【課題】動作電圧を下げて、発光効率を上げることができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１００と、前記基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層１２０と、前記ｎ型窒化物半導体層上の一部分に形成された活性層１３０と、前記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層１４０と、前記ｐ型窒化物半導体層上に形成され、ｐ型不純物が１×１０²⁰／ｃｍ³以上ドーピングされているｐ型コンタクト層１５０と、前記ｐ型コンタクト層上に形成された透明酸化電極１６０と、前記透明酸化電極上に形成されたｐ型電極１７０と、前記活性層が形成されない前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されたｎ型電極１８０とで、窒化物半導体発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１と基板上に形成された、第１のｎ型窒化物半導体層２と、発光層３と、ｐ型窒化物半導体層４と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層５と、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６と、ｎ型窒化物半導体蒸発抑制層７と、第２のｎ型窒化物半導体層８とを含み、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６はＩｎを含んでおり、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６は該ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６よりもバンドギャップの大きいｎ型窒化物半導体蒸発抑制層７と接しており、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６とｎ型窒化物半導体蒸発抑制層７との界面と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層５とｎ型窒化物半導体トンネル接合層６との界面と、の最短距離が４０ｎｍ未満であり、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層中のｎ型ドーパントの濃度が５×１０¹⁹／ｃｍ³未満の窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】第２電極の特にカバーメタルを高い信頼性、高い精度をもって形成することを可能とする半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法において、積層構造体２０を構成する第２電極３０を、（ａ）第２化合物半導体層２２上に、銀を含む第１層３１及びアルミニウムを含む第２層３２から構成された第２電極構造体３３を形成した後、（ｂ）第２電極構造体３３にジンケート処理を施して、第２電極構造体３３上に亜鉛層３４ａを析出させ、次いで、（ｃ）第２電極構造体に無電解ニッケルメッキを施す各工程に基づき形成する。 （もっと読む）

【課題】金属反射層の構成材料の拡散を防止することが可能な電極を備えた半導体発光素子、その製造方法、ランプ、電子機器及び機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上にｎ型半導体層１０４と発光層１０５とｐ型半導体層１０６とがこの順序で積層されてなる積層半導体層２０と、ｐ型半導体層１０６に接合された一方の電極１１１と、ｎ型半導体層１０４に接合された他方の電極１０８と、を具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１または他方の電極１０８のいずれか一方または両方が、第１の拡散防止層５１と金属反射層５２と第２の拡散防止層５３がこの順序で積層されてなる構造を有し、かつ、第１の拡散防止層５１がＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｎｉのいずれかの金属を含む酸化物からなる半導体発光素子１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の影響が抑制されていると共に、高い結晶品質を有するIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａは、ｃ軸方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して有限の角度をなす主面１３ａを有するIII族窒化物半導体基板１３と、III族窒化物半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられ、III族窒化物半導体からなる井戸層２８、及び、III族窒化物半導体からなる複数のバリア層２９を含む量子井戸構造の活性層１７とを備え、主面１３ａは、半極性を示し、活性層１７は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上８×１０^１７ｃｍ^−３以下の酸素濃度を有しており、複数のバリア層２９は、井戸層２８のIII族窒化物半導体基板側の下部界面２８Ｓｄと接する上部界面近傍領域２９ｕにおいて、酸素以外のｎ型不純物を１×１０^１７ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度で含む。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、テンプレート１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられる。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられる。活性層１７は、ＩｎＧａＮからなる少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】表面層に位置するｐクラッド層がマスクパターンに準じてウェットエッチングされることで、良好なボンディング性を確保しつつ、光取り出し効率を低下させることを防止することができる発光装置の製造方法および発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、基板２上に、ｎクラッド層３、活性層４、第１ｐクラッド層５を積層し、第１ｐクラッド層５より酸化性が低く、かつ導電性が低い第２ｐクラッド層６を積層する。次に、第２ｐクラッド層６の表面に粗面Ｒを形成する。第２ｐクラッド層６の中央部を、ｐ電極８の輪郭に合わせたマスクパターンによるウェットエッチングで除去して、第１ｐクラッド層５を露出させる。最後に、第１ｐクラッド層５の露出した部分に、ｐ電極８を形成する。粗面Ｒが第２ｐクラッド層６の表面に形成されているので、エッチングの際の進行度合いをほぼ同じとすることができ、マスクパターンに忠実なエッチングが可能となる。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に、平坦性及び配向性に優れ、優れたバッファ機能を有するバッファ層と、当該バッファ層上に、平坦性・配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度の低い完全性の高い熱安定状態のＺｎＯ単結晶を形成する成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、基板上に２５０℃ないし４５０℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶のバッファ層を成長する低温成長工程と、バッファ層の熱処理を行ってバッファ層を熱安定状態の単結晶層に遷移させる工程と、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、上記熱安定状態の単結晶層上に６００℃ないし９００℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶を成長する高温成長工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】活性層における光吸収を低減しつつ、光取り出し効率を改善可能な発光素子を提供する。
【解決手段】井戸層及び障壁層を有する多重量子井戸を含み、非発光領域と前記非発光領域の周囲に形成される発光領域とを有する活性層と、前記活性層の第１の主面の上に設けられた第１のクラッド層と、前記第１の主面に対して垂直な方向からみて中心が前記非発光領域の中心近傍となるように、前記第１のクラッド層の上に設けられたパッド電極と、前記第１の主面とは反対側の前記活性層の第２の主面の下に設けられた第２のクラッド層と、を備え、前記非発光領域における前記井戸層のバンドギャップは、前記発光領域における前記井戸層のバンドギャップよりも広く、かつ前記第１のクラッド層のバンドギャップよりも狭いことを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、基板１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられている。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられている。活性層１７は、少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内においてＬＥＤチップからの発光のロスを低減すると共に、パッケージからの光取り出し効率を向上することが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】化合物半導体層２と透明基板４とが、接続層３を介して接合されており、化合物半導体層２の底面と接続層３の上面との間には、第１の反射面３ａが設けられ、接続層３の底面と透明基板４の上面との間には、第２の反射面３ｂが設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７は、ｐ型不純物としてＣをドーピングしたＣドープ層７ａと、ＭｇをドーピングしたＭｇドープ層７ｂとを有し、かつｐ型クラッド層７は、Ｃドープ層７ａが活性層５に近い側に形成され、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８のｐ型不純物はＺｎであり、活性層５中のＣ原子濃度、Ｍｇ原子濃度、Ｚｎ原子濃度は、それぞれ５．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下、１．０×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１．６×１０¹⁶ｃｍ^-3以下、１．１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＡｌＧａＮ半導体を有する半導体発光素子の発光効率を向上する。
【解決手段】半導体発光素子１は、発光領域３と、第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体（０≦Ｘ１≦１）層５と、第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ半導体（０≦Ｘ２≦１）層７とを備える。この半導体発光素子１では、発光領域３は、III族窒化物半導体からなり、ＩｎＡｌＧａＮ半導体層を含む。第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体層５は、例えばマグネシウム（Ｍｇ）といったｐ型ドーパントでドープされており、発光領域３上に設けられている。第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ半導体層７は、第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体層５のｐ型ドーパント濃度より小さいｐ型ドーパント濃度を有する。第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ半導体層７は、発光領域３と第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体層５との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７中のｐ型不純物が炭素とマグネシウムであり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８中のｐ型不純物が炭素と亜鉛であるものである。 （もっと読む）

【課題】発光素子表面を異方性エッチング液に浸漬して粗面化する際に、電極周辺のＧａＰ等のエッチングを防止することで、電極剥がれによる発光強度の低下を防止することができ、また安定した電極を歩留りよく製造することのできる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、光を取り出す第一主表面がＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓのいずれかからなる発光素子基板に電極を形成する工程と、少なくとも該電極を覆う金属製保護膜を前記第一主表面に形成する工程と、該金属製保護膜形成後に、エッチングによって前記発光素子基板の表面を粗面化する粗面化工程と、該粗面化後に、前記金属製保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内に原料供給管が設置される気相成長装置において、ｐ型不純物のメモリー効果を抑えるとともに、不純物ドーピングを確実に行える気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて薄膜が成長する基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、サセプタ１１に基板９を載置した状態で基板９を加熱し、対向面部材１３とサセプタ１１とで形成される反応室に気相原料を導入する複数の原料導入流路３７、３９、４１とを備えた気相成長装置であって、複数の原料導入流路の少なくとも一つの流路３９をドーピング原料が供給されるドーピング原料導入流路とし、該ドーピング原料導入流路の流路壁に隣接させて熱媒体を通流させる熱媒体ジャケット４３を設けると共に熱媒体の温度を制御する温度制御装置を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】ウェハ外周部分の動作電圧を抑え、特性の面内均一性を向上させ、ウェハ全面を使用することができ、また信頼性の高い発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともｎ型クラッド層４、発光層５、ｐ型クラッド層７が順次積層された発光素子用エピタキシャルウェハ１において、ｎ型クラッド層４は、Ｓｉを含む２種類以上のｎ型不純物を用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】気相成長によりキャリア濃度の高いｐ型ＺｎＯ系半導体薄膜を成膜できる方法を提供する。
【解決手段】反応管３０内に外部から、窒素前駆体原料と亜鉛前駆体原料とを含み且つ酸素原子を含まない第1の原料ガス３１１を供給するとともに基板１０上にて窒素前駆体原料と亜鉛前駆体原料とを反応させる工程（Ａ）と、反応管３０内に外部から酸素前駆体原料を含む第２の原料ガス３１３を供給して酸素前駆体原料と工程（Ａ）において未反応となった亜鉛前駆体原料とを基板１０上にて反応させる工程（Ｂ）とを実施して成膜する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＧａＮ層が形成された積層体の製造時において、ＧａＮ層の形成直後から、その表面が平滑にされたIII族窒化物積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＮ層１５とＧａＮ層１６とを有し、ＡｌＧａＩｎＮ層を組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表した場合に、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である関係を満足するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、ＡｌＧａＩｎＮ層１５上にＧａＮ層１６を形成する工程を有し、ＧａＮ層を形成する工程において、ＧａＮ層の成長速度が０．２〜０．６μｍ／ｈ、III族原料に対するＶ族原料のモル比を示すＶ／III比が４０００以上である。このようにすることで、Ａｌ含有率が高いＡｌＧａＩｎＮ層１５上において、ＳＫモードではなく、疑似ＦＭモードでＧａＮ層１６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 電極の断線等を抑制するとともに、発光部の上面からの電極の引き出し方向の制約を低減することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光装置１は、基板３と、基板３の上に複数の半導体層を積層して形成されており、Ｇａを含む燐化物半導体からなるコンタクト層１５が最上層に設けられている発光部５と、コンタクト層１５の上面に接続されている電極７と、を備えている。そして、コンタクト層１５は、上面と底面とを結ぶ側面がコンタクト層１５の上面から底面に向かうにつれて広がるように全周に亘って傾斜している。この電極７は、コンタクト層１５の上面から側面の上を介して基板３の上に引き出されている。 （もっと読む）