【課題】
バッファ層に導電性を持たせつつもバッファ層上に形成されるデバイス層において良好な結晶性を得ることができる積層半導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
前記ＧａＮ系窒化物半導体膜とは異種の材料からなる基板上に第１のバッファ層および第２のバッファ層を交互に３回以上繰り返し積層した中間層を形成する。前記中間層の上にＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させてデバイス層を形成する。前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。前記第２のバッファ層は、単結晶成長温度でシリコンをドープしつつ互いに組成の異なる２種類のＧａＮ系窒化物半導体膜を交互に繰り返し成長させることにより形成される。前記第１のバッファ層は、前記第２のバッファ層よりも高濃度でシリコンドープされる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】低駆動電圧で高発光効率の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下窒化物半導体からなるｎ型層と、窒化物半導体からなるｐ型層と、ｎ型層とｐ型層との間に設けられ、窒化物半導体からなる複数の障壁層と、複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、障壁層よりも小さいバンドギャップを有し、窒化物半導体からなる井戸層と、を有する発光部と、を備え、障壁層の少なくともいずれかは、ｎ型層の側に設けられた第１層と、ｐ型層の側に設けられ、第１層よりも高い濃度でｎ型不純物を含む第２層と、を含み、井戸層の少なくともいずれかは、ｎ型層の側に設けられた第３層と、ｐ型層の側に設けられ、第３層よりも高い濃度でｎ型不純物を含む第４層と、を含み、第２層及び第４層におけるｎ型不純物濃度は、５×１０^１７ｃｍ^−３以上であることを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】化合物系半導体発光素子の発光効率を低下させることなく、静電破壊に対する耐圧を付与する。
【解決手段】本発明の化合物系半導体発光素子は、基板と、該基板上に形成された半導体積層構造とを有する化合物系半導体発光素子であって、半導体積層構造は、基板側から順に、ｎ型層、発光層、およびｐ型層を含むものであり、ｐ型層に接するｐ側電極と、ｎ型層に接するｎ側電極とを有し、ｎ型層は、半導体積層構造を構成する他の層よりも表面粗さが粗いリークパス層を１層以上有し、該化合物系半導体発光素子の上面からの平面視において、リークパス層の面積は、半導体積層構造を構成する他の層の面積よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】グラフェン発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラフェン発光素子及びその製造方法に係り、該グラフェン発光素子は、ｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型グラフェンと、ｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型グラフェンと、発光する活性グラフェンと、が水平配列されている。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体と、前記構造体の前記第２半導体層の側に設けられ、金属部と、前記金属部を貫通する複数の開口部と、を有する第１電極層と、前記第２半導体層と、前記第１電極層と、の間に設けられた中間層と、前記第１半導体層と導通する第２電極層と、を備える。前記複数の開口部のそれぞれの円相当直径は、１０ナノメートル（ｎｍ）以上、５マイクロメートル（μｍ）以下である。前記中間層の厚さは、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第１電極層と、発光層と、第２導電形の第１部分を含む第２半導体層と、第１半導体層に接続された第２電極層と、を備える。第１電極層は、金属部と、第１半導体層から第１電極層に向かう方向に沿って金属部を貫通し、前記方向に沿ってみたときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上、５０マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。発光層は、第１半導体層と第１電極層との間に設けられる。第２半導体層の第１部分は、発光層と第１電極層との間に設けられ、不純物濃度が１×１０^１９／立方センチメートル以上、１×１０^２１／立方センチメートル以下である。 （もっと読む）

【課題】同じ組み合わせのドナー性不純物及びアクセプタ性不純物であっても、光の波長域を変化させたり、波長域を拡げることのできる発光ダイオード素子及びその製造方法並びに単結晶ＳｉＣ材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー性不純物及びアクセプタ性不純物が添加された単結晶ＳｉＣからなり、ポーラス状態が連続的に変化するポーラス領域２４を含み、半導体発光部の光により励起されるとドナー・アクセプタ・ペア発光により可視光を発するＳｉＣ部２と、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体素子全体を加熱することなくサポート基板を接合することを可能とし、また接合時間を短縮化し、化合物半導体素子の製造時間全体の短縮化を図ること。
【解決手段】サポート基板１０６を光透過性の部材で形成し、サポート基板１０６を介して、例えばフラッシュランプ２から、サポート基板１０６は透過するがはんだ層１１１、１０５には吸収される波長のパルス光（閃光）を照射する。これにより、化合物半導体層１０２，１０３，１０４とサポート基板１０６の間に設けられた接合剤層１１１，１０５のみを瞬間的に加熱して融解させ、サポート基板１０６が接合される。なお、サポート基板１０６に金属層を設け、この金属層を加熱させてはんだ層を融解させてもよい。また、サポート基板としてシリコン基板を用い、フラッシュランプの代わりに、ＹＡＧレーザやＣＯ_２レーザを用いて、赤外レーザ光を照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、基板１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられている。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられている。活性層１７は、少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】高い特性を維持するとともに、コストを低減できるＡｌＧａＡｓ基板、赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する
【解決手段】本発明のＡｌＧａＡｓ基板１０は、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）と、裏面１１ｂに形成されたＧａＡｓ基板１３とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。ＧａＡｓ基板１３は、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上２×１０¹⁸ｃｍ^-3以下のｎ型キャリア濃度または５×１０¹⁸ｃｍ^-3以上３×１０¹⁹ｃｍ^-3以下のｐ型キャリア濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｃは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２０とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａの不純物濃度は、裏面１１ｂの不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層をエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ｐ型ドーパントガスを前記ｐ型層のエピタキシャル成長時より多く流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】演色性の高い半導体発光素子および発光装置を提供することを可能にする。
【解決手段】本実施形態による発光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたｎ型ＧａＮ層と、前記ｎ型ＧａＮ層上に設けられ、障壁層と井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層と、前記発光層上に設けられたｐ型ＧａＮからなるコンタクト層と、を備え、前記障壁層および前記井戸層の平均屈折率が前記発光層の上下の層の平均屈折率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 （もっと読む）

【課題】逆電圧による半導体層間の接合の静電破壊を回避することのできる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、III族窒化物半導体からなる第１のｐ型層２３、第２のｐ型層２４、第３のｐ型層２５、第１のｎ型層２０、第２のｎ型層２１及び発光層２３とを備え、ｐ型層及びｎ型層間に順方向の電流を流すことで発光層２３が発光し、逆電圧をかけることで発光しない発光素子１において、発光層２３は、複数の層を有する第１のｐ型層２３〜第３のｐ型層２２内又は第１のｎ型層２０と第２のｎ型層内の各層間のいずれかに形成される。 （もっと読む）

【課題】バッファで改善された結晶性および平坦性を有効に機能積層体に引き継がせることにより、機能積層体の平坦性および結晶性を向上させた半導体素子をその製造方法とともに提供する。
【解決手段】基板上に、バッファと、複数の窒化物半導体層を含む機能積層体とを具える半導体素子であって、前記機能積層体は、前記バッファ側にｎ型またはｉ型である第１のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層(０≦ｘ＜１)を有し、前記バッファと前記機能積層体との間に、前記第１のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層とＡｌ組成が略等しいｐ型不純物を含むＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ調整層(ｘ−０．０５≦ｚ≦ｘ＋０．０５、０≦ｚ＜１)を具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置を提供する。
【解決手段】基板側からＮ型半導体層、活性層、Ｐ型半導体層およびＩＴＯ層が順次積層した少なくとも一つの発光セルを有する発光ダイオードであって、前記ＩＴＯ層は、底部が前記Ｐ型半導体層に達する接点溝と、前記接点溝に充填された接点接続部と、を有し、前記Ｐ型半導体層は前記接点部の底部に、前記Ｐ型半導体層と前記接点接続部との間の電流の流れを遮断する電流遮断層を有することを特徴とするＩＴＯ層を有する発光ダイオードを提供する。 （もっと読む）