【課題】波長４０５ｎｍ以下の窒化ガリウム系発光装置の発光出力を増大させる。
【解決手段】基板１０上にバッファ層１２，１４を形成する工程と、バッファ層１４上にｎ−コンタクト層１６を形成する工程と、ｎ−コンタクト層１６上にｎ−クラッド層１８を形成する工程と、ｎ−クラッド層１８上にｎ−ブロック層２０を形成する工程と、ｎ−ブロック層２０上に活性層２２を形成する工程と、活性層２２上にｐ−ブロック層２４を形成する工程と、ｐ−ブロック層２４上にｐ−クラッド層２６を形成する工程と、ｐ−クラッド層２６上にｐ−コンタクト層２６を形成する工程とを有し、ｎ−コンタクト層１６を形成する工程は、Ｓｉ層とｕ−Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ層を交互に積層する工程からなる。 （もっと読む）

【課題】 発光ピーク強度比の安定した２ピークの発光スペクトルを得ることが可能な窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体発光素子１は、ｎ型窒化物半導体層１１とｐ型窒化物半導体層１３との間に活性層１２を備える。活性層１２は、第１の井戸層１４と、井戸層の中で最も外側に設けられ、第１の井戸層１４を挟む第２の井戸層１５と、各井戸層間に設けられた障壁層１６、１７と、を有し、第２の井戸層１５は第１の井戸層１４を構成する窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体からなり、第１の井戸層１４及び第２の井戸層１５のそれぞれに対応した発光スペクトルのピークを有する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この発光素子は、光出射面１１とは反対側に設置された導電性の支持基板１と、支持基板１に接合され、光出射面１１に対して所定の角度傾斜した側面９ａを有する窒化物系半導体素子層９とを備えている。また、この発光素子の製造方法は、成長用基板１２上に、少なくとも光出射面１１に対して所定の角度傾斜した側面を有する半導体素子層を形成する工程と、光出射面とは反対側に支持基板を設置する工程と、支持基板に、半導体素子層を接合する工程と、成長用基板を除去する工程とを備えている （もっと読む）

【課題】本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。本発明によると、発光素子の電気的、光学的特性を向上させることができ、安価ながら良質の結晶成長を保障できる優れた効果を奏する。
【解決手段】本発明は、GaN半導体物質を成長させるための基板と、上記基板上に形成され、Alがドープされたn型GaNクラッド層と、上記n型GaNクラッド層上に形成され量子井戸構造を有する活性層と、上記活性層上に形成されるp型GaNクラッド層とを含むフリップチップ用GaN半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を備え、搭載形態を問わずに採用できると共に光損失を低下させることができ、かつ、化合物半導体薄膜から発する光を効率良く蛍光体に照射することができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、基板１０と、基板１０の表面上に設けられ発光層２４を有する化合物半導体層２０と、基板１０の裏面に形成される凹部１２と、凹部１２の内部に配置され発光層２４が発する光により励起されると当該光と異なる波長の光を発する蛍光体４０と、凹部１２を覆い蛍光体４０が発する光に対して透過性を有し無機材料からなる透明層３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化物半導体素子に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層が交互に積層されて成る活性層とを含み、上記複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層の交互積層構造は、第１量子井戸層と、上記第１量子井戸層より高い量子準位を有する第２量子井戸層と、キャリアがトンネリングされることができる厚さのトンネリング量子障壁層と、上記トンネリング量子障壁層より厚い量子障壁層である結晶品質改善層とを有する単位積層構造と、上記第１及び第２量子井戸層より厚い厚膜量子井戸層とを具備することを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】電極を両側面に有する半導体素子を回路基板上に横倒しした状態実装する半導体装置の製造方法において、製造工程を簡略化する。
【解決手段】導電性基板の一方の側にｐ側電極と該ｐ側電極上に形成される厚さ３〜２０μｍの第１金属層とを備え、前記導電性基板の他方の側にｎ側電極と該ｎ側電極上に形成される厚さ３〜２０μｍの第２金属層とを備える半導体素子、を準備するステップと、第１パッド及び第２パッドを有する所定パターンが形成された実装基板上に、前記第１金属層が前記第１パッド上に位置するとともに、前記第２金属層が前記第２パッド上に位置するように、前記半導体素子を載置するステップと、前記実装基板上に載置した前記半導体素子の前記第１金属層と前記第１パッドとを固相接合し、前記第２金属層と前記第２パッドとを固相接合するステップと、を含む、半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、ｐ型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、共ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。ここで、共ドープＭｇＺｎＯ層３は、アクセプタ元素とドナー元素とが共に含まれている共ドープ層である。共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】歪みを内包する六方晶系III族窒化物からなる発光層を含みこの発光層からの電子の溢れを低減できる窒化物系半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体光素子ＬＥ１では、歪みを内包した井戸層２１は、ｃ軸方向に延びる基準軸に直交する面に対して傾斜角αで傾斜した基準平面ＳＲ１に沿って延びる。傾斜角αは５９度より大きく８０度未満の範囲及び１５０度より大きく１８０度未満の範囲である。負のピエゾ電界を有する発光層ＳＰ−に隣接して、障壁層のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する窒化ガリウム系半導体層Ｐが示されている。井戸層Ｗ３におけるピエゾ電界の向きはｎ層からｐ層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Ｐにおけるピエゾ電界の向きはｐ層からｎ層への方向である。このため、発光層ＳＰ−と窒化ガリウム系半導体層Ｐとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。 （もっと読む）

【目的】
素子分離する際に半導体素子に欠陥が導入されることを阻止し、素子特性及び量産性に優れた半導体素子及びその製造方法を提供する。特に、発光効率及び素子寿命に優れるとともに、量産性に優れた高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる基板と素子動作層との間に基板とは異なる結晶組成の欠陥阻止層を形成するステップと、当該素子動作層が形成された基板の素子動作層側表面から欠陥阻止層を超える深さまで除去された素子区画溝を形成するステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子において、活性層を構成する量子井戸層とバリア層の界面での転位・欠陥の発生を抑制し、高信頼性かつ高光出力の窒化物半導体発光素子を実現する。
【解決手段】基板上に、単一または多重量子井戸構造の活性層をｐ型及びｎ型の一対のクラッド層で挟んだ窒化物系半導体発光素子において、前記活性層はバリア層と量子井戸層が交互に積層される構造を有し、前記バリア層はｎ型不純物がドープされ、ｎ型不純物ドーピング濃度がｎ１である第１ドープ層と、ｎ型不純物ドーピング濃度がｎ２である第２ドープ層と、ｎ型不純物ドーピング濃度がｎ１である第３ドープ層からなる積層構造を有し、０＜ｎ１／ｎ２≦０．８の関係を満たし、前記バリア層の膜厚はｂｎｍとした場合、第１ドープ層の膜厚は０．２５ ｎｍ以上ｂ／２ ｎｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高効率の近紫外発光の半導体発光素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ及びｎ型ＡｌＧａＮの少なくともいずれかからなる第１の層と、Ｍｇを含有するｐ型ＡｌＧａＮからなる第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に設けられ、Ｓｉを含有するＡｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮからなる複数の障壁層と、前記複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、ＧａＩｎＮまたはＡｌＧａＩｎＮからなる井戸層と、を有する発光部であって、前記障壁層のうち、前記第２の層に最も近い障壁層が、Ｓｉを含有する第１の部分と、第１の部分と第２の層との間に設けられ、第１の部分におけるＳｉ濃度よりも低く、第２の層に最も近い障壁層以外の障壁層におけるＳｉ濃度よりも低い濃度でＳｉを含有する第２の部分と、を有する発光部と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、光の取り出し効率を高めること。
【解決手段】サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる基板と、該基板上に順次形成されたｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を含むＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層とを有する発光素子の製造方法である。この場合、発光層はＧａＮからなる障壁層とＩｎＧａＮからなる井戸層とからなり、両端の層を障壁層とする多重量子井戸構造である。そして発光層に接するｎ型層がＩｎＧａＮからなり、基板の半導体層を積層する表面を、傾斜側面を有する凹凸状に加工し、該傾斜側面の基板表面に対する角度θを３０°＜θ＜６０°とする。上記凹凸状に加工した基板表面に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を順次形成し、フリップチップ型の発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】高反射率と低接触抵抗を両立させることのできる半導体発光素子用電極及びこれを用いた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１００におけるＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、かつ０≦ｘ＋ｙ≦１）の一般式で表される半導体層と接触するｐ側電極１２０が、当該半導体上に形成されＡｇを主成分としＰｄ及びＣｕが添加されているＡｇ合金層１２０ａを含むようにした。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯの低抵抗で高品質なｐ形半導体層を確実に形成でき、量産性に優れ、発光の強度が強い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形ＺｎＯ系バルク単結晶基板をｎ形半導体層１４とし、そのｎ形ＺｎＯ系バルク単結晶基板の亜鉛原子を含む面上に、エピタキシャル成長法により、ｐ形半導体層１３として窒素と銅を同時にドープしたＺｎＯ系半導体薄膜を作製し、その接合面１８にｐｎ接合を形成した。 （もっと読む）

【課題】高精度で高速に組み立てることができる、光取り出し効率が高い半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と第２半導体層と発光層とを有する積層構造体と、前記積層構造体の主面上の第１及び第２半導体層にそれぞれ接続された第１電極及び第２電極と、前記主面上において、第１及び第２電極により覆われていない第１及び第２半導体層の上に設けられ、屈折率の異なる誘電体膜が積層されてなり、第１及び第２電極の少なくともいずれかの周縁に立設された突出部を有する誘電体積層膜と、を有する半導体発光素子と、第１及び第２電極の少なくともといずれかと接続される接続部材を有する実装部材と、を対向させ、突出部をガイドとして接続部材を第１及び第２電極の前記少なくともいずれかに接触させ接合することを特徴とする半導体発光装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電荷注入により発光させる無機ＥＬ素子用の発光材料として有用であり、発光輝度に優れ長寿命を有する半導体の提供。
【解決手段】第１２−１６族化合物の少なくとも１種または２種以上の混晶を母体材料とする半導体であって、母体材料を構成する第１６族元素とは異なる第１６族元素をドーパントとして含むことを特徴とする、半導体。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、光の取り出し効率を高めること。
【解決手段】サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる基板と、該基板上に順次形成された、発光層を含むＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる半導体層と、該半導体層上に形成された電極とを有する発光素子を、樹脂で封止するＬＥＤランプの製造方法である。この場合、基板の半導体層を積層する表面を、傾斜側面を有する凹凸状に加工し、該傾斜側面の基板表面に対する角度θを３０°＜θ＜６０°とする。そして発光素子を電極が下になるようにフリップチップ型にマウントし、発光素子をシリコーン樹脂で封止する。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、高度の結晶性を有するAlN結晶膜シード層と選択・横方向成長を組み合わせることにより、一層結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を得ることができる。
【解決手段】C面サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜が形成され、さらにＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体であって、該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域が形成されている、および／または該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域が形成されている、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。 （もっと読む）

【課題】 本発明は二重スケール粗化構造を有する光電素子を提供する。
【解決手段】 光電素子の半導体層でエピタキシャル成長を行う過程において、ドーパントを高濃度ドープ（ｈｅａｖｉｌｙ−ｄｏｐｅ）することにより、この半導体層に複数個の島状体を成長させることができる。その後、エピタキシャル温度を下げることで、複数個のピンホール（ｐｉｎ ｈｏｌｅｓ）を複数個の島状体に持続的に形成する。その内、ピンホールは島状体の頂部と側面に分布し、光の光電素子内部における全反射率を大幅に下げることができ、さらには光電素子の光強度を増加させる。そして、従来の技術と比較して言えば、本発明が提示する製造工程は、低汚染、製造工程が簡単、コストが低廉、光取り出し効率がより優れている、二重スケールの出光面の有効面積が比較的大きい（平滑な出光面がほとんど存在しない）等の優位性を有している。 （もっと読む）