【目的】
ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体の電極の剥離や金属の凝集が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法及び当該電極が形成されたＺｎＯ系化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上にｎ型ＺｎＯ系半導体層及びｐ型ＺｎＯ系半導体層を含む積層体をｐ型ＺｎＯ系半導体層が表面に形成されるように形成する工程と、ｐ型ＺｎＯ系半導体層をその表面温度が２５０℃ないし５００℃の範囲内で熱処理する工程と、５５０℃未満の温度で、ｐ型ＺｎＯ系半導体層上にｐ側電極金属を上記熱処理の後に形成する工程と、ｎ型ｎ型ＺｎＯ系半導体層上にｎ側電極金属を形成してＺｎＯ系半導体素子を形成する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】ｐ電極とのコンタクトを良好にとることができ、駆動電圧が低減されたIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。
【解決手段】ｐ型コンタクト層１６は、ｐ型クラッド層１５側から第１ｐ型コンタクト層１６ａ、第２ｐ型コンタクト層１６ｂ、第３ｐ型コンタクト層１６ｃの順に積層された３層構造である。第１ｐ型コンタクト層１６ａは、Ｍｇ濃度が３×１０¹⁹／ｃｍ³ 以下である。第２ｐ型コンタクト層１６ｂは、Ｍｇ濃度が４×１０¹⁹〜９×１０¹⁹／ｃｍ³ で、厚さは１０〜６０ｎｍである。第３ｐコンタクト層は、Ｍｇ濃度が１×１０²⁰／ｃｍ³ 以上で、厚さは２〜１０ｎｍである。また、第１ｐ型コンタクト層１６ａと第２ｐ型コンタクト層１６ｂの厚さの合計は、２０〜３００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、光出力の再現性が高い半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有し、第２半導体層と発光層とが選択的に除去されて第２半導体層の側の第１主面に第１半導体層の一部が露出した積層構造体と、第１主面上において第１及び第２半導体層とそれぞれ接続された第１電極及び反射性の第２電極と、前記第２電極の一部と前記第２半導体層との間に設けられ透光性を有する絶縁層と、を備え、前記第２電極と前記絶縁層とが重なる領域における前記第２電極の外側の縁端から前記絶縁層の内側の縁端までの距離は、前記第１主面の周辺部よりも中心部において短いことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＰ厚膜の成長を伴う発光素子において、従来のバルク型活性層の長寿命、低抵抗という利点を維持しつつ、多重活性層型発光素子の持つ高い発光効率（特に内部量子効率）を両立させた発光素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層及びｎ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層及び前記ｎ型クラッド層に挟まれたＡｌＧａＩｎＰからなる少なくとも２層以上の活性層と、該活性層よりＡｌ組成が高いＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層とを有する構造の化合物半導体基板を用いて製造された発光素子であって、前記活性層と前記障壁層は交互に積層されたものであって、前記活性層と前記障壁層の界面に、該活性層よりＡｌ組成が高く、かつ該障壁層の最大Ａｌ組成より低い、厚さ０．５〜１．７ｎｍの領域を有する発光素子。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０は、ｐ形窒化物半導体層１６に接合されｐ形窒化物半導体層１６よりも平面サイズが大きなｎ形ＺｎＯ基板１１を備え、複数の島状のカソード電極１８がｎ形窒化物半導体層１４に対してオーミック接触となるように形成されるとともに、アノード電極１７がｎ形ＺｎＯ基板１１におけるｐ形窒化物半導体層１６側でｎ形ＺｎＯ基板１１に対してオーミック接触となるように形成され、ｎ形ＺｎＯ基板１１よりもＬＥＤ薄膜部１２が実装基板２０に近くなる形で実装基板２０に実装されている。実装基板２０は、ＬＥＤチップ１０から実装基板２０側に放射された光をＬＥＤチップ１０側へ反射する反射膜２５が形成されている。ＬＥＤチップ１０の各カソード電極１８の平面形状は、直径Ｌ２がバンプ３８における導体パターン２８との円形状接合面の直径Ｌ１以下の円形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた半導体発光素子を高い収率で製造が可能な半導体発光素子用テンプレート基板とその製造方法等を提供する。
【解決手段】表面に複数の凸部１０２が形成された基板１０１と、基板１０１の複数の凸部１０２が形成された面上に成膜されたＩＩＩ族窒化物半導体からなるバッファ層１２と、を少なくとも有し、凸部１０２が形成された基板１０１の表面の、均一な形状に形成されていない凸部１０２が占める面積の割合を示す不良面積率が１０％以下である半導体発光素子用テンプレート基板Ｉ_０。 （もっと読む）

【課題】活性層の結晶性を確保でき、かつ光効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物層とｐ型窒化物層との間に形成される活性層を含む窒化物半導体発光素子であって、活性層は交互に形成される複数の量子井戸層及び量子障壁層を含み、複数の量子障壁層のうち、ｐ型窒化物層に隣接して形成される量子障壁層は残りの量子障壁層より薄いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもｐ型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板１上にｐ型不純物原料ガスとしてＶ族の水素化物ガスを導入する。このようにして、基板１上にｐ型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】輝度を向上することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子は、基板と、当該基板の上に形成される第一クラッド層と、当該第一クラッド層の上に形成される活性領域と、当該活性領域の上に形成される第二クラッド層と、を含み、前記活性領域は、不純物が添加されている第一型の障壁層、及び、不純物が添加されていない第二型の障壁層を含み、且つ、前記第一型の障壁層は、前記第二型の障壁層よりも前記第一クラッド層に接近する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の光取出効率を向上する。
【解決手段】発光層５を有するIII−Ｖ族化合物半導体層２１の第一の主表面上に表面電極１３が形成され、第二の主表面側には反射金属膜１０が形成され、反射金属膜１０を介して半導体層２１と支持基板１１とが接合され、反射金属膜１０の半導体層２１側の面の一部にオーミックコンタクト接合部９が表面電極１３の直下以外の領域に配置された半導体発光素子２０において、半導体発光素子２０は１辺が３２０μｍ以下であり、表面電極１３は多角または丸形状で外周の長さが２３５μｍ以上７００μｍ以下であり、オーミックコンタクト接合部９が半導体発光素子２０の外周側又は外周近傍に配置され、表面電極１３側からみたときに、オーミックコンタクト接合部９が表面電極１３を包囲し、且つ表面電極１３の外縁部の各位置から最も近いオーミックコンタクト接合部９までの距離Ｌが等しくなるように配置される。 （もっと読む）

【課題】青色以上の長波長（４４０ｎｍ以上）を有するＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子において、Ｉｎ偏析や結晶性の劣化を抑制しながら、長波長化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層とを含むＩｎＧａＮ系量子井戸活性層６を備えたＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子の製造において、ＩｎＧａＮ障壁層を成長させる工程は、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気に１％以上の水素を添加してＧａＮ層を成長させる第１工程と、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気でＩｎＧａＮ障壁層を成長させる第２工程とからなる。 （もっと読む）

発光デバイス１０が半導体材料の細長い第１のボディ１２を含む。第１のボディの第１のｎ＋タイプ領域１２．１と第２のｐタイプ領域１２．２との間の第１のボディ内に横断接合部１８が形成される。第３のｐ＋タイプ領域１２．３が第１の領域から前記第２の領域によって離隔される。分離材料からなる第２のボディ２２が、前記第２の領域の少なくとも一部に直に隣接して設けられ、第１のボディを少なくとも部分的に封入する。端子配列２８が、第１のボディに接続され、接合部１８に逆バイアスをかけて降伏モードに入れるようになっている。そのデバイスは、接合部１８が降伏モードに入る前に、接合部１８に関連付けられる空乏領域が第２の領域１２．２を貫通して延在し、前記第３の領域１２．３に達するように構成される。
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【課題】電磁と電気エネルギーとの間の変換を行うエネルギー変換装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】エネルギー変換装置は、熱エネルギービームで形成した第１のドープド領域と第２のドープド領域とをもつ広バンドギャップ半導体材料を備える。第１の例において、エネルギー変換装置は、発光装置として動作し、電力を受けて電磁放射を生じる。第２の例において、エネルギー変換装置は、光起電力装置として動作し、電磁放射を受けて電力を生じる。第３の例において、エネルギー変換装置は、絶縁材料を変換して形成する。光起電力装置を太陽熱液体加熱装置と組み合わせることにより、電磁放射を受けて電力および加熱液体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】支持基板の上に結晶性及び平坦性が高い窒素とガリウムを含む半導体層を有する半導体ウェハを提供する。
【解決手段】支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化ガリウム系半導体領域及び障壁層を形成する際に井戸層の劣化を低減可能な、窒化物系半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１３を成長した後に、基板１１上に障壁層２１ａを成長する。障壁層２１ａは時刻ｔ１〜ｔ２の期間に成長温度ＴＢで形成される。成長温度ＴＢ（＝Ｔ２）は摂氏７６０度以上摂氏８００度以下の範囲である。時刻ｔ２で障壁層２１ａの成長が終了する。障壁層２１ａを成長した後に、成長中断を行うことなく基板１１上に井戸層２３ａを成長する。井戸層２３ａは、時刻ｔ２〜ｔ３の期間に成長温度ＴＷ（＝Ｔ２）で形成される。成長温度ＴＷは成長温度ＴＢと同じであり、また摂氏７６０度以上摂氏８００度以下の範囲であることができる。井戸層２３ａのインジウム組成は０．１５以上である。次いで、成長中断を行うことなく井戸層及び障壁層の成長を繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】発光効率を低下させることなく発光波長を長波長化することが可能な窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体デバイスは、（０００１）面と、（０００１）面以外の面とを有するＧａＮ層１０３と、ＧａＮ層１０３と接し、インジウムを含むＩｎＧａＮ層１０４とを備え、ＩｎＧａＮ層１０４において、（０００１）面以外の面と接する部分のインジウムの組成比は、（０００１）面と接する部分のインジウムの組成比に比べて高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】その上に存在する改良エピタキシャル堆積のために且つ発光ダイオードのようなデバイスを製造する場合に前駆体として用いるために炭化珪素基板を処理する方法の提供。
【解決手段】１つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーで、注入イオンと同じ導電型を有する導電性炭化珪素ウェーハの第一表面中に第一導電型のドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程、その注入されたウェーハをアニールする工程、及びそのウェーハの注入第一表面上にエピタキシャル層を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】偏光度を高めることが可能な構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａは、半導体領域１３と、ＩｎＧａＮ層１５と、活性層１７とを備える。半導体領域１３は半極性を示す主面１３ａを有し、ＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる。半導体領域１３の主面１３ａは、該主面１３ａにおける［０００１］軸方向の基準軸Ｃｘに直交する平面Ｓｃに対して角度αで傾斜する。半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}より大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}は１５０ｎｍ以上を有する。ＩｎＧａＮ層１５は半導体領域１３の主面１３ａの直上に設けられて、主面１３ａに接している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ層１５の主面１５ａ上に設けられ、この主面１５ａに接触している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形とサイズに切断する方法を提供する。
【解決手段】塩素がドーピングされた窒化物半導体基板上に、ｐ型層とｎ型層によって挟まれた活性層を有する多層構造からなる窒化物半導体層を積層したウエハーの基板側に、幅広の第１の割り溝を所望のチップ形状に形成する工程と、前記ウエハーの他方の面を構成する結晶成長側であって前記第１の割り溝を形成する位置に相対向する位置に幅狭の第２の割り溝もしくは欠け溝を所望のチップ形状で形成する工程と、窒化物半導体結晶で構成された領域を、前記第１の割り溝の方からチップ分割する工程とからなることを特徴とする窒化物半導体チップの製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトニクスの光源に適用可能なシリコン発光素子を提供する。
【解決手段】第１の面と該第１の面の反対側にある第２の面とを有する第１導電型のシリコン基板と、シリコン基板の第１の面上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ第１導電型と異なる第２導電型のシリコン層と、シリコン層上に設けられた第１の電極と、シリコン基板の第２の面上に設けられた第２の電極と、を備え、シリコン基板のキャリア濃度は、５×１０^１５ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３であり、シリコン層のキャリア濃度は、１×１０^１７ｃｍ^−３〜５×１０^１９ｃｍ^−３であり、且つ、シリコン基板のキャリア濃度より一桁以上大きく、絶縁膜の膜厚は、０．３ｎｍ〜５ｎｍである。 （もっと読む）