【課題】静電気放電耐圧を向上させたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型ドーパントがドーピングされた第１窒化物半導体層３０ａと、前記第１窒化物半導体層よりも低いドーピング濃度を有するとともに、１０ｎｍを超える厚さを有する第２窒化物半導体層３０ｂとが交互に複数回積層された構造を含むｎ型窒化物半導体層３０と、ｐ型窒化物半導体層５００と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ形窒化物半導体層との間に位置し、電子と正孔の再結合により光を生成する活性層４００と、前記ｎ型窒化物半導体層に電気的に連結されるｎ側電極８００と、前記ｐ型窒化物半導体層に電気的に連結されるｐ側電極７００とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】順方向電圧の特性及びターンオン電圧の特性のような発光素子自体の特性を向上させ、入力電圧を減少させ発光素子の効率を増加させながら、低電圧動作で発光素子の信頼性が増加する半導体発光素子及びその製造方法が提案される。本発明による半導体発光素子は、ｎ型ＧａＮ半導体層、ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面に形成された活性層、活性層上に形成されたｐ型半導体層と共に、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面に形成されたランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極を含む。 （もっと読む）

発光ダイオードのための多重量子井戸（ＭＱＷ）構造と、発光ダイオードのためのＭＱＷ構造を作製する方法とを提供する。ＭＱＷ構造は複数の量子井戸構造を含み、個々の量子井戸構造が、バリア層と、バリア層上に形成され量子ドットナノ構造を組み込んだ井戸層とを含み、これらのバリア層及び井戸層が第１の金属窒化物ベースの材料を含み、量子井戸構造の少なくとも１つが、井戸層上に形成されたキャッピング層をさらに含み、このキャッピング層が、第１の金属窒化物ベースの材料と比較して異なる金属元素を有する第２の金属窒化物ベースの材料を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの取り扱い性を向上させるとともに、ダイシングによる素子分割時の管理を容易にし、生産効率を向上させることが可能な、上下電極構造の発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２１上に複数の化合物半導体層１１を形成する積層工程と、化合物半導体層１１の間に平坦化用レジスト層２３を埋め込む平坦化工程と、シード層２を形成するシード層形成工程と、分離用レジスト層２２によって一部が分断されてなるメッキ層１を形成するとともに仮貼付基板２４を貼り付けるメッキ工程と、基板２１を剥離して平坦化用レジスト層２３及び分離用レジスト層２２を除去する除去工程と、ｎ型半導体層８上にｎ型電極層を形成する電極形成工程と、仮貼付基板２４を除去する仮貼付基板除去工程と、メッキ層１を切断するダイシング工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】光度が高く、また演色性も高いIII族窒化物半導体白色系発光素子を、蛍光体の微妙な組成調整なども不要として簡単な構造で簡易に形成することができるようにする。
【解決手段】本発明は、基板１と、その基板１の表面上に設けたガリウムを含むIII族窒化物半導体材料からなる障壁層５ａ及び井戸層５ｂを備えた多重量子井戸構造の発光層５とを具備したIII族窒化物半導体発光素子において、多重量子井戸構造をなす井戸層５ｂの各々が、アクセプター不純物が添加され、互いに層厚を異にしている、障壁層５ａと同一の伝導形を呈するIII族窒化物半導体層からなるものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に、反応性スパッタ法を用いてバッファ層を形成し、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることができ、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】サファイアからなる基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層１２が積層され、該バッファ層１２上に、ｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなり、バッファ層１２は、反応性スパッタ法によって形成されるものであり、バッファ層１２が酸素を含有し、かつ、バッファ層１２中の酸素濃度が１原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】活性層への不純物の拡散に基づく発光出力の低下を抑えた信頼性の高い半導体ウエハ及び発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウエハは、第１導電型の不純物を添加した第１クラッド層と活性層との間に、ヘテロ接合界面を含む複数の拡散抑止層を有して形成される第１の拡散抑止多層構造層と、第２導電型の不純物を添加した第２クラッド層と活性層との間に、ヘテロ接合界面を含む複数の拡散抑止層を有して形成される第２の拡散抑止多層構造層とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンススペクトル強度を精度良く測定して、良好な素子特性を有するIII族窒化物半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板生産物Ｅ１に励起光Ｌ_ＥＸを照射してＰＬスペクトルを測定する。ＰＬスペクトルは、ＧａＮ系半導体領域１９からの成分Ｌ_ＯＵＴ２と、ＧａＮ系半導体領域１７からの成分Ｌ_ＯＵＴ１とを含む。成分Ｌ_ＯＵＴ２は、直接成分Ｌ（Ｄ）_ＯＵＴ２と、基板１１の非鏡面の裏面１１ｂにおいて反射されて生成される反射成分Ｌ（Ｒ）_ＯＵＴ２を含む。成分Ｌ_ＯＵＴ１も、直接成分Ｌ（Ｄ）_ＯＵＴ１と、基板１１の非鏡面の裏面において反射されて生成される反射成分Ｌ（Ｒ）_ＯＵＴ１を含む。ＰＬスペクトルの測定の後に、第１の成分Ｌ_ＯＵＴ１と第２の成分Ｌ_ＯＵＴ２との比（Ｌ_ＯＵＴ２／Ｌ_ＯＵＴ１）を生成する。この比を第２のＧａＮ系半導体領域１９の品質を示す所定値と比較し、該比較の結果に基づき基板生産物Ｅ１を選別する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置は、発光層と、前記発光層の１つの面上に形成され、前記発光層と反対側の表面に複数の突起部を有する第１半導体層と、前記第１半導体層の前記複数の突起部上にそれぞれ形成された複数のキャップ部を有する第２半導体層と、を備え、前記第１半導体層の前記複数の突起部と前記第２半導体層の前記複数のキャップ部は、前記発光層から出力される光の外部取り出し面を形成する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化が容易で、且つ発光特性を損なわないＺｎＯ系の半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）を主成分とする半導体層２を備え、半導体層２に含まれる不純物としてのマンガン（Ｍｎ）の濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体を用いた発光装置において、光取出効率を増大させる。
【解決手段】サファイア基板１０の表面にナノインプリントプロセス及びＲＩＥでナノ寸法の凹凸構造を形成し、その上にＧａＮ層１４、ｎ型ＧａＮ層１６、活性層１８、ｐ型ＧａＮ層２０を形成する。凹凸構造により活性層１８からの光の反射を抑制する。サファイア基板１０とＧａＮ層１４との界面にＳｉＯ_２あるいは金属を蒸着してもよい。ｐ型ＧａＮ層２０の外表面にナノ寸法の凹凸構造を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】ｐ型として機能するｐ型ＭｇＺｎＯ系薄膜及びそれを含む半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ系薄膜１は、ＺｎＯ系半導体からなる基板２上に形成されている。ｐ型Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ系薄膜１内のＺｎに対するＭｇの比率であるＸは、０≦Ｘ＜１、好ましくは、０≦Ｘ≦０．５となるように構成されている。ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、アクセプタとなるｐ型不純物の窒素が約５．０×１０^１８ｃｍ^−３以上の濃度で含まれている。ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、ドナーとなるシリコン等の４族の元素からなるｎ型不純物が約１．０×１０^１７ｃｍ^−３以下の濃度となるように構成されている。ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、ドナーとなるボロン及びアルミニウム等の３族の元素からなるｎ型不純物が、約１．０×１０^１６ｃｍ^−３以下の濃度となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】製造時における金属接触部の劣化や金属の窒化物半導体層への拡散を防止してコンタクト抵抗の低減を図る。
【解決手段】基板、第１接触部、前記基板上に蒸着したドープ半導体材料第１層、前記第１層に蒸着した半導体接合領域、前記接合領域に蒸着したドープ半導体材料を有する第２層（この第２層は前記第１層と逆極性にドープした半導体を有する）、及び第２接触部を含んでなり、前記第２接触部は前記第２層と電気的に導通し、前記第１接触部は前記基板と前記接合領域との間で前記半導体デバイス内に包埋されて前記第１層と電気的に導通する半導体材料、並びに埋め込み接触半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を主面とするＧａＮ半導体層を用い、ｐ型層に意図的に積層欠陥を設けることで、ホール濃度を高く形成し、良好な偏光状態の光を取り出すことができる発光ダイオード、および、レーザ発振効率を高め、閾値電流を低減することができる半導体レーザダイオード。
【解決手段】ｃ面以外の非極性面または半極性面の面方位を結晶成長の主面とする化合物半導体（１００〜１０８）からなる積層構造を有する半導体発光素子であって、積層構造の一つに積層欠陥Ｉを発生させるｐ型半導体層１０８を設けることによって、ｐ型半導体層１０８の下部に比べて、ｐ型半導体層１０８より後に積層される結晶成長層の方が結晶欠陥が多いことを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

基板のミスカット角上に成長する非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜。＜０００−１＞方向に向かうミスカット角は、０．７５°以上であり、＜０００−１＞方向に向かう２７°未満である。表面起伏は、抑えられ、面のある角錐を備え得る。薄膜を用いて製作されるデバイスもまた開示される。非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の表面起伏を抑えるために非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜が成長する基板のミスカット角を選択することを包含する方法を用いて製作される、滑らかな表面形態構造を有する非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜。非極性ＩＩＩ族窒化物薄膜が成長する基板のミスカット角上に成長する滑らかな表面形態構造を有する薄膜上に成長する非極性ＩＩＩ族窒化物ベースのデバイス。ミスカット角はまた、非極性薄膜からの長波長発光を達成するために選択され得る。
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【課題】高い取り出し効率を有する半導体チップ及び半導体チップの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】放射を発生するために設けられた活性領域２３を有する半導体連続層を有する半導体ボディ２を含んでなる半導体チップ１において、コンタクト部４が半導体ボディ２の上に配置され、注入障壁５がコンタクト部４と活性領域２３の間に形成されることで、コンタクト部４から活性領域２３への電荷キャリアの垂直方向の注入が注入障壁５により減少し、電荷キャリアはコンタクト部４の横に位置する活性領域２３へ大部分が注入される。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、発光強度が高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で有し、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層に正極および負極がそれぞれ設けられた発光素子において、正極が半導体層上に形成された透光性電極および該透光性電極上に形成されたボンディングパッド電極を有し、透光性電極が金属酸化物からなる透明導電材料を含み、かつ最上部にボンディングパッド電極接合のための層を有し、ボンディングパッド電極が透光性電極側にＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、ＡｌおよびＡｇの少なくとも１種を含む金属からなる反射層を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族領域での第１ｐ型ドーパントの密度が高められること。
【解決手段】ｐ型ドーパント（Ｂｅ：Ｉｎ）でドープされたIII−Ｖ族領域を含む半導体物質１４０において、ｐ型ドーパントは、第１ｐ型ドーパント（Ｂｅ）と、（少なくとも一つの）第２ｐ型ドーパント（Ｉｎ）（及び不純物）とを含み、前記第１ｐ型ドーパントの原子半径は前記第２ｐ型ドーパント（及び前記不純物）の原子半径のサイズと異なっており、前記第１ｐ型ドーパントの原子（Ｂｅ）は、前記第２ｐ型ドーパント（Ｉｎ）の原子に対して２番目に近い近傍の位置（１番近傍はＮ原子：図８）にある。 （もっと読む）

【課題】良好な発光出力と低駆動電圧を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に、発光層、発光層の一方の側に接するｎクラッド層および発光層の他方の側に接するｐクラッド層を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、ｎクラッド層はＩｎＧａＮを含む窒化ガリウム系化合物半導体であり、ｐクラッド層はＡｌＧａＮを含む窒化ガリウム系化合物半導体であり、発光層は、ＧａＮからなる障壁層とＩｎＧａＮからなる井戸層（活性層）とが交互に積層され、ｎクラッド層と接する層およびｐクラッド層と接する層を共に障壁層とする多重量子井戸構造であり、井戸層が厚膜部および薄膜部からなり、井戸層の下面（基板側）は平坦であり、上面の凹凸により厚膜部および薄膜部が構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】可視光の発光が可能であり、新規な発光特性を持つＺｎＯ系半導体層を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層は、ＺｎＯにＳｅまたはＳが添加され、紫外光の発光ピーク波長及び可視光の発光ピーク波長を持つ。 （もっと読む）