することにより第二ｎ型半導体層第一層を形成する工程（１）と、前記Ｓｉを前記工程（１）よりも多く供給することにより第二ｎ型半導体層第二層を形成する工程（２）と、をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子１の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率及び高い降伏電圧Ｖｒを備えるとともに、降伏電圧Ｖｒのロット間ばらつきが低減された半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１のクラッド層と、平均ドーパント濃度が第１のクラッド層よりも低い第２のクラッド層と、平均ドーパント濃度が２×１０^１６ｃｍ^−３〜４×１０^１６ｃｍ^−３であって（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_ｘＩｎ_１−ｘＰ（0＜ｘ≦1、0≦ｙ≦1）からなる活性層と、第３のクラッド層と、Ｇａ_１−ｘＩｎ_ｘＰ（0≦ｘ＜1）からなる第２導電型半導体層と、有し、第２のクラッド層の層厚をｄ（ｎｍ）とし、第２のクラッド層の平均ドーパント濃度をＮ_ｄ１（ｃｍ^−３）とした場合に、ｄ≧１．２×Ｎ_ｄ１×１０^−１５＋１５０の関係式を満たすこと。 （もっと読む）

【課題】再成長層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ｃを積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層１２ｃ上に再成長層１２ｄと第二ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程とを具備し、前記再成長層１２ｄを積層する工程において、前記再成長層１２ｄの成長条件を前記第一ｎ型半導体層１２ｃ形成時と同じとする工程（１）と、前記第一ｎ型半導体層１２ｃ形成時よりも少量のＳｉをドーパントとして供給する工程（２）と、多量の前記Ｓｉをドーパントとして供給する工程（３）と、をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子１の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 凹凸を有する基板上に形成する膜の表面が平坦になるまでの成長時間を短縮することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 コランダム構造のｃ面基板の表面に複数の凸部が形成されている。この表面に、Ｇａ及びＮを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、基板表面よりも平坦な下地膜が配置されている。下地膜の上に、Ｇａ及びＮを含む発光構造が配置されている。下地膜のａ軸方向とのなす角度が１５°未満の方向を第１方向とし、それと直交する方向を第２方向とする。凸部は、第１方向及び第２方向に規則的に配列している。凸部の各々は、ｍ軸方向とのなす角度が１５°未満の第１の辺と、ａ軸方向とのなす角度が１５°未満の第２の辺とを有する。第１方向に隣り合う２つの凸部の相互に対向する第１の辺は平行であり、第２方向に隣り合う２つの凸部の相互に対向する第２の辺は平行である。対向する第２の辺のｍ軸方向の間隔は、対向する第１の辺のａ軸方向の間隔よりも広い。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族原料ガスをIII族原料ガス流量Ａ_１(０≦Ａ_１)で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ_１(０＜Ｂ_１)で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ_１(０＜Ｃ_１)で供給する第１工程と、III族原料ガスをIII族原料ガス流量Ａ_２(０＜Ａ_２)で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ_２(０＜Ｂ_２)で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ_２(０＜Ｃ_２)で供給する第２工程とを複数回繰り返すことによりｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層(０≦ｘ＜１)を形成し、前記III族原料ガス流量Ａ_１はｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層を層成長させない流量であって、Ａ_１≦０．５Ａ_２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大電流が印加されることにより高い発光出力が得られる半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、第１ｎ型半導体層１２ａと第２ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する工程を具備し、第２ｎ型半導体層１２ｂを形成する工程において、基板１１の温度を、前記発光層１３を形成する際の前記基板１１の温度未満の低温にして、前記第２ｎ型半導体層１２ｂに前記第１ｎ型半導体層１２ａを超える高濃度でＳｉをドープする半導体発光素子１の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は従来の蛍光体を代替できる蛍光体物質を含み、高性能の白色発光素子を実現できる発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムを提供すること。
【達成手段】本発明は発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムに関する。
本発明の発光素子は第1導電型半導体層、第2導電型半導体層および前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上に第1非晶質層、および前記第1非晶質層上にナノ粒子形態のナノ構造物と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の発光層から出力される光量のむらを抑制し、且つ、半導体発光素子における発光層の面積の減少を抑制する。
【解決手段】半導体発光素子１は、それぞれがｐ型半導体層１６０および発光層１５０を貫通して設けられ、それぞれがｎ型半導体層１４０と電気的に接続される複数のｎ側柱状導体部１８３と、発光層１５０からみてｐ型半導体層１６０の背面側で発光層１５０の面と対向して配置され、複数のｎ側柱状導体１８３と電気的に接続されるｎ側層状導体部１８４と、それぞれがｐ型半導体層１６０と電気的に接続される複数のｐ側柱状導体部１７３と、発光層１５０からみてｐ型半導体層１６０の背面側で発光層１５０と対向して配置され、複数のｐ側柱状導体部１７３と電気的に接続されるｐ側層状導体部１７４とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層と活性層とｐ型クラッド層とを含み、ｎ型クラッド層は複数の窒化物半導体層と、該複数の窒化物半導体層の間に配された少なくとも一つの中間層と、その内部にビアホールとを含み、該ビアホールに電極が備えられた発光素子。 （もっと読む）

【課題】比較的高いキャリア濃度を有する窒化ガリウム系半導体素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、六方晶系窒化ガリウム半導体からなるＧａＮ基板３と、ＧａＮ基板３の主面Ｓ１上に設けられたＩｎＡｌＧａＮからなるクラッド層１７とを備え、ＧａＮ基板３の主面Ｓ１は、ＧａＮ基板３の六方晶系窒化ガリウム半導体のｃ軸方向に対してｍ軸方向に傾いており、ＩｎＡｌＧａＮからなるクラッド層１７は、ｐ型ドーパントが添加されており３×１０^１８ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３の範囲内のキャリア濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】 安定したｐ型ＺｎＯ系半導体結晶を得ることが可能なＺｎＯ系化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＺｎＯ系化合物半導体の製造方法は、単結晶表面を有する基板を準備する工程と、亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、前記Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスの混合比Ｏ_２／Ｎ_２が、０より大きく１以下である。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好な素子窒化物光半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この窒化物光半導体素子は、Ａ面サファイア基板１と、基板１上に設けられた厚さが１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成されたｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４と、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４上に形成されたｐ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層９とを備えている。Ａ面サファイア基板１上に、１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層を成長することによって、これにクラックが発生せず、平坦性と結晶性に優れたＣ面ＡｌＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】搭載基板及び無機材料の反りを抑制するとともに、製造コストを低減することができる光学装置の製造方法及び光学装置を提供する。
【解決手段】無機封止材料６の一面６ｂの少なくとも一部を軟化させ、発光素子２が搭載された複数の搭載基板３を無機封止材料６の軟化した部分に押し付けて、各搭載基板３の発光素子２を一括して封止するようにした。 （もっと読む）

【課題】活性領域に少なくとも１つのｐ型層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置を提供する。
【解決手段】ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。活性領域は、少なくとも１つの付加的なｐ型層を含む。活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。いくつかの実施形態では、活性領域の量子井戸層及びバリア層の両方ともｐ型である。いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０⁸ｃｍ^-2よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加するＤＣマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層２の積層時に、（ｉ）ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下とすること、（ｉｉ）ＤＣマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、（ｉｉｉ）基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも１つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】家庭用交流電源に直接接続して駆動可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、互いに離隔した複数の電極層と、前記電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルと、を含み、前記複数の発光セルのそれぞれは、第２の半導体層及び前記第２の半導体層の一部を取り除いて露出した第１の半導体層を介して前記電極層と電気的に接続され、前記複数の発光セルの上面は、それぞれ分離されており、１つ以上の前記複数の電極層は隣接した前記発光セルの前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を接続し、交流電源により駆動されることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

【課題】大発光量、高発光効率、均一面発光を実現し得るコストの安価な発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置、ディスプレイ及び信号灯を提供する。
【解決手段】半導体発光層２は基板１の一面上に積層されている。半導体発光層２に電気エネルギーを供給する電極４１１〜４１４は、基板を貫通し半導体発光層２に到達する微細孔５１１〜５１４内に充填された導体によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】深紫外光領域の発光特性が優れた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０（発光ダイオード）は、基板２０と、基板２０の上に結晶成長によって順に形成されたｎ型半導体層３０、発光層４０、ｐ型半導体層５０、ｎ型半導体層３０の上に設けられたｎ側電極６０およびｐ型半導体層５０の上に形成されたｐ側電極７０を備える。基板２０はＡｌＮ基板であり、基板面に垂直な方向に対してｃ軸が５°から１５°傾斜した微傾斜基板、または基板表面に垂直な方向に対してｃ軸が４０°から７０°傾いた半極性基板である。発光層４０は、ｎ−Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層（量子井戸層）とＡｌ_０．９Ｇａ_０．１Ｎ層（バリア層）とが交互に３層ずつ積層された多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有する。 （もっと読む）

【課題】光が外部に放出される領域を略同一とすることが可能なＬＥＤアレイを提供する。
【解決手段】複数の発光部１Ａ〜１Ｊを半導体基板上に配置したＬＥＤアレイであって、複数の発光部１Ａ〜１Ｊを、ＬＥＤアレイの一方の端部から他方の端部へＬＥＤアレイの長手方向と垂直な方向に交互に配置させ、奇数番目の発光部（１Ａ、１Ｃ、１Ｅ、１Ｇ、１Ｉ）の一端を電極（２Ａ、２Ｃ、２Ｅ、２Ｇ、２Ｉ）を介して一方のドライバＩＣと接続させると共に他端をダミー電極（３Ａ、３Ｃ，３Ｅ、３Ｇ、３Ｉ）と接続させ、偶数番目の発光部（１Ｂ、１Ｄ、１Ｆ、１Ｈ、１Ｊ）の一端を電極（２Ｂ、２Ｄ，２Ｆ、２Ｈ、２Ｊ）を介して他方のドライバＩＣと接続させると共に他端をダミー電極（３Ｂ、３Ｄ、３Ｆ、３Ｈ、３Ｊ）と接続させ、夫々の発光部（１Ａ〜１Ｊ）は、ダミー電極（３Ａ〜３Ｊ）が接続されている領域よりもドライバＩＣが接続されている領域の方を広くした。 （もっと読む）